CN108831982A - Led电路制程及其结构 - Google Patents
Led电路制程及其结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108831982A CN108831982A CN201810414786.XA CN201810414786A CN108831982A CN 108831982 A CN108831982 A CN 108831982A CN 201810414786 A CN201810414786 A CN 201810414786A CN 108831982 A CN108831982 A CN 108831982A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- area
- type region
- substrate
- straight line
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000005439 thermosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种LED电路制程及其结构，其主要是对一基板进行第一次除料且形成有复数第一除料区及复数第一留料区，而后将一第一贴附层贴附于该基板一侧且定位所述复数第一留料区，再对该基板进行第二次除料且形成有复数第二除料区及复数第三除料区与复数第二留料区及复数第三留料区，另将一第二贴附层贴附于所述第一贴附层相对该基板的另一侧与以一散热层贴附于所述第二贴附层相对该第一贴附层的另一侧，借此，该LED电路可达到无须传统的电镀、蚀刻与水洗过程，除可达到节能减碳的功效外，更可达到具可挠性且可减少制作时间与降低制造成本的功效。
Description
技术领域
本发明属于LED照明技术领域，具体涉及一种具可挠性且可减少制作时间与降低制造成本的LED电路制程及其结构。
背景技术
由于发光二极管(LED)具有使用寿命长、消耗能量低以及体积小等优点，因此近年来各项发光装置的光源逐渐采用发光二极管来取代传统的光源设备，并随着全球环保的意识抬头，节能省电已成为当今的趋势，LED产品具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而，目前LED发光输出效率在20％-30％之间，其余的70％-80％都被转换成热能，这些热能若无法被顺利地导出，将会使LED产品温度过高，进而影响产品的生命周期、发光效率与稳定性，而发光二极管装置中，基板是很重要一个部份，其主要的用途为将发光二极管与统电路板之间所产生的热发散导出，发光二极管基板的材料，为人所熟知，有硅基板、碳化硅基板、氮化铝陶瓷基板、氧化铝陶瓷基板等，另外一般散热铝基板处理流程为(除油/酸洗→水洗→微蚀/机械磨板→水洗→烘干)→剥除PE膜→贴膜(预热→贴膜→冷却)→曝光→剥除PET膜→褪膜→显影(显影→水洗→烘干)→蚀刻，因散热铝基板无法弯折因此对于特殊曲面或特殊需求则无法满足，并且其散热铝基板在形成导通电路前需经过所述加工流程，且每一步加工流程都需要耗费相当的加工时间，除了蚀刻、电镀的制程容易造成环境污染且无法节能减碳外，其发光二极管基板更需耗费冗长的制作时间且相对的制造成本高等问题产生。
因此，现有技术中亟需一种新的技术方案解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED电路制程及其结构，解决上述背景技术中提到的现有的LED电路结构存在的其发光二极管基板更需耗费冗长的制作时间，且相对的制造成本高等问题。
本发明的技术方案为：一种LED电路制程，包含下列步骤
步骤一：提供一基板；
步骤二：对该基板进行第一次除料且形成有复数第一除料区及复数第一留料区，其中所述第一除料区由三组第一直线区域及一第一ㄈ型区域所构成，且其一组第一直线区域形成于该第一ㄈ型区域的一侧，另两组第一直线区域形成于该ㄈ型区域另一侧；
步骤三：将一第一贴附层贴附于该基板一侧且定位所述复数第一留料区；
步骤四：再对该基板进行第二次除料且形成有复数第二除料区及复数第三除料区与复数第二留料区及复数第三留料区，其中所述第二除料区由三组第二直线区域及一第二L型区域所构成，且其两组第二直线区域形成于该第二L型区域一侧，另一组第二直线区域形成于该第二L型区域另一侧，而该第三除料区由两组第三直线区域及一第三L型区域所构成，且其一组第三直线区域形成于该第三L型区域一侧，另一组第三直线区域形成于该第三L型区域另一侧；
步骤五：再将一第二贴附层贴附于所述第一贴附层相对该基板的另一侧；
步骤六：另以一散热层贴附于所述第二贴附层相对该第一贴附层的另一侧。
