CN108701739B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

实施例的发光器件包括：衬底；发光结构，布置在衬底下方并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；基座，布置为面向衬底；第一金属焊盘和第二金属焊盘，彼此间隔开地布置在基座上；第一凸块，布置在第一金属焊盘上；多个第二凸块，彼此间隔开地布置在第二金属焊盘上；第一欧姆层，介于第一导电半导体层与第一凸块之间；第二欧姆层，介于第二导电半导体层与多个第二凸块之间；第一扩散层，介于第一欧姆层与第一凸块之间；第二扩散层，介于第二欧姆层与多个第二凸块之间；以及电流阻挡层，布置在第二欧姆层的在发光结构的厚度方向上与多个第二凸块之间的空间重叠的最大热量发射部中而不在与厚度方向相交的水平方向上割断第二欧姆层。

Description

发光器件
技术领域
发明涉及一种发光器件。
背景技术
发光二极管(LED)是一种通过利用化合物半导体的特性，将电转换为红外光或用于接收或发送信号或用作光源的光的半导体。
III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而成为诸如LED或激光二极管(LD)之类的发光器件的重要材料而备受关注。
由于LED不包含诸如白炽灯和荧光灯等常规照明设备中使用的汞(Hg)等对环境有害的物质，因此LED具有高度环境友好的特性，并且由于LED具有延长的寿命、低功耗特性等的优点，LED已经取代传统的光源。
在上述发光器件和包括该发光器件的发光器件封装的情况下，由于供应载流子的路径和散热的路径相同，因此可能存在热恶化现象，其中热量难以散发到外部。特别是，在发光器件发射深紫外光的情况下，由于高驱动电压可能会进一步增加热损失率。
发明内容
[技术问题]
本发明旨在提供一种具有改进的可靠性的发光器件。
[技术方案]
本发明的一个方面提供了一种发光器件，包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底下方并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；基座，布置为面向所述衬底；第一金属焊盘和第二金属焊盘，彼此间隔开地布置在所述基座上；第一凸块，布置在所述第一金属焊盘上；多个第二凸块，彼此间隔开地布置在所述第二金属焊盘上；第一欧姆层，介于所述第一导电半导体层与所述第一凸块之间；第二欧姆层，介于所述第二导电半导体层与所述多个第二凸块之间；第一扩散层，介于所述第一欧姆层与所述第一凸块之间；第二扩散层，介于所述第二欧姆层与所述多个第二凸块之间；以及电流阻挡层，布置在所述第二欧姆层的最大受热区域中，使得所述电流阻挡层不在与所述厚度方向相交的水平方向上切断所述第二欧姆层，所述最大受热区域在发光结构的厚度方向上与多个第二凸块之间的空间重叠。
所述第二欧姆层可以包括：第一区域，对应于所述最大受热区域；和第二区域，在与所述发光结构的厚度方向相交的所述水平方向上与所述第一区域相邻。
所述电流阻挡层可以被布置为从所述第一区域延伸到所述第二区域。
所述电流阻挡层可以包括布置在所述最大受热区域的所述第一区域中的第一段。所述电流阻挡层还可以包括从所述第一段延伸到所述第二区域并且在所述发光结构的所述厚度方向上与所述多个第二凸块重叠的第二段。
所述电流阻挡层的宽度可以大于或等于所述最大受热区域的宽度。
所述电流阻挡层可以包括：第一表面，与所述第二导电半导体层接触；和第二表面，在所述发光结构的所述厚度方向上面向所述第二扩散层并且布置为与所述第一表面相对。
所述第二欧姆层可以包括透光导电材料；和从所述电流阻挡层的所述第二表面到所述第二扩散层的最短距离在1nm到10nm的范围内。或者，所述第二欧姆层可以包括金属材料；和从所述电流阻挡层的所述第二表面到所述第二扩散层的最短距离为200nm或更大。
第一段的宽度可以在10μm至90μm的范围内，第二段的宽度可以在5μm至25μm的范围内。第二段的宽度可以是15μm。
所述电流阻挡层可以包括与所述第二导电半导体层肖特基接触的空气或材料，或者可以由于等离子体损伤而形成。在电流阻挡层由于等离子体损伤而形成的情况下，电流阻挡层可包括氩、氟和氧原子中的至少一种。或者，所述电流阻挡层可以包括绝缘材料。
所述有源层可以发射深紫外线波段的光。
所述电流阻挡层可以包括形成在所述多个第二凸块之间并且沿所述水平方向布置的多个电流阻挡层。所述多个电流阻挡层可以被布置为彼此等距离地间隔开。所述多个电流阻挡层的水平宽度可以相等。
本发明的另一个方面提供一种发光器件，包括：布置成彼此相对的衬底和基座；多个金属焊盘，彼此间隔开地布置在所述基座上；发光结构，介于所述衬底与所述基座之间；多个凸块，介于所述发光结构与所述多个金属焊盘之间；电极层，介于所述发光结构与所述多个凸块之间；和电流阻挡层，布置所述电极层的最大受热区域中，使得所述电流阻挡层不在与所述厚度方向相交的方向上切断所述电极层，所述最大受热区域在所述发光结构的厚度方向上与所述多个凸块之间的区域重叠。
所述电极层可以包括：欧姆层，介于所述发光结构与所述多个凸块之间；和扩散层，介于所述欧姆层与所述多个凸块之间，其中所述电流阻挡层布置在所述欧姆层中。
所述发光结构可以包括：第一导电半导体层，布置在所述衬底下方；有源层，布置在所述第一导电半导体层下方；和第二导电半导体层，布置在所述有源层下方。
