CN108781488B - 高频加热装置 - Google Patents

Abstract

本公开的高频加热装置具有：加热室(3)，其收纳被加热物，在前表面具有开口部(4)；高频产生部(11)，其向加热室供给高频而对被加热物进行加热；以及门(5)，其开闭自如地将开口部覆盖，在与开口部的周缘面(6)对置的位置具有电波密封部(30)。电波密封部具有：开孔(31)，其形成在与开口部的周缘面对置的位置；以及轭流槽(32)，其相对于开孔向加热室侧弯曲。轭流槽是通过将多个导体(33、34)接合起来而形成的。多个导体具有第1导体，该第1导体在多个导体进行接合的接合部(35)的附近具有向加热室里侧突出的凸部(36)。凸部的背面侧空间(74)构成轭流槽的一部分。

Description

高频加热装置

技术领域

本公开涉及微波炉等高频加热装置，尤其涉及具有电波密封部的高频加热装置，该电波密封部对将要从加热室与门之间向外部泄漏的电波(特别是高频的微波)进行屏蔽。

背景技术

以往，作为与用于高频加热装置的电波密封部相关的最基本思想，提出了在高频加热装置的门上形成轭流槽而使用λ/4阻抗反转方法的方案。图14是示出作为以往的高频加热装置的微波炉的外观的立体图。图15是从15-15观察图14的微波炉中的配置在加热室103与门102之间的电波密封部时的剖视图。

由配设在微波炉主体101内的加热室103的内部振荡出的高频穿过开口部周缘面105与门102之间的间隙106而欲从图15的右侧向左侧(z方向)传播，该开口部周缘面105以与门102对置的方式位于加热室103的开口部104的外周。在上述以往的微波炉中，由导体107弯折而形成的轭流槽108配置在门102，轭流槽108的深度L被设定为使用频率的波长λ的1/4(＝大约30mm)。由此，从轭流槽108开口部侧观察时的阻抗Zin为无限大，z方向上的高频发生衰减(例如，参照专利文献1)。

在上述以往的结构中，与开口部周缘面105对置地配置有轭流槽108的入口部的开孔109和间隙106，可称为有利于使开口部周缘面105的宽度(z方向)尺寸变小的情况的结构。然而，由于轭流槽108的深度L较深，所以很难使门102的宽度(y方向)变薄。

并且，作为用于使轭流槽108的深度变浅的结构，在专利文献1中示出了图16、图17所示的电波密封部。提出了通过以这种方式使轭流槽108弯曲而在维持着电波屏蔽性能的同时使轭流槽108的深度L变浅即小型化的方案。

在图16所示的结构中，使1张导体板弯折5次而形成死胡同状的轭流槽108。关于该结构，仅通过使1张导体板弯折便能够制作出形成轭流槽的导体110。因此，因量产性好而被广泛采用。

并且，关于图17所示的结构，将凹状导体111与L字状导体112接合而使轭流槽108向加热室103侧弯曲。该结构与图15所示的结构同样，与开口部周缘面105对置地配置有轭流槽108的入口部的开孔109和间隙106，能够使开口部周缘面105的宽度(z方向)尺寸变小。

此外，提出了如下的微波炉：在加热室103的内壁面117侧设置有由开口部周缘面105与门102之间的间隙形成的高频传播路径118，从而提高电波屏蔽性能(例如，参照专利文献2)。

在专利文献2中提出了具有门102的微波炉，如图18所示，该门102在外周内部设置有将1张导体板弯折4次而形成的轭流槽114。在门102的加热室103侧的外周部内壁115配设有向加热室103侧突出的凸部116。在门102被关闭的状态下，在高频进入到轭流槽114之前的阶段，由凸部116和加热室103的内壁面117形成使高频衰减的高频传播路径118。

根据该结构，由于在高频到达轭流槽114之前在高频传播路径118中充分衰减，所以不必只依赖轭流槽114的电波屏蔽性能。

此外，在专利文献3、专利文献4中提出了如下的微波炉：通过在加热室内表面117形成图18所示的高频传播路径118，能够缩小开口部周缘面105的宽度，使微波炉主体101的壁厚变薄。由此，即使加热室容量相同，也能够使主体小型化，或者即使主体的大小相同，也能够使加热容量大型化。

