CN106531892A - 一种有机无机复合电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
一种有机无机复合电致发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106531892A CN106531892A CN201510575352.4A CN201510575352A CN106531892A CN 106531892 A CN106531892 A CN 106531892A CN 201510575352 A CN201510575352 A CN 201510575352A CN 106531892 A CN106531892 A CN 106531892A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zno
- layer
- organo
- organic
- mineral complexing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开一种有机无机复合电致发光器件及其制备方法,自下而上依次有透明导电衬底、ZnO籽晶层、ZnO纳米阵列、有机无机复合发光层、有机物空穴传输层和金属阳极。溶液法制备ZnO量子点溶液,将ZnO量子点溶液旋涂于透明导电衬底获得载有ZnO籽晶层的基片,采用水热法生长ZnO纳米阵列,通过溶液法制备有机无机复合发光层,旋涂有机物空穴传输层,蒸镀金属阳极,获得有机无机复合电致发光器件。用此方法制备的有机无机复合电致发光器件,可以有效改善器件的电子和空穴注入平衡,提高器件的发光效率,同时增加器件的稳定性和寿命。该方法制备成本低,易于实现大面积生产,在电致发光器件领域有着广泛的应用。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种有机无机复合电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机材料具有化学可变性大、易于大面积成膜、材料来源广、产品形状灵活、可卷曲等优势。近年来,基于有机材料的光电器件得到深入的发展。但是,有机材料存在的固有缺陷,阻碍了相关器件的产业化进程,主要表现在:1)有机分子作为发光材料,其光子受声子的影响,发光谱较宽;2)现有的有机光电材料以p型材料为主,高电子迁移率的n型材料仍不多见;3)有机材料的稳定性差影响器件的工作寿命。将无机半导体纳米材料与有机材料在纳米尺度上有效复合,可望获得功能耦合与协同增强的新型光电材料和器件。ZnO是一种重要的发光材料,在光电子器件领域得到广泛的应用。近年来,随着ZnO纳米材料研究的逐渐深入,基于ZnO纳米材料的有机无机复合电致发光器件的研究得到广泛关注。所选用的ZnO纳米材料主要是量子点和纳米棒阵列两种形态,量子点多用于制备复合发光层。由于纳米棒阵列具有较大的比表面积和良好的电荷定向传输特性,不仅可以作为发光材料,而且可以作为电子传输材料。
发明内容
本发明的目的是提供一种制备成本低、工艺简单且性能优良的有机无机复合电致发光器件及其制备方法,采用ZnO纳米棒阵列作为电子传输层,实现电子的有效注入;采用无机量子点有机复合材料作为发光层,可有效改善器件的注入平衡,提高复合器件的电流承载能力和发光效率,获得高效、稳定的注入式发光。
本发明的技术目的通过下述技术方案予以实现:
有机无机复合电致发光器件,自下而上依次设置有透明导电衬底、ZnO籽晶层、ZnO纳米阵列、有机无机复合发光层、有机物空穴传输层和金属阳极。
透明导电衬底为ITO导电玻璃,选择在透明玻璃的一面上设置氧化铟锡层,已形成导电层,或者镀有ITO导电膜(层)的PET。
在透明导电衬底的导电层上设置ZnO籽晶层,即ZnO籽晶层设置在氧化铟锡层上,具体来说,按照下述步骤进行:
将ZnO量子点溶液旋涂在透明导电衬底的导电层上,在70~90℃真空处理20~50分钟,在空气气氛中自然冷却至室温20—25摄氏度,即完成一个操作循环,重复操作循环以使制备的ZnO籽晶层的厚度达到30~100纳米;
在上述制备ZnO籽晶层的方法中,旋凃的转速为2000~3000rpm。
在上述制备ZnO籽晶层的方法中,重复操作循环的次数为3—6次。
在ZnO籽晶层上设置ZnO纳米阵列,氧化锌纳米线垂直于ZnO籽晶层表面,形成氧化锌纳米阵列,按照下述步骤进行:
将设置有ZnO籽晶层的透明导电衬底放置在高压釜中,向高压釜中加入混合液,自室温20—25摄氏度以每分钟3—5摄氏度的速度加热至80~95℃并恒温保持6~12小时,之后取出透明导电衬底进行清洗,在80~95℃的真空干燥箱处理8~12小时;所述混合液按照如下步骤进行制备:配置浓度为0.01~0.1摩尔每升的六水合硝酸锌的水溶液和浓度为0.01~0.1摩尔每升的六亚甲基四胺的水溶液,按照硝酸锌和六亚甲基四胺的摩尔比1:1将六水合硝酸锌的水溶液和六亚甲基四胺的水溶液进行混合均匀;
在上述制备ZnO纳米阵列的方法中,取出透明导电衬底后,使用去离子水和乙醇交替进行冲洗。
在上述制备ZnO纳米阵列的方法中,所制备的ZnO纳米阵列的厚度为1—4微米,即氧化锌纳米线的长度为1—4微米,氧化锌纳米线的径向长度(即氧化锌纳米线直径)为20—50nm。
在ZnO纳米阵列上设置有机无机复合发光层,同时在形成ZnO纳米阵列的氧化锌纳米线之间形成有机无机复合发光层,按照下述步骤进行制备:
