CN108766231A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种显示面板，包括像素阵列基板、对向基板及显示介质。像素阵列基板包括基板、多条扫描线、多条数据线、多个像素单元与栅极驱动电路。栅极驱动电路配置于基板的周边区内且包括多条第一信号线、多条第二信号线、多条拟信号线及多个接触结构。每一第二信号线分别与对应的一条第一信号线电性连接。每一拟信号线分别与对应的一条第二信号线电性连接。每一第一信号线经由对应的一个接触结构与对应的第二信号线电性连接。每一拟信号线经由对应的一个接触结构与对应的第二信号线电性连接。
Description
技术领域
本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种具有栅极驱动电路的显示面板。
背景技术
为了实现窄边框的显示面板，目前已发展出栅极驱动电路基板(Gate driver onArray，GOA)技术，此技术是将驱动显示面板的栅极驱动电路结构制作在显示面板的周边区，以代替外接的驱动芯片的技术。随着显示面板对于分辨率的要求不断提升，采用GOA技术的显示面板于周边区内设置的信号线密度势必增加，但在窄边框的限制下，该些信号线容易产生阻抗不匹配的问题，进而导致显示画面产生亮暗纹。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示面板，其可在具有高分辨率及窄边框的情况下，避免周边区的信号线发生阻抗不匹配的问题。
本发明的显示面板包括像素阵列基板、与像素阵列基板对向配置的对向基板以及配置于对向基板与像素阵列基板之间的显示介质。像素阵列基板包括基板、多条扫描线、多条数据线、多个像素单元以与栅极驱动电路。基板具有显示区及位于显示区一侧的周边区。多条扫描线及多条数据线配置于显示区内。多个像素单元阵列排列于显示区内，每一像素单元电性连接于多条扫描线中的一者及多条数据线中的一者。栅极驱动电路配置于周边区内且包括多条第一信号线、多条第二信号线、多条拟信号线以及多个接触结构。多条第一信号线沿第一方向排列于周边区内且沿第二方向延伸。多条第二信号线沿第一方向延伸，其中每一第二信号线分别与对应的一条第一信号线电性连接。多条拟信号线沿第一方向延伸，且每一拟信号线分别与对应的一条第二信号线电性连接。多个接触结构与多条第一信号线、多条第二信号线及多条拟信号线对应设置，其中每一第一信号线经由对应的一个接触结构与对应的第二信号线电性连接，以及每一拟信号线经由对应的一个接触结构与对应的第二信号线电性连接。
基于上述，在本发明的显示面板中，显示面板通过像素阵列基板中的配置于周边区内的栅极驱动电路包括沿第一方向排列且沿第二方向延伸的多条第一信号线、沿第一方向延伸的多条第二信号线、沿第一方向延伸的多条拟信号线以及与多条第一信号线、多条第二信号线及多条拟信号线对应设置的多个接触结构，其中多条第一信号线中的每一者经由对应的一个接触结构与对应的一条第二信号线电性连接，多条拟信号线中的每一者经由对应的一个接触结构与对应的一条第二信号线电性连接，以及多条第二信号线中的每一者分别与对应的一条扫描线电性连接，使得栅极驱动电路内的跨接电容值的分布得以均匀。如此一来，在窄边框的限制下，显示面板能够有效避免栅极驱动电路内的多条第一信号线之间、多条第二信号线之间及多条拟信号线之间产生阻抗不匹配的问题，因而提升显示面板的显示质量，而且多条第一信号线、多条第二信号线、多条拟信号线及其接触结构彼此间的配置最节省空间。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明的一实施方式的显示面板的剖面示意图。
图2为图1的显示面板中的像素阵列基板的上视示意图。
图3为图2的像素阵列基板中的像素单元的剖面示意图。
图4为图2的像素阵列基板中的栅极驱动电路的局部剖面示意图。
图5为本发明的另一实施方式的显示面板中的栅极驱动电路的局部剖面示意图。
图6为本发明的另一实施方式的显示面板中的栅极驱动电路的局部剖面示意图。
图7为本发明的另一实施方式的显示面板中的栅极驱动电路的局部剖面示意图。
图8为本发明的另一实施方式的像素阵列基板的上视示意图。
其中，附图标记：
10、20；30、40、50：显示面板
100：像素阵列基板
102：基板
110：对向基板
120：显示介质
A：显示区
B：周边区
C1～C16：接触结构
C10a、C10b：结构图案
CH：主动层
D：漏极
DL1～DL2：数据线
G：栅极
GD：栅极驱动电路
H、V1、V2、V3、V4、V5：接触窗
L1、L2：绝缘层
M1～M16：第一信号线
N：垂直投影的方向
N1～N16：第二信号线
N10a、N10b、N10c、R10a、R10b、R10c：子层
P：第三方向
PE：像素电极
R1～R15：拟信号线
S：源极
SL1～SL16：扫描线
T：主动元件
U：像素单元
W、Z：区域
X：第一方向
Y：第二方向
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意地方式为之。
本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±30％、±20％、±15％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图元件符号表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者与来一元件之间可以存在中间元件。相反地，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，其间不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理及/或电性连接(耦接或耦合)。因此，二元件间的电性连接(或耦接/耦合)可存在中间元件。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
图1是依照本发明的一实施方式的显示面板的剖面示意图。图2为图1的显示面板中的像素阵列基板的上视示意图。图3为图2的像素阵列基板中的像素单元的剖面示意图。图4为图2的像素阵列基板中的栅极驱动电路的局部剖面示意图。须说明的是，图4的剖面位置对应于图2中的剖线I-I’、剖线II-II’的位置。
请同时参照图1至图4，在本实施方式中，显示面板10包括像素阵列基板100、对向基板110及显示介质120。详细而言，在本实施方式中，像素阵列基板100可包括基板102、多条扫描线SL1～SL16、多条数据线DL1～DL2、多个像素单元U以与栅极驱动电路GD。在本实施方式中，像素阵列基板100可选择性地更包括绝缘层L1以及绝缘层L2。为了方便说明起见，图2中省略绘示绝缘层L1以及绝缘层L2。
在本实施方式中，显示介质120配置于像素阵列基板100与对向基板110之间。在本实施方式中，显示介质120可为液晶材料。换言之，显示面板10可为液晶显示面板。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，显示介质120亦可以是其他的显示材料，例如有机发光材料(organic light emitting material)、无机发光二极管材料(inorganic lightemitting material)、电泳显示材料(electrophoretic display material)或是电浆显示材料(plasma display material)。因此，显示面板10亦可以是触控有机发光显示面板、触控无机发光显示面板、触控电泳显示面板或触控电浆显示面板。