这里，例如，在图17所示的以往的抗流构造中，由于轭流槽108向加热室103侧弯曲，所以不仅能够使L尺寸(y方向)变小，还能够使开口部周缘面105的z方向的尺寸变小。但是，由于L字状导体112是在将门102关闭的状态下构成加热室103的内表面并且接近平面的构造，所以强度容易变弱。而且，根据重量和成本的关系，L字状导体112的板厚无法变厚。因此，在将L字状导体112与导体111接合时，由于焊接或铆接等产生的应力，L字状导体112容易出现翘曲或起伏。因此，存在组装偏差较大或有损美观的问题。

另一方面，在图18所示的结构中，由于能够使开口部周缘面105与导体113之间的间隙变窄，所以相应地能够使开口部周缘面105的宽度尺寸变小。但是，由于轭流槽114向外侧弯曲，所以需要使轭流槽114整体宽度与开口部周缘面105对置。因此，无法在与轭流槽114对置的部位使开口部周缘面105的宽度尺寸变小。

另外，作为与上述现有技术关联的文献，列举了日本特开昭58-066285(专利文献5)、日本特开昭58-066287(专利文献6)、日本特开昭58-066288(专利文献7)、日本特开昭58-150292(专利文献8)、日本特开昭58-194290(专利文献9)、日本特开昭58-201289(专利文献10)以及日本特开昭58-201290(专利文献11)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6-132078号公报

专利文献2：日本特许第4647548号公报

专利文献3：日本特开昭62-5595号公报

专利文献4：日本实公昭51-9083号公报

专利文献5：日本特开昭58-066285号公报

专利文献6：日本特开昭58-066287号公报

专利文献7：日本特开昭58-066288号公报

专利文献8：日本特开昭58-150292号公报

专利文献9：日本特开昭58-194290号公报

专利文献10：日本特开昭58-201289号公报

专利文献11：日本特开昭58-201290号公报

发明内容

本公开解决了上述课题，其目的在于，提供能够使电波屏蔽构造牢固稳定、并且能够使主体的外箱与加热室的内壁面之间的壁厚变薄的高频加热装置。

为了解决上述以往的课题，本公开的高频加热装置具有：加热室，其收纳被加热物，在前表面具有开口部；高频产生部，其向加热室供给高频而对被加热物进行加热；以及门，其开闭自如地将开口部覆盖，在与开口部的周缘面对置的位置具有电波密封部。电波密封部具有：开孔，其形成在与开口部的周缘面对置的位置；以及轭流槽，其相对于开孔向加热室侧弯曲。轭流槽是通过将多个导体接合起来而形成的。多个导体具有第1导体，该第1导体在多个导体的接合部的附近具有向加热室内侧突出的凸部。凸部的背面侧空间构成轭流槽的一部分。

由于在导体进行接合的接合部附近配设有凸部，所以对构成轭流槽的导体进行立体加强以提高强度。由此，能够抑制接合部的变形或组装偏差。

并且，能够通过使轭流槽向加热室侧弯曲而在加热室侧形成谐振空间，因此能够使轭流槽与开口部周缘面对置的面积减小。

此外，通过使凸部向加热室内部侧突出，在加热室侧面与凸部之间形成间隙空间。由于该间隙空间作为用于使高频衰减的高频传播路径来发挥功能，所以相应地能够使开口部周缘面与导体之间的间隙减小。