将有机无机复合发光溶液滴加在氧化锌纳米阵列上并静置,以使有机无机复合发光溶液有效进入ZnO纳米阵列的空隙并填充覆盖氧化锌纳米线,再进行旋凃,旋凃之后在80~100℃真空处理20~40分钟,形成第一层,并重复3~5次;之后再将有机无机复合发光溶液滴加在氧化锌纳米阵列上直接进行旋凃(不再进行静置处理),旋凃之后在80~100℃真空处理20~40分钟,重复3~6次。
在上述制备有机无机复合发光层的方法中,选择将静置在旋凃的方案,能够促使有机无机复合发光溶液有效进入ZnO纳米阵列的空隙并填充覆盖氧化锌纳米线,即在纳米阵列顶部和纳米线阵列之间都能够形成有机无机发光层,其中纳米阵列顶部形成的有机无机复合发光层厚度为50~300纳米。
在上述制备有机无机复合发光层的方法中,静置时间为3~5分钟。
在上述制备有机无机复合发光层的方法中,旋凃速度为800~1500rpm,时间为15~30秒。
在上述制备有机无机复合发光层的方法中,有机无机复合发光溶液通过组份溶解或者分散在溶剂中形成,各个组份的质量份数如下:
溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF) 100份
ZnO量子点粉体 1—5份
聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,数均分子量80000—200000) 0.5—1份
共混成份 1—3份
其中共混成份为聚乙烯吡咯烷酮(PVP-k30)、聚乙烯基咔唑(PVK,粘均分子量为104~3×106)、或者聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)(MEH-PPV,数均分子量为300000~500000);或者由等质量份数的聚乙烯吡咯烷酮(PVP-k30)和聚乙烯基咔唑(PVK)组成;或者由等质量份数的聚乙烯基咔唑(PVK)和聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)(MEH-PPV,数均分子量为300000—500000)组成;或者由等质量份数的聚乙烯吡咯烷酮(PVP-k30)和聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)(MEH-PPV,数均分子量为300000—500000)组成。
在有机无机复合发光层上设置有机物空穴传输层,按照下述步骤进行:将PEDOT:PSS在有机无机复合发光层上旋凃成膜后,在90~120℃真空处理30~50分钟,以形成有机物空穴传输层厚度的为500纳米—2微米。所述PEDOT:PSS是一种高分子聚合物的水溶液,由PEDOT和PSS两种物质构成。PEDOT是EDOT(3,4-乙撑二氧噻吩单体)的聚合物,PSS是聚苯乙烯磺酸盐。
在制备有机物空穴传输层的方法中,旋凃速度为2000~3000rpm,时间为20~40秒。
在有机物空穴传输层上设置金属阳极,采用电子束蒸发法在有机物空穴传输层上,以金属Ag、Al、Au或Pt为蒸发源,控制生长速度为0.6~1.1埃/秒,得到金属阳极,完成器件制备。金属阳极的厚度为60~150纳米。
有机无机复合电致发光器件的制备方法,在透明导电衬底上依照上述每部分的制备方法,自下而上依次设置ZnO籽晶层、ZnO纳米阵列、有机无机复合发光层、有机物空穴传输层和金属阳极,其中
步骤1,在透明导电衬底的导电层上设置ZnO籽晶层;
步骤2,在ZnO籽晶层上设置ZnO纳米阵列;
步骤3,在ZnO纳米阵列上设置有机无机复合发光层,同时在形成ZnO纳米阵列的氧化锌纳米线之间形成有机无机复合发光层;
步骤4,在有机无机复合发光层上设置有机物空穴传输层;
步骤5,在有机物空穴传输层上设置金属阳极。
在本发明的技术方案中采用氧化锌量子点粉体或者氧化锌量子点溶液,其制备参考文献如下:J.Am.Chem.SOC.,Vol.113.No.8,1991 2821,具体来说:以0.1~1摩尔每升的浓度将二水合乙酸锌溶于甲醇,磁力搅拌促进其溶解,加热至65~80℃,水浴回流,循环水温度保持5-15℃,以0.05~0.2摩尔每升的浓度将氢氧化钠溶于甲醇,超声加速其溶解;将完全溶解的氢氧化钠溶液逐滴加入的二水合乙酸锌溶液,滴加时间10~30分钟,滴加完成后,加热回流装置中搅拌1.5~3小时,得到澄清的ZnO量子点溶液,待溶液降至室温,0~4℃静置12~24小时备用。回加热流装置中搅拌7~24小时,得到乳白色的量子点溶液,将乳白色的量子点溶液室温静置6~12小时后除去上层清液,用甲醇离心、洗涤4~8次,真空60~80℃干燥36~72小时,得到ZnO量子点粉体备用。
本发明的技术方案制备的有机无机复合电致发光器件,可以有效改善器件的电子和空穴注入平衡,提高器件的发光效率,同时增加器件的稳定性和寿命。此外,该方法制备成本低,易于实现大面积生产,在电致发光器件领域有着广泛的应用。
附图说明
图1是本发明中制备的氧化锌纳米阵列的X射线衍射谱线。
图2是本发明制备的氧化锌纳米阵列及有机无机复合薄膜扫描电镜图,其中(a)为ZnO纳米阵列的截面形貌,其中:1为玻璃,2为氧化铟锡,3氧化锌籽晶层,4为氧化锌纳米阵列;(b)为ZnO纳米阵列的俯视形貌、(c)为复合薄膜的截面形貌,其中:1为玻璃,2为氧化铟锡,3氧化锌籽晶层,4为氧化锌纳米阵列,5为复合发光层,6为有机空穴传输层;(d)为复合薄膜的俯视形貌。