进一步，所述相邻的第一留料区经由所述第二留料区相互串联连接，并该等相邻的第一留料区经由所述第三留料区相互并联连接。
进一步，所述第一ㄈ型区域间与一侧的第一直线区域间的第一留料区上设置有至少一LED晶粒。
一种LED电路结构，包括
一基板，该基板上形成有复数第一除料区及由该第一除料区所形成的复数第一留料区，其中所述第一除料区由三组第一直线区域及一第一ㄈ型区域所构成，且其一组第一直线区域形成于该第一ㄈ型区域的一侧，另两组第一直线区域形成于该ㄈ型区域另一侧，又该基板上另形成有复数第二除料区及由该第二除料区所形成的复数第二留料区，及形成有复数第三除料区及由该第三除料区所述形成的复数第三留料区，其中所述第二除料区由三组第二直线区域及一第二L型区域所构成，且其两组第二直线区域形成于该第二L型区域一侧，另一组第二直线区域形成于该第二L型区域另一侧，而该第三除料区由两组第三直线区域及一第三L型区域所构成，且其一组第三直线区域形成于该第三L型区域一侧，另一组第三直线区域形成于该第三L型区域另一侧，而该等相邻的第一留料区经由所述第二留料区相互串联连接，并该等相邻的第一留料区经由所述第三留料区相互并联连接；
一第一贴附层，该第一贴附层贴附于所述基板的一侧，且该第一贴附层定位所述复数第一留料区，而该第二留料区与该第三留料区设置于所述第一贴附层上；
一第二贴附层，该第二贴附层贴附于所述第一贴附层相对该基板的另一侧；
一散热层，该散热层贴附于所述第二贴附层相对该第一贴附层的另一侧。
进一步，所述第一ㄈ型区域间与一侧的第一直线区域间的第一留料区上设置有至少一LED晶粒。
采用上述技术方案的本发明能够带来如下有益效果：
本发明LED电路制程及其结构，主要是对一基板进行第一次除料且形成有复数第一除料区及复数第一留料区，而后将一第一贴附层贴附于该基板一侧且定位所述复数第一留料区，再对该基板进行第二次除料且形成有复数第二除料区及复数第三除料区与复数第二留料区及复数第三留料区，另将一第二贴附层贴附于所述第一贴附层相对该基板的另一侧与以一散热层贴附于所述第二贴附层相对该第一贴附层的另一侧，借此，该LED电路可达到无须传统的电镀、蚀刻与水洗过程，除可达到节能减碳的功效外，更可达到具可挠性且可减少制作时间与降低制造成本的功效。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的流程图。
图2为本发明较佳实施例的流程示意图一。
图3为本发明较佳实施例的流程示意图二。
图4为本发明较佳实施例的流程示意图三。
图5为本发明较佳实施例的流程示意图四。
图6为本发明较佳实施例的流程示意图五。
图7为本发明较佳实施例的流程示意图六。
图8为本发明较佳实施例的立体示意图。
图中，1-基板、11-第一除料区、111-第一直线区域、112-第一ㄈ型区域、12-第一留料区、13-第二除料区、131-第二直线区域、132-第二L型区域、14-第二留料区、15-第三除料区、151-第三直线区域、152-第三L型区域、16-第三留料区、17-LED晶粒、2-第一贴附层、3-第二贴附层、4-散热层。
具体实施方式
请参阅图1至图7所示，为本发明方法的流程图及流程示意图一至六，由图中可清楚看出，该LED电路制程包括有：
步骤一：提供一基板；提供有所述基板1，且该基板1为可挠性的基板1。
步骤二：对该基板进行第一次除料且形成有复数第一除料区及复数第一留料区；其中对该基板1以雷射、冲压方式进行第一次除料，使该基板1上形成有复数第一除料区11及复数第一留料区12，其中该第一除料区11由三组第一直线区域111及一第一ㄈ型区域112所组成，又该一组第一直线区域111形成于该第一ㄈ型区域112的一侧边，而另两组的第一直线区域111形成于该第一ㄈ型区域112另一侧边，于本实施例中，该其一组的第一直线区域111形成于该第一ㄈ型区域112的上侧边，另两组的第一直线区域111形成于该第一ㄈ型区域112的下侧边，并该基板1经由该第一除料区11所除料后剩余的区域为所述第一留料区12。
步骤三：将一第一贴附层贴附于该基板一侧且定位所述复数第一留料区；其中该基板1经过所述进行第一次除料后所形成的第一留料区12经由一第一贴附层2将其贴附且定位，使该第一留料区12贴附于该第一贴附层2上。