在本实施方式中，对向基板110与像素阵列基板100对向设置。对向基板110可以是任何所属领域中具有通常知识者所周知用于触控显示面板的任一对向基板。举例来说，在一实施方式中，对向基板110例如可包括空白基板及位于空白基板上的元件层。举例来说，在一实施方式中，对向基板110包括的所述元件层例如可包括彩色滤光层、波长转换层、遮光图案层、对向电极层或其组合，然不限于此，可视需求调整与变化。
在本实施方式中，基板102具有显示区A以及周边区B，其中周边区B位于显示区A的一侧。在本实施方式中，基板102的材质可为玻璃、石英、塑料或有机聚合物。
在本实施方式中，多条扫描线SL1～SL16及多条数据线DL1～DL2配置于显示区A内。在本实施方式中，数据线DL1～DL2分别与扫描线SL1～SL16交叉设置。也就是说，在本实施方式中，扫描线SL1～SL16的延伸方向与数据线DL1～DL2的延伸方向不相同。如图2所示，在本实施方式中，扫描线SL1～SL16的延伸方向与数据线DL1～DL2的延伸方向较佳的是彼此实质上垂直。此外，扫描线SL1～SL16与数据线DL1～DL2可分别位于不相同的膜层，且扫描线SL1～SL16与数据线DL1～DL2之间夹有绝缘层L1(于后文进行详细描述)。基于导电性的考虑，扫描线SL1～SL16以及数据线DL1～DL2一般是使用金属材料来制作。然而，本发明并不限于此，根据其他实施方式，扫描线SL1～SL16以及数据线DL1～DL2也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。
在本实施方式中，多个像素单元U阵列排列于显示区A内，且每一像素单元U电性连接于扫描线SL1～SL16中的一者及数据线DL1～DL2中的一者。在本实施方式中，每一像素单元U包括主动元件T以及像素电极PE。
请同时参照图2及图3，在本实施方式中，每一主动元件T可包括栅极G、与栅极G对应设置的主动层CH、电性连接于主动层CH的源极S及漏极D。在本实施方式中，主动元件T是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施方式中，主动元件T也可以是顶部栅极型薄膜晶体管、立体型薄膜晶体管、或其它合适类型的薄膜晶体管。
在本实施方式中，栅极G、源极S及漏极D一般是使用金属材料制作。然而，本发明不以此为限。根据其他的实施方式，栅极G、源极S及漏极D也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。
在本实施方式中，主动层CH可为单层或多层结构，且主动层CH的材质包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、含有掺杂物(dopant)于上述材料中的材料、其它合适的材料、或上述的组合，然本发明不以此为限。
在本实施方式中，绝缘层L1全面性地形成在基板102上，且位于栅极G与主动层CH之间。也就是说，在本实施方式中，绝缘层L1可作为栅绝缘层。在本实施方式中，绝缘层L1可为单层或多层结构，且绝缘层L1的材质可包括无机材料、有机材料、或其它合适的材料，其中无机材料例如包括(但不限于)：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；有机材料例如包括(但不限于)：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂。
另外，在本实施方式中，绝缘层L2可全面性地形成于基板102上，且覆盖源极S及漏极D，以提供绝缘与保护的功能。绝缘层L2可为单层或多层结构，且绝缘层L2的材质可包括无机材料、有机材料、或其它合适的材料，其中无机材料例如包括(但不限于)：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；有机材料例如包括(但不限于)：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂。
在本实施方式中，像素电极PE借由接触窗H与主动元件T的漏极D电性连接，其中接触窗H设置于绝缘层L2中。在本实施方式中，像素电极PE的材质可包括(但不限于)：金属氧化物导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。
在本实施方式中，栅极驱动电路GD配置于周边区B内。请参照图2，在本实施方式中，栅极驱动电路GD包括多条第一信号线M1～M16、多条第二信号线N1～N16、多条拟信号线R1～R15以及多个接触结构C1～C16。
在本实施方式中，如图2所示，第一信号线M1～M16沿第一方向X排列于周边区B内且沿第二方向Y延伸，第二信号线N1～N16沿第一方向X延伸，且拟信号线R1～R15沿第一方向X延伸。在本实施方式中，第一方向X与第二方向Y不相同。如图2所示，在本实施方式中，第一方向X与第二方向Y较佳的是彼此实质上垂直。
在本实施方式中，第二信号线N1～N16的长度彼此不相同。如图2所示，在本实施方式中，第二信号线N1～N16的长度由第二信号线N1至第二信号线N16依序递增，但本发明并不限于此。在本实施方式中，拟信号线R1～R15的长度彼此不相同。如图2所示，在本实施方式中，拟信号线R1～R15的长度由拟信号线R1至拟信号线R15依序递减，但本发明并不限于此。
在本实施方式中，第二信号线N2与第一信号线M1于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N3与第一信号线M1～M2于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N4与第一信号线M1～M3于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N5与第一信号线M1～M4于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N6与第一信号线M1～M5于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N7与第一信号线M1～M6于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N8与第一信号线M1～M7于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N9与第一信号线M1～M8于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N10与第一信号线M1～M9于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N11与第一信号线M1～M10于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N12与第一信号线M1～M11于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N13与第一信号线M1～M12于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N14与第一信号线M1～M13于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N15与第一信号线M1～M14于垂直投影的方向N上相重迭，第二信号线N16与第一信号线M1～M15于垂直投影的方向N上相重迭。也就是说，在本实施方式中，于图2的区域W内，每一第二信号线N2～N16分别与第一信号线M1～M16中的至少一者于垂直投影的方向N上相重迭。从另一观点而言，第一信号线M1～M16沿第二方向Y延伸，而第二信号线N1～N16沿第一方向X延伸，因此，在本实施方式中，于图2的区域W内，每一第二信号线N2～N16分别与第一信号线M1～M16中的至少一者交叉设置。