图3是本发明器件的电致发光光谱图,图(a)为实施例3;图(b)为实施例4;图(c)为实施例5,每幅图中曲线1为5伏特直流电压下的电致发光光谱,曲线2为8伏特直流电压下的电致发光光谱,曲线3为11伏特直流电压下的电致发光光谱。
图4是本发明器件的结构示意图,其中1为透明导电衬底、2为ZnO籽晶层、3为ZnO纳米阵列(层)、4为有机无机复合发光层、5为有机物空穴传输层、6为金属阳极。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步说明本发明的技术方案。
使用的氧化锌量子点粉体或者氧化锌量子点溶液,其制备参考文献如下:J.Am.Chem.SOC.,Vol.113.No.8,1991 2821,例如:
(1)将5.6g二水合乙酸锌溶于100毫升甲醇,磁力搅拌促进其溶解,加热至70℃,水浴回流,循环水温度保持10℃,将0.4g氢氧化钠溶于100毫升甲醇,超声加速其溶解;将完全溶解的氢氧化钠甲醇溶液逐滴加热70℃的二水合乙酸锌甲醇溶液,滴加时间20分钟,滴加完成后,加热回流装置中搅拌2小时,得到澄清的氧化锌量子点溶液;氧化锌量子点溶液降至室温20—25摄氏度,在0~4℃静置24小时备用;
(2)将5.6g二水合乙酸锌溶于100毫升甲醇,磁力搅拌促进其溶解,加热至70℃,水浴回流,循环水温度保持10℃,将0.4g氢氧化钠溶于100毫升甲醇,超声加速其溶解;将完全溶解的氢氧化钠甲醇溶液逐滴加热70℃的二水合乙酸锌甲醇溶液,滴加时间20分钟,滴加完成后,加热回流装置中搅拌8小时,得到乳白色的氧化锌量子点溶液;氧化锌量子点溶液室温20—25摄氏度下静置8小时后除去上层清液,用甲醇离心、洗涤5次,真空60℃干燥36小时,得到ZnO量子点粉体备用。
使用的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,数均分子量80000—200000)购自上海西宝生物科技有限公司,聚乙烯吡咯烷酮(PVP-k30)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)(MEH-PPV,数均分子量为300000~500000)购自广州砺剑光电材料科技有限公司。
实施例1
(1)ZnO籽晶层的制备
用去离子水、丙酮、异丙醇、乙醇交替超声清洗ITO玻璃衬底,重复4次,置于真空80℃干燥30分钟,紫外光照30分钟;将氧化锌量子点溶液以转速2000rpm旋涂于ITO玻璃衬底,80℃真空干燥,20分钟后取出,降至室温,完成一个循环;如此重复3次。所得ZnO籽晶层厚度为40纳米。
(2)ZnO纳米阵列的设置
称取0.59g的六水合硝酸锌和0.28g的六亚甲基四胺,分别溶解在40毫升去离子水中,将两种溶液混合,室温磁力搅拌混合20min,将混合液移入高压反应釜中,将载有ZnO籽晶层的基片放入高压釜,填充度为80%,90℃恒温8小时,取出基片用去离子水和乙醇交替冲洗,然后放入80℃的真空干燥箱12小时。所得ZnO纳米阵列厚度为2微米(即氧化锌纳米线的长度),氧化锌纳米线的径向长度(即氧化锌纳米线直径)为50nm。
(3)有机无机复合发光层的制备
称取2g氧化锌量子点粉体、0.5gPMMA、1gPVK,溶于100g DMF,超声5小时,得到均匀溶液,上述溶液滴加于水平放置的ZnO纳米阵列基片上,静置3分钟,以800rpm的转速旋涂,后90℃真空干燥30分钟,完成第一层,重复3次,完成前四层;旋涂第五层时,与前四层方法类似,只是旋涂前不再静置。按照第五层的方法,重复3次。复合发光层完全填充并覆盖ZnO纳米阵列,纳米阵列顶部形成的有机无机复合发光层厚度为150纳米。
(4)空穴传输层的制备
将经过滤的PEDOT:PSS溶液,利用匀胶机以3000rpm的转速进行旋涂30s成膜,将薄膜置于90℃真空干燥30分钟。
(5)金属阳极制备
将经上述步骤制备的基片置于电子束蒸发设备,以金属Au为蒸发源,控制生长速度为0.6~1.1埃/秒,厚度为110纳米。
实施例2
步骤与实施例1基本相同,仅将不同之处说明如下:
1)以镀有ITO导电膜的PET为衬底;
2)以5gZnO量子点、3g的PVK,和1g的PMMA混合溶液旋涂制作有机无机复合发光层;
3)以Al为金属阳极。
实施例3,步骤与实施例1基本相同,不同之处:1gZnO量子点粉体、1gPVK、0.5gPMMA溶于100g DMF溶液制备有机无机复合发光层。
实施例4,步骤与实施例1基本相同,不同之处:1gZnO量子点粉体、1gPVP、0.5gPMMA溶于100g DMF溶液制备有机无机复合发光层。
实施例5,步骤与实施例1基本相同,不同之处:1gZnO量子点粉体、0.5g MEH-PPV、0.5gPMMA溶于100g DMF溶液制备有机无机复合发光层。
利用电脑控制的Keithley2400电压源和荧光光谱仪(型号:Jobin Yvon HR320spectrometer)不同电压下的电致发光特性测试,如附图3所示,图(a)为实施例3;图(b)为实施例4;图(c)为实施例5,每幅图中曲线1为5伏特直流电压下的电致发光光谱,曲线2为8伏特直流电压下的电致发光光谱,曲线3为11伏特直流电压下的电致发光光谱,本发明能够实现电致发光。
根据本发明说明书中记载的发明内容进行制备工艺的调整均可制备器件,经测试基本显示出与实施例一致的性质。
以上对本发明做了示例性的描述,应该说明的是,在不脱离本发明的核心的情况下,任何简单的变形、修改或者其他本领域技术人员能够不花费创造性劳动的等同替换均落入本发明的保护范围。
Claims (10)