所述欧姆层可以包括第一欧姆层和第二欧姆层，所述扩散层包括第一扩散层和第二扩散层，并且所述多个金属焊盘包括第一金属焊盘和第二金属焊盘；所述多个凸块可以包括布置在所述第一扩散层与所述第一金属焊盘之间的第一凸块以及介于所述第二扩散层与所述第二金属焊盘之间的多个第二凸块；和电流阻挡层可以布置在位于所述第二欧姆层中的所述最大受热区域中。
所述电流阻挡层可以被布置为从所述最大受热区域延伸到在所述厚度方向上与所述多个第二凸块重叠的区域。
[有益效果]
根据实施例的发光器件和包括该发光器件的发光器件封装具有改进的可靠性，其中通过布置在欧姆层中的电流阻挡层可以防止热恶化现象，通过改善热损耗率可以实现延长的寿命，即使在高驱动电压下也是如此，等等。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图。
图2是示出图1中所示的部分'A'的放大截面图。
图3是示出图1所示的发光器件的示例的仰视图。
图4是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。
图5是示出图4中所示部分'B'的放大的截面图。
图6是示出根据第三实施例的发光器件的截面图。
图7a和图7b是示出根据第一和第二比较示例的发光器件的截面图。
图8是根据比较示例和实施例的发光器件中根据老化时间的正向电压的变化的曲线图。
图9是示出根据第三比较示例的发光器件的截面图。
图10a至图10c是示出根据比较示例和实施例的发光器件的电路图的视图。
图11是示出根据第一实施例的发光器件封装的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述实施例以具体描述本发明，以促进对本发明的理解。然而，本发明的实施例可以被修改为各种形式，并且不应该被解释为本发明的范围不限于下面将描述的实施例。提供本发明的实施例是为了将本发明更全面地解释给本领域普通技术人员。
在对本发明的实施例的描述中，当元件被称为在另一元件的“上面或下面”时，术语“在上面或者下面”是指两个元件之间的直接连接或者在两个元件之间形成一个或多个元件的两个元件之间的间接连接。另外，当使用术语“在上面或者下面”时，它可以指相对于元件向下的方向以及向上的方向。
另外，可以使用诸如“第一”和“第二”、“上面/上方/之上”和“下面/下方/之下”等相对术语来区分任何一个对象或元件与另一个对象或元件，同时不需要或指示对象或元件之间的物理或逻辑关系或顺序。
图1是示出根据第一实施例的发光器件100A的截面图，图2是示出图1中所示的部分'A'的放大截面图，图3是示出图1所示的发光器件100A的示例的仰视图。
虽然图1对应于沿图3中所示的线I-I'截取的截面图，但是该实施例不限于此。也就是说，图1中所示的发光器件100A还可以具有除了图3所示的仰视图之外的各种仰视图。
图1所示的发光器件100A可以包括衬底110、发光结构120、第一和第二欧姆层(或接触层或电极)132和134A、第一和第二扩散层142和144、至少一个第一凸块152、多个第二凸块154、第一和第二金属焊盘162和164、第一和第二绝缘层172和174、基座180以及电流阻挡层(或非欧姆层)190A。
图3中省略图1所示的第一扩散层142和第二扩散层144、第一金属焊盘162和第二金属焊盘164、第一绝缘层172和第二绝缘层174以及基座180。图3对应于说明图1中所示的发光器件100A的仰视图，如从基座180看向发光结构120时所看到的。
衬底110可以包括导电材料或非导电材料。例如，衬底110可以包括蓝宝石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、GaP、InP、Ga2O3、GaAs和Si中的至少一种，但是实施例不限制衬底110的上述材料。
为了改善衬底110与发光结构120之间的热膨胀系数(CTE)差异和晶格失配，还可以在衬底110和发光结构120之间进一步插入缓冲层(或过渡层，未示出)。例如，缓冲层可以包括从由Al、In、N和Ga组成的组中选择的至少一种材料，但是不限于此。另外，缓冲层可以具有单层或多层结构。
发光结构120设置在衬底110下方。即，衬底110和基座180设置为彼此相对，并且发光结构120可以设置在衬底110和基座180之间。
发光结构120可以包括第一导电半导体层122、有源层124和第二导电半导体层126。
第一导电半导体层122设置在衬底110下方。第一导电半导体层122可以由掺杂有第一导电掺杂物的III-V族或II-VI族化合物半导体等形成。在第一导电半导体层122是N型半导体层的情况下，第一导电掺杂物可以是N型掺杂物并且可以包括Si、Ge、Sn、Se或Te，但是不限于此。
例如，第一导电半导体层122可以包括具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。第一导电半导体层122可以包括来自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的至少一种。
有源层124插介于第一导电半导体层122和第二导电半导体层126之间，并且在有源层124中，通过第一导电半导体层122注入的电子(或空穴)与通过第二导电半导体层126注入的空穴(或电子)相遇并且发射具有由形成有源层124的材料的固有能带确定的能量的光。有源层124可以具有单阱结构、多阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的一种。