步骤四：再对该基板进行第二次除料且形成有复数第二除料区及复数第三除料区与复数第二留料区及复数第三留料区；再对该基板1以雷射、冲压方式进行第二次除料，且该基板1经过所述第二次除料后会形成有所述第二除料区13及第三除料区15，又该基板1上第二除料区13位置处会另形成有所述第二留料区14，与该基板1上的第三除料区15位置处会另形成有所述第三留料区16，并其中该第二除料区13由三组第二直线区域131及一第二L型区域132所构成，且其两组第二直线区域131形成于该第二L型区域132一侧，另一组第二直线区域131形成于该第二L型区域132另一侧，于本实施例中，该两组的第二直线区域131形成于该第二L型区域132的上侧边，另一组的第二直线区域131形成于该第二L型区域132的下侧边，而该第三除料区15由两组第三直线区域151及一第三L型区域152所构成，且其一组第三直线区域151形成于该第三L型区域152一侧，另一组第三直线区域151形成于该第三L型区域152另一侧，并该基板1经由该第二除料区13与第三除料区15所除料后剩余的区域分别为第二留料区14与第三留料区16，且该等第二除料区13局部与该第一除料区11相互重复形成，该等第三除料区15局部与该第一除料区11与该第二除料区13相互重复形成，并该相邻的第一留料区12经由所述第二留料区14相互串联连接，与该等相邻的第一留料区12经由所述第三留料区16相互并联连接，并于第一留料区12与第二留料区14与第三留料区16成型后，该第一ㄈ型区域112间与一侧的第一直线区域111间的第一留料区12上设置有至少一LED晶粒17。
步骤五：再将一第二贴附层贴附于所述第一贴附层相对该基板的另一侧；其中所述基板1上形成有所述第一留料区12及第二留料区14及第三留料区16后，再将第二贴附层3贴附于该第一贴附层2的一侧，且该第二贴附层3贴附于该第一贴附层2相对该基板1的另一侧。
步骤六：另以一散热层贴附于所述第二贴附层相对该第一贴附层的另一侧；于该第二贴附层3贴附于该第一贴附层2后，再将散热层4贴附于所述第二贴附层3的一侧，且该散热层4贴附于所述第二贴附层3相对该第一贴附层2的另一侧，其中该散热层4为石墨或石墨烯，借此，其中所述LED电路可达到无须传统的电镀、蚀刻与水洗过程，除可达到节能减碳的功效外，更可达到具可挠性且可减少制作时间与降低制造成本的功效，又其中该基板1上可形成有复数阵列排列的第一留料区12及第二留料区14及第三留料区16，再将该每阵列进行裁切出复数基板1，并各基板1可设置于所述散热层4上，再将该散热层4进行切割，使该各基板1一侧都贴附有所述散热层4。
再请同时前述附图及图8所示，为本发明LED电路结构的立体示意图，由图中可清楚看出，其中所述LED电路结构包括有所述基板1及一第一贴附层2及一第二贴附层3及一散热层4，其中该基板1上形成有所述第一除料区11与该第二除料区13与该第三除料区15，并该基板1于所述第一除料区11位置处另形成有复数第一留料区12及复数第二留料区14及复数第三留料区16，其中该第一除料区11由所述三组第一直线区域111及第一ㄈ型区域112所组成，又该一组第一直线区域111形成于该第一ㄈ型区域112的一侧边，而另两组的第一直线区域111形成于该第一ㄈ型区域112另一侧边，于本实施例中，该其一组的第一直线区域111形成于该第一ㄈ型区域112的上侧边，另两组的第一直线区域111形成于该第一ㄈ型区域112的下侧边，并该基板1经由该第一除料区11所除料后剩余的区域为所述第一留料区12，且该第一ㄈ型区域112间与一侧的第一直线区域111间的第一留料区12上设置有至少一LED晶粒17，又其中该第二除料区13由三组第二直线区域131及第二L型区域132所构成，且其两组第二直线区域131形成于该第二L型区域132一侧，另一组第二直线区域131形成于该第二L型区域132另一侧，于本实施例中，该两组的第二直线区域131形成于该第二L型区域132的上侧边，另一组的第二直线区域131形成于该第二L型区域132的下侧边，另其中该第三除料区15由两组第三直线区域151及第三L型区域152所构成，且其一组第三直线区域151形成于该第三L型区域152一侧，另一组第三直线区域151形成于该第三L型区域152另一侧，并该基板1经由该第二除料区13与第三除料区15所除料后剩余的区域分别为第二留料区14与第三留料区16，且该等第二除料区13局部与该第一除料区11相互重复形成，该等第三除料区15局部与该第一除料区11与该第二除料区13相互重复形成，并该相邻的第一留料区12经由所述第二留料区14相互串联连接，与该等相邻的第一留料区12经由所述第三留料区16相互并联连接，借此，其中所述LED电路可达到无须传统的电镀、蚀刻与水洗过程，除可达到节能减碳的功效外，更可达到具可挠性且可减少制作时间与降低制造成本的功效。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用以限制本发明，若依本发明的构想所作的改变，在不脱离本发明的精神范围内，例如：对于构形或布置型态加以变换，对于各种变化，修饰与应用，所产生的等效作用，均落在本发明的保护范围内。
Claims (5)
1.一种LED电路制程，其特征在于：包含下列步骤
步骤一：提供一基板；