1.有机无机复合电致发光器件,其特征在于,自下而上依次设置有透明导电衬底、ZnO籽晶层、ZnO纳米阵列、有机无机复合发光层、有机物空穴传输层和金属阳极,
透明导电衬底为ITO导电玻璃,选择在透明玻璃的一面上设置氧化铟锡层,已形成导电层,或者镀有ITO导电膜(层)的PET;
在透明导电衬底的导电层上设置ZnO籽晶层,按照下述步骤进行:将ZnO量子点溶液旋涂在透明导电衬底的导电层上,在70~90℃真空处理20~50分钟,在空气气氛中自然冷却至室温20—25摄氏度,即完成一个操作循环,重复操作循环以使制备的ZnO籽晶层的厚度达到30~100纳米;
在ZnO籽晶层上设置ZnO纳米阵列,氧化锌纳米线垂直于ZnO籽晶层表面,形成氧化锌纳米阵列,所制备的ZnO纳米阵列的厚度为1—4微米,按照下述步骤进行:将设置有ZnO籽晶层的透明导电衬底放置在高压釜中,向高压釜中加入混合液,自室温20—25摄氏度以每分钟3—5摄氏度的速度加热至80~95℃并恒温保持6~12小时,之后取出透明导电衬底进行清洗,在80~95℃的真空干燥箱处理8~12小时;所述混合液按照如下步骤进行制备:配置浓度为0.01~0.1摩尔每升的六水合硝酸锌的水溶液和浓度为0.01~0.1摩尔每升的六亚甲基四胺的水溶液,按照硝酸锌和六亚甲基四胺的摩尔比1:1将六水合硝酸锌的水溶液和六亚甲基四胺的水溶液进行混合均匀;
在ZnO纳米阵列上设置有机无机复合发光层,同时在形成ZnO纳米阵列的氧化锌纳米线之间形成有机无机复合发光层,即在纳米阵列顶部和纳米线阵列之间都能够形成有机无机发光层,其中纳米阵列顶部形成的有机无机复合发光层厚度为50~300纳米,按照下述步骤进行制备:将有机无机复合发光溶液滴加在氧化锌纳米阵列上并静置,以使有机无机复合发光溶液有效进入ZnO纳米阵列的空隙并填充覆盖氧化锌纳米线,再进行旋凃,旋凃之后在80~100℃真空处理20~40分钟,形成第一层,并重复3~5次;之后再将有机无机复合发光溶液滴加在氧化锌纳米阵列上直接进行旋凃,不再进行静置处理,旋凃之后在80~100℃真空处理20~40分钟,重复3~6次;有机无机复合发光溶液通过组份溶解或者分散在溶剂中形成,各个组份的质量份数如下:
其中共混成份为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯基咔唑、或者聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑);或者由等质量份数的聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯基咔唑组成;或者由等质量份数的聚乙烯基咔唑和聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)组成;或者由等质量份数的聚乙烯吡咯烷酮和聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)组成;
在有机无机复合发光层上设置有机物空穴传输层,按照下述步骤进行:将PEDOT:PSS在有机无机复合发光层上旋凃成膜后,在90~120℃真空处理30~50分钟,以形成有机物空穴传输层厚度的为500纳米—2微米;
在有机物空穴传输层上设置金属阳极,采用电子束蒸发法在有机物空穴传输层上,以金属Ag、Al、Au或Pt为蒸发源,控制生长速度为0.6~1.1埃/秒,得到金属阳极,完成器件制备,金属阳极的厚度为60~150纳米。
2.根据权利要求1所述的有机无机复合电致发光器件,其特征在于,在制备ZnO籽晶层的方法中,旋凃的转速为2000~3000rpm;重复操作循环的次数为3—6次。
3.根据权利要求1所述的有机无机复合电致发光器件,其特征在于,在制备ZnO纳米阵列的方法中,氧化锌纳米线的长度为1—4微米,氧化锌纳米线的径向长度为20—50nm。
4.根据权利要求1所述的有机无机复合电致发光器件,其特征在于,在制备有机无机复合发光层的方法中,静置时间为3~5分钟,旋凃速度为800~1500rpm,时间为15~30秒。
5.根据权利要求1所述的有机无机复合电致发光器件,其特征在于,在制备有机无机复合发光层的方法中,聚甲基丙烯酸甲酯的数均分子量80000—200000,聚乙烯吡咯烷酮为PVP-k30,聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)的数均分子量为300000~500000。
6.根据权利要求1所述的有机无机复合电致发光器件,其特征在于,在制备有机物空穴传输层的方法中,旋凃速度为2000~3000rpm,时间为20~40秒。
7.有机无机复合电致发光器件的制备方法,其特征在于,按照下述步骤进行:
步骤1,在透明导电衬底的导电层上设置ZnO籽晶层;将ZnO量子点溶液旋涂在透明导电衬底的导电层上,在70~90℃真空处理20~50分钟,在空气气氛中自然冷却至室温20—25摄氏度,即完成一个操作循环,重复操作循环以使制备的ZnO籽晶层的厚度达到30~100纳米;
步骤2,在ZnO籽晶层上设置ZnO纳米阵列,所制备的ZnO纳米阵列的厚度为1—4微米;将设置有ZnO籽晶层的透明导电衬底放置在高压釜中,向高压釜中加入混合液,自室温20—25摄氏度以每分钟3—5摄氏度的速度加热至80~95℃并恒温保持6~12小时,之后取出透明导电衬底进行清洗,在80~95℃的真空干燥箱处理8~12小时;所述混合液按照如下步骤进行制备:配置浓度为0.01~0.1摩尔每升的六水合硝酸锌的水溶液和浓度为0.01~0.1摩尔每升的六亚甲基四胺的水溶液,按照硝酸锌和六亚甲基四胺的摩尔比1:1将六水合硝酸锌的水溶液和六亚甲基四胺的水溶液进行混合均匀;