有源层124的阱层/阻挡层可以具有InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP中的任何一种或多种的对结构，但不限于此。阱层可以由具有比阻挡层更低的带隙能的材料形成。
可以在有源层124之上和/或之下形成导电包覆层(未示出)。导电包覆层可以由具有比有源层124的阻挡层更高的带隙能的半导体形成。例如，导电包覆层可以包括GaN、AlGaN、InAlGaN、超晶格结构等。另外，导电包覆层可以掺杂有N型或P型掺杂物。
根据该实施例，有源层124可以发射紫外线波段的光。这里，紫外线波段可以是范围从100nm到400nm的波段。特别地，有源层124可以发射范围从100nm到280nm的深紫外线波段的光。然而，该实施例不限制由有源层124发射的光的波段。
第二导电半导体层126可以设置在有源层124下面并且由化合物半导体形成。第二导电半导体层126可以由III-V族或II-VI族化合物半导体等形成。例如，第二导电半导体层126可以包括具有InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1、0≤y≤1、和0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。第二导电半导体层126可以掺杂有第二导电掺杂物。在第二导电半导体层126是P型半导体层的情况下，第二导电掺杂物可以包括Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等作为P型掺杂物。
第一导电半导体层122可以形成为N型半导体层，第二导电半导体层126可以形成为P型半导体层。或者，第一导电半导体层122也可以形成为P型半导体层，第二导电半导体层126也可以形成为N型半导体层。
发光结构120可以形成为具有来自n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构和p-n-p结结构的任何一种结构。
由于图1至图3所示的发光器件100A具有倒装芯片接合结构，所以从有源层124发射的光可以通过第一欧姆层132、第一导电半导体层122和衬底110发射。为此，第一欧姆层132、第一导电半导体层122以及衬底110可以由具有透光性的材料形成。这里，第二导电半导体层126和第二欧姆层134可以由具有透光性、不透明性或反射性的材料形成，但是实施例可以不限制特定材料。
基座180可以设置为面向衬底110。也就是说，基座180可以设置在衬底110的下方。基座180可以由包括例如AlN、BN、碳化硅(SiC)、GaN、GaAs或Si的半导体衬底形成，但是可以不限于此，并且还可以由具有高导热率的半导体材料形成。另外，底座180还可以包括用于防止静电放电(ESD)的齐纳二极管型元件。
多个金属焊盘可以设置在基座180上方。如图1所示，多个金属焊盘可以包括第一金属焊盘162和第二金属焊盘164。第一金属焊盘162和第二金属焊盘164可以设置在基座180上方并且可以电分离。第一金属焊盘162和第二金属焊盘164中的每一个可以由导电金属材料形成。
第一绝缘层172和第二绝缘层174分别插入在第一金属焊盘162和第二金属焊盘164与基座之间。在基座180由诸如Si的导电材料形成的情况下，第一绝缘层172和第二绝缘层174可以设置为使得第一金属焊盘162和第二金属焊盘164与基座180电绝缘。这里，第一和第二绝缘层172和174可以包括电绝缘材料。另外，第一绝缘层172和第二绝缘层174也可以由具有光反射特性以及电绝缘特性的材料形成。
例如，第一和第二绝缘层172和174中的每一个可以包括分布式布拉格反射器(DBR)层。在这种情况下，DBR层可以用作绝缘功能并且还可以用作反射功能。DBR层可以具有其中具有不同折射率的第一层和第二层交替堆叠至少一次的结构。每个DBR层可以是电绝缘材料。例如，第一层可以是诸如TiO2的第一介电层，并且第二层可以包括诸如SiO2的第二介电层。例如，DBR层可以具有TiO2/SiO2层堆叠至少一次的结构。第一层和第二层中的每个的厚度可以是λ/4，其中λ可以是由发光单元产生的光的波长。
另外，第一绝缘层172和第二绝缘层174中的每一个可以包括来自SiO2、TiO2、ZrO2、Si3N4、Al2O3和MgF2中的至少一个，但是实施例不限于此。在基座180由电绝缘材料形成的情况下，可以省略第一绝缘层172和第二绝缘层174。
多个凸块可以插入在发光结构120和多个金属焊盘之间。这里，多个凸块可以包括第一凸块152和多个第二凸块154。第一凸块152可以插入在发光结构120和第一金属焊盘162之间，多个第二凸块154可以插入在发光结构120和第二金属焊盘164之间。
第一凸块152可以插入在第一金属焊盘162与第一扩散层142之间。第一凸块152的数量可以是如图1中所示的一个，但是实施例不限于此。
多个第二凸块154可以插入在第二金属焊盘164和第二扩散层144之间。多个第二凸块154的数量可以是如图1所示的两个或如图3所示的三个，但是实施例不限于此。也就是说，多个第二凸块154可以包括电分离和空间分离的第二-第一凸块154-1、第二-第二凸块154-2和第二-第三凸块154-3。
电极层可以插入在发光结构120和多个凸块之间。即，电极层可以包括欧姆层和扩散层。电极层可以包括第一电极层和第二电极层。插入在发光结构120与多个凸块之间的欧姆层可以包括第一欧姆层132和第二欧姆层134A，布置在欧姆层与多个凸块之间的扩散层可以包括第一扩散层142和第二扩散层142。第一电极层可以包括第一欧姆层132和第一扩散层142，第二电极层可以包括第二欧姆层134A和第二扩散层144。