由于能够以这种方式使开口部周缘面的宽度大幅减小，所以能够使主体外轮廓与加热室内壁面之间的壁厚大幅变薄。

本公开的高频加热装置能够提供使电波屏蔽构造牢固稳定、并且能够使主体的外箱与加热室的内壁面之间的壁厚变薄的高频加热装置。

附图说明

图1是本公开的实施方式1的将门打开的状态下的高频加热装置的立体图。

图2是本公开的实施方式1的将门关闭的状态下的高频加热装置的纵剖视图。

图3是示出本发明的实施方式1的高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。

图4是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波密封部的局部剖面立体图。

图5是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波泄漏特性图。

图6是本公开的实施方式1的高频加热装置的另一个电波密封部的局部剖视图。

图7是本公开的实施方式1的高频加热装置的又一个电波密封部的局部剖视图。

图8是本公开的实施方式1的高频加热装置的又一个电波密封部的局部剖视图。

图9是本公开的实施方式1的高频加热装置的又一个电波密封部的局部剖视图。

图10是示出本公开的实施方式2的高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。

图11是传播到本公开的实施方式2的高频加热装置的电波密封部的高频的示意图。

图12是示出本公开的实施方式3的高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。

图13是示出本公开的实施方式3的凸部与加热室内表面之间的相对形状的示意图。

图14是示出以往的高频加热装置的外观的立体图。

图15是从15-15观察图14的高频加热装置的电波密封部时的剖视图。

图16是专利文献1所示的以往的高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。

图17是该高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。

图18是专利文献2所示的以往的高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。

具体实施方式

本公开的高频加热装置具有：加热室，其收纳被加热物，在前表面具有开口部；高频产生部，其向加热室供给高频而对被加热物进行加热；以及门，其开闭自如地将开口部覆盖，在与开口部的周缘面对置的位置具有电波密封部。电波密封部具有：开孔，其形成在与开口部的周缘面对置的位置；以及轭流槽，其相对于开孔向加热室侧弯曲。轭流槽是通过将多个导体接合起来而形成的。多个导体具有第1导体，该第1导体在多个导体的接合部的附近具有向加热室里侧突出的凸部。凸部的背面侧空间构成轭流槽的一部分。

由此，对构成轭流槽的导体进行立体加强以提高强度。因此，能够抑制接合部因受到焊接等接合产生的应力而发生变形，能够减小偏差。

并且，能够通过使轭流槽向加热室侧弯曲而在加热室侧形成谐振空间，因此能够使轭流槽与开口部周缘面对置的面积减小。此外，通过使凸部向加热室内部侧突出，在加热室侧面与凸部之间形成间隙空间。由于该间隙空间作为用于使高频衰减的高频传播路径来发挥功能，所以相应地能够使开口部周缘面与导体之间的间隙减小。

由于能够以这种方式使开口部周缘面的宽度大幅减小，所以能够使主体外轮廓与加热室内壁面之间的壁厚大幅变薄。

并且，由于能够将凸部背面作为谐振空间来使用，所以不会浪费空间，能够对电波密封部进行小型化。

凸部的高度也可以是2mm以上且10mm以下。

通过使凸部高度为2mm以上，能够维持稳定的电波屏蔽性能，通过使凸部高度为10mm以下，不会使凸部与收纳于加热室内部的被加热物发生干涉，并且不会有损美观。

凸部的与加热室内壁面对置的对置面具有向加热室侧倾斜的倾斜面。

通过上述结构，由凸部和加热室内壁形成的间隙是逐渐变窄的倾斜路。侵入到该倾斜路的高频在每次被倾斜路壁面反复反射时，其反射角度发生改变并向入口方向反转。因此，能够降低向轭流槽的高频侵入量，因此能够提高电波屏蔽性能。所反转的比例根据倾斜角度、凸部高度、倾斜路宽度、开口部周缘面与导体之间的间隙等来确定。并且，能够防止在门发生转动的情况下，门开闭时的凸部与加热室的内壁面发生干涉。

也可以使与凸部的倾斜面对置的加热室内壁面按照与倾斜面形成固定间隙的方式倾斜。这里，“固定”包括“大致固定”。

通过上述结构，特别是在门发生转动的情况下，能够稳定地维持门开闭时的凸部与加热室的内壁面之间的间隙和角度，因此门开闭时的电波屏蔽性能稳定。

以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。另外，本公开并不限定于该实施方式。

(实施方式1)

图1是本公开的实施方式1的将门打开的状态下的高频加热装置的立体图。图2是本公开的实施方式1的将门关闭的状态下的高频加热装置的纵剖视图。图3是示出本公开的实施方式1的高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。图4是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波密封部的局部剖面立体图。图5是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波泄漏特性图。图6是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波密封部的另一个局部剖视图。图7是示出本公开的实施方式1的高频加热装置的又一个局部剖视图。

在以后的说明中，将加热室3的形成有开口部4的一侧定义为高频加热装置1的前方侧，将加热室3的里侧定义为高频加热装置1的后方侧(里侧)。并且，将从前方观察高频加热装置1时的高频加热装置1的右侧简称为右侧，将从前方观察高频加热装置1时的高频加热装置1的左侧简称为左侧。

如图1所示，作为代表性的高频加热装置的微波炉1在前表面敞开的箱形的外箱2的内部具有加热室3。在加热室3中收纳作为代表性的被加热物的食品。在外箱2的前表面安装有对开口部4进行开闭的门5。在开口部4与外箱2之间的、在门5关闭时与门5对置的位置配设有开口部周缘面6(以下，也称为前板6)。

