CN108735433A - 线圈部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在含有金属粒子和树脂材料的磁性体部埋设有线圈导体的、可靠性高的线圈部件。所述线圈部件具有磁性体部、线圈导体和外部电极，所述磁性体部含有金属粒子和树脂材料，所述线圈导体埋设于上述磁性体部，所述外部电极与上述线圈导体电连接并配置于线圈部件的底面，上述磁性体部具有磁性体基座和磁性体护套，所述磁性体基座具有凸部，在上述磁性体基座上上述线圈导体配置成凸部位于线圈导体的卷芯部，上述磁性体护套设置成覆盖线圈导体，对于上述磁性体基座的上表面的高度而言，至少一部分的边缘部分的高度高于凸部边缘存在的位置的高度。

Description

线圈部件
技术领域
本发明涉及一种线圈部件，具体而言，涉及一种具有磁性体部、埋设于该磁性体部的线圈导体、和设置于该磁性体部的外部的外部电极而成的线圈部件。
背景技术
作为在磁性体部中埋设有线圈导体的线圈部件，已知有磁性体部使用含有金属粒子和树脂材料的复合材料而成的线圈部件(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-201466号公报
发明内容
如上所述的磁性体部使用了含有金属粒子和树脂材料的复合材料的线圈部件如下制造：准备含有金属粒子和树脂材料的复合材料的片材，在其上配置线圈，进一步从线圈上方覆盖另一张复合材料的片材，进行压缩成型。在这样的线圈部件中，一般金属粒子被绝缘被膜覆盖以确保磁性体部的绝缘性。另外，构成线圈导体的导线被绝缘性物质覆盖以确保线圈导体与磁性体部的绝缘性。然而，由于上述压缩成型时的压力而破坏金属粒子的表面的绝缘涂膜，进而金属粒子贯通线圈导体的被覆部，有可能使磁性体内部以及磁性体部与线圈导体间的绝缘性降低。其结果，有可能在存在于磁性体表面的导体(例如，线圈导体的引出部、外部电极)与磁性体内部的卷线部之间产生电阻低的路径。线圈导体以低频使用时，因为阻抗小，所以即使产生如上所述的低电阻路径，电流也优先流入线圈导体，因而不易产生严重的问题。然而，以高频使用时，线圈导体的阻抗变大，因此电流不沿线圈导体流动而流向上述的低电阻路径，其结果，有可能发生存在于磁性体表面的导体与卷线部间的短路。根据该短路发生的位置，会产生如下问题：卷线部的一部分被绕开，仅卷线部的一部分流过电流，电感降低。
为了抑制上述的短路，想到使存在于磁性体表面的导体与卷线部间的距离尽可能大。然而，如果只是使底面的导体与卷线部的距离增大，则产生线圈部件的高度变大的问题。
本发明的目的在于提供一种在含有金属粒子和树脂材料的磁性体部埋设有线圈导体的、可靠性高的线圈部件。
本发明人为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现通过在磁性体基座的上表面使外缘部比中心部高，从而使配置于其上的线圈部件的卷线部与底部的导体的距离变大，能够确保高可靠性，进而完成了本发明。
根据本发明的主旨，提供一种线圈部件，具有磁性体部、线圈导体和外部电极，上述磁性体部含有金属粒子和树脂材料，上述线圈导体埋设于上述磁性体部，上述外部电极与上述线圈导体电连接并配置于线圈部件的底面，上述磁性体部具有磁性体基座和磁性体护套，上述磁性体基座具有凸部，在上述磁性体基座上上述线圈导体配置成凸部位于线圈导体的卷芯部，上述磁性体护套设置成覆盖线圈导体，对于上述磁性体基座的上表面的高度而言，至少一部分的边缘部分的高度高于凸部边缘存在的位置的高度。
根据本发明，通过在具有磁性体部、线圈导体和外部电极而成的线圈部件中，将磁性体部分为磁性体基座和磁性体护套，在磁性体基座的上表面，使边缘部分比中心部高，能够确保外部电极与磁性体基座上的线圈导体之间的绝缘性，能够得到更高的可靠性，其中，上述磁性体部含有金属粒子和树脂材料，上述线圈导体埋设于上述磁性体部，上述外部电极与上述线圈导体电连接并配置于线圈部件的底面。
附图说明
图1是示意地表示本发明的线圈部件的一个实施方式的立体图。
图2是表示图1的线圈部件的沿x-x的切断面的截面图。
图3是图1的线圈部件的埋设有线圈导体3的磁性体部2的立体图。
图4是图1的线圈部件的配设有线圈导体3的磁性体基座8的俯视图。
图5是图1的线圈部件的磁性体基座8的立体图。
图6是图5的磁性体基座8的沿y-y的切断面的截面图。
图7是图5的磁性体基座8的俯视图。
图8是另一形态中的磁性体基座的截面图。
图9是图1的线圈部件的配置有线圈导体3的磁性体基座8的截面图。
图10是说明用于计算实施例中的金属粒子的填充率的测定位置的图。
图11是示意地表示比较例1的线圈部件的立体图。
图12是说明用于计算比较例1中的金属粒子的填充率的测定位置的图。
[符号说明]
1…线圈部件
2…磁性体部
3…线圈导体
4、5…外部电极
6…保护层
8…磁性体基座
9…磁性体护套
11…凸部
12、13…线圈导体的末端
14、15…槽
16…基座部
17…基座部的前面
18…基座部的背面
19…基座部的底面
20…基座部的上表面
21…凹部
22…凹部的壁面
23…凹部的底面
24、25…线圈导体的引出部
26、27…线圈导体的末端部
28、29…线圈导体的末端部与磁性体部的端面间的区域
101…比较例1的线圈部件
102…磁性体部
103…线圈导体
104，105…外部电极
106…保护层
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的线圈部件进行详细说明。其中，本实施方式的线圈部件和各构成要素的形状和配置等不限定于图示的例子。
在图1中示意地示出本实施方式的线圈部件1的立体图，在图2中示意地示出本实施方式的线圈部件1的截面图。在图3中示意地示出线圈部件1的埋设有线圈导体3的磁性体部2的立体图。此外，在图4中示意地示出线圈部件1的配置有线圈导体3的磁性体基座8的俯视图。其中，下述实施方式的电容器和各构成要素的形状和配置等不限定于图示的例子。