第一欧姆层132可以插入在发光结构120和第一凸块152之间，第二欧姆层134A可以插入在发光结构120和多个第二凸块154之间。
第一欧姆层132可以设置在通过台面蚀刻工艺暴露的第一导电半导体层122下方，并且通过第一扩散层142电连接到第一凸块152。也就是说，第一欧姆层132可以插入在第一凸块152和第一导电半导体层122之间。另外，第一扩散层142可以插入在第一欧姆层132和第一凸块152之间，第一欧姆层132可以将第一扩散层142电连接到第一导电半导体层122。如图所示，第一欧姆层132可以与第一导电半导体层122接触。
第二欧姆层134A可以通过第二扩散层144电连接到第二凸块154。也就是说，第二欧姆层134A可以插入在多个第二凸块154和第二导电半导体层126之间。另外，第二扩散层144可以插入在第二欧姆层134A和多个第二凸块154之间，并且第二欧姆层134A可以将第二扩散层144电连接到第二导电半导体层126。如图所示，第二欧姆层134A可以与第二导电半导体层126接触。
第一欧姆层132和第二欧姆层134A可以由可以分别从第一导电半导体层122和第二导电半导体层126高质量生长的任何材料形成。例如，第一欧姆层132和第二欧姆层134A可以由诸如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf的金属或其选择性组合物形成。
第一欧姆层132可以具有欧姆特性并且包括与第一导电半导体层122欧姆接触的材料。另外，第二欧姆层134A可以具有欧姆特性并且包括与第二导电半导体层126欧姆接触的材料。
特别地，第二欧姆层134A可以具有透光导电材料和金属材料中的至少一种。例如，透光导电材料可以是透明导电氧化物(TCO)。例如，透光导电材料可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种，但不限于此。另外，金属材料可以包括铝(Al)、金(Au)和银(Ag)中的至少一种。
另外，第二欧姆层134A可以包括透明电极(未示出)和反射层(未示出)。透明电极可以由上述透光导电材料形成，并且反射层可以由诸如银(Ag)的金属材料形成，但是实施例不限于此。透明电极可以设置在反射层和第二导电半导体层126之间，并且反射层可以设置在透明电极下面。
同时，第一扩散层142可以插入在第一欧姆层132与第一凸块152之间。第二扩散层144可以插入在第二欧姆层134A与多个第二凸块154之间。第一扩散层和第二扩散层142和144可以用于防止由于发光结构120产生并且增加发光结构120电阻率的热量而导致的电特性恶化。为此，第一和第二扩散层142和144可以由高导电材料形成。
在图1所示的发光器件100A的情况下，通过第一和第二凸块152和154将载流子供应到发光结构120。这里，由发光结构120产生的热量可以通过第一和第二凸块152和154辐射。如上所述，由于供应载流子的路径和散热的路径是相同的，所以可能发生热量难以散发到外部的热恶化现象。特别是，在需要由有源层124发射深紫外线波段的光的情况下，由于高驱动电压，热损失率可能进一步增加。
为了解决这个问题，根据实施例的发光器件100A还可以包括电流阻挡层190A。电流阻挡层190A可以设置在介于第二导电半导体层126和第二扩散层144之间的第二欧姆层134A中的最大受热区域(MHA)中。这里，MHA可以是在衬底110的厚度方向(在下文中，称为垂直方向)上发光结构120中与多个第二凸块154之间的区域重叠的区域。
在该实施例中，MHA可以是电极层(例如，第二欧姆层134A)的不与多个第二凸块154垂直地重叠的区域。
电流阻挡层190A可以设置在第二欧姆层134A的MHA处，使得电流阻挡层190A不会沿着与垂直方向相交的方向(在下文中称为水平方向)切断电极层(例如第二欧姆层134A)。在其中设置电流阻挡层190A的区域中，可以阻挡将注入到电极层(例如，第二欧姆层134A)中的载流子注入到第二导电半导体层126。即，电流阻挡层190A可以用于阻止电流注入的功能。
当在图2中示出并且将在下面描述的最短距离T为零时，第二欧姆层134A可以被电流阻挡层190A水平切断。因此，根据该实施例，最短距离T可以大于零。
参考图2，第二欧姆层134A可以包括第一区域A1和第二区域A2。
第二欧姆层134A中的第一区域A1是包含在MHA中的区域，并且第二区域A2可以是与第一区域A1水平相邻的区域，并且可以包括第二-第一区域A21和第二-第二区域A22。
另外，电流阻挡层190A可以包括第一段S1。第一段S1可以设置在作为第二欧姆层134A的MHA的第一区域A1中。
另外，电流阻挡层190A的上表面可以比其下表面宽。例如，参照图2，电流阻挡层190A的上表面的宽度WT(顶部的宽度)可以比其下表面的宽度BT(底部的宽度)宽。
图4是示出根据第二实施例的发光器件100B的截面图，图5是示出图4中所示部分'B'的放大的截面图。
类似于图1所示的发光器件100A，图4中所示的发光器件100B对应于沿着图3中所示的线I-I'截取的截面图，但是实施例不限于此。即，图4所示的发光器件100B还可以具有除了图3所示仰视图之外的各种仰视图。
图4所示的发光器件100B可以包括衬底110、发光结构120、第一和第二欧姆层132和134B、第一和第二扩散层142和144、第一凸块152、多个第二凸块154、第一和第二金属焊盘162和164、第一和第二绝缘层172和174、基座180和电流阻挡层190B。