如图2所示，在加热室3的外周与外箱2之间形成有空间部。在加热室3下侧的空间部10中收纳有高频产生部11等加热控制用的电子部件。作为食品的加热手段之一的高频产生部11具有磁控管12、导波管13、旋转天线14等。

磁控管12所产生的高频在导波管13内传输而放射到加热室3内。被旋转驱动的电波搅拌用的旋转天线14使放射到加热室3的高频扩散到整个加热室3中。由此，防止高频的驻波被固定，抑制了食品的加热不均。在磁控管12附近配设有主要用于对高频加热时的磁控管12进行冷却的风扇15。风扇15向磁控管12吹送冷却风。

在加热室3上侧的空间部16中配设有作为食品的加热手段之一的上部加热器17。在加热室3深处的背面侧的空间部18中配设有作为食品的加热手段之一的深处加热器19。

另外，将门5的开闭方向设为上下方向，但并没有限定门5的开闭方式。也可以在左右两侧的任意一侧配置门开闭的支点而成为横开的门，也可以是抽拉式的门。

接着，根据图3对配置在与前板6对置的位置的电波密封部30的结构进行说明。图3示出了将门5关闭的状态下的微波炉1的前方左侧部的局部横剖视图。

在图3中，电波密封部30具有：开孔31，其形成在与前板6对置的面上；以及轭流槽32，其相对于开孔31向加热室3侧弯曲。轭流槽32是通过将凹状钣金件33(导体)与凸状钣金件34(导体)接合而形成的。在凸状钣金件34上，在两钣金件的接合部35附近配设有向加热室3内部(加热室3里侧)突出的凸部36。这里，作为一例，接合部35附近是指距离接合部35为30mm以内的范围。并且，更优选凸部36配设在距离接合部35为20mm以内的范围内。

并且，在凸部36的靠加热室3中心侧的位置配置有两钣金件的接合部35，以使得凸状钣金件34的凸部36的背面侧空间74构成轭流槽32的一部分。

在将门5关闭的状态下，凸部36被配置成与加热室3的内壁面7形成一定的间隙37。轭流槽32的有效深度被设定为放射到加热室3的高频的波长的大约1/4的尺寸。

并且，放射到加热室3内的高频一边通过间隙37以及前板6与凸状钣金件34之间的间隙38而衰减，一边进行调整，从开孔31进入到轭流槽32。由于被轭流槽32反射而返回的高频因轭流槽32的开孔31而发生相位反转，所以阻抗无限大。由此，抑制了高频的泄漏。

并且，由于高频在凸部36与加热室3的内壁面7之间的间隙37中传播而发生衰减，所以能够缩短前板6与凸状钣金件34之间的间隙38的传播长度。而且，通过使轭流槽32向加热室3侧弯曲，相应地能够使电波密封部30与前板6对置的面积减小，因此能够大幅减小加热室3的内壁面7与外箱2之间的壁厚。

在凹状钣金件33与前板6之间设置有树脂制的抗流盖42。抗流盖42防止异物向轭流槽32内侵入，并且提高了美观性。

在凸部36的靠加热室3侧的位置配置有内表面玻璃45，防止了热气、异物、蒸汽从设置于凸状钣金件34的中央的冲孔(未图示)侵入。

凹状钣金件33是通过将钣金件弯折加工4次而形成的。凸状钣金件34的凸部36是通过拉深加工而成型的。凹状钣金件33与凸状钣金件34在接合部35处通过凸焊来接合。

接合部35配置在凸部36附近且凸部36的靠加热室3中心侧的位置，从而提高了强度。特别是通过使凸部36成型为箱形，与平板相比能够飞跃性地提高凸状钣金件34的强度。因此，即使在接合部35产生因焊接导致的应变力，也能够大幅抑制凸状钣金件34的翘曲或起伏等变形。由此，能够抑制组装偏差，并且提高了美观性。

如图4所示，在凹状钣金件33的端部40和凸状钣金件34的端部41分别设置有一定间隔的缝隙43和缝隙44，形成有周期构造体。由此，抑制了高频沿着轭流槽32传播，从而进一步抑制了高频的泄漏。

接着，使用图5对凸部36的高度与电波屏蔽性能之间的关系进行说明。图5示出了每个门5的间隙的电波泄漏特性，其中，横轴表示凸部36的高度，纵轴表示电波泄漏。电波泄漏是指微波炉的磁控管进行动作时的、距离门5与微波炉1主体之间的间隙为5cm处的部位的泄漏电波的电力密度。在电子用品安全法技术基准中，规定为：在将门5关闭的状态下为1mW/cm²以下，在将门5打开到磁控管的振荡停止装置即将工作之前的最大位置的状态下为5mW/cm²以下。