本实施方式中，拟信号线R1与第一信号线M2～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R2与第一信号线M3～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R3与第一信号线M4～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R4与第一信号线M5～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R5与第一信号线M6～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R6与第一信号线M7～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R7与第一信号线M8～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R8与第一信号线M9～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R9与第一信号线M10～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R10与第一信号线M11～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R11与第一信号线M12～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R12与第一信号线M13～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R13与第一信号线M14～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R14与第一信号线M15～M16于垂直投影的方向N上相重迭，拟信号线R15与第一信号线M16于垂直投影的方向N上相重迭。也就是说，在本实施方式中，于图2的区域W内，每一拟信号线R1～R15分别与第一信号线M1～M16中的至少一者于垂直投影的方向N上相重迭。从另一观点而言，第一信号线M1～M16沿第二方向Y延伸，而拟信号线R1～R15沿第一方向X延伸，因此，在本实施方式中，于图2的区域W内，每一拟信号线R1～R15分别与第一信号线M1～M16中的至少一者交叉设置。
在本实施方式中，拟信号线R1～R15的末端与基板102的边缘切齐。也就是说，在本实施方式中，拟信号线R1～R15的一端不连接任何元件。
在本实施方式中，接触结构C1与第一信号线M1、第二信号线N1及拟信号线R1对应设置，接触结构C2与第一信号线M2、第二信号线N2及拟信号线R2对应设置，接触结构C3与第一信号线M3、第二信号线N3及拟信号线R3对应设置，接触结构C4与第一信号线M4、第二信号线N4及拟信号线R4对应设置，接触结构C5与第一信号线M5、第二信号线N5及拟信号线R5对应设置，接触结构C6与第一信号线M6、第二信号线N6及拟信号线R6对应设置，接触结构C7与第一信号线M7、第二信号线N7及拟信号线R7对应设置，接触结构C8与第一信号线M8、第二信号线N8及拟信号线R8对应设置，接触结构C9与第一信号线M9、第二信号线N9及拟信号线R9对应设置，接触结构C10第一信号线M10、第二信号线N10及拟信号线R10对应设置，接触结构C11与第一信号线M11、第二信号线N11及拟信号线R11对应设置，接触结构C12与第一信号线M12、第二信号线N12及拟信号线R12对应设置，接触结构C13与第一信号线M13、第二信号线N13及拟信号线R13对应设置，接触结构C14与第一信号线M14、第二信号线N14及拟信号线R14对应设置，接触结构C15与第一信号线M15、第二信号线N15及拟信号线R15对应设置，接触结构C16与第一信号线M15及第二信号线N15对应设置。也就是说，在本实施方式中，于图2的区域Z内，接触结构C1～C15与第一信号线M1～M15、第二信号线N1～N15及拟信号线R1～R15对应设置。从另一观点而言，在本实施方式中，接触结构C1～C16分别与第二信号线N1～N16对应设置，因此接触结构C1～C16不位于同一水平轴在线，如此设计可于配置上较节省空间，进而达到窄边框的功效。
在本实施方式中，接触结构C1所对应的第二信号线N1的长度和所对应的拟信号线R1的长度的总和，接触结构C2所对应的第二信号线N2的长度和所对应的拟信号线R2的长度的总和，接触结构C3所对应的第二信号线N3的长度和所对应的拟信号线R3的长度的总和，接触结构C4所对应的第二信号线N4的长度和所对应的拟信号线R4的长度的总和，接触结构C5所对应的第二信号线N5的长度和所对应的拟信号线R5的长度的总和，接触结构C6所对应的第二信号线N6的长度和所对应的拟信号线R6的长度的总和，接触结构C7所对应的第二信号线N7的长度和所对应的拟信号线R7的长度的总和，接触结构C8所对应的第二信号线N8的长度和所对应的拟信号线R8的长度的总和，接触结构C9所对应的第二信号线N9的长度和所对应的拟信号线R9的长度的总和，接触结构C10所对应的第二信号线N10的长度和所对应的拟信号线R10的长度的总和，接触结构C11所对应的第二信号线N11的长度和所对应的拟信号线R11的长度的总和，接触结构C12所对应的第二信号线N12的长度和所对应的拟信号线R12的长度的总和，接触结构C13所对应的第二信号线N13的长度和所对应的拟信号线R13的长度的总和，接触结构C14所对应的第二信号线N14的长度和所对应的拟信号线R14的长度的总和，接触结构C15所对应的第二信号线N15的长度和所对应的拟信号线R15的长度的总和相同，且与接触结构C16所对应的第二信号线N16的长度相同。也就是说，在本实施方式中，于图2的区域Z内，接触结构C1～C15中的一者所对应的第二信号线(即第二信号线N1～N15中的一者)的长度和所对应的拟信号线(即拟信号线R1～R15中的一者)的长度的总和与接触结构C1～C15中的另一者所对应的第二信号线(即第二信号线N1～N15中的另一者)的长度和所对应的拟信号线(即拟信号线R1～R15中的另一者)的长度的总和相同。
以下，将同时参照图2、图3及图4对第一信号线M1～M16、第二信号线N1～N16、拟信号线R1～R15及接触结构C1～C16的结构、彼此间的设置关系及连接关系进行说明。值得一提的是，虽然图4主要是以第二信号线N10及与其对应的第一信号线M10、拟信号线R10、接触结构C10为例进行说明第二信号线N10、第一信号线M10、拟信号线R10及接触结构C10的结构以及彼此间的设置关系及连接关系，但根据以下关于第二信号线N10、第一信号线M10、拟信号线R10及接触结构C10的描述，任何本领域技术人员应可理解，栅极驱动电路GD的整体架构。