步骤3,在ZnO纳米阵列上设置有机无机复合发光层,同时在形成ZnO纳米阵列的氧化锌纳米线之间形成有机无机复合发光层,即在纳米阵列顶部和纳米线阵列之间都能够形成有机无机发光层,其中纳米阵列顶部形成的有机无机复合发光层厚度为50~300纳米;将有机无机复合发光溶液滴加在氧化锌纳米阵列上并静置,以使有机无机复合发光溶液有效进入ZnO纳米阵列的空隙并填充覆盖氧化锌纳米线,再进行旋凃,旋凃之后在80~100℃真空处理20~40分钟,形成第一层,并重复3~5次;之后再将有机无机复合发光溶液滴加在氧化锌纳米阵列上直接进行旋凃,不再进行静置处理,旋凃之后在80~100℃真空处理20~40分钟,重复3~6次;有机无机复合发光溶液通过组份溶解或者分散在溶剂中形成,各个组份的质量份数如下:
其中共混成份为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯基咔唑、或者聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑);或者由等质量份数的聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯基咔唑组成;或者由等质量份数的聚乙烯基咔唑和聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)组成;或者由等质量份数的聚乙烯吡咯烷酮和聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)组成;
步骤4,在有机无机复合发光层上设置有机物空穴传输层;将PEDOT:PSS在有机无机复合发光层上旋凃成膜后,在90~120℃真空处理30~50分钟,以形成有机物空穴传输层厚度的为500纳米—2微米;
步骤5,在有机物空穴传输层上设置金属阳极,采用电子束蒸发法在有机物空穴传输层上,以金属Ag、Al、Au或Pt为蒸发源,控制生长速度为0.6~1.1埃/秒,得到金属阳极,完成器件制备,金属阳极的厚度为60~150纳米。
8.根据权利要求7所述的有机无机复合电致发光器件的制备方法,其特征在于,在制备ZnO籽晶层的步骤1中,旋凃的转速为2000~3000rpm;重复操作循环的次数为3—6次;在制备ZnO纳米阵列的步骤2中,氧化锌纳米线的长度为1—4微米,氧化锌纳米线的径向长度为20—50nm。
9.根据权利要求7所述的有机无机复合电致发光器件的制备方法,其特征在于,在制备有机无机复合发光层的步骤3中,静置时间为3~5分钟,旋凃速度为800~1500rpm,时间为15~30秒;在制备有机物空穴传输层的步骤4中,旋凃速度为2000~3000rpm,时间为20~40秒。
10.根据权利要求7所述的有机无机复合电致发光器件的制备方法,其特征在于,在制备有机无机复合发光层的步骤3中,聚甲基丙烯酸甲酯的数均分子量80000—200000,聚乙烯吡咯烷酮为PVP-k30,聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)的数均分子量为300000~500000。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510575352.4A CN106531892B (zh) | 2015-09-10 | 2015-09-10 | 一种有机无机复合电致发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510575352.4A CN106531892B (zh) | 2015-09-10 | 2015-09-10 | 一种有机无机复合电致发光器件及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106531892A true CN106531892A (zh) | 2017-03-22 |
CN106531892B CN106531892B (zh) | 2018-06-08 |
Family
ID=58346237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510575352.4A Active CN106531892B (zh) | 2015-09-10 | 2015-09-10 | 一种有机无机复合电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106531892B (zh) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI651349B (zh) * | 2017-01-11 | 2019-02-21 | 華邦電子股份有限公司 | 感測器、複合材料及其製造方法 |
WO2019037307A1 (zh) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 倒置型量子点发光二极管及其制作方法 |
CN109427978A (zh) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件及其制备方法 |