如图1和图2所示，本实施方式的线圈部件1具有大致长方体形状。在线圈部件1中，将图2的附图左右侧的面称为“端面”，将附图上侧的面称为“上表面”，将附图下侧的面称为“底面”，将附图前侧的面称为“前面”，将附图后侧的面称为“背面”。线圈部件1概略地具有磁性体部2、埋设于其中的线圈导体3和一对外部电极4、5而成。如图2和图3所示，磁性体部2由磁性体基座8和磁性体护套9构成。在磁性体部2、磁性体基座8和磁性体护套9中，将图2的附图左右侧的面称为“端面”，将附图上侧的面称为“上表面”，将附图下侧的面称为“底面”，将附图前侧的面称为“前面”，将附图后侧的面称为“背面”。如图2～图4所示，磁性体基座8在其上表面具有凸部11。磁性体基座8在前面、底面和背面具有槽14、15以与两端面相接。在磁性体基座8上线圈导体3配置成磁性体基座8的凸部11位于卷芯部。线圈导体3的引出部24、25沿磁性体基座8的背面和底面的槽14、15从磁性体基座8的上表面通过背面引出到底面。线圈导体3的末端12、13引出到磁性体基座8的前面、或前面附近为止。在磁性体基座8上设有磁性体护套9以覆盖线圈导体3。作为线圈导体3的引出部24、25的一部分的末端部26、27在磁性体部2的底面露出。此外，外部电极4、5设置于磁性体部2的底面，分别与线圈导体3的上述末端部26、27电连接。另外，线圈部件1除了外部电极4、5以外由保护层6覆盖。
本说明书中，将线圈部件1的长度称为“L”，将宽度称为“W”，将厚度(高度)称为“T”(参照图1)。本说明书中，将与前面和背面平行的面称为“LT面”，将与端面平行的面称为“WT面”，将与上表面和底面平行的面称为“LW面”。
如上所述，上述磁性体部2由磁性体基座8和磁性体护套9构成。
如图5～图7所示，上述磁性体基座8具有基座部16、和形成在基座部16上的凸部11。基座部16和凸部11形成为一体。基座部16在两端部(图6中的左右的区域)遍及前面17、底面19和背面18而具有槽14、15。另外，基座部16的上表面20的边缘部比中央部高，即，在该上表面，与凸部11边缘存在的位置相比两端的边缘部分位于上方(图6的上侧)。
如上所述，在磁性体基座8中，对于基座部16的上表面20而言，与凸部11边缘存在的位置相比至少一部分的边缘部分位于上方。即，图6中的t2大于t1。上述位于上方的边缘部分可以为两端面的边缘部分，也可以为前面和背面的边缘部分。优选整个边缘部分相对于凸部11边缘存在的位置位于上方。通过这样相对于基座部16的中央部增高边缘部，从而使线圈导体3的定位变得容易。另外，通过增高边缘部的位置，从而在其中配置线圈导体时使存在于底面的导体与线圈导体的距离变大，因此可靠性提高。基座部16的上表面20的位置从凸部11边缘到基座部16的边缘可以直线上升，也可以曲线上升。即，基座部16的上表面20可以为平面，也可以弯曲。优选基座部16的上表面20的位置从凸部11边缘到基座部16的边缘直线上升。
在一个形态中，上述t2与t1之差(t2－t1)可以优选为0.10mm～0.30mm，更优选为0.15mm～0.25mm。
如上所述，在磁性体基座8中，基座部16具有槽14、15。槽14、15具有分别引导线圈导体3的引出部24、25的作用。
上述槽的深度没有特别限定，但优选为构成线圈导体3的导体的厚度以下，例如，可以优选为0.05mm～0.20mm，例如可以为0.10mm～0.15mm。
上述槽的宽度优选为构成线圈导体3的导体的宽度以上，更优选比构成线圈导体3的导体的宽度大。
应予说明，本发明中，磁性体基座不一定需要具有槽。
如上所述，在磁性体基座8中，凸部11为圆筒形。在上述形态中，凸部11的直径可以优选为0.1mm～2.0mm，更优选为0.5mm～1.0mm。
应予说明，从磁性体基座8的上表面侧看到的凸部的形状没有特别限定，可以为圆形、椭圆形、三角形、四边形等多边形。可以优选为与线圈导体的卷芯部的截面形状相同的形状。
上述凸部11的高度优选为线圈导体的卷芯部的长度以上，可以优选为0.1mm以上，更优选为0.3mm以上，更优选为0.5mm以上。凸部11的高度可以优选为1.5mm以下，更优选为0.8mm以下，更优选为0.5mm以下。在此，“凸部的高度”表示从凸部相接的基座部的上表面到凸部的顶部为止的高度，“卷芯部的长度”表示卷芯部的沿线圈中心轴的长度。
应予说明，本发明中，磁性体基座只要是具有凸部的结构就没有特别限定。
在优选的形态中，如图8所示，磁性体基座可以在其底面的与凸部对置的位置的至少一部分具有凹部21。通过这样在与凸部11对置的磁性体基座的底面的至少一部分设置凹部21，能够利用压缩成型使凸部11的金属粒子的填充率更大。
从磁性体基座8的底面侧看到的凹部21的形状没有特别限定，可以为圆形、椭圆形、三角形、四边形等多边形、带状。
在一个形态中，上述凹部21存在于外部电极4、5间，优选存在于整个外部电极4、5间。通过在外部电极4、5间设置凹部，能够使外部电极4、5间的路径长度(沿磁性体表面的距离)变大，提高两外部电极间的电绝缘性，可靠性变高。此外，通过在外部电极4、5间设置凹部21，能够在安装于基板等时使基板等与磁性体部的底面的最小距离增大，因此可靠性变高。另外，因为能够将保护层收容于凹部，所以与不形成凹部时相比，能够减小线圈部件的厚度。
在一个形态中，上述凹部21设置于磁性体基座的底面的与凸部11对置的整个部分。通过这样在磁性体基座的底面的与凸部11对置的整个部分设置凹部21，能够利用压缩成型使凸部11的金属粒子的填充率更大。
上述凹部21的深度没有特别限定，可以优选为0.01mm～0.08mm，更优选为0.02mm～0.05mm。在此，“凹部的深度”是指最深的位置的深度。
上述凹部21的宽度(L方向的宽度)没有特别限定，可以优选为0.3mm～0.8mm，更优选为0.4mm～0.7mm。在此，“凹部的宽度”是指最宽的位置的宽度。
上述凹部21的壁面22与底面23所形成的角可以优选为90°以上，更优选为100°以上，进一步优选为110°以上。凹部21的壁面22与底面23所形成的角可以优选为130°以下，更优选为120°以下。
上述磁性体护套9设置成覆盖磁性体基座8的上表面和位于该上表面的线圈导体3、磁性体基座8的背面和位于该背面上的线圈导体3的引出部24、25、以及磁性体基座8的两端面。即，在本实施方式中，磁性体基座8的前面、磁性体基座8的底面和位于该底面上的线圈导体3的末端部26、27从磁性体护套9中露出。
在一个形态中，磁性体护套9覆盖磁性体基座8的至少一个侧面以外、即3个侧面。应予说明，侧面是指对前面、背面和两端面这4个面的通称。即，磁性体基座8的至少一个侧面从磁性体护套9中露出。
在一个形态中，磁性体护套9覆盖存在于磁性体基座8的侧面上的线圈导体的引出部。
应予说明，本发明中，磁性体护套只要覆盖线圈导体3的卷线部，其形状就没有特别限定。
上述磁性体部2由含有金属粒子和树脂材料的复合材料构成。
作为上述树脂材料，没有特别限定，例如可举出环氧树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂等热固性树脂。树脂材料可以仅为1种，也可以为2种以上。
作为构成上述金属粒子的金属材料，没有特别限定，例如可举出铁、钴、镍或钆、或含有它们中的1种或2种以上的合金。优选上述金属材料为铁或铁合金。铁可以为铁本身，也可以为铁衍生物、例如配合物。作为上述铁衍生物，没有特别限定，可举出作为铁与CO的配合物的羰基铁，优选五羰基铁。特别优选洋葱层状结构(从粒子的中心形成有同心球状的层的结构)的硬等级的羰基铁(例如，BASF公司制的硬等级的羰基铁)。作为铁合金，没有特别限定，例如可举出Fe-Si系合金、Fe-Si-Cr系合金、Fe-Si-Al系合金等。上述合金可以进一步含有B、C等作为其它副成分。副成分的含量没有特别限定，例如可以为0.1wt％～5.0wt％，优选为0.5wt％～3.0wt％。上述金属材料可以仅为1种，也可以为2种以上。另外，磁性体基座8中的金属材料与磁性体护套9中的金属材料可以相同，也可以不同。
在一个形态中，上述金属粒子在磁性体基座8和磁性体护套9中分别独立地具有优选0.5μm～10μm、更优选1μm～5μm、进一步优选1μm～3μm的平均粒径。通过使上述金属粒子的平均粒径为0.5μm以上，从而使金属粒子的操作变得容易。另外，通过使上述金属粒子的平均粒径为10μm以下，能够更增大金属粒子的填充率，磁性体部的磁特性提高。在优选的形态中，上述金属粒子可以在磁性体基座和磁性体护套中具有相同的平均粒径。换言之，磁性体部2中含有的金属粒子以整体计，具有优选0.5μm～10μm、更优选1μm～5μm、进一步优选1μm～3μm的平均粒径。应予说明，在金属粒子的粒度分布中，峰可以为1个，也可以为2个以上，或者还可以2个以上的峰重合。
在此，上述平均粒径是指磁性体部的截面的SEM(扫描式电子显微镜)图像中的金属粒子的投影面积圆当量直径的平均值。例如，上述平均粒径可以如下得到：利用SEM对切断线圈部件1而得到的截面拍摄多个位置(例如5个位置)的区域(例如130μm×100μm)，使用图像解析软件(例如，Asahi Kasei Engineering Corporation制，A像君(注册商标))对该SEM图像进行解析，对500个以上的金属粒子求出投影面积圆当量直径，计算其平均值。
在优选的形态中，上述金属粒子具有优选50％～90％、更优选70％～90％的CV值。具有这样的CV值的金属粒子能够具有较宽的粒度分布，相对较小的粒子进入相对较大的粒子之间，因此磁性体部中的金属粒子的填充率更高。其结果，能够进一步提高磁性体部的磁导率。
在此，上述CV值是指由下述式计算的值。
CV值(％)＝(σ/Ave)×100(式中：Ave为平均粒径，σ为粒径的标准偏差。)
在优选的形态中，上述金属粒子在磁性体基座8和磁性体护套9中分别独立地具有优选0.5μm～10μm、更优选1μm～5μm、进一步优选1μm～3μm的平均粒径，且具有优选50％～90％、更优选70％～90％的CV值。在进一步优选的形态中，上述金属粒子可以在磁性体基座和磁性体护套中具有相同的平均粒径。
上述金属粒子可以为结晶质的金属(或合金)的粒子(以下，也简称为“结晶质粒子”)，也可以为非晶质的金属(或合金)的粒子(以下，也简称为“非晶质粒子”)，还可以为纳米结晶结构的金属(或合金)的粒子(以下，也简称为“纳米结晶粒子”)。应予说明，在此，纳米结晶结构是指在非晶质中析出了微小结晶的结构。在一个形态中，构成磁性体部的金属粒子可以为选自结晶质粒子、非晶质粒子和纳米结晶粒子中的至少2种的混合物，优选为结晶质粒子和非晶质粒子或纳米结晶粒子的混合物。在一个形态中，构成磁性体部的金属粒子可以为结晶质粒子和非晶质粒子的混合物。在一个形态中，构成磁性体部的金属粒子可以为结晶质粒子和纳米结晶粒子的混合物。
在上述结晶质粒子和非晶质粒子或纳米结晶粒子的混合物中，结晶质粒子与非晶质粒子或纳米结晶结构的金属粒子的混合比(结晶质粒子:非晶质粒子或纳米结晶粒子(质量比))没有特别限定，可以优选为10:90～90:10，更优选为10:90～60:40，进一步优选为15:85～60:40。
在优选的形态中，在结晶质粒子和非晶质粒子的混合物中，上述结晶质的金属粒子可以为铁，优选为羰基铁(优选洋葱层状结构的硬等级的羰基铁)。上述非晶质的金属粒子可以为铁合金，例如为Fe-Si系合金、Fe-Si-Cr系合金或Fe-Si-Al系合金，优选为Fe-Si-Cr系合金。在更优选的形态中，上述结晶质的金属粒子可以为铁，且上述非晶质的金属粒子可以为铁合金，例如为Fe-Si系合金、Fe-Si-Cr系合金或Fe-Si-Al系合金，优选为Fe-Si-Cr系合金。
在优选的形态中，在结晶质粒子和纳米结晶粒子的混合物中，上述结晶质的金属粒子可以为铁，优选为羰基铁(优选洋葱层状结构的硬等级的羰基铁)。通过使用上述混合物，能够进一步提高磁导率，减少损耗。
在优选的形态中，上述非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子具有优选20μm～50μm、更优选20μm～40μm的平均粒径。在优选的形态中，上述结晶质的金属粒子具有优选1μm～5μm、更优选1μm～3μm的平均粒径。在更优选的形态中，上述非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子具有20μm～50μm、优选20μm～40μm的平均粒径，上述结晶质的金属粒子具有1μm～5μm、优选1μm～3μm的平均粒径。在优选的形态中，上述非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子具有比上述结晶质的金属粒子大的平均粒径。通过使非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子的平均粒径大于结晶质的金属粒子的平均粒径，能够相对增大非晶质粒子和纳米结晶结构的金属粒子对磁导率的贡献。
在优选的形态中，使用Fe-Si-Cr系合金时，Fe-Si-Cr系合金中的Si的含量优选为1.5wt％～14.0wt％、例如为3.0wt％～10.0wt％，Cr的含量优选为0.5wt％～6.0wt％、例如为1.0wt％～3.0wt％。通过特别使Cr的含量为上述量，能够抑制电特性的降低，并且在金属粒子的表面形成钝化层，使金属粒子的过度氧化得到抑制。
上述金属粒子的表面可以被绝缘材料的被膜(以下，也简称为“绝缘被膜”)覆盖。通过利用绝缘被膜覆盖金属粒子的表面，能够提高磁性体部的内部的电阻率。
上述金属粒子的表面只要被绝缘被膜覆盖至能够提高粒子间的绝缘性的程度即可，也可以仅金属粒子的表面的一部分被绝缘被膜覆盖。另外，绝缘被膜的形状没有特别限定，可以为网眼状，也可以为层状。在优选的形态中，上述金属粒子的表面的30％以上、优选60％以上、更优选80％以上、进一步优选90％以上、特别优选100％的区域可以被绝缘被膜覆盖。
在一个形态中，上述非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子的绝缘被膜与结晶质的金属粒子的绝缘被膜是由不同的绝缘材料形成的绝缘被膜。由含有硅的绝缘材料形成的绝缘被膜的强度高，因此通过用含有硅的绝缘材料被覆金属粒子，能够提高金属粒子的强度。
在一个形态中，上述结晶质的金属粒子的表面可以被含有Si的绝缘材料覆盖。作为含有Si的绝缘材料，例如可举出硅系化合物，例如SiOx(x为1.5～2.5，有代表性的是SiO2)。
在一个形态中，上述非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子的表面可以被含有磷酸或磷酸残基(具体而言为P＝O基)的绝缘材料覆盖。
作为上述磷酸，没有特别限定，可举出(R2O)P(＝O)(OH)2或(R2O)2P(＝O)OH表示的有机磷酸。式中，R2各自独立地为烃基。优选R2为链长优选5个原子以上、更优选10个原子以上、进一步优选20个原子以上的基团。优选R2为链长优选200原子以下、更优选100原子以下、进一步优选50原子以下的基团。
上述烃基优选为可取代的烷基醚基或苯基醚基。作为取代基，例如可举出烷基、苯基、聚氧化烯基、聚氧化烯苯乙烯基、聚氧化烯烷基、不饱和聚氧乙烯烷基等。
上述有机磷酸也可以为磷酸盐的形态。作为上述磷酸盐中的阳离子，没有特别限定，例如可举出Li、Na、K、Rb、Cs等碱金属的离子、Be、Mg、Ca、Sr、Ba等碱土金属的离子、Cu、Zn、Al、Mn、Ag、Fe、Co、Ni等其它金属的离子、NH4 +、胺离子等。优选抗衡阳离子为Li+、Na+、K+、NH4 +或胺离子。
在优选的形态中，上述有机磷酸可以为聚氧化烯苯乙烯基苯基醚磷酸、聚氧化烯烷基醚磷酸、聚氧化烯烷基芳基醚磷酸、烷基醚磷酸、或不饱和聚氧乙烯烷基苯基醚磷酸或其盐。
上述绝缘被膜的涂覆的方法没有特别限定，可以使用本领域技术人员所公知的涂覆法例如溶胶-凝胶法、机械化学法、喷雾干燥法、流动层造粒法、雾化法、筒式溅射法等进行。
在优选的形态中，上述结晶质的金属粒子的表面可以被含有Si的绝缘材料覆盖，上述非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子的表面可以由含有磷酸或磷酸残基的绝缘材料覆盖。在更优选的形态中，上述结晶质的金属粒子可以为铁，且上述非晶质的金属粒子可以为铁合金，例如为Fe-Si系合金、Fe-Si-Cr系合金或Fe-Si-Al系合金，优选为Fe-Si-Cr系合金。
上述绝缘被膜的厚度没有特别限定，可以优选为1nm～100nm，更优选为3nm～50nm，进一步优选为5nm～30nm，例如为10nm～30nm或5nm～20nm。通过进一步增大绝缘被膜的厚度，能够进一步提高磁性体部的电阻率。另外，通过进一步减小绝缘被膜的厚度，能够进一步增加磁性体部中的金属材料的量，从而使磁性体部的磁特性提高，容易实现磁性体部的小型化。
在一个形态中，非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子的绝缘被膜的厚度比结晶质的金属粒子的绝缘被膜的厚度厚。
在上述形态中，非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子的绝缘被膜的厚度与结晶质的金属粒子的绝缘被膜的厚度的差可以优选为5nm～25nm，更优选为5nm～20nm，进一步优选为10nm～20nm。
在优选的形态中，非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子的绝缘被膜的厚度为10nm～30nm，结晶质的金属粒子的绝缘被膜的厚度为5nm～20nm。
在优选的形态中，非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子的平均粒径相对较大，结晶质的金属粒子的平均粒径相对较小，覆盖非晶质的金属粒子和纳米结晶结构的金属粒子的绝缘材料含有磷酸，覆盖结晶质的金属粒子的绝缘材料含有Si。如果用绝缘性较低的含有磷酸的绝缘材料被覆相对粒径较大的粒子(非晶质粒子或纳米结晶结构的金属粒子)，则可以在压缩成型时与其它非晶质粒子或纳米结晶结构的金属粒子电连接而形成经电连接而得的粒子的块。由此，磁性体部的磁导率提高。另外，通过用绝缘性较高的含有Si的绝缘材料被覆相对粒径较小的粒子(结晶性粒子)，能够提高作为磁性体部整体的绝缘性。由此，容易兼得高磁导率和高绝缘性。
在上述磁性体部2中，磁性体基座8中的金属粒子的填充率比磁性体护套9中的金属粒子的填充率高。通过提高磁性体基座中的金属粒子的填充率、特别是磁性体基座的凸部中的金属粒子的填充率，能够使磁性体部的磁导率变高，得到更高的电感。
磁性体基座8中的金属粒子的填充率可以优选为65％以上，更优选为75％以上，进一步优选为85％以上。另外，磁性体基座8中的金属粒子的填充率的上限没有特别限定，例如，该填充率可以为98％以下、95％以下、90％以下或85％以下。在一个形态中，磁性体基座8中的金属粒子的填充率可以为65％～98％、65％～85％、75％～98％或85％～98％。
磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以优选为50％以上，更优选为65％以上，进一步优选为75％以上。另外，磁性体护套9中的金属粒子的填充率的上限没有特别限定，例如，该填充率可以为93％以下、90％以下、80％以下或75％以下。在一个形态中，磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以为50％～93％、50％～75％、65％～93％或75％～93％。
在一个形态中，磁性体基座8中的金属粒子的填充率可以为65％～98％、65％～85％、75％～98％或85％～98％，磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以为50％～93％、50％～75％、65％～93％或75％～93％。例如，磁性体基座8中的金属粒子的填充率可以为65％～98％，磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以为50％～93％，或者，磁性体基座8中的金属粒子的填充率可以为85％～98％，磁性体护套9中的金属粒子的填充率可以为75％～93％。
在此，上述填充率是指磁性体部的截面的SEM图像中的金属粒子所占的面积的比例。例如，上述平均粒径可以如下得到:对线圈部件1利用线锯(Meiwafosis株式会社制DWS3032-4)将产品中央部附近切断，使LT面的大致中央部露出，对由此得到的截面进行离子铣削(株式会社日立高新技术公司制离子铣削装置IM4000)，除去因切断所致的塌陷，得到观察用的截面。利用SEM对截面的多个位置(例如5个位置)的规定的区域(例如130μm×100μm)进行拍摄，使用图像解析软件(例如，Asahi Kasei Engineering Corporation制，A像君(注册商标))对该SEM图像进行解析，求出区域中金属粒子所占的面积的比例。
磁性体部2(磁性体基座8和磁性体护套9中的两者或任一者)可以进一步含有其它物质的粒子、例如氧化硅(典型的为二氧化硅(SiO2))粒子。在优选的形态中，磁性体基座8可以含有其它物质的粒子。可以通过含有其它物质的粒子而对制造磁性体部时的流动性进行调整。
其它物质的粒子可以具有优选30nm～50nm、更优选35nm～45nm的平均粒径。通过使其它物质的粒子的平均粒径为如上所述的范围，能够提高制造磁性体部时的流动性。
磁性体部2(磁性体基座8和磁性体护套9中的两者或任一者)中的其它物质的粒子的填充率可以优选为0.01％以上，例如为0.05％以上，优选为3.0％以下，更优选为1.0％以下，进一步优选为0.5％以下，更进一步优选为0.1％以下。通过使其它物质的粒子的填充率为如上所述的范围，能够进一步提高制造磁性体部时的流动性。
在此，其它物质的粒子的平均粒径和填充率可以与金属粒子的平均粒径和填充率同样地求出。
在本实施方式中，如图2和图3所示，上述线圈导体3通过配置成线圈导体的中心轴沿线圈部件的高度方向，螺旋状地卷绕成2段以使其两末端位于外侧而形成。即，线圈导体3通过将含有导电性材料的导线卷绕成α卷而形成。线圈导体3由卷绕有线圈导体的卷线部、从卷线部引出的引出部构成。此外，引出部具有存在于磁性体部的底面上的末端部。线圈导体3配置成在卷芯部(在线圈导体的内部存在的空洞部)中存在上述凸部11、线圈导体的中心轴沿线圈部件的高度方向。线圈导体3的引出部24、25从磁性体基座8的背面引出到底面。
对于上述线圈导体3而言，与构成卷线部的最内层的导线相比，构成最外层的导线位于上方。换言之，与从线圈部件的底面到构成卷线部的最内层的导线为止的距离相比，从线圈部件的底面到构成最外层的导线为止的距离大。即，图9中的T2比T1大。通过这样使线圈导体的外侧的层的位置更高，能够进一步增大线圈导体与外部电极的距离，可靠性提高。进而，能够确保线圈导体的外侧的层下的更大的空间，因此能够在该部分形成外部电极，容易使线圈部件矮化。线圈导体的卷线部的位置随着朝向外侧，可以直线上升，也可以曲线上升。即，卷线部的侧面可以为平面，也可以弯曲。优选线圈导体的卷线部的侧面可以为磁性体基座的沿基座部的上表面而得的形状。
在一个形态中，上述T2与T1之差(T2－T1:即，构成最外层的卷线的高度与构成卷线部的最内层的卷线的高度之差)可以优选为0.02mm～0.10mm，更优选为0.04mm～0.10mm。
作为上述导电性材料，没有特别限定，例如可举出金、银、铜、钯、镍等。优选导电性材料为铜。导电性材料可以仅为1种，也可以为2种以上。
形成上述线圈导体3的导线可以为圆线，也可以为扁平线，但优选为扁平线。通过使用扁平线，从而容易无间隙地卷绕导线。
上述扁平线的厚度可以优选为0.14mm以下，更优选为0.9mm以下，进一步优选为0.8mm以下。通过减小扁平线的厚度，从而即使为相同的卷数，也会使线圈导体变小，有利于线圈部件整体的小型化。另外，能够在相同大小的线圈导体中增多卷数。上述扁平线的厚度可以优选为0.02mm以上，更优选为0.03mm以上，进一步优选为0.04mm以上。通过使扁平线的厚度为0.02mm以上，能够减小导线的电阻。
上述扁平线的宽度可以优选为2.0mm以下，更优选为1.5mm以下，进一步优选为1.0mm以下。通过减小扁平线的宽度，能够减小线圈导体，有利于部件整体的小型化。另外，上述扁平线的宽度可以优选为0.1mm以上，更优选为0.3mm以上。通过使扁平线的宽度为0.1mm以上，能够减小导线的电阻。
上述扁平线的厚度与宽度之比(厚度/宽度)可以优选为0.1以上，更优选为0.2以上，优选为0.7以下，更优选为0.65以下，进一步优选为0.4以下。
在一个形态中，形成上述线圈导体3的导线可以由绝缘性物质被覆。通过由绝缘性物质被覆形成线圈导体3的导线，能够使线圈导体3与磁性体部2的绝缘更可靠。应予说明，在上述导线的与外部电极4、5连接的部分，例如在本实施方式中被引出到磁性体基座8的底面的线圈导体的末端部不存在绝缘性物质，露出导线。
被覆上述导线的绝缘性物质的被膜的厚度可以优选为1μm～10μm，更优选为2μm～8μm，进一步优选为4μm～6μm。
作为上述绝缘性物质，没有特别限定，例如可举出聚氨酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺树脂，优选为聚酰胺酰亚胺树脂。
在一个形态中，在上述线圈导体的末端部与磁性体部的端面间的区域28、29存在磁性体部。上述线圈导体的末端部与磁性体部的端面间的宽度为形成线圈导体的导线的宽度的优选0.2倍～0.8倍、更优选0.4倍～0.6倍。
上述外部电极4、5分别设置于线圈部件1的底面的端部。外部电极4、5分别设置于引入到磁性体基座8的底面的线圈导体3的末端部26、27上。即，外部电极4、5分别与线圈导体3的末端部26、27电连接。
在一个形态中，外部电极4、5不仅在引出到磁性体基座8的底面的线圈导体3的末端部26、27上，而且可以超过线圈导体的末端部而延伸到线圈部件的底面的其它部分。
在一个形态中，外部电极4、5设置于不存在保护层6的区域、即磁性体部2和线圈导体3露出的整个区域。
在一个形态中，外部电极4、5可以延伸到线圈部件的端面。
在一个形态中，外部电极4、5可以超过线圈导体的末端部延伸到线圈部件的底面的其它部分，进一步延伸到线圈部件的端面。
在除了线圈导体的末端部上以外所形成的外部电极4、5可以形成在磁性体部2上，也可以形成在下述的保护层6上。
在一个形态中，外部电极4、5超过保护层与磁性体部和线圈导体的露出区域的边界而搭载在保护层6上。在优选的形态中，外部电极的在保护层上的搭载距离可以优选为10μm～80μm，更优选为10μm～50μm。通过使外部电极搭载在保护层上，能够防止保护层的剥离。
在一个形态中，外部电极4、5从线圈部件1的表面突出，优选突出10μm～50μm，更优选突出20μm～40μm。
上述外部电极的厚度没有特别限定，例如可以为1μm～100μm，优选为5μm～50μm，更优选为5μm～20μm。
上述外部电极由导电性材料、优选选自Au、Ag、Pd、Ni、Sn和Cu中的1种或其以上的金属材料构成。
上述外部电极可以为单层，也可以为多层。在一个形态中，外部电极为多层时，外部电极可以包含含有Ag或Pd的层、含有Ni的层或含有Sn的层。在优选的形态中，上述外部电极由含有Ag或Pd的层、含有Ni的层和含有Sn的层构成。优选上述的各层从线圈导体侧开始依次设有含有Ag或Pd的层、含有Ni的层、含有Sn的层。优选上述含有Ag或Pd的层为烧结Ag糊或Pd糊的层(即，经热固化而得的层)，上述含有Ni的层和含有Sn的层可以为镀覆层。
线圈部件1除了外部电极4、5以外由保护层6覆盖。
上述保护层6的厚度没有特别限定，可以优选为3μm～20μm，更优选为3μm～10μm，进一步优选为3μm～8μm。通过使保护层的厚度为上述的范围，能够抑制线圈部件1的尺寸的增加，并且能够确保线圈部件1的表面的绝缘性。
作为构成上述保护层6的绝缘性材料，例如可举出丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺等电气绝缘性高的树脂材料。
在优选的形态中，上述保护层6除了上述绝缘性材料以外，可以进一步含有Ti。通过使保护层含有Ti，能够减小磁性体部与保护层的热膨胀系数之差。通过减小磁性体部与保护层的热膨胀系数之差，从而即便在因线圈部件的加热和冷却而产生线圈部件的膨胀和收缩时，也能够抑制保护层从磁性体部上剥离。另外，通过使保护层含有Ti，从而在形成外部电极时的镀覆处理中，镀层不易在保护层上伸展，能够调整外部电极在保护层上的搭载。
上述Ti的含量没有特别限定，相对于整个保护层，可以优选为5质量％～50质量％，更优选为10质量％～30质量％。
在进一步优选的形态中，上述保护层6除了上述绝缘性材料和Ti以外，还可以含有Al和Si中的一者或两者。通过使保护层含有Al或Si，能够抑制在保护层上的镀层伸展。
上述Al和Si的含量没有特别限定，相对于整个保护层，可以分别优选为5质量％～50质量％，更优选为10质量％～30质量％。
上述Ti、Al和Si的合计相对于整个保护层，可以优选为5质量％～50质量％，更优选为10质量％～30质量％。
应予说明，本发明中，保护层6并非必需的，也可以不存在。
本发明的线圈部件能够在保持优异的电特性的状态下小型化。在一个形态中，本发明的线圈部件的长度(L)优选为0.9mm～2.2mm，更优选为0.9mm～1.8mm。在一个形态中，本发明的线圈部件的宽度(W)优选为0.6mm～1.8mm，更优选为0.6mm～1.0mm。在优选的形态中，本发明的线圈部件的长度(L)为0.9mm～2.2mm，宽度(W)为0.6mm～1.8mm，优选长度(L)为0.9mm～1.8mm，宽度(W)为0.6mm～1.0mm。另外，在一个形态中，本发明的线圈部件的高度(或厚度(T))优选为0.8mm以下，更优选为0.7mm以下。
接下来，对线圈部件1的制造方法进行说明。
·磁性体基座的制作
首先，制造磁性体基座8。
将金属粒子和树脂材料、以及根据需要的其它物质混合，利用模具对得到的混合物进行加压成型。接着，对已加压成型的成型体进行热处理使树脂材料固化，由此得到磁性体基座。
使用的非晶质的金属粒子具有优选20μm～50μm、更优选20μm～40μm的中值粒径(相当于体积基准的累积百分率50％的粒径)。在优选的形态中，上述结晶质的金属粒子具有优选1μm～5μm、更优选1μm～3μm的中值粒径。在更优选的形态中，上述非晶质的金属粒子具有20μm～50μm、优选20μm～40μm的中值粒径，上述结晶质的金属粒子具有1μm～5μm、优选1μm～3μm的中值粒径。
加压成型的压力可以优选为100MPa～5000MPa，更优选为500MPa～3000MPa，进一步优选为800MPa～1500MPa。在制成磁性体基座时，因为不配置有线圈导体而不存在线圈导体变形等问题，所以能够以较高的压力进行加压成型。通过以较高的压力进行加压成型，能够提高磁性体基座中的金属粒子的填充率。
加压成型的温度可以根据所使用的树脂而适当地选择，例如可以为50℃～200℃，优选为80℃～150℃。
热处理的温度可以根据所使用的树脂而适当地选择，例如可以为150℃～400℃，优选为200℃～300℃。
·线圈导体的配置
接下来，将线圈导体配置在磁性体基座上使上述得到的磁性体基座的凸部位于线圈导体的卷芯部，得到配置有线圈导体的磁性体基座。此时，线圈导体的两末端部被引出到磁性体基座的底面。
作为线圈导体的配置方法，可以将另外卷绕导线而得到的线圈导体配置在磁性体基座上，或者，也可以在磁性体基座的凸部卷绕导线而直接在磁性体基座上制作线圈导体而配置。另外制作线圈导体而配置在磁性体基座上时，在制造工序容易这方面有利。另外，在磁性体基座的凸部卷绕导线而制作线圈导体时，因为能够使线圈导体与磁性体基座进一步密合，所以在能够减小线圈导体的直径方面有利。
·磁性体护套的制作
将金属粒子和树脂材料、以及根据需要的其它物质进行混合。向得到的混合物中加入溶剂而调整成适当的粘度，由此得到磁性体护套形成用的材料。
将上述得到的配置有线圈导体的磁性体基座配置在模具中。接着，将上述得到的材料注入到模具中，进行加压成型。接着，对已加压成型的成型体进行热处理使树脂材料固化而形成磁性体护套，由此，得到内部埋设有线圈导体的磁性体部(坯体)。
在一个形态中，在将磁性体基座配置于模具时，可以优选使磁性体基座的至少一个侧面与模具的壁面密合。优选使磁性体基座的与存在线圈导体的侧面(在本实施方式中为磁性体基座的背面)对置的侧面(在本实施方式中为磁性体基座的前面)与模具的壁面密合。由此，能够更可靠地用磁性体护套覆盖存在于侧面的线圈导体。
作为上述的溶剂，没有特别限定，例如可举出丙二醇单甲醚(PGM)、甲乙酮(MEK)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、丙二醇单甲醚乙酸酯(PMA)、二丙二醇单甲醚(DPM)、二丙二醇单甲醚乙酸酯(DPMA)、γ-丁内酯等，优选使用PGM。
加压成型的压力可以优选为1MPa～100MPa，更优选为5MPa～50MPa，进一步优选为5MPa～15MPa。通过以这样的压力成型，能够抑制对内部的线圈导体的影响。
加压成型的温度可以根据所使用的树脂而适当地选择，例如可以为50℃～200℃，优选为80℃～150℃。
热处理的温度可以根据所使用的树脂而适当地选择，例如可以为150℃～400℃，优选为150℃～200℃。
·保护层的制作
在绝缘性材料中加入根据需要的Ti、Al、Si等、有机溶剂进行混合，得到涂覆材料。将得到的涂覆材料涂布在上述坯体上，使其固化而得到保护层。
作为涂布方法，没有特别限定，例如可以通过喷雾、浸渍等而形成。
·外部电极的制作
将形成外部电极的位置的保护层除去。通过该除去，从而使被引出到磁性体基座的底面的线圈导体的末端部的至少一部分露出。接着，在线圈导体的露出位置形成外部电极。另外，在线圈导体被绝缘性物质被覆时，可以在除去保护层的同时除去该绝缘性被膜的物质。
作为上述保护层的除去方法，没有特别限定，例如可举出激光照射、喷砂等物理处理、化学处理等。优选利用激光照射而除去保护层。
作为上述外部电极的形成方法，没有特别限定，例如可举出使用CVD、电镀、无电镀、蒸镀、溅射、导电性糊料的烧结等、或它们的组合。在优选的形态中，外部电极通过在进行导电性糊料的烧结后，进行镀覆处理(优选电镀处理)而形成。
如上制造本发明的线圈部件1。
因此，本发明提供一种线圈部件的制造方法，上述线圈部件具有磁性体部、线圈导体和外部电极而成，其中，上述磁性体部含有金属粒子和树脂材料，上述线圈导体埋设于上述磁性体部，上述外部电极与上述线圈导体电连接，
上述磁性体部由具有凸部的磁性体基座和磁性体护套构成，在上述磁性体基座上上述线圈导体配置成凸部位于线圈导体的卷芯部，上述磁性体护套设置成覆盖线圈导体，
上述制造方法包含如下工序:
(i)制作磁性体基座的工序；
(ii)将线圈导体配置在磁性体基座上的工序；
(iii)将配置有线圈导体的磁性体基座配置在模具中，注入磁性体护套形成用的材料进行成型，形成磁性体护套，得到埋设有线圈导体的磁性体部的工序；
(iv)对埋设有线圈导体的磁性体部形成保护层的工序；和
(v)除去规定的位置的保护层并在该处形成外部电极的工序。
以上，对本发明的线圈部件及其制造方法进行了说明，但本发明不限定于上述的实施方式，可以在不脱离本发明的主旨的范围进行设计变更。
[实施例]
(实施例1～3)
·金属粒子的制作
准备作为金属粒子的Fe-Si-Cr系合金的非晶质粒子(Si含量7wt％，Cr含量3wt％，B含量3wt％，C含量0.8wt％；中值粒径(D50)50μm)和Fe的结晶质粒子(中值粒径(D50)2μm)。应予说明，对于非晶质和结晶质，利用X射线衍射，通过确认表示非晶质的晕圈而确定为非晶质，通过确认由结晶相引起的衍射峰而确认为结晶质。
接下来，将Fe-Si-Cr系合金的非晶质粒子利用机械被覆法(Mechanofusion(注册商标))用磷酸进行涂覆(厚度20nm)。另外，将Fe的结晶质粒子利用使用原硅酸四乙酯(TEOS)作为金属醇盐的溶胶-凝胶法，用二氧化硅(SiO2)进行涂覆(厚度10nm)。
·磁性体基座的制作
相对于上述Fe-Si-Cr系合金粒子80质量％和Fe粒子20质量％的混合粉末100质量份，加入环氧系的热固性树脂3质量份、中值粒径(D50)为40nm的SiO2珠0.08质量份，利用行星式搅拌机混合30分钟，制备磁性体基座用的材料。将得到的材料用模具进行加压成型(1000MPa，100℃)，从模具中取出后，以250℃热固化30分钟，得到具有环带状的凸部的磁性体基座。应予说明，凹部的壁面与底面形成的角为120°。将得到的磁性体基座5个的平均尺寸示于下述表1。
[表1]
·线圈导体的制作
准备表2中示出的厚度和宽度尺寸不同的3种扁平线，形成α卷而制作线圈导体。所使用的扁平线为铜制的，由厚度4μm的聚酰胺酰亚胺被覆。另外，卷数总共为5匝。
[表2]
·磁性体护套用的材料的制备
相对于上述Fe-Si-Cr系合金粒子80质量％和Fe粒子20质量％的混合粉末100质量份，加入环氧系的热固性树脂3质量份，进一步添加作为溶剂的丙二醇单甲醚(PGM)而达到适当的粘度，利用行星式搅拌机混合30分钟，制备磁性体护套用的材料。
·磁性体护套的制作
在上述得到的磁性体基座的凸部嵌入线圈导体的卷芯部，将线圈导体的两端沿槽通过磁性体基座的背面引出到底面。将设有线圈导体的磁性体基座放置在模具中。此时，靠在一边使磁性体基座的前面与模具的壁面相接。接着，向放置有磁性体基座的模具中注入上述得到的磁性体护套用的材料。接下来，以100℃、10MPa进行加压，将磁性体护套成型，从模具中取出。其后，将得到的成型体以180℃热固化30分钟。固化后，使用作为介质的ZrO2质的陶瓷粉，以干式进行滚筒研磨，制作线圈部件的坯体。
·树脂涂覆(保护层)的形成
在绝缘性的环氧树脂中加入规定量(20wt％)的Ti，添加有机溶剂，制备涂覆材料。在得到的涂覆材料中浸渍上述得到的坯体，在坯体表面形成保护层。
·外部电极的形成
利用激光将上述得到的保护层的一部分除去，使引出到磁性体基座的底面的线圈导体的末端部和与末端部邻接的磁性体基座的底面的一部分露出。在露出部涂布含有Ag粉末和热固性环氧树脂的导电性糊料，进行热固化而形成基底电极，其后，利用电镀形成Ni、Sn膜，形成外部电极。
如上制作实施例1～3的试样(线圈部件)。
评价
(1)磁导率μ
各实施例取5个制作的试样，利用阻抗分析仪(安捷伦科技公司制，E4991A；条件:1MHz，1Vrms，周围温度20±3℃)测定电感，计算磁导率(μ)。求出5个的平均值，作为各实施例的磁导率。将结果示于下述表4。
(2)磁性体基座的金属粒子的填充率