这里，由于图4中示出的衬底110、发光结构120、第一欧姆层132、第一和第二扩散层142和144、第一凸块152、多个第二凸块154、第一和第二金属焊盘162和164、第一绝缘层172和第二绝缘层174以及基座180分别与图1中示出的衬底110、发光结构120、第一欧姆层132、第一扩散层142和第二扩散层144、第一凸块152、多个第二凸块154、第一和第二金属焊盘162和164、第一和第二绝缘层172和174以及基座180相同，所以将使用相同的附图标记，并且将省略重复的描述。
与图1和图2不同，在图4和图5所示的发光器件100B的情况下，电流阻挡层190B也可以设置在第二欧姆层134B的第一区域A1中，并且可以设置为从第一区域A1延伸到第二区域A2。即，电流阻挡层190B被布置在MHA中，并且也可以被布置为从MHA延伸到在厚度方向上与多个第二凸块154-1和154-2重叠的区域。在这种情况下，层190B还可以包括第二段以及第一段S1。第二段可以包括第二-第一段S21和第二-第二段S22。第二-第一段S21和第二-第二段S22是从其中布置有第一段S1的第二欧姆层134B的第一区域A1水平延伸到第二区域A21和A22的部分。第二-第一段S21和第二-第二段S22分别是与第二-第一凸块154-1和第二-第二凸块154-2垂直重叠的部分。
如上所述，在图1和图2所示的发光器件100A中，电流阻挡层190A仅包括第一段S1，但是在图4和图5所示的发光器件100B中，电流阻挡层190B还可以包括第二-第一段S21和第二-第二段S22以及第一段S1。除此之外，由于图4和图5所示的发光器件100B与图1和图2所示的发光器件100A相同，所以将使用相同的附图标记并且将省略重复的描述。
在图1所示的发光器件100A中，电流阻挡层190A的水平宽度与第一段S1的第一宽度W1(即，MHA的宽度)相同。这里，第一宽度W1可以在10μm至90μm的范围内，例如75μm，但是实施例不限于此。另一方面，在图4所示的发光器件100B中，电流阻挡层190B的水平宽度可以是第一段S1的第一宽度W1与第二段S21和S22的第二宽度W21和W22的总和。
在分别在图1和图4中示出的电流阻挡层190A和190B的宽度小于MHA的宽度的情况下，由于电流集中在与第一凸块152和第二凸块154相邻的第二欧姆层134A和134B处，所以发光结构120和第二欧姆层134A和134B可能由于热恶化而发生故障，并且因此发光器件100A和100B中每个的寿命可能缩短并且可能发生机械缺陷。因此，电流阻挡层190A和190B的总宽度可以大于或等于MHA的宽度。
电流阻挡层190B的第一段S1的第一宽度W1可以等于上述电流阻挡层190A的第一段S1的第一宽度W1。
在电流阻挡层190B的第二-第一宽度W21和第二-第二宽度W22大于25μm的情况下，在有源区和第二欧姆层134B中理论上发生电复合的实际发光部分的区域，即发光器件的发光区域，可能减少。因此，流向有源层124的电流密度增加，以增加工作电压。
另外，在第二-第一宽度W21和第二-第二宽度W22大于25μm的情况下，通过实验，图4所示的发光器件100B的电特性可以类似于图1中所示的发光器件100A的电特性。也就是说，在第二-第一宽度W21和第二-第二宽度W22大于25μm的情况下，图4中示出的发光器件100B的正向电压ΔVf的变化可以类似于图1中示出的发光器件100A的正向电压ΔVf的变化。
另外，当考虑制造公差时，电流阻挡层190B的第二-第一段S21和第二-第二段S22的第二-第一宽度W21和第二-第二宽度W22可能难以小于5μm。因此，第二-第一宽度W21和第二-第二宽度W22可以在从5μm到25μm的范围内，并且可以优选地为15μm，但是实施例不限于此。
图2和图4中分别示出的上述发光器件100A、100B的电流阻挡层190A、190B可以包括第一表面SU1和第二表面SU2。第一表面SU1被定义为与第二导电半导体层126接触的表面，并且第二表面SU2被定义为垂直面对第二扩散层144的表面并且是第一表面SU1的相对面。
在垂直方向上从电流阻挡层190A和190B的第二表面SU2到第二扩散层144的最短距离(以下称为厚度T)可以根据形成第二欧姆层134A的材料和134B而变化。这里，最短距离T可以是其中电流阻挡层190A和190B中的每一个与第二扩散层144竖直地间隔开的距离，或者也可以是介于电流阻挡层190A和190B与第二扩散层144之间的第二欧姆层134A和134B中的每个的厚度。
例如，在第二欧姆层134A和134B包括透光导电材料的情况下，从电流阻挡层190A和190B中的每个的第二表面SU2到第二扩散层144的最短距离T可以在1nm到10nm的范围内，但是实施例不限于此。
可替代地，第二欧姆层134A和134B包括金属材料，从电流阻挡层190A和190B中的每个的第二表面SU2到第二扩散层144的最短距离T的最小值可以是200nm，但是实施例不限于此。
图6是示出根据第三实施例的发光器件100C的截面图。
类似于图1所示的发光器件100A，图6所示的发光器件100C对应于沿图3所示的线I-I'截取的截面图，但是实施例不限于此。也就是说，图6所示的发光器件100C除了具有图3所示的仰视图之外，还可以具有各种仰视图。
图6所示的发光器件100C可以包括衬底110、发光结构120、第一和第二欧姆层132和134C、第一和第二扩散层142和144、第一凸块152、多个第二凸块154、第一和第二金属焊盘162和164、第一和第二绝缘层172和174、衬底180以及电流阻挡层190C。
