CN108767129A - 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及量子点发光二极管制备方法、显示面板。该量子点发光二极管的制备方法，包括形成阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极的步骤，其中，所述电子传输层中包括能捕获载流子的物质，所述能捕获载流子的物质包括N型金属氧化物和表面配体中含有羟基的量子点材料。该量子点发光二极管，通过在电子传输层中掺入一种或几种可以捕获载流子的物质，可有效降低电子传输或注入，明显提高量子点发光二极的器件发光效率；同时，采用高电导率的PEDOT:PSS PH1000作透明阳极，采用全溶液法(All‑solution‑processed)来制备整体结构，避免采用高真空镀膜机，节省了器件制备成本。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及量子点发光二极管制备方法、显示面板。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)具有能耗低、亮度高、色纯度高、容易柔性化等特点，是下一代显示技术的核心器件。与正式结构QLED相比，倒置结构QLED的阴极可直接与作为控制器件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的漏极相连接，是目前最有望实现商用的器件结构。
目前量子点发光二极管中，电子传输层和发光层之间能级势垒(<0.5eV)低于空穴传输层与发光层之间的势垒(>1eV)。受层间能级势垒限制，目前量子点发光二极管器件普遍存在电子注入速度大于空穴注入速度的问题，严重制约器件发光效率的提高。
目前改善这一问题有两种途径：一是在电子传输层和量子点材料层之间加入绝缘物质PMMA来减慢电子的注入，另一种是通过加入一种具有低HOMO能级的有机大分子材料作为空穴传输层来减小空穴注入势垒来加快空穴注入。无论是加入绝缘层还是加入空穴传输层材料，均是在原有器件基础上加入另一层，而且层厚难以控制，可重复性差，导致器件制备工艺更复杂，增加了器件制备成本。
可见，提供一种制备器件发光效率高的顶发射的倒置结构QLED制备方法，成为目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足，提供一种量子点发光二极管及量子点发光二极管制备方法、显示面板，该量子点发光二极管工艺简单，器件发光效率高。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该量子点发光二极管的制备方法，包括形成阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极的步骤，所述电子传输层中包括能捕获载流子的物质，所述能捕获载流子的物质包括N型金属氧化物和表面配体中含有羟基的量子点材料。
优选的是，包括步骤：
将N型金属氧化物和表面配体中含有羟基的量子点材料，分散于醇类溶剂中，制备电子传输层薄膜前驱体溶液；
通过溶液工艺形成电子传输层。
优选的是，所述N型金属氧化物包括ZnO、ZnMgO、TiO2中的任一种，所述表面配体中含有羟基的量子点材料包括表面配体为6-巯基己醇的CdSe-MCH CdZnSeS、CuInS2-MCH中的任一种。
优选的是，所述发光层和所述空穴传输层采用溶液工艺形成，包括：
分别制备发光层薄膜前驱体溶液和空穴传输层薄膜前驱体溶液；
通过溶液工艺分别形成发光层和空穴传输层。
优选的是，制备所述发光层薄膜前驱体溶液为：
将量子点材料分散于醇类溶剂中形成所述发光层薄膜前驱体溶液。
优选的是，所述量子点材料包括CdSe、CuInS2、钙钛矿量子点中的任一种。
优选的是，制备所述空穴传输层薄膜前驱体溶液为：
将P型有机小分子或P型金属氧化物分散于苯类溶剂中形成所述空穴传输层薄膜前驱体溶液。
优选的是，所述P型有机小分子或所述P型金属氧化物，包括PVK、Poly-TPD、TFB、NiOx中的任一种，苯类溶剂包括氯苯。
优选的是，还包括形成阳极的步骤，包括：
在高电导率的透明导电材料中加入聚乙二醇形成阳极薄膜前驱体溶液为；