CN109962169A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109962128A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109962170A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109962168A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜与qled器件 |
CN109962167A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109980052A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件及其制备方法 |
US10516132B2 (en) | 2017-08-24 | 2019-12-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Inverted quantum dot light-emitting diode and manufacturing method thereof |
CN111697148A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-22 | 西北工业大学 | 一种金纳米棒耦合的量子点发光二极管的制备方法 |
US10823691B2 (en) | 2017-01-11 | 2020-11-03 | Winbond Electronics Corp. | Sensor, composite material and method of manufacturing the same |
CN113130789A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
US11127912B2 (en) | 2018-07-17 | 2021-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and display device including the same |
WO2022018849A1 (ja) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | シャープ株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
WO2022252124A1 (zh) * | 2021-06-01 | 2022-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子传输层材料及其制备方法、电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102024910A (zh) * | 2010-10-20 | 2011-04-20 | 北京交通大学 | 修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件 |
US20140054442A1 (en) * | 2012-07-20 | 2014-02-27 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Nanocomposite Photodetector |
-
2015
- 2015-09-10 CN CN201510575352.4A patent/CN106531892B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102024910A (zh) * | 2010-10-20 | 2011-04-20 | 北京交通大学 | 修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件 |
US20140054442A1 (en) * | 2012-07-20 | 2014-02-27 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Nanocomposite Photodetector |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
乔泊: ""ZnO量子点的合成机与MEH-PPV复合电致发光器件的研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 基础科学辑》 * |
王有为: ""ZnO纳米棒/聚合物复合电致发光器件研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》 * |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10823691B2 (en) | 2017-01-11 | 2020-11-03 | Winbond Electronics Corp. | Sensor, composite material and method of manufacturing the same |