步骤二：对该基板进行第一次除料且形成有复数第一除料区及复数第一留料区，其中所述第一除料区由三组第一直线区域及一第一ㄈ型区域所构成，且其一组第一直线区域形成于该第一ㄈ型区域的一侧，另两组第一直线区域形成于该ㄈ型区域另一侧；
步骤三：将一第一贴附层贴附于该基板一侧且定位所述复数第一留料区；
步骤四：再对该基板进行第二次除料且形成有复数第二除料区及复数第三除料区与复数第二留料区及复数第三留料区，其中所述第二除料区由三组第二直线区域及一第二L型区域所构成，且其两组第二直线区域形成于该第二L型区域一侧，另一组第二直线区域形成于该第二L型区域另一侧，而该第三除料区由两组第三直线区域及一第三L型区域所构成，且其一组第三直线区域形成于该第三L型区域一侧，另一组第三直线区域形成于该第三L型区域另一侧；
步骤五：再将一第二贴附层贴附于所述第一贴附层相对该基板的另一侧；
步骤六：另以一散热层贴附于所述第二贴附层相对该第一贴附层的另一侧。
2.根据权利要求1所述的LED电路制程，其特征在于：所述相邻的第一留料区经由所述第二留料区相互串联连接，并该等相邻的第一留料区经由所述第三留料区相互并联连接。
3.根据权利要求1所述的LED电路制程，其特征在于：所述第一ㄈ型区域间与一侧的第一直线区域间的第一留料区上设置有至少一LED晶粒。
4.一种LED电路结构，其特征在于:包括
一基板，该基板上形成有复数第一除料区及由该第一除料区所形成的复数第一留料区，其中所述第一除料区由三组第一直线区域及一第一ㄈ型区域所构成，且其一组第一直线区域形成于该第一ㄈ型区域的一侧，另两组第一直线区域形成于该ㄈ型区域另一侧，又该基板上另形成有复数第二除料区及由该第二除料区所形成的复数第二留料区，及形成有复数第三除料区及由该第三除料区所述形成的复数第三留料区，其中所述第二除料区由三组第二直线区域及一第二L型区域所构成，且其两组第二直线区域形成于该第二L型区域一侧，另一组第二直线区域形成于该第二L型区域另一侧，而该第三除料区由两组第三直线区域及一第三L型区域所构成，且其一组第三直线区域形成于该第三L型区域一侧，另一组第三直线区域形成于该第三L型区域另一侧，而该等相邻的第一留料区经由所述第二留料区相互串联连接，并该等相邻的第一留料区经由所述第三留料区相互并联连接；
一第一贴附层，该第一贴附层贴附于所述基板的一侧，且该第一贴附层定位所述复数第一留料区，而该第二留料区与该第三留料区设置于所述第一贴附层上；
一第二贴附层，该第二贴附层贴附于所述第一贴附层相对该基板的另一侧；
一散热层，该散热层贴附于所述第二贴附层相对该第一贴附层的另一侧。
5.根据权利要求4所述的LED电路结构，其特征在于：所述第一ㄈ型区域间与一侧的第一直线区域间的第一留料区上设置有至少一LED晶粒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810414786.XA CN108831982A (zh) | 2018-05-03 | 2018-05-03 | Led电路制程及其结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810414786.XA CN108831982A (zh) | 2018-05-03 | 2018-05-03 | Led电路制程及其结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108831982A true CN108831982A (zh) | 2018-11-16 |
Family
ID=64148042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810414786.XA Pending CN108831982A (zh) | 2018-05-03 | 2018-05-03 | Led电路制程及其结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108831982A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204067433U (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-31 | 黄渭珈 | Led散热基板结构 |
| TWM496231U (zh) * | 2014-09-18 | 2015-02-21 | Wei-Jia Huang | Ｌｅｄ散熱基板結構 |
| TW201612459A (en) * | 2014-09-18 | 2016-04-01 | Wei-Jia Huang | LED heat dissipation substrate manufacturing process and structure thereof |