请同时参照图2及图4，在本实施方式中，第二信号线N10与第一信号线M10经由接触结构C10而彼此电性连接。基于此，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N9、N11～N16分别经由对应的接触结构C1～C9、C11～C16与对应的第一信号线M1～M9、M11～M16电性连接。也就是说，在本实施方式中，第二信号线N1～N16与第一信号线M1～M16可具有一对一的连接关系，藉此第一信号线M1～M16自外部电路接收到的信号可分别经由所对应的第二信号线N1～N16传送。
在本实施方式中，第二信号线N10与拟信号线R10经由接触结构C10而彼此电性连接。基于此，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N9、N11～N15分别经由对应的接触结构C1～C9、C11～C15与对应的拟信号线R1～R9、R11～R15电性连接。也就是说，在本实施方式中，于图2的区域Z内，第二信号线N1～N15与拟信号线R1～R15可具有一对一的连接关系，藉此拟信号线R1～R15可接收到分别与对应的第二信号线N1～N15相同的信号。
请同时参照图2、图3及图4，在本实施方式中，第一信号线M8～M11的材质与栅极G的材质相同。也就是说，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第一信号线M1～M16的材质例如是(但不限于)：金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第一信号线M1～M16与栅极G可在同一道光掩膜工艺中形成。
请参照图2及图4，在本实施方式中，第二信号线N10包括子层N10a及子层N10b，其中子层N10b位于子层N10a上。另外，在本实施方式中，子层N10b直接位于子层N10a上。基于此，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16皆可包括双层结构。
另外，请同时参照图2、图3及图4，在本实施方式中，子层N10a的材质与主动层CH的材质相同，且子层N10b的材质与源极S及漏极D的材质相同。也就是说，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10a)的材质例如包括(但不限于)：非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、含有掺杂物(dopant)于上述材料中的材料、其它合适的材料、或上述的组合，而另一子层(例如：子层N10b)的材质例如是(但不限于)：金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10a)与主动层CH可在同一道光掩膜工艺中形成，第二信号线N1～N16中任一者的另一子层(例如：子层N10b)与源极S及漏极D可在同一道光掩膜工艺中形成。
另外，如图4所示，在本实施方式中，部分的子层N10b下方未存在有子层N10a，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，子层N10b下方可皆存在有子层N10a，而此时子层N10b与子层N10a可在同一道光掩膜工艺中形成。
请参照图2及图4，在本实施方式中，拟信号线R10包括子层R10a及子层R10b，其中子层R10b位于子层R10a上。另外，在本实施方式中，子层R10b直接位于子层R10a上。基于此，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，拟信号线R1～R15皆可包括双层结构。
另外，请同时参照图2、图3及图4，在本实施方式中，子层R10a的材质与主动层CH的材质相同，且子层R10b的材质与源极S及漏极D的材质相同。也就是说，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，拟信号线R1～R15中任一者的一子层(例如：子层R10a)的材质例如包括(但不限于)：非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、含有掺杂物(dopant)于上述材料中的材料、其它合适的材料、或上述的组合，而另一子层(例如：子层R10b)的材质例如是(但不限于)：金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，拟信号线R1～R15中任一者的一子层(例如：子层R10a)与主动层CH可在同一道光掩膜工艺中形成，拟信号线R1～R15中任一者的另一子层(例如：子层R10b)与源极S及漏极D可在同一道光掩膜工艺中形成。
另外，如图4所示，在本实施方式中，部分的子层R10b下方未存在有子层R10a，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，子层R10b下方可皆存在有子层R10a，而此时子层R10b与子层R10a可在同一道光掩膜工艺中形成。
值得一提的是，在本实施方式中，通过第二信号线N1～N16、拟信号线R1～R15皆可包括双层结构(例如：第二信号线N10包括子层N10a及子层N10b，拟信号线R10包括子层R10a及子层R10b)，且任一双层结构中的一子层的材质与主动层CH的材质相同(例如：子层N10a的材质与主动层CH的材质相同，子层R10a的材质与主动层CH的材质相同)，使得第二信号线N1～N16、拟信号线R1～R15所承受的负载(例如：电阻电容负载(RC-loading))可降低。或者因为基板102的形状为非矩形或周边区B的形状不规则时，其剩余空间不同的状况下，可通过第二信号线N1～N16中的子层N10a及子层N10b或者拟信号线R1～R15的子层R10a及子层R10b的长度控制或材料特性搭配，使得栅极驱动电路GD内的第一信号线M1～M16之间、第二信号线N1～N16之间及拟信号线R1～R15之间阻抗更匹配，因而提升显示面板10的显示质量。
请同时参照图2、图3及图4，在本实施方式中，绝缘层L1位于第一信号线M9与第二信号线N10之间，以及绝缘层L1位于第一信号线M11与拟信号线R10之间。也就是说，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，绝缘层L1系位于第一信号线M1～M16与第二信号线N1～N16之间，以及绝缘层L1系位于第一信号线M1～M16与拟信号线R1～N15之间。从另一观点而言，在本实施方式中，第一信号线M1～M16与第二信号线N1～N16之间会形成跨接电容(cross-over capacitance)，其中位于第一信号线M1～M16与第二信号线N1～N16之间的绝缘层L1则作为所述跨接电容的电容绝缘层。举例而言，在本实施方式中，第一信号线M1与第二信号线N2～N16之间会形成跨接电容，第二信号线N16与第一信号线M1～M15之间会形成跨接电容。同样地，在本实施方式中，第一信号线M1～M16与拟信号线R1～N15之间会形成跨接电容，其中位于第一信号线M1～M16与拟信号线R1～N15之间的绝缘层L1则作为所述跨接电容的电容绝缘层。举例而言，在本实施方式中，第一信号线M16与拟信号线R1～N15之间会形成跨接电容，拟信号线R1与第一信号线M2～M16之间会形成跨接电容。
值得一提的是，如前文所述，在本实施方式中，第二信号线N1～N16、拟信号线R1～R15皆可包括双层结构，且任一双层结构中的一子层的材质与主动层CH的材质相同，藉此第一信号线M1～M16与第二信号线N1～N16之间所形成的跨接电容的电容值以及第二信号线N16与第一信号线M1～M15之间所形成的跨接电容的电容值会因自外部电路输入的信号所在的膜层不同而不同。举例而言，第一信号线M1与第二信号线N2～N16之间的跨接电容值大于拟信号线R1与第一信号线M2～M16之间的跨接电容值，这是因为就第一信号线M1与第二信号线N2～N16之间的跨接电容而言，自外部电路输入的信号是走在第一信号线M1；而就拟信号线R1与第一信号线M2～M16之间的跨接电容而言，自外部电路输入的信号是走在拟信号线R1。
请参照图2及图4，在本实施方式中，接触结构C10包括结构图案C10a及结构图案C10b，其中结构图案C10b经由位于绝缘层L2中的接触窗V2与结构图案C10a直接连接，结构图案C10b经由位于绝缘层L1、结构图案C10a及绝缘层L2中的接触窗V1与第一信号线M10直接连接，且结构图案C10a与第二信号线N10中的子层N10b及拟信号线R10中的子层R10b直接连接。
请同时参照图2、图3及图4，在本实施方式中，接触结构C10中的结构图案C10a的材质与第二信号线N10中的子层N10b的材质及拟信号线R10中的子层R10b的材质相同。也就是说，在本实施方式中，接触结构C1～C16中任一者的部分结构的材质例如是(但不限于)：金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，接触结构C1～C16中任一者的部分结构可与源极S及漏极D在同一道光掩膜工艺中形成。
请同时参照图2、图3及图4，在本实施方式中，接触结构C10中的结构图案C10b的材质与像素电极PE的材质相同。也就是说，在本实施方式中，接触结构C1～C16中任一者的部分结构的材质例如是(但不限于)：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，接触结构C1～C16中任一者的部分结构可与像素电极PE在同一道光掩膜工艺中形成。
另外，如图4所示，在本实施方式中，接触结构C10中的结构图案C10a直接在绝缘层L1上，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，接触结构C10中的结构图案C10a与绝缘层L1之间可设置有材质与主动层CH的材质相同的膜层，而此时所述膜层与结构图案C10a可在同一道光掩膜工艺中形成，且接触窗V1更位于所述膜层中。基于前述针对接触结构C10的描述，任何本领域技术人员应可参阅而类推其余的接触结构C1～C9、C11～C16的结构。
请再次参照图2，在本实施方式中，第二信号线N1与扫描线SL1电性连接，第二信号线N2与扫描线SL2电性连接，第二信号线N3与扫描线SL3电性连接，第二信号线N4与扫描线SL4电性连接，第二信号线N5与扫描线SL5电性连接，第二信号线N6与扫描线SL6电性连接，第二信号线N7与扫描线SL7电性连接，第二信号线N8与扫描线SL8电性连接，第二信号线N9与扫描线SL9电性连接，第二信号线N10与扫描线SL10电性连接，第二信号线N11与扫描线SL11电性连接，第二信号线N12与扫描线SL12电性连接，第二信号线N13与扫描线SL13电性连接，第二信号线N14与扫描线SL14电性连接，第二信号线N15与扫描线SL15电性连接，第二信号线N16与扫描线SL16电性连接。也就是说，在本实施方式中，第二信号线N1～N16分别与对应的扫描线SL16～SL16电性连接。从另一观点而言，在本实施方式中，第二信号线N1～N16与扫描线SL1～SL16可具有一对一的连接关系，藉此第二信号线N1～N16分别自对应的第一信号线M1～M16接收到的信号可分别经由所对应的扫描线SL1～SL16传送至对应的像素单元U，以驱动像素单元U。
在栅极驱动电路GD内未设置有拟信号线R1～R15的显示面板中，第一信号线M1～M16与第二信号线N1～N16之间所形成的跨接电容的电容值会产生至少16.3％的差异，使得第一信号线M1～M16之间或第二信号线N1～N16之间产生阻抗不匹配的问题，进而导致自外部电路输入的信号产生失真现象，并影响显示质量(例如：显示画面产生亮暗线)。
有鉴于此，在本实施方式中，显示面板10通过在区域Z内，栅极驱动电路GD包括沿第二方向Y延伸的第一信号线M1～M15、沿第一方向X延伸的第二信号线N1～N15、沿第一方向X延伸的拟信号线R1～R15以及接触结构C1～C15，其中第一信号线M1～M15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，以及拟信号线R1～R15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，使得与栅极驱动电路GD内未设置有拟信号线R1～R15的显示面板相比，显示面板10的栅极驱动电路GD内的跨接电容值的分布较为均匀。如此一来，在窄边框的限制下，显示面板10能够有效避免栅极驱动电路GD内的第一信号线M1～M16之间、第二信号线N1～N16之间及拟信号线R1～R15之间产生阻抗不匹配的问题，因而提升显示面板10的显示质量。
另外，如前文所述，在图1至图4的实施方式中，第二信号线N1～N15与拟信号线R1～R15具有一对一的连接关系，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，第二信号线N1～N15与拟信号线R1～R15之间也可以具有一对多的连接关系。
另外，如前文所述，在图1至图4的实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的材质包括与主动层CH相同的材质以及与源极S及漏极D相同的材质，拟信号线R1～R15中任一者的材质包括与主动层CH相同的材质以及与源极S及漏极D相同的材质，并且接触构C10～C16中任一者的材质包括与源极S及漏极D相同的材质以及与像素电极PE相同的材质，但本发明并不限于此。以下，将参照图5对其他变化态样进行详细说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。
图5为本发明的另一实施方式的显示面板中的栅极驱动电路的局部剖面示意图。值得注意的是，图5的剖面位置可对应至图2中的剖线I-I’、剖线II-II’的位置，图5仅绘示出显示面板20中的栅极驱动电路GD的局部结构，且图5的显示面板20中的栅极驱动电路GD的上视示意图请参考图2。然而，根据前述图1至图4的实施方式的内容，任何本领域技术人员应可理解显示面板20的整体结构或布局。
请同时参照图5与图4，图5的显示面板20中的栅极驱动电路GD与图4的显示面板10中的栅极驱动电路GD相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述图1至图4的实施方式。以下，将就图5的显示面板20中的栅极驱动电路GD与图4的显示面板10中的栅极驱动电路GD间的差异处做说明。
请参照图5，在本实施方式中，第二信号线N10中的子层N10a的材质与主动层CH的材质相同，而第二信号线N10中的子层N10b的材质与像素电极PE的材质相同。也就是说，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10a)的材质例如包括(但不限于)：非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、含有掺杂物(dopant)于上述材料中的材料、其它合适的材料、或上述的组合，而另一子层(例如：子层N10b)的材质例如是(但不限于)：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10a)与主动层CH可在同一道光掩膜工艺中形成，第二信号线N1～N16中任一者的另一子层(例如：子层N10b)与像素电极PE可在同一道光掩膜工艺中形成。
请参照图5，在本实施方式中，拟信号线R10中的子层R10a的材质与主动层CH的材质相同，而拟信号线R10中的子层R10b的材质与像素电极PE的材质相同。也就是说，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，拟信号线R1～R15中任一者的一子层(例如：子层R10a)的材质例如包括(但不限于)：非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、含有掺杂物(dopant)于上述材料中的材料、其它合适的材料、或上述的组合，而另一子层(例如：子层R10b)的材质例如是(但不限于)：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，拟信号线R1～R15中任一者的一子层(例如：子层R10a)与主动层CH可在同一道光掩膜工艺中形成，拟信号线R1～R15中任一者的另一子层(例如：子层R10b)与像素电极PE可在同一道光掩膜工艺中形成。
请参照图5，在本实施方式中，接触结构C10经由位于绝缘层L1中的接触窗V3与第一信号线M10直接连接，且接触结构C10与第二信号线N10中的子层N10b及拟信号线R10中的子层R10b直接连接。也就是说，在本实施方式中，接触结构C10为单层结构。另外，请参照图5，在本实施方式中，接触结构C10的材质与第二信号线N10中的子层N10b的材质及拟信号线R10中的子层R10b的材质相同。举例而言，在相同材质下，接触结构C10与接触窗V3在垂直投影的方向N上重迭，而第二信号线N10中的子层N10b为自接触窗V3往显示区A延伸，拟信号线R10中的子层R10b则为自接触窗V3往周边区B延伸。在本实施方式中，接触结构C1～C16中任一者的材质例如是(但不限于)：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，接触结构C1～C16中的任一者可与像素电极PE在同一道光掩膜工艺中形成。基于前述针对显示面板20中的接触结构C10的描述，任何本领域技术人员应可参阅而类推显示面板20中其余的接触结构C1～C9、C11～C16的结构。
值得说明的是，基于图1至图4的实施方式可知，显示面板20通过在区域Z内，栅极驱动电路GD包括沿第二方向Y延伸的第一信号线M1～M15、沿第一方向X延伸的第二信号线N1～N15、沿第一方向X延伸的拟信号线R1～R15以及接触结构C1～C15，其中第一信号线M1～M15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，以及拟信号线R1～R15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，使得显示面板20的栅极驱动电路GD内的跨接电容值的分布得以均匀。如此一来，在窄边框的限制下，显示面板20能够有效避免栅极驱动电路GD内的第一信号线M1～M16之间、第二信号线N1～N16之间及拟信号线R1～R15之间产生阻抗不匹配的问题，因而提升显示面板20的显示质量。
另外，如前文所述，在图1至图4的实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的材质包括与主动层CH相同的材质以及与源极S及漏极D相同的材质，且拟信号线R1～R15中任一者的材质也包括与主动层CH相同的材质以及与源极S及漏极D相同的材质，亦即第二信号线N1～N16与拟信号线R1～R15具有相同的组成，但本发明并不限于此。以下，将参照图6对其他变化态样进行详细说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述
图6为本发明的另一实施方式的显示面板中的栅极驱动电路的局部剖面示意图。值得注意的是，图6的剖面位置可对应至图2中的剖线I-I’、剖线II-II’的位置，图6仅绘示出显示面板30中的栅极驱动电路GD的局部结构，且图6的显示面板30中的栅极驱动电路GD的上视示意图请参考图2。然而，根据前述图1至图4的实施方式的内容，任何本领域技术人员应可理解显示面板30的整体结构或布局。
请同时参照图6与图4，图6的显示面板30中的栅极驱动电路GD与图4的显示面板10中的栅极驱动电路GD相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述图1至图4的实施方式。以下，将就图6的显示面板30中的栅极驱动电路GD与图4的显示面板10中的栅极驱动电路GD间的差异处做说明。
请参照图6，在本实施方式中，第二信号线N10中的子层N10a的材质与主动层CH的材质相同，而第二信号线N10中的子层N10b的材质与像素电极PE的材质相同。也就是说，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10a)的材质例如包括(但不限于)：非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、含有掺杂物(dopant)于上述材料中的材料、其它合适的材料、或上述的组合，而另一子层(例如：子层N10b)的材质例如是(但不限于)：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10a)与主动层CH可在同一道光掩膜工艺中形成，第二信号线N1～N16中任一者的另一子层(例如：子层N10b)与像素电极PE可在同一道光掩膜工艺中形成。
请参照图6，在本实施方式中，接触结构C10中的结构图案C10b经由位于绝缘层L1及结构图案C10a中的接触窗V4与第一信号线M10直接连接，接触结构C10中的结构图案C10b与第二信号线N10中的子层N10b直接连接，且结构图案C10a与拟信号线R10中的子层R10b直接连接。另外，在本实施方式中，由于第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10b)可与像素电极PE在同一道光掩膜工艺中形成，因此接触结构C1～C16中任一者的部分结构(例如：结构图案C10b)可与第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10b)在同一道光掩膜工艺中形成。基于前述针对显示面板30中的接触结构C10的描述，任何本领域技术人员应可参阅而类推显示面板30中其余的接触结构C1～C9、C11～C16的结构。
值得说明的是，基于图1至图4的实施方式可知，显示面板30通过在区域Z内，栅极驱动电路GD包括沿第二方向Y延伸的第一信号线M1～M15、沿第一方向X延伸的第二信号线N1～N15、沿第一方向X延伸的拟信号线R1～R15以及接触结构C1～C15，其中第一信号线M1～M15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，以及拟信号线R1～R15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，使得显示面板30的栅极驱动电路GD内的跨接电容值的分布得以均匀。如此一来，在窄边框的限制下，显示面板30能够有效避免栅极驱动电路GD内的第一信号线M1～M16之间、第二信号线N1～N16之间及拟信号线R1～R15之间产生阻抗不匹配的问题，因而提升显示面板30的显示质量。
另外，在图6的实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的材质包括与主动层CH相同的材质以及与像素电极PE相同的材质，且拟信号线R1～R15中任一者的材质包括与主动层CH相同的材质以及与源极S及漏极D相同的材质，但本发明并不限于此。在另一实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的材质也可以包括与主动层CH相同的材质以及与源极S及漏极D相同的材质，而拟信号线R1～R15中任一者的材质则也可以包括与主动层CH相同的材质以及与像素电极PE相同的材质。在又一实施方式中，一部分的第二信号线N1～N16的材质可以包括与主动层CH相同的材质以及与源极S及漏极D相同的材质，而另一部分的第二信号线N1～N16的材质则可以包括与主动层CH相同的材质以及与像素电极PE相同的材质，以及一部分的拟信号线R1～R15的材质可以包括与主动层CH相同的材质以及与源极S及漏极D相同的材质，而另一部分的拟信号线R1～R15的材质则可以包括与主动层CH相同的材质以及与像素电极PE相同的材质。也就是说，只要第二信号线N1～N16及拟信号线R1～R15中的一者包括与像素电极PE相同的材质，且第二信号线N1～N16及拟信号线R1～R15中的另一者包括与源极S及漏极D相同的材质即落入本发明的范畴。
另外，如前文所述，在图1至图4的实施方式中，第二信号线N1～N16、拟信号线R1～R15皆包括双层结构，但本发明并不限于此。以下，将参照图7对其他变化态样进行详细说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。
图7为本发明的另一实施方式的显示面板中的栅极驱动电路的局部剖面示意图。值得注意的是，图7的剖面位置可对应至图2中的剖线I-I’、剖线II-II’的位置，图7仅绘示出显示面板40中的栅极驱动电路GD的局部结构，且图7的显示面板40中的栅极驱动电路GD的上视示意图请参考图2。然而，根据前述图1至图4的实施方式的内容，任何本领域技术人员应可理解显示面板40的整体结构或布局。
请同时参照图7与图4，图7的显示面板40中的栅极驱动电路GD与图4的显示面板10中的栅极驱动电路GD相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述图1至图4的实施方式。以下，将就图7的显示面板40中的栅极驱动电路GD与图4的显示面板10中的栅极驱动电路GD间的差异处做说明。
请参照图7，在本实施方式中，第二信号线N10包括位于子层N10b上的子层N10c，其中子层N10b位于子层N10a与子层N10c之间。另外，在本实施方式中，子层N10c直接位于子层N10b上。基于此，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16皆可包括三层结构。
另外，请参照图7，在本实施方式中，子层N10c的材质与像素电极PE的材质相同。也就是说，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10c)的材质例如是(但不限于)：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10c)与像素电极PE可在同一道光掩膜工艺中形成。
请参照图7，在本实施方式中，拟信号线R10包括位于子层R10b上的子层R10c，其中子层R10b位于子层R10a与子层R10c之间。另外，在本实施方式中，子层R10c直接位于子层R10b上。基于此，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，拟信号线R1～R15皆可包括三层结构。
另外，请参照图7，在本实施方式中，子层R10c的材质与像素电极PE的材质相同。也就是说，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，拟信号线R1～R15中任一者的一子层(例如：子层R10c)的材质例如是(但不限于)：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。从另一观点而言，任何本领域技术人员应可理解，在本实施方式中，拟信号线R1～R15中任一者的一子层(例如：子层R10c)与像素电极PE可在同一道光掩膜工艺中形成。
请参照图7，在本实施方式中，接触结构C10中的结构图案C10b经由位于绝缘层L1及结构图案C10a中的接触窗V5与第一信号线M10直接连接，接触结构C10中的结构图案C10b与第二信号线N10中的子层N10c及拟信号线R10中的子层R10c直接连接。另外，在本实施方式中，由于第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10c)及拟信号线R1～R15中任一者的一子层(例如：子层R10c)可与像素电极PE在同一道光掩膜工艺中形成，因此接触结构C1～C16中任一者的部分结构(例如：结构图案C10b)可与第二信号线N1～N16中任一者的一子层(例如：子层N10c)及拟信号线R1～R15中任一者的一子层(例如：子层R10c)在同一道光掩膜工艺中形成。基于前述针对显示面板40中的接触结构C10的描述，任何本领域技术人员应可参阅而类推显示面板40中其余的接触结构C1～C9、C11～C16的结构。
值得说明的是，基于图1至图4的实施方式可知，显示面板40通过在区域Z内，栅极驱动电路GD包括沿第二方向Y延伸的第一信号线M1～M15、沿第一方向X延伸的第二信号线N1～N15、沿第一方向X延伸的拟信号线R1～R15以及接触结构C1～C15，其中第一信号线M1～M15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，以及拟信号线R1～R15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，使得显示面板40的栅极驱动电路GD内的跨接电容值的分布得以均匀。如此一来，在窄边框的限制下，显示面板40能够有效避免栅极驱动电路GD内的第一信号线M1～M16之间、第二信号线N1～N16之间及拟信号线R1～R15之间产生阻抗不匹配的问题，因而提升显示面板40的显示质量。
另外，在本实施方式中，通过第二信号线N1～N16、拟信号线R1～R15皆可包括三层结构(例如：第二信号线N10包括子层N10a、子层N10b及子层N10c，拟信号线R10包括子层R10a、子层R10b及子层R10c)，且任一三层结构的材质分别包括与主动层CH相同的材质、与源极S及漏极D相同的材质及与像素电极PE相同的材质(例如：子层N10a的材质与主动层CH的材质相同，子层N10b的材质与源极S及漏极D的材质相同，子层N10c的材质与像素电极PE的材质相同)，使得第二信号线N1～N16、拟信号线R1～R15所承受的负载(例如：电阻电容负载(RC-loading))可降低。
另外，如前文所述，在图1至图4的实施方式中，第一信号线M1～M15沿第二方向Y延伸，拟信号线R1～R15沿第一方向X延伸，且第一方向X与第二方向Y实质上垂直，亦即第一信号线M1～M15与拟信号线R1～R15彼此实质上垂直，但本发明并不限于此。以下，将参照图8对其他变化态样进行详细说明。
图8为本发明的另一实施方式的像素阵列基板的上视示意图。请同时参照图8与图2，图8的显示面板50中的像素阵列基板100与图2的显示面板10中的像素阵列基板100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述图1至图4的实施方式，并且根据前述图1至图4的实施方式的内容，任何本领域技术人员应可理解显示面板50的整体结构或布局。以下，将就图8的显示面板50中的像素阵列基板100与图2的显示面板10中的像素阵列基板100间的差异处做说明。
请参照图8，在本实施方式中，拟信号线R1～R15沿第三方向P延伸。详细而言，在本实施方式中，第三方向P与第一方向X不相同，且第三方向P与第二方向Y不相同。也就是说，在本实施方式中，拟信号线R1～R15与第一信号线M1～M16彼此相交叉，且拟信号线R1～R15与第二信号线N1～N16彼此相交叉。具体而言，在本实施方式中，第三方向P与第二方向Y之间具有夹角θ，其中夹角θ介于约45度至约135度的范围内，且随显示面板50尺寸愈小，周边区B空间不足，夹角θ的值也随之减小，拟信号线R1～R15相较于夹角θ为90度如图2中的实施方式的长度加长，阻值配补偿大小的影响加大。
值得说明的是，基于图1至图4的实施方式可知，显示面板50通过在区域Z内，栅极驱动电路GD包括沿第二方向Y延伸的第一信号线M1～M15、沿第一方向X延伸的第二信号线N1～N15、沿第一方向X延伸的拟信号线R1～R15以及接触结构C1～C15，其中第一信号线M1～M15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，以及拟信号线R1～R15中的每一者经由对应的一个接触结构C1～C15与第二信号线N1～N15中对应的一条电性连接，使得显示面板50的栅极驱动电路GD内的跨接电容值的分布得以均匀。如此一来，在窄边框的限制下，显示面板50能够有效避免栅极驱动电路GD内的第一信号线M1～M15之间、第二信号线N1～N15之间及拟信号线R1～R15之间产生阻抗不匹配的问题，因而提升显示面板50的显示质量。
综上所述，在上述实施方式的显示面板中，显示面板通过像素阵列基板中的配置于周边区内的栅极驱动电路包括沿第一方向排列且沿第二方向延伸的多条第一信号线、沿第一方向延伸的多条第二信号线、沿第一方向延伸的多条拟信号线以及与多条第一信号线、多条第二信号线及多条拟信号线对应设置的多个接触结构，其中多条第一信号线中的每一者经由对应的一个接触结构与对应的一条第二信号线电性连接，多条拟信号线中的每一者经由对应的一个接触结构与对应的一条第二信号线电性连接，以及多条第二信号线中的每一者分别与对应的一条扫描线电性连接，使得栅极驱动电路内的跨接电容值的分布得以均匀。如此一来，在窄边框的限制下，显示面板能够有效避免栅极驱动电路内的多条第一信号线之间、多条第二信号线之间及多条拟信号线之间产生阻抗不匹配的问题，因而提升显示面板的显示质量。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (18)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
一像素阵列基板，包括：
一基板，具有一显示区以及一周边区，其中该周边区位于该显示区的一侧；
多条扫描线及多条数据线，配置于该显示区内；
多个像素单元，阵列排列于该显示区内，每一像素单元电性连接于该些扫描线中的一者及该些数据线中的一者；以及
一栅极驱动电路，配置于该周边区内，其中该栅极驱动电路包括：
多条第一信号线，沿一第一方向排列于该周边区内且沿一第二方向延伸；
多条第二信号线，沿该第一方向延伸，每一第二信号线分别与对应的一条第一信号线电性连接；
多条拟信号线，沿该第一方向延伸，每一拟信号线分别与对应的一条第二信号线电性连接；以及
多个接触结构，分别与该些第一信号线、该些第二信号线及该些拟信号线对应设置，其中每一该第一信号线经由对应的一个该接触结构与对应的该第二信号线电性连接，以及每一该拟信号线经由对应的该接触结构与对应的该第二信号线电性连接；
一对向基板，与该像素阵列基板对向设置；以及
一显示介质，配置于该对向基板与该像素阵列基板之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该些第二信号线的长度彼此不相同。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该些拟信号线的长度彼此不相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该些拟信号线的末端与该基板的边缘切齐。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每一第二信号线分别与该些第一信号线中的至少一者于垂直投影的方向上相重迭，每一拟信号线分别与该些第一信号线中的至少一者于垂直投影的方向上相重迭。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括一绝缘层，配置于该基板上，且每一像素单元包括：
一主动元件，包括一栅极、一主动层、一源极及一漏极；以及
一像素电极，电性连接于该主动元件的该漏极，
其中该绝缘层位于该些栅极与该些主动层之间。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该些第一信号线的材质与该栅极的材质相同。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层位于该些第一信号线与该些第二信号线之间，以及所述绝缘层位于该些第一信号线与该些拟信号线之间。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，每一第二信号线包括一第一子层及一第二子层，该第二子层位于该第一子层上。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该第一子层的材质与该主动层的材质相同，且该第二子层的材质与该源极及该漏极的材质相同。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，每一拟信号线包括该第一子层及该第二子层。
12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该第一子层的材质与该主动层的材质相同，且该第二子层的材质与该像素电极的材质相同。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，每一拟信号线包括该第一子层及该第二子层。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，每一拟信号线包括一第三子层及一第四子层，该第四子层位于该第三子层上，其中该第三子层的材质与该主动层的材质相同，且该第四子层的材质与该源极及该漏极的材质相同。
15.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该些拟信号线及该些第二信号线之中一者包括与该像素电极相同的材质，且另一者包括与该源极及该漏极相同的材质。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该些接触结构的材质包括与该像素电极相同的材质。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该些接触结构不位于同一水平轴在线。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该些接触结构中的一者所对应的第二信号线的长度和所对应的拟信号线的长度的总和与该些接触结构中的另一者所对应的第二信号线的长度和所对应的拟信号线的长度的总和相同。
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