CN103943744A - 一种能提高led光效的芯片加工方法 - Google Patents

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Abstract

一种能提高LED光效的芯片加工方法，涉及光电技术领域。本发明芯片加工方法步骤为：①在器件上表面进行激光划片至衬底与外延片界面附近，形成沟槽；②采用高温酸液对沟槽进行腐蚀，获得期望的形貌；③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽的位置形成内划痕；④以内划痕的位置进行裂片，分为各独立的发光二级管芯片。同现有技术相比，本发明方法同时采用高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工艺，能更大程度的提高LED芯片的亮度。

Description

一种能提高LED光效的芯片加工方法
技术领域
本发明涉及光电技术领域，特别是能提高LED光效的芯片加工方法。 
背景技术
近年，随着蓝光LED的发展，LED的应用领域迅速扩大，背光，照明等高端领域更是被LED逐步渗透。但是，LED的光效还不能满足应用的需求。各种提高光效的技术层出不穷，使得LED的光效逐年增加。 
目前，电流阻挡层、高温侧壁腐蚀、隐形切割以及ITO等工艺逐渐成为LED的主流工艺，由此LED的光效也得到了大幅提升。其中高温侧壁腐蚀为正面激光划片，划片深度一般在20微米至40微米，划片槽深入衬底材料，然后再进行高温酸蚀，后续利用此划片槽进行裂片。隐形切割工艺是将激光聚光于工件内部，在工件内部形成改质层，相对于表面激光切割能够提高芯片亮度。但是，在现有技术的LED生产中，高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工艺通常只采用其中的一种，对提高光效效果不是很明显。 
发明内容
针对上述现有技术中的不足，本发明的目的是提供一种能提高LED光效的芯片加工方法。它同时采用高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工艺，能更大程度的提高LED芯片的亮度。 
    为了达到上述发明目的，本发明的技术方案以如下方式实现： 
一种能提高LED光效的芯片加工方法，它包括衬底和生长在衬底上的外延片。其方法步骤为：
①在器件上表面进行激光划片至衬底与外延片界面附近，形成沟槽；
②采用高温酸液对沟槽进行腐蚀，获得期望的形貌；
③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽的位置形成内划痕；
④以内划痕的位置进行裂片，分为各独立的发光二级管芯片。
在上述芯片加工方法中，所述沟槽的深度在5至20微米之间。 
在上述芯片加工方法中，所述高温酸液腐蚀方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100摄氏度以上的温度下进行。 
本发明由于采用了上述方法，将高温侧壁腐蚀与隐形切割相结合，能更大程度的提高LED芯片的亮度。 
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。 
附图说明
    图1至图3为本发明方法的步骤流程图。 
具体实施方式
参看图1至图3，本发明方法使用的器件包括衬底1和生长在衬底1上的外延片2，其方法步骤为： 
①在器件上表面进行激光划片至衬底1与外延片2界面附近，深度在5至20微米之间，形成沟槽3。
②采用高温酸液对沟槽3进行腐蚀，获得期望的形貌；高温酸液腐蚀方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100摄氏度以上的温度下进行。 
③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽3的位置形成内划痕4。 
④以内划痕4的位置进行裂片，分为各独立的发光二级管芯片。 
上述本发明方案中的外延片2可以是GaN外延片，也可以是其他发光材料的外延片。使用本发明方法划片前，对外延片2表面可覆盖做其他介质层进行保护，所述介质层可以是SiO2，Si3N4或者其他材料。本发明应用时，划片深度可以至外延片2与衬底1界面附近、界面处、未达界面处或者穿过界面直达衬底1。本发明高温酸液腐蚀后，沟槽3形成的形貌可以是倒梯形、与衬底1部分镂空形或者其他各种形貌。本发明方法中的隐形切割工艺也可以换成其他方式的切割工艺，如钻石划片、普通激光划片等。 

Claims (3)

1.一种能提高LED光效的芯片加工方法，它包括衬底（1）和生长在衬底（1）上的外延片（2），其方法步骤为：
①在器件上表面进行激光划片至衬底（1）与外延片（2）界面附近，形成沟槽（3）；
②采用高温酸液对沟槽（3）进行腐蚀，获得期望的形貌；
③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽（3）的位置形成内划痕（4）；
④以内划痕（4）的位置进行裂片，分为各独立的发光二级管芯片。
2.根据权利要求1所述的能提高LED光效的芯片加工方法，其特征在于，所述沟槽（3）的深度在5至20微米之间。
3.根据权利要求1所述的能提高LED光效的芯片加工方法，其特征在于，所述高温酸液腐蚀方法采用硫酸、磷酸或者二者混合酸液在100摄氏度以上的温度下进行。
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