| CN106051644A (zh) * | 2015-04-10 | 2016-10-26 | 欧司朗股份有限公司 | 用于发光装置的支承结构及相应方法 |
-
2018
- 2018-05-03 CN CN201810414786.XA patent/CN108831982A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204067433U (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-31 | 黄渭珈 | Led散热基板结构 |
| TWM496231U (zh) * | 2014-09-18 | 2015-02-21 | Wei-Jia Huang | Ｌｅｄ散熱基板結構 |
| TW201612459A (en) * | 2014-09-18 | 2016-04-01 | Wei-Jia Huang | LED heat dissipation substrate manufacturing process and structure thereof |
| CN106051644A (zh) * | 2015-04-10 | 2016-10-26 | 欧司朗股份有限公司 | 用于发光装置的支承结构及相应方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102751398B (zh) | 一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法 | |
| CN109904285B (zh) | 一种发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN103996772A (zh) | 发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN102623587A (zh) | Led芯片的制造方法 | |
| CN208433419U (zh) | Led电路结构 | |
| CN108831982A (zh) | Led电路制程及其结构 | |
| CN103618042A (zh) | 一种半导体发光二极管芯片 | |
| US20190181309A1 (en) | Cutting method of semiconductor package module and semiconductor package unit | |
| CN104064639A (zh) | 垂直型led结构及其制作方法 | |
| CN105720138B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN102468318A (zh) | 一种高压直流发光二极管芯片结构及其制造方法 | |
| CN203850340U (zh) | 一种led结构 | |
| TWI588405B (zh) | LED cooling substrate process and its structure | |
| WO2012135988A1 (zh) | 一种led散热器 | |
| US10566513B1 (en) | LED circuit structure | |
| CN102738352B (zh) | Led封装结构 | |
| TWI693694B (zh) | Ｌｅｄ電路製程及其結構 | |
| CN102082222A (zh) | 发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN108288666A (zh) | 一种自带散热结构的发光二极管及电子设备 | |
| CN203589085U (zh) | 一种半导体发光二极管芯片 | |
| CN103325910A (zh) | 基于微切削的led表面强化出光结构的制作方法及多齿刀具 | |
| CN105023932B (zh) | 一种结合led外延结构与led封装基板为一体的垂直式led阵列元件 | |
| CN105098048A (zh) | Led芯片及其制作方法 | |
| CN102800779A (zh) | 一种石墨烯电极的led晶片及其制作方法 | |
| CN103715311A (zh) | 一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20181116 |