通过溶液工艺形成所述阳极。
优选的是，所述高电导率的透明导电材料包括PEDOT:PSS PH1000。
优选的是，在溶液工艺之前还包括，分别对各层薄膜前驱体溶液进行过滤。
优选的是，所述溶液工艺包括：
通过旋涂工艺、转印工艺、喷墨打印工艺中的任一种形成各薄膜前驱体溶液层；
退火处理各薄膜前驱体溶液层，形成相应层结构。
一种量子点发光二极管，包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极，所述电子传输层中包括能捕获载流子的物质，所述能捕获载流子的物质包括N型金属氧化物和表面配体中含有羟基的量子点材料。
优选的是，所述N型金属氧化物包括ZnO、ZnMgO、TiO2中的任一种，所述表面配体中含有羟基的量子点材料包括表面配体为6-巯基己醇的CdSe-MCH、CuInS2-MCH中的任一种。
优选的是，所述阳极采用高电导率的透明导电材料制成，所述高电导率的透明导电材料包括PEDOT:PSS PH1000。
一种显示面板，包括上述的量子点发光二极管。
本发明的有益效果是：
该量子点发光二极管，通过在在电子传输层2中掺入一种或几种可以捕获载流子的物质，可有效降低电子传输或注入，明显提高量子点发光二极的器件发光效率；
同时，采用高电导率的PEDOT:PSS PH1000作透明阳极5，采用全溶液法(All-solution-processed)来制备整体结构，避免采用高真空镀膜机，节省了器件制备成本。
附图说明
图1为本发明实施例1中量子点发光二极管的结构示意图；
图2为本发明实施例2中量子点发光二极管的测试示意图；
图3中(a)为量子点发光二极管的电流密度-亮度变化曲线图；
图3中(b)为量子点发光二极管的电流效率-电流密度变化曲线图；
图4为本发明实施例3中量子点发光二极管的制备流程示意图；
图5中(a)为量子点发光二极管的电流密度-亮度变化曲线图；
图5中(b)为量子点发光二极管的电流效率-电流密度变化曲线图；
附图标识中：
1-阴极；2-电子传输层；3-发光层；4-空穴传输层；5-阳极；6-载片；7-转印介质层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明量子点发光二极管及量子点发光二极管制备方法、显示面板作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种量子点发光二极管，通过在电子传输层中掺入一种或几种可以捕获载流子的物质，能有效改善反式结构量子点发光二极管的电子注入情况，提高电子传输率，获得较高的器件发光效率。
如图1所示，该量子点发光二极管为为顶发射(Top-emitting)的倒置结构(Inverted Structure)或说反式结构，包括依次层叠设置的阴极1、电子传输层2、发光层3、空穴传输层4和阳极5。相应的，该量子点发光二极管的制备方法，包括形成阴极1、电子传输层2、发光层3、空穴传输层4和阳极5的步骤，电子传输层2中包括能捕获载流子的物质，能捕获载流子的物质包括N型金属氧化物和表面配体中含有羟基的量子点材料。能捕获载流子的物质优选表面配体中含有羟基(-OH)可分散于醇类溶剂的量子点材料或N型金属氧化物。
该量子点发光二极管的制备方法，通过旋涂、转印、喷墨打印等溶液工艺，制备倒置结构的顶发射量子点发光二极管。包括：
采用导电金属，如ITO、FTO等导电材料，形成阴极1；
采用N型金属氧化物，如ZnO、ZnMgO、TiO2等材料，或者表面配体中含有羟基的量子点材料，如表面配体为6-巯基己醇的CdSe-MCH、CuInS2-MCH等材料，形成电子传输层2；
采用量子点材料，如CdSe、CuInS2、钙钛矿量子点等材料，形成发光层3；
采用P型有机小分子或P型金属氧化物，如PVK、Poly-TPD、TFB、NiOx等材料，形成空穴传输层4；
采用高电导率的透明导电材料，如PEDOT:PSS PH1000等材料，形成阳极5。
本实施例的量子点发光二极管，其中的电子传输层2中掺入一种或几种可以捕获载流子的物质，通过减慢电子传输或注入，达到电子和空穴的平衡注入来提高器件发光效率；同时，采用高电导的PEDOT:PSS PH1000作透明阳极5，避免采用高真空镀膜机，节省了器件制备成本。