由于图6中示出的衬底110、发光结构120、第一欧姆层132、第一和第二扩散层142和144、第一凸块152、多个第二凸块154、第一和第二金属焊盘162和164、第一绝缘层172和第二绝缘层174以及基座180分别与图1或图4中示出的衬底110、发光结构120、第一欧姆层132、第一扩散层142和第二扩散层144、第一凸块152、多个第二凸块154、第一和第二金属焊盘162和164、第一和第二绝缘层172和174以及基座180相同，所以将使用相同的附图标记，并且将省略重复的描述。
在图1和图4中分别示出的发光器件100A和100B中，设置在第二-第一凸块154-1和第二-第二凸块154-2之间的每个电流阻挡层190A和190B的数量是一个。然而，在发光器件100C中，多个电流阻挡层190C可以设置在第二-第一凸块154-1和第二-第二凸块154-2之间。例如，图6中示出的发光器件100C的电流阻挡层190C可以包括第一、第二和第三电流阻挡层190-1、190-2和190-3。如上所述，由于图6所示的发光器件100C与图4所示的发光器件100B除了电流阻挡层190C的数量不同之外，其余均相同，所以将省略重复的描述。
在图6的情况下，仅示出了三个阻挡层，即第一、第二和第三电流阻挡层190-1、190-2和190-3，但是实施例不限于此。也就是说，根据第三实施例，电流阻挡层190C的数量可以多于三个或两个。
另外，第一和第三电流阻挡层190-1和190-3以及第二-第一和第二-第二凸块154中的每一个的垂直重叠与图4所示的发光器件100B的电流阻挡层190B的第二-第一和第二-第二段S21和S22的垂直重叠相同。
另外，多个电流阻挡层190-1、190-2和190-3可以在第二欧姆层134C中彼此等距离间隔开。也就是说，第一距离D1被称为第一电流阻挡层190-1与第二电流阻挡层190-2水平间隔开的距离，第二距离D2被称为第二电流阻挡层190-2与第三电流阻挡层190-3水平间隔开的距离。这里，第一距离D1可以等于第二距离D2。然而，该实施例不限于此。即，根据第二实施例，第一距离D1和第二距离D2也可以不同。
另外，电流阻挡层190A、190B和190C的第三-第一、第三-第二和第三-第三宽度W31、W32和W33可以小于MHA的宽度W1，但是本实施例不受限制于此。另外，图6所示的第一、第二和第三电流阻挡层190-1、190-2和190-3的第三-第一、第三-第二和第三-第三宽度W31、W32和W33也可以相同或不同。
同时，根据该实施例，电流阻挡层190A、190B和190C可以包括空气。或者，电流阻挡层190A、190B和190C还可以包括与第二导电半导体层126肖特基接触的材料。或者，可以由于诸如表面缺陷以及由于等离子体损伤引起的表面电荷和费米能级的钉扎的现象而形成电流阻挡层190A、190B和190C。在这种情况下，电流阻挡层190A、190B和190C可以包括氩(Ar)、氟(F)和氧(O)原子中的至少一种。或者，电流阻挡层190A、190B和190C还可以包括诸如氧化物或氮化物的绝缘材料。
另外，在电流阻挡层190A、190B和190C被用作电介质的情况下，可以减少静电放电(ESD)故障。
然而，该实施例不限于上述电流阻挡层190A、190B和190C的材料。也就是说，只要电流阻挡层190A、190B和190C可以具有阻挡电流(或非欧姆特性)的特性，电流阻挡层190A、190B和190C可以包括各种材料。
在下文中，将参考附图描述根据比较示例的发光器件以及根据实施例的发光器件100A、100B和100C的电学和光学特性。另外，在以下描述中，假设第二-第一凸块152-1和第二-第二凸块152-2的宽度WB1和WB2为120μm，但是实施例不限于此，并且即使在在宽度WB1和宽度WB2小于或大于120μm的情况下，将修改以下描述以应用于此。
图7a和图7b是示出根据第一和第二比较示例的发光器件10A和10B的截面图。根据图7a和图7b所示的比较示例的第一发光器件10a和第二发光器件10b对应于图2中所示的部分'A'(或图5中所示的部分'B')。
在根据图7a和图7b所示比较示例的第一发光器件10A和第二发光器件10B中，将使用与发光器件100A和100B的部分相同部分的相同参考标号，并且将省略其重复描述。即，根据分别在图7a和图7b示出的比较示例的第一发光器件10A和第二发光器件10B分别与根据实施例的发光器件100A、100B和100C相同，除了第二欧姆层134D和134E的结构不同之外。
在根据图7a所示的第一比较示例的发光器件10A中，第二欧姆层134D不包括根据实施例的电流阻挡层190A、190B和190C。
另外，在根据图7b所示的第二比较示例的发光器件10B中，与根据实施例的发光器件100A、100B和100C不同，第二欧姆层134E包括电流阻挡层194，并且电流阻挡层194的第二表面SU2与第二扩散层144接触。也就是说，最短距离T是“零”。另外，与根据实施例的发光器件100B的电流阻挡层190B不同，在图7b所示的第二欧姆层134E中，电流阻挡层194的宽度等于MHA的宽度。
图8是根据比较示例的发光器件和根据实施例的发光器件100A和100B中根据老化时间的正向电压变化的曲线图，其中水平轴表示老化时间，垂直轴轴表示以百分比(％)为单位的正向电压的变化(ΔVf)。
通常，由倒装芯片接合型发光器件10A、10B、100A、100B和100C中的每一个产生的热量主要通过第二凸块154辐射。这里，在发光器件10A、10B、100A、100B和如图100C所示，由于热量不容易从远离第二凸块154的部分辐射，所以这可能成为降低可靠性的因素。