TWI651349B (zh) * | 2017-01-11 | 2019-02-21 | 華邦電子股份有限公司 | 感測器、複合材料及其製造方法 |
CN109427978A (zh) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件及其制备方法 |
CN109427978B (zh) * | 2017-08-22 | 2020-05-26 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种qled器件及其制备方法 |
US10516132B2 (en) | 2017-08-24 | 2019-12-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Inverted quantum dot light-emitting diode and manufacturing method thereof |
WO2019037307A1 (zh) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 倒置型量子点发光二极管及其制作方法 |
CN109962170A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109962170B (zh) * | 2017-12-26 | 2021-04-13 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109962167A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109962168A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜与qled器件 |
CN109962128A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109962169B (zh) * | 2017-12-26 | 2021-03-23 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109962169A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109962167B (zh) * | 2017-12-26 | 2021-02-19 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 |
CN109980052B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-11-17 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种qled器件及其制备方法 |
CN109980052A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件及其制备方法 |
US11127912B2 (en) | 2018-07-17 | 2021-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and display device including the same |
CN113130789A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
CN113130789B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-06-24 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
CN111697148A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-22 | 西北工业大学 | 一种金纳米棒耦合的量子点发光二极管的制备方法 |
WO2022018849A1 (ja) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | シャープ株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
WO2022252124A1 (zh) * | 2021-06-01 | 2022-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子传输层材料及其制备方法、电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106531892B (zh) | 2018-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106531892A (zh) | 一种有机无机复合电致发光器件及其制备方法 | |
Kim et al. | Polyethylenimine ethoxylated-mediated all-solution-processed high-performance flexible inverted quantum dot-light-emitting device | |