对各实施例的试样利用线锯(Meiwafosis株式会社制DWS3032-4)将产品中央部附近切断，使LT面的大致中央部露出。对得到的截面进行离子铣削(株式会社日立高新技术公司制离子铣削装置IM4000)，除去因切断所致的塌陷，得到观察用的截面。对于磁性体基座中的填充率，利用SEM对将基座部在L方向六等分的位置(图10中示出的Δ5处)进行拍摄(130μm×100μm的区域)，对于磁性体护套的填充率，利用SEM对将卷芯部的上部在L方向六等分的位置(图10中示出的○5处)进行拍摄(130μm×100μm的区域)，对该SEM照片使用图像解析软件(Asahi Kasei Engineering Corporation制；A像君(注册商标))求出金属粒子所占的面积，求出相对于测定的整体的面积的金属粒子所占的比例，将5处的平均值作为填充率。将结果示于下述表3。
(3)金属粒子的粒度分布
与(2)同样地对试样的截面中的图10中示出的Δ5处的SEM照片进行图像解析，对任意500个金属粒子求出投影面积圆当量直径，将5处的平均值作为平均粒径(Ave)。另外，求出粒径的标准偏差(σ)。另外，根据它们的结果，求出CV值((σ/Ave)×100)。将结果示于下述表3。
(4)树脂涂覆(保护层)的厚度
与(2)同样地对试样的截面中的保护层的任意的5个位置的SEM照片进行图像解析，测定保护层的厚度，将5处的平均值作为保护层的厚度。将结果示于下述表4。
(5)外部电极的在保护层上的搭载距离
与(2)同样地对试样的截面中的、磁性体基座的底面侧的保护层与外部电极的边界的任意2处的SEM照片进行图像解析，对外部电极(镀覆电极)在保护层上的搭载距离进行测定，将2处的平均值作为搭载距离。将结果示于下述表4。
(6)金属粒子的绝缘被膜厚度
与(2)同样地加工试样，使截面露出。对截面使用扫描透射式电子显微镜(Scanning Transmission electron microscope；型号JEM-2200FS；日本电子株式会社制)来分析线圈部件的卷芯部的大致中央部(图10的□的位置)的金属粒子的组成，鉴定是非晶质粒子、或是结晶质粒子。对经鉴定的每种粒子各3个以300k倍拍摄照片，测定绝缘被覆厚度。求出3个的平均值，将其作为绝缘被膜的厚度。将结果示于下述表4。
[表3]
[表4]
(实施例4和5)
使磁性体基座的尺寸为下述表5中示出的尺寸，使在磁性体基座和磁性体护套的制作中使用的环氧树脂的添加量为2质量份，除此以外，与实施例1同样地制作实施例4和5的试样(线圈部件)。
[表5]
评价
与实施例1～3同样地进行评价，将线圈部件的外形尺寸、填充率和金属粒子的粒度分布的结果示于表6，将磁导率、保护层的厚度、搭载距离和被覆厚度的结果示于表7。
[表6]
[表7]
比较例1
准备作为金属粒子的与实施例1～3相同的Fe-Si-Cr系合金的非晶质粒子和Fe的结晶质粒子。将这些粒子与实施例1～3同样地被覆表面。
相对于上述Fe-Si-Cr系合金粒子80质量％和Fe粒子20质量％的混合粉末100质量份，加入环氧系树脂3质量份，进一步添加作为溶剂的丙二醇单甲醚(PGM)而达到适当的粘度，进行湿式混合，得到浆料。使用得到的浆料，利用刮刀法制作磁性体片材。
使用与实施例1相同的扁平线，制作卷数5的α卷的线圈导体。但是，本比较例1中的线圈导体的T2－T1为0。
在2张磁性体片材之间夹入线圈导体，以100℃、10MPa进行加压。利用划片机将得到的层叠体切断，进行单片化后，以180℃保持30分钟使其热固化。应予说明，线圈导体从坯体的端面引出(参照图11)。
与实施例1～3同样地进行滚筒研磨和保护层的形成，接着，利用激光将形成外部电极的位置的保护层除去，使磁性体部的端面和周围4面露出。在露出部涂布含有Ag粉末和热固性环氧树脂的导电性糊料，进行热固化而形成基底电极，其后，利用电镀形成Ni、Sn膜，形成外部电极。
如上制作比较例1的试样(线圈部件)。
评价
·磁导率
与实施例1～3中的(1)同样地测定比较例1的磁导率。
·填充率
与实施例1～3中的(2)同样地加工试样，使试样的截面露出。对该截面将沿线圈导体的轴六等分的位置(图12中示出的Δ5处)与上述实施例1～3中的(2)同样地计算填充率。将结果示于下述表8。
[表8]
·高频下的磁导率
对实施例1和比较例1的试样利用阻抗分析仪(安捷伦科技公司制，E4991A；条件：10MHz，1Vrms，周围温度20±3℃)测定电感。对各100个试样测定电感，对电感(L)比设计值降低了20％以上的试样进行计数。将结果示于下述表9。
[表9]
L降低了的试样的个数
实施例1 0个
比较例1 5个
[产业上的可利用性]
本发明的线圈部件能够作为电感器等广泛地用于各种用途。

Claims (6)

1.一种线圈部件，具有：
磁性体部，含有金属粒子和树脂材料，
线圈导体，埋设于所述磁性体部，和
外部电极，与所述线圈导体电连接并配置于线圈部件的底面；
所述磁性体部具有磁性体基座和磁性体护套，所述磁性体基座具有凸部，
在所述磁性体基座上所述线圈导体配置成凸部位于线圈导体的卷芯部，
所述磁性体护套设置成覆盖线圈导体，
所述磁性体基座的上表面的高度中，至少一部分的边缘部分的高度高于凸部边缘存在的位置的高度。
2.根据权利要求1所述的线圈部件，其中，所述磁性体基座的上表面的凸部边缘存在的位置的高度与边缘部分的高度之差为0.10mm～0.30mm。
3.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，所述磁性体基座的上表面的凸部边缘存在的位置的高度与边缘部分的高度之差为0.15mm～0.25mm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的线圈部件，其中，所述线圈导体的卷线部的至少一个侧面是沿所述磁性体基座的上表面的形状。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的线圈部件，其中，所述磁性体基座在底面具有槽，在该槽中配置有引出的线圈导体的末端部。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的线圈部件，其中，所述线圈导体的末端部经由磁性体基座的侧面而引出到底面，位于侧面的线圈导体的引出部被磁性体护套覆盖。
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