实施例2：
本实施例提供一种量子点发光二极管，通过在电子传输层中掺入一种或几种可以捕获载流子的物质，通过全溶液法制备顶发射的量子点发光二极管，能有效改善反式结构量子点发光二极管的电子注入情况，提高电子传输率，获得较高的器件发光效率。
本实施例量子点发光二极管的结构参考图1，采用全溶液法制备该量子点发光二极管的过程如下：
步骤S1)：对作为阴极的基片进行预处理：该预处理包括清洗和等离子体处理。
清洗：基片采用ITO或FTO制成，由于新购买或制成的基片表面通常会有一些灰尘和有机物，因此先进行常规清洗。将基片采用脱脂棉蘸取洗洁精将表面擦拭干净，然后用去离子水冲洗，再将基片泡在洗洁精水中超声处理15min，之后依次放入去离子水、丙酮、异丙醇中分别超声处理15min，每个清洗环节进行两次，最后将清洗好的基片泡在异丙醇中备用。
等离子体处理：将清洗好的基片用氮气吹干后正面朝上放于等离子体清洗仪舱内，等离子体(Plasma)处理5min。
步骤S2)：对形成各层薄膜的材料进行预处理，得到各层薄膜前驱体溶液。
在该步骤中，包括对电子传输层薄膜的材料、发光层薄膜的材料、空穴传输层薄膜的材料和阳极薄膜的材料的预处理，具体说明如下：
步骤S21)：对电子传输层薄膜的材料的预处理。
N型金属氧化物和表面配体中含有羟基的量子点材料配合使用，将20～80mg(优选为30mg)N型金属氧化物和10～50mg(优选为20mg)表面配体中含有羟基(-OH)的量子点材料分散于10mL醇类溶剂(例如乙醇)中，N型金属氧化物包括ZnO、ZnMgO、TiO2等常规电子传输层2材料，表面配体中含有羟基(-OH)的量子点材料包括表面配体为6-巯基己醇的CdSe-MCH、CuInS2-MCH；然后超声处理10min，超声处理结束后以3000～7000rpm(优选为5000rpm)的速度离心处理3～5min(优选为4min)，得到电子传输层薄膜前驱体溶液。离心处理结束后用0.22μm滤头的过滤器进行过滤，以保证滤去电子传输层薄膜前驱体溶液中影响薄膜质量的大颗粒。
本实施例中通过将醇溶性量子点材料掺入电子传输层薄膜前驱体溶液中，保证了混合溶液中量子点材料的均匀分散，更具应用性。
步骤S22)：对发光层薄膜的材料的预处理。
将50～150mg(优选为50mg)量子点材料分散于5mL醇类溶剂(例如乙醇)中，量子点材料包括CdSe、CuInS2、钙钛矿量子点；然后超声处理10～20min，超声处理结束后以3000～7000rpm(优选为5000rpm)的速度离心处理3～5min(优选为4min)，得到发光层薄膜前驱体溶液。离心处理结束后用0.22μm的滤头的过滤器进行过滤，以保证滤去发光层薄膜前驱体溶液中影响薄膜质量的大颗粒。
步骤S23)：对空穴传输层薄膜的材料的预处理。
将50～150mg(优选为80mg)P型有机小分子或P型金属氧化物分散于10mL苯类溶剂(例如氯苯)中，P型有机小分子或P型金属氧化物包括PVK、Poly-TPD、TFB、NiOx等常规空穴传输层4材料，超声处理或搅拌处理30～60min(优选为15min)，搅拌处理结束后以3000～6000rpm(优选为5000rpm)的速度离心处理3～5min(优选为4min)，得到空穴传输层薄膜前驱体溶液。离心处理结束后用0.22μm的滤头的过滤器进行过滤，以保证滤去空穴传输层薄膜前驱体溶液中影响薄膜质量的大颗粒。
步骤S24)：对阳极薄膜的材料的预处理。
在4mL的PEDOT:PSS PH1000中加入20μL的聚乙二醇(PEG)，并进行搅拌处理；搅拌处理24h，得到阳极薄膜前驱体溶液。搅拌处理后用0.45μm的滤头的过滤器进行过滤，以保证滤去阳极薄膜前驱体溶液中影响薄膜质量的大颗粒。
步骤S3)：采用预处理后的各层薄膜的材料，通过溶液工艺依次制备各层结构。
在该步骤中，先通过旋涂、转印、喷墨打印等中的任一种工艺形成各薄膜前驱体溶液层；然后固化各薄膜前驱体溶液层，形成相应层结构，从而制备倒置结构的顶发射量子点发光二极管。
步骤S31)：电子传输层的制备。
将预处理后的基片放于匀胶机吸盘上，用移液枪量取适量(例如为100μL)电子传输层薄膜前驱体溶液均匀滴于基片上并进行旋涂，旋涂转速范围为2000～4000rpm/min(优选为3000rpm/min)，旋涂时间范围为40～60s；旋涂结束后进行退火处理，退火处理温度范围为80～120℃(优选为100℃)，退火处理时间范围为10～40min(优选为20min)，从而形成电子传输层2。这里对电子传输层薄膜前驱体溶液的旋涂量没有限制，只要能铺满基片即可，旋涂量与基片面积有关，基片面积越大旋涂量就越大，由旋涂量和旋涂转速决定层的厚度，厚度范围为30～200nm(优选为40nm)。
步骤S32)：发光层的制备。
将已经形成有电子传输层2的基片放于匀胶机吸盘上，用移液枪量取适量(例如为100μL)发光层薄膜前驱体溶液均匀滴于基片上并进行旋涂，旋涂转速范围为2000～5000rpm/min(优选为4000rpm/min)，旋涂时间范围为30～60s；旋涂结束后进行退火处理，退火处理温度范围为70～90℃(优选为80℃)，退火处理时间范围为5～30min(优选为10min)，从而形成发光层3。
步骤S33)：空穴传输层的制备。
将已经形成有电子传输层2和发光层3的基片放于匀胶机吸盘上，用移液枪量取适量(例如为80μL)空穴传输层薄膜前驱体溶液均匀滴于基片上并进行旋涂，旋涂转速范围为4000～6000rpm/min，旋涂时间范围为40～60s；旋涂结束后进行退火处理，退火处理温度范围为100～180℃(优选为150℃)，退火处理时间范围为10～60min(优选为30min)，从而形成空穴传输层4。
步骤S34)：阳极的制备。
将已经形成有电子传输层2、发光层3和空穴传输层4的基片放于匀胶机吸盘上，用移液枪量取适量(例如为180μL)阳极薄膜前驱体溶液均匀滴于基片上并进行旋涂，旋涂转速范围为2000～7000rpm/min，旋涂时间范围为30～60s；旋涂结束后进行退火处理，退火处理温度范围为100～200℃(优选为170℃)，退火处理时间范围为10～50min(优选为20min)，从而形成阳极5。通过旋涂等工艺制备阳极薄膜作为量子点发光二极管的阳极5无需后处理，操作简单，可重复性高。
至此，量子点发光二极管制备完毕。
在制备完成量子点发光二极管之后，可以对量子点发光二极管的性能进行测试。如图2所示，具体方法为，在像素点边缘与基板边缘(即基片的非显示区)刷一条银浆，便于测试时鱼嘴夹夹持，通过数字源表给器件加载0～10V电压，提供直流电压和测试通过器件的电流，从而测量得到器件电流，采用亮度测量器件的亮度通过计算得到器件发光效率。测量结果请参考图3中(a)和图3中(b)。
图3中(a)为量子点发光二极管的电流密度-亮度变化曲线图，纵坐标是亮度和电流密度，横坐标是电压。其中三角连线表示电子传输层2中掺入量子点材料的量子点发光二极管的电流密度和亮度变化关系，方框连线为电子传输层2中未掺入量子点材料的电流密度-亮度变化曲线，由图3中(b)可得，相同电压下电子传输层2中掺入量子点材料后量子点发光二极管(三角连线)的电流密度明显低于未掺入量子点材料的量子点发光二极管(方框连线)，可见电子传输层2中掺入量子点材料可有效降低电子注入，并且量子点发光二极管最大亮度明显提高。
图3中(b)为量子点发光二极管的电流效率-电流密度变化曲线图，纵坐标为电流效率，横坐标为电流密度。可见，当电流密度相同时电子传输层2中掺入量子点材料的器件(三角连线)电流效率明显高于电子传输层2中未掺入量子点材料的器件(方框连线)，且前者量子点发光二极的最高效率为后者的10倍。
本实施例的量子点发光二极管，通过在在电子传输层2中掺入一种或几种可以捕获载流子的物质，可有效降低电子传输或注入，明显提高量子点发光二极的器件发光效率；
同时，采用高电导率的PEDOT:PSS PH1000作透明阳极5，采用全溶液法(All-solution-processed)来制备整体结构，避免采用高真空镀膜机，节省了器件制备成本。
实施例3：
本实施例提供一种量子点发光二极管，通过在电子传输层2中掺入一种或几种可以捕获载流子的物质，通过全溶液法制备顶发射的量子点发光二极管，能有效改善反式结构量子点发光二极管的电子注入情况，提高电子传输率，获得较高的器件发光效率。
本实施例与实施例2的区别在于阳极5制备的方法的不同，实施例2通过旋涂法得到PEDOT:PSS薄膜，本实施例采用转印技术通过PDMS中间介质将PEDOT:PSS薄膜转移至器件。
本实施例的量子点发光二极管的制备方法，对于基片的预处理、各层薄膜的材料进行预处理可参考实施例2的具体实施方式；采用溶液工艺制备电子传输层2、发光层3和空穴传输层4也可参考实施例2的具体实施方式。
如图4所示，在对阳极5的制备的过程中，包括：
对转印介质层7进行固化：转印介质层7作为阳极的转印介质，材料为聚二甲基硅氧烷PDMS。将PDMS的两种溶液(购买的PDMS由两种溶液组成)以10:1～20:1(优选为10:1)的比例混合，混合均匀后采用真空干燥箱除泡20～40min(优选为30min)，除泡结束后将PDMS溶液倾倒入塑料培养皿中(大约1～2μm厚)，最后置于热台上100～150℃(优选为120℃)下加热60～120min(优选为8min)，得到固化的PDMS。
阳极5的制备：将上述固化的转印介质层7切成20*20～30*30mm的小方块，然后贴到25*25～35*35mm载片6上(如图4所示)，将其放于匀胶机吸盘上，用移液枪量取适量(例如180μL)PEDOT:PSS PH1000均匀滴于基片上并进行旋涂，旋涂转速范围为1000～2500rpm/min(优选为1500rpm/min)，旋涂时间范围为25～60s(优选为40s)，同时用等离子体处理旋涂有各层薄膜的基片3～10min(优选为5min)，以增加薄膜的浸润性。旋涂结束后2～8min(优选为4min)后，将上述旋涂有PEDOT:PSS PH1000薄膜的PDMS切成长为6～10mm，宽为3～5mm的长方形，即形成PEDOT:PSS阳极薄膜，然后采用镊子压印与上述形成有各层结构的基片上(也即阴极部分)。
在PEDOT:PSSPH1000边缘涂一层银浆便于后期测试时夹持。优选可在阳极的上方涂覆胶体银液体(Colloidal Siliver Liquid)，以便于测试时夹持用。
通过数字源表给量子点发光二极管加载0～10V电压，并得到器件电流，采用亮度测量仪测量量子点发光二极管的亮度，并通过计算得到器件发光效率。测量结果请参考图5中(a)和图5中(b)。
图5中(a)为量子点发光二极管的电流密度-亮度变化曲线图，纵坐标为亮度和电流密度，横坐标为电压。其中三角连线表示电子传输层2中掺入量子点材料的量子点发光二极管的电流密度和亮度变化关系，方框连线为电子传输层2中未掺入量子点材料的电流密度-亮度变化曲线，由图5中(a)可得，相同电压下电子传输层2中掺入量子点材料后器件(红色线)的电流密度明显低于未掺入量子点材料的量子点发光二极管(三角连线)，可见电子传输层2中掺入量子点材料可有效降低电子注入，并且量子点发光二极管最大亮度由1740cd/m2提高至1980cd/m2。
图5中(b)为量子点发光二极管的电流效率-电流密度变化曲线图，纵坐标为电流效率，横坐标为电流密度。可见，当电流密度相同时电子传输层2中掺入量子点材料的器件(三角连线)电流效率明显高于电子传输层2中未掺入量子点材料的器件(方框连线)，且前者量子点发光二极的最高效率为后者的12倍。
本实施例的量子点发光二极管，通过在在电子传输层2中掺入一种或几种可以捕获载流子的物质，可有效降低电子注入，明显提高量子点发光二极的器件发光效率，易于获得高效率(High efficiency)的器件；
同时，与传统量子点发光二极管中常用的PEDOT:PSS 4083相比，本实施例采用高电导率的PEDOT:PSS PH1000作为透明阳极5制备，采用全溶液法(All-solution-processed)来制备整体结构，避免采用高真空镀膜机蒸镀电极，操作简单、成本低。
实施例4：
本实施例提供一种显示面板，该显示面板包括实施例2-实施例3中任一的量子点发光二极管。
该显示面板可以为：台式电脑、平板电脑、笔记本电脑、手机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、液晶面板、电子纸、电视机、显示器、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，可应用于公共显示和虚幻显示等多个领域。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (16)
1.一种量子点发光二极管的制备方法，包括形成阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极的步骤，其特征在于，所述电子传输层中包括能捕获载流子的物质，所述能捕获载流子的物质包括N型金属氧化物和表面配体中含有羟基的量子点材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括步骤：
将N型金属氧化物和表面配体中含有羟基的量子点材料，分散于醇类溶剂中，制备电子传输层薄膜前驱体溶液；
通过溶液工艺形成电子传输层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述N型金属氧化物包括ZnO、ZnMgO、TiO2中的任一种，所述表面配体中含有羟基的量子点材料包括表面配体为6-巯基己醇的CdSe-MCHCdZnSeS、CuInS2-MCH中的任一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述发光层和所述空穴传输层采用溶液工艺形成，包括：
分别制备发光层薄膜前驱体溶液和空穴传输层薄膜前驱体溶液；
通过溶液工艺分别形成发光层和空穴传输层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，制备所述发光层薄膜前驱体溶液为：
将量子点材料分散于醇类溶剂中形成所述发光层薄膜前驱体溶液。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述量子点材料包括CdSe、CuInS2、钙钛矿量子点中的任一种。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，制备所述空穴传输层薄膜前驱体溶液为：
将P型有机小分子或P型金属氧化物分散于苯类溶剂中形成所述空穴传输层薄膜前驱体溶液。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述P型有机小分子或所述P型金属氧化物，包括PVK、Poly-TPD、TFB、NiOx中的任一种，苯类溶剂包括氯苯。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括形成阳极的步骤，包括：
在高电导率的透明导电材料中加入聚乙二醇形成阳极薄膜前驱体溶液为；
通过溶液工艺形成所述阳极。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述高电导率的透明导电材料包括PEDOT:PSS PH1000。
11.根据权利要求1-10任一项所述的制备方法，其特征在于，在溶液工艺之前还包括，分别对各层薄膜前驱体溶液进行过滤。
12.根据权利要求1-10任一项所述的制备方法，其特征在于，所述溶液工艺包括：
通过旋涂工艺、转印工艺、喷墨打印工艺中的任一种形成各薄膜前驱体溶液层；
退火处理各薄膜前驱体溶液层，形成相应层结构。
13.一种量子点发光二极管，包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和阳极，其特征在于，所述电子传输层中包括能捕获载流子的物质，所述能捕获载流子的物质包括N型金属氧化物和表面配体中含有羟基的量子点材料。
14.根据权利要求13所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述N型金属氧化物包括ZnO、ZnMgO、TiO2中的任一种，所述表面配体中含有羟基的量子点材料包括表面配体为6-巯基己醇的CdSe-MCH、CuInS2-MCH中的任一种。
15.根据权利要求13所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极采用高电导率的透明导电材料制成，所述高电导率的透明导电材料包括PEDOT:PSS PH1000。
16.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求13-15任一项所述的量子点发光二极管。
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