Ercan et al. | Stretchable and ambient stable perovskite/polymer luminous hybrid nanofibers of multicolor fiber mats and their white LED applications | |
Chen et al. | Nearly 100% efficiency enhancement of CH3NH3PbBr3 perovskite light-emitting diodes by utilizing plasmonic Au nanoparticles | |
Dai et al. | Solution-processed, high-performance light-emitting diodes based on quantum dots | |
CN101679714B (zh) | 空穴注入层/传输层组合物及装置 | |
Kietzke et al. | A nanoparticle approach to control the phase separation in polyfluorene photovoltaic devices | |
Caruge et al. | NiO as an inorganic hole-transporting layer in quantum-dot light-emitting devices | |
JP5041535B2 (ja) | エレクトロルミネセンス装置におけるヘテロ原子位置規則性ポリ(3−置換チオフェン) | |
CN105731372B (zh) | 含光活性聚合物的光伏电池 | |
TW200848389A (en) | Liquid composition for deposition of organic active materials | |
JP2011513951A (ja) | タンデム型光電池 | |
CN1651490A (zh) | 用于光电子器件的含有导电聚合物的分散体和膜 | |
CN102903855A (zh) | 一种量子点电致发光器件及其制备方法 | |
Mawyin et al. | Hybrid heterojunction nanorods for nanoscale controlled morphology in bulk heterojunction solar cells | |
Wang et al. | CH3NH3PbBr3 quantum dot-induced nucleation for high performance perovskite light-emitting solar cells | |
Xue et al. | Highly Efficient and Fully Solution‐Processed White Electroluminescence Based on Fluorescent Small Molecules and a Polar Conjugated Polymer as the Electron‐Injection Material | |
Han et al. | Electrochemically deposited nano polyaniline films as hole transporting layers in organic solar cells | |
Yan et al. | Improving the Photoluminescence Properties of Perovskite CH3NH3PbBr3-xCl x Films by Modulating Organic Cation and Chlorine Concentrations | |
JP2017033929A (ja) | 有機半導体をドーピングする方法およびドーピング組成物 | |
Vohra et al. | Nanostructured Light-Emitting Polymer Thin Films and Devices Fabricated by the Environment-Friendly Push-Coating Technique | |
Kumar et al. | Enhancing performances of hybrid perovskite light emitting diodes with thickness controlled PMMA interlayer | |
Quites et al. | Tuning emission colors from blue to green in polymeric light-emitting diodes fabricated using polyfluorene blends | |
Albrecht et al. | Patterning carbazole–phenylazomethine dendrimer films | |
Xue et al. | Highly flexible light emitting diodes based on a quantum dots-polymer composite emitting layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |