CN103943744A - 一种能提高led光效的芯片加工方法 - Google Patents
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Abstract
一种能提高LED光效的芯片加工方法,涉及光电技术领域。本发明芯片加工方法步骤为:①在器件上表面进行激光划片至衬底与外延片界面附近,形成沟槽;②采用高温酸液对沟槽进行腐蚀,获得期望的形貌;③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽的位置形成内划痕;④以内划痕的位置进行裂片,分为各独立的发光二级管芯片。同现有技术相比,本发明方法同时采用高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工艺,能更大程度的提高LED芯片的亮度。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域,特别是能提高LED光效的芯片加工方法。
背景技术
近年,随着蓝光LED的发展,LED的应用领域迅速扩大,背光,照明等高端领域更是被LED逐步渗透。但是,LED的光效还不能满足应用的需求。各种提高光效的技术层出不穷,使得LED的光效逐年增加。
目前,电流阻挡层、高温侧壁腐蚀、隐形切割以及ITO等工艺逐渐成为LED的主流工艺,由此LED的光效也得到了大幅提升。其中高温侧壁腐蚀为正面激光划片,划片深度一般在20微米至40微米,划片槽深入衬底材料,然后再进行高温酸蚀,后续利用此划片槽进行裂片。隐形切割工艺是将激光聚光于工件内部,在工件内部形成改质层,相对于表面激光切割能够提高芯片亮度。但是,在现有技术的LED生产中,高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工艺通常只采用其中的一种,对提高光效效果不是很明显。
发明内容
针对上述现有技术中的不足,本发明的目的是提供一种能提高LED光效的芯片加工方法。它同时采用高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工艺,能更大程度的提高LED芯片的亮度。
为了达到上述发明目的,本发明的技术方案以如下方式实现:
一种能提高LED光效的芯片加工方法,它包括衬底和生长在衬底上的外延片。其方法步骤为:
①在器件上表面进行激光划片至衬底与外延片界面附近,形成沟槽;
②采用高温酸液对沟槽进行腐蚀,获得期望的形貌;
③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽的位置形成内划痕;
④以内划痕的位置进行裂片,分为各独立的发光二级管芯片。
在上述芯片加工方法中,所述沟槽的深度在5至20微米之间。
在上述芯片加工方法中,所述高温酸液腐蚀方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100摄氏度以上的温度下进行。
本发明由于采用了上述方法,将高温侧壁腐蚀与隐形切割相结合,能更大程度的提高LED芯片的亮度。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
附图说明
图1至图3为本发明方法的步骤流程图。
具体实施方式
参看图1至图3,本发明方法使用的器件包括衬底1和生长在衬底1上的外延片2,其方法步骤为:
①在器件上表面进行激光划片至衬底1与外延片2界面附近,深度在5至20微米之间,形成沟槽3。
②采用高温酸液对沟槽3进行腐蚀,获得期望的形貌;高温酸液腐蚀方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100摄氏度以上的温度下进行。
③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽3的位置形成内划痕4。
④以内划痕4的位置进行裂片,分为各独立的发光二级管芯片。
上述本发明方案中的外延片2可以是GaN外延片,也可以是其他发光材料的外延片。使用本发明方法划片前,对外延片2表面可覆盖做其他介质层进行保护,所述介质层可以是SiO2,Si3N4或者其他材料。本发明应用时,划片深度可以至外延片2与衬底1界面附近、界面处、未达界面处或者穿过界面直达衬底1。本发明高温酸液腐蚀后,沟槽3形成的形貌可以是倒梯形、与衬底1部分镂空形或者其他各种形貌。本发明方法中的隐形切割工艺也可以换成其他方式的切割工艺,如钻石划片、普通激光划片等。
Claims (3)
1.一种能提高LED光效的芯片加工方法,它包括衬底(1)和生长在衬底(1)上的外延片(2),其方法步骤为:
①在器件上表面进行激光划片至衬底(1)与外延片(2)界面附近,形成沟槽(3);
②采用高温酸液对沟槽(3)进行腐蚀,获得期望的形貌;
③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽(3)的位置形成内划痕(4);
④以内划痕(4)的位置进行裂片,分为各独立的发光二级管芯片。
2.根据权利要求1所述的能提高LED光效的芯片加工方法,其特征在于,所述沟槽(3)的深度在5至20微米之间。
3.根据权利要求1所述的能提高LED光效的芯片加工方法,其特征在于,所述高温酸液腐蚀方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100摄氏度以上的温度下进行。
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