在根据图7a所示的第一比较示例的发光器件10A的情况下，由于在放热的同时电流流过第二凸块154(154-1和154-2)，所以来自其中第二欧姆层134D不与第二凸块154垂直重叠的MHA的热辐射不容易，并因此可能发生热恶化现象。相应地，如图8所示，根据第一比较示例的发光器件10A的曲线202的正向电压的变化ΔVf根据老化时间而发生很大变化。特别是，当通过有源层发射深紫外线波段的光时，由于发光器件10A的高驱动电压导致第二欧姆层134D发生热恶化，所以正向电压的变化ΔVf可以大大改变，如图8A所示。在正向电压的变化ΔVf根据老化时间大幅变化的情况下，工作电压可能降低并且也可能发生短路故障，因此发光器件10A的寿命可能会缩短。
另一方面，如图7b所示，在发光器件10B包括电流阻挡层194的情况下，曲线204的正向电压的变化ΔVf相对于曲线202的正向电压的变化ΔVf而相对提高。即，在工作电压的初始值V0与工作电压V之间的正向电压的变化ΔVf根据老化时间可以是稳定的。这是因为电流阻挡层194设置在MHA中，以将第一欧姆层134E水平划分成多个第一欧姆层134E，使得发光器件10B的热量容易散发。即，根据图7b所示的第二比较示例的发光器件10B的曲线204的正向电压的变化ΔVf小于根据图7a所示的第一比较示例的发光器件10A的曲线202的正向电压的变化ΔVf。
但是，如图7b所示，即使当形成电流阻挡层194时，在电流阻挡层194的第二表面SU2与第二扩散层144接触的情况下，由于第二欧姆层134E被电流阻挡层194水平切断(或分成两个)，电流可能难以均匀地流到切断的第二欧姆层134E。
另一方面，如图1所示，在电流阻挡层190A的第二表面SU2形成为与第二扩散层144垂直间隔开的情况下，通过第二扩散层144注入的空穴可以电均匀地流到第二欧姆层134A。另外，在电流阻挡层190A仅被插入在第二导电半导体层126和第二欧姆层134A之间的情况下，可能是电气上有利的。因此，随时间的变化，根据第一比较示例的发光器件10A的曲线205的正向电压的变化ΔVf小于根据第二比较示例的发光器件10B的曲线204的正向电压的变化ΔVf。
另外，与图1所示的发光器件100A不同，在其中图4所示的电流阻挡层190B还包括第二段S21和S22以与第二-第一和第二-第二凸块154重叠或图6所示的或电流阻挡层190C还包括第一和第三电流阻挡层190-1和190-3的情况下，曲线206的正向电压的变化ΔVf小于根据第一实施例的发光器件100A的曲线205的正向电压的变化ΔVf。原因如下。
尽管在比热特性不同的情况下热量主要沿垂直方向流动，但是在应用于发光器件的金属的情况下，比热特性几乎没有差异。也就是说，尽管第二欧姆层134B和134C产生的热量主要沿垂直方向流动，但存在水平散热现象。考虑到这种现象，在电流阻挡层190B还包括如图4所示的第二段S21和S22、或者电流阻挡层190C还包括如图6所示的第一和第三电流阻挡层190-1和190-3的情况下，由于不会发生由于热引起的金属部件的腐蚀或氧化现象，因此可以防止欧姆层134B和134C的变形。
最终，如图8所示，随着正向电压的变化ΔVf减小，可能由电流拥挤或热拥挤引起的物理性质的变化(诸如第二导电半导体层126和第二欧姆层134A、134B和134C中的电阻增加)减小。结果，每个发光器件100A、100B和100C的寿命可能增加。
图9是示出根据第三比较示例的发光器件10C的截面图。
根据图9所示的第三比较示例的发光器件10C包括衬底10、发光结构20、第一欧姆层32、第二-第一欧姆层34-1、第二-第二欧姆层34-2、第一扩散层42、第二-第一扩散层44-1、第二-第二扩散层44-2、第一凸块52、第二-第一凸块54-1、第二-第二凸块54-2、第一金属焊盘62、第二金属焊盘64、第一绝缘层72、第二绝缘层74和基座80。另外，发光结构20可以包括第一导电半导体层22、有源层24和第二导电半导体层26。
由于图8所示的衬底10、发光结构20、第一欧姆层32、第一扩散层42、第一凸块52、第二凸块54、第一金属焊盘62、第二金属焊盘64、第一绝缘层72、第二绝缘层74以及基座80分别对应于图1所示的衬底110、发光结构120、第一欧姆层132、第一扩散层142、第一凸块152、第二凸块54、第一金属焊盘162、第二金属焊盘164、第一绝缘层172、第二绝缘层174和基座180，并且起到与其相同的功能，将省略其重复描述。
下面将描述图1所示的发光器件100A与根据图9所示的第三比较示例的发光器件10C之间的不同。
在图1所示的发光器件100A的情况下，电流阻挡层190A设置在第二欧姆层134A中，但是在根据图9所示的第三比较示例的发光器件10C中，第二-第一欧姆层34-1和第二-第二欧姆层34-2被由台面蚀刻工艺形成的凹槽R分开。另外，在图1所示的发光器件100A的情况下，第二扩散层144未被分割，但是在图8所示的发光器件10C的情况下，第二-第一扩散层44-1和第二-第二扩散层44-2被凹槽R分开。
图10a至图10c是示出根据比较示例和实施例的发光器件的电路图的视图。
当发光器件10A不包括如图7a所示的电流阻挡层时，发光器件10A作为一个发光二极管(LED)D0工作，如图10a所示。在这种情况下，由于从LED D0辐射热量的路径和供应第一导电载流子的路径在第二凸块154中，因此如上所述由于热恶化可能难以进行热辐射。