图5所示的门5的间隙为1mm时的特性是指将门5关闭的状态下的电波泄漏性能，无论凸部高度如何，此时都在规定值1mW/cm²以下，都将规定值排除在外。不过，当凸部高度较低时，距规定值的余裕量较小，因此当考虑到余裕时，优选凸部高度为2mm以上。

门5的间隙为3mm时的特性是指将门5打开到磁控管进行动作的最大位置的状态，将此时的规定值5mW/cm²以下排除的凸部高度为2mm以上。在该情况下，当考虑到余裕量时，优选凸部高度为5mm以上。

如以上那样，作为将最低限度的规定值排除的条件，优选使凸部高度为2mm以上。如果考虑到余裕量，则优选凸部高度为5mm以上。

另一方面，凸部高度越高，电波泄漏量越少，但当超过10mm时，会增大在将门5关闭时与收纳在加热室3内的被加热物或容器发生干涉的可能性。并且，由于在将门5打开的情况下阶梯差较明显，因此会有损美观。因此，优选凸部高度为10mm以下。

由此，通过使凸部高度为2mm以上且10mm以下，可获得将规定值排除的电波屏蔽性能，并且凸部36与收纳于加热室3内部的被加热物不发生干涉，不会有损美观。

另外，在本实施方式中，构成为利用接合部35将凹状钣金件33和凸状钣金件34这两张钣金件接合起来，但并没有限定所构成的钣金件的张数、形状、接合方法等。例如，如图6所示，也可以在凸部36的背面侧设置凸状钣金件50与凹状钣金件55的接合部53。

并且，本公开并不限定于图3所示的结构，例如如图7所示，也可以将凹状钣金件60弯折6次而使轭流槽76为弯折多次而得的复杂的形状。

并且，可以使该端部61的弯折方向向相反方向而进行弯曲，也可以不对端部61进行弯折。根据该结构，由于能够使电波屏蔽所需的高频传播路径以更窄的空间构成，所以能够进一步使电波密封部30小型化。

在本实施方式1的结构中，由于凸部36成为轭流槽32的谐振空间，所以无空间浪费，能够使电波密封部小型化。

并且，由于轭流槽32相对于开孔31仅向加热室3侧弯曲，所以将开孔31到外侧(图6的左侧)的尺寸抑制为最小限度。因此，能够使轭流槽32与前板6对置的面积尽可能地减小。

此外，由于将接合部35配置在凸部36的靠加热室3中心侧的位置，所以能够将接合部35配置在内部玻璃45的背面侧，能够隐藏焊接痕迹。由此，能够进一步提高美观性。

并且，由于凹状钣金件33是使轭流槽32开放的形状，所以基于冲压的弯折加工能够通过1个工序来形成。因此，容易制作且能够低成本化。

另外，在本实施方式中，凹状钣金件33的端部40的形状朝向外侧(加热室3的相反侧)，但并不限定于该形状。例如，可以如图8所示的凹状钣金件80的端部81那样朝向内侧(加热室3侧)，也可以不对这些端部进行弯折。

并且，在本实施方式中，通过凸状钣金件34来构成门5的一个面，在将门5关闭的状态下凸状钣金件34形成加热室3的内壁的一部分，但并不限定于此。如图9所示，也可以由凹状钣金件83来构成门5的一个面，并成为加热室3的内壁。然后，利用接合部85将凸状钣金件84与凹状钣金件83接合起来而形成轭流槽72。

(实施方式2)

接着，使用附图对本实施方式2的高频加热装置的电波密封部周边的结构进行详细说明。图10是示出本公开的实施方式2的高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。图11是传播到本公开的实施方式2的高频加热装置的电波密封部的高频的示意图。另外，在本实施方式中，对与上述实施方式1同样的结构和功能使用相同的标号，省略详细的说明。并且，本实施方式的高频加热装置整体的结构与图1～图7所示的微波炉1的结构同样。

如图10所示，与实施方式1的不同之处在于，在电波密封部90中，使凸部91的与加热室3的内壁面7对置的凸部对置面92向加热室3侧倾斜。即，使加热室3的内壁面7与凸部对置面92之间的间隙93形成为楔状。

在侵入角度θ比规定的角度大的情况下，侵入到楔状的间隙93的高频如图11的箭头所示的那样在被加热室3的内壁面7和凸部对置面92反复反射的期间其角度发生偏转，再次返回到加热室3。因此，高频在间隙93以及前板6与凸状钣金件34之间的间隙38中传播，从而使高频到达轭流槽32的比例减小。由此，能够进一步减少高频的泄漏。

并且，当在门5内配置用于使门5转动而进行开闭的轴心时，位于门5开闭时的转动末端侧(如果是前开门，则为上边)的凸部91末端的轨迹被描绘成接近加热室3的内壁面7与前板6的接合部。为了避免因组装偏差等导致的凸部91与加热室3的内壁面7的干涉，通常使加热室3的内壁面7与凸部对置面92之间的间隙变大。在本实施方式中，由于使凸部对置面92向加热室3侧倾斜，所以不用扩大间隙93的容积就能够避免凸部91与加热室3的内壁面7发生干涉。

(实施方式3)

接着，使用附图对本实施方式3的高频加热装置的电波密封部周边的结构进行详细说明。图12是示出本公开的实施方式3的高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。图13是示出本公开的实施方式3的凸部与加热室的内壁面的相对形状的示意图。另外，在本实施方式中，对与上述实施方式1和实施方式2同样的结构和功能使用相同的标号，省略详细的说明。并且，本实施方式的高频加热装置整体的结构与图1～图9所示的微波炉1的结构同样。

如图12和图13所示，与实施方式1和实施方式2的不同之处在于，在电波密封部90中，加热室3的内壁面7的与倾斜的凸部对置面92对置的端面94按照与凸部对置面92形成大致固定的间隙95的方式倾斜。

如图13所示，设置规定的间隔X，使得即使因尺寸或安装的偏差而导致凸部91与加热室3的内壁面7的相对位置在与前板6的面平行的方向上发生变化，也不会彼此干涉。由于凸部对置面92和端面94大致平行地倾斜，所以间隙95的宽度H根据倾斜角度θ而比间隔X小。由于能够以这种方式使间隙95的宽度H变窄，所以能够提高所传播的高频的衰减性。

工业上的可利用性

如以上那样，本公开的高频加热装置不仅能够应用在高频加热的单功能的微波炉中，还能够应用在例如具有烤箱功能或烘烤功能的微波炉、具有蒸制功能的微波炉中，无论是家庭用还是业务用，都能够被广泛使用。

标号说明

1：微波炉(高频加热装置)；2：外箱；3：加热室；4：开口部；5：门；6：开口部周缘面(前板)；7：内壁面；11：高频产生部；30、90：电波密封部；32、72、76：轭流槽；33、55、60、80、83：凹状钣金件(导体)；34、50、84：凸状钣金件(导体)；35、53、85：接合部；36、91：凸部；74：背面侧空间；92：凸部对置面。

Claims (4)

1.一种高频加热装置，该高频加热装置具有：

加热室，其收纳被加热物，在前表面具有开口部；

高频产生部，其向所述加热室供给高频而对所述被加热物进行加热；以及

门，其开闭自如地将所述开口部覆盖，在与所述开口部的周缘面对置的位置具有电波密封部，其中，

所述电波密封部具有：开孔，其形成在与所述开口部的所述周缘面对置的位置；以及轭流槽，其相对于所述开孔向所述加热室侧弯曲，

所述轭流槽是通过将多个导体接合起来而形成的，

所述多个导体具有第1导体，该第1导体在所述多个导体的接合部的附近具有向所述加热室里侧突出的凸部，在将所述门关闭的状态下，所述凸部被配置成与所述加热室的内壁面形成有间隙，

所述凸部的背面侧空间构成所述轭流槽的一部分，

所述高频加热装置的主体外轮廓和所述周缘面均位于比所述开孔靠后方处，

所述第1导体的与所述周缘面对置的部分的宽度小于所述开孔与所述周缘面对置的部分的宽度。

2.根据权利要求1所述的高频加热装置，其中，

所述凸部的高度为2mm以上且10mm以下。

3.根据权利要求1所述的高频加热装置，其中，

所述凸部的与加热室的内壁面对置的对置面具有向所述加热室侧倾斜的倾斜面。

4.根据权利要求3所述的高频加热装置，其中，

所述加热室的与所述凸部的所述倾斜面对置的所述内壁面按照与所述倾斜面形成固定间隙的方式倾斜。

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