为了解决散热问题，在如图9所示发光器件10C具有并联结构的情况下，发光器件10C用作如图10b所示的并联连接的两个LED D1和D2。在这种情况下，与根据图7a所示的第一比较示例的发光器件10A的散热性相比，能够提高散热性，但是由于LED D1和D2的电阻，必须增加操作电压。另外，为了均匀地使恒定电流注入到LED D1和D2中，发光结构20中存在的LED D1和D2的表面电阻必须相等。否则，在两个LED D1和D2中的一个发生故障的情况下，存在过量的电流可能被注入到另一个LED中并且然后两个LED D1和D2可能相继地故障的问题。如上所述，在根据图9和图10b所示的第三比较示例的发光器件10C的情况下，功耗可能增加，并且电流注入效率可能降低以及电路可能损坏。
另一方面，在根据图1、图4和图6分别示出的实施例的发光器件100A、100B和100C的情况下，由于其中包括电流阻挡层190A、190B和190C，因此其作为如图10c所示的两个LEDD1和D2的操作与如图9所示的发光器件10C的操作相同。这里，在根据实施例的发光器件100A、100B和100C中，即使当发光结构120中存在的LED D1和D2的表面电阻不相等时，由于第二扩散层144未被分开，所以可以通过第二扩散层144注入载流子。也就是说，第二扩散层144可以用作图10c中所示的单独的LED D3。因此，即使当上述表面电阻不相等时，在LED D1和D2中，过电流不会被注入到具有相对低电阻的LED中，并且当两个LED D1和D2中的一个二极管故障时，过量的电流被注入到其余的二极管中，并且因此可能不会发生相继损坏现象。
即，在根据图10c所示实施例的发光器件100A、100B和100C的情况下，可以防止在具有图10b所示并联结构的发光器件10C处可能发生的过量电流注入和相继操作故障现象，并且可以减少从图10a所示的发光器件10A热辐射的困难。因此，由于根据实施例的发光器件100A、100B和100C包括包含图10a所示串联结构和图10b所示并联结构的复合结构，所以可以容易地散热，可以防止热恶化，并且因此可以改善可靠性。
图11是示出根据第一实施例的发光器件封装300的截面图。
参照图11，发光器件封装300可以包括发光器件100A、封装体310、第一引线框架322和第二引线框架324、第三绝缘层330、模制构件340、第一导线352和第二导线354。
这里，尽管发光器件100A对应于图1中示出的发光器件100A，但是图4和图6中分别示出的发光器件100B和100C可以布置在如图11所示的封装中，代替图1所示的发光器件100A。
图11中所示的封装体11可以形成腔体C。例如，如图11所示，封装体310以及第一引线框架322和第二引线框架324可以形成腔体C。也就是说，腔体C可以由封装体310的第一和第二引线框架322和324的侧表面312和上表面形成。然而，实施例不限于此。根据第二实施例，与图11所示的不同之处在于，腔体C也可以仅由封装体310形成。或者，阻挡壁(未示出)也可以设置在具有平坦上表面的封装体310上，并且也可以由阻挡壁和封装体310的上表面形成腔体。封装体310可以由环氧模塑料(EMC)等形成，但是实施例不限于其材料。发光器件100A可以设置在腔体C中。
第一引线框架322和第二引线框架324可以被设置为彼此水平地间隔开。第一引线框架322和第二引线框架324可以由诸如金属的导电材料形成，但是实施例不限于其材料的种类。为了电分离第一和第二引线框架322和324，第三绝缘层330也可以插入在第一和第二引线框架322和324之间。
此外，在封装体310由诸如金属材料的导电材料形成的情况下，第一引线框架322和第二引线框架324也可以是封装体310的一部分。即使在这种情况下，可以通过第三绝缘层330将形成第一引线框架322和第二引线框架324的封装体310电分离。
另外，通过第一凸块152和第二凸块154连接到第一导电半导体层122和第二导电半导体层126的第一金属焊盘162和第二金属焊盘164可以分别通过第一导线352和第二导线354连接到第一引线框架322和第二引线框架324。
由于模制构件340可以由例如硅(Si)形成并且可以包括荧光体，所以模制构件340可以改变由发光器件100A发射的光的波长。荧光体可以包括作为波长改变材料的荧光材料，如钇铝石榴石(YAG)基荧光体、铽铝石榴石(TAG)基荧光体、硅酸盐基荧光体、硫化物基荧光体、以及能够将由发光器件100A产生的光转换成白光的氮化物基荧光体，但是本实施例限制荧光体的种类。
YAG基荧光材料和TAG基荧光材料可以选自(Y,Tb,Lu,Sc,La,Gd,或Sm)3(Al,Ga,In,Si,或Fe)5(O或S)12:Ce，并且基于硅酸盐的荧光材料可以选自(Sr,Ba,Ca,或Mg)2SiO4:(Eu,F,或Cl)。
另外，硫化物基荧光体可以从(Ca或Sr)S:Eu,(Sr,Ca,或Ba)(Al或Ga)2S4:Eu中选择，氮化物基荧光体可以从(Sr,Ca,Si,Al,或O)N:Eu(例如，CaAlSiN4:Euβ-SiAlON:Eu)或(Cax或My)(Si或Al)12(O或N)16的荧光体组合物中选择，其中(Cax或My)(Si或Al)12(O或N)16是基于Ca-αSiAlON:Eu的荧光体(0.05<x+y<0.3、0.02<x<0.27和0.03<y<0.3)，其中M是Eu、Tb、Yb和Er中的至少一种材料。
包含N的氮化物基荧光体(例如，CaAlSiN3:Eu)可以用作红色荧光体。与硫化物基荧光体相比，氮化物基红色荧光体在热和潮湿等外部环境下的可靠性高，褪色可能性低。
根据本实施例的多个发光器件封装可以排列在衬底上，并且作为光学构件的导光板、棱镜片、漫射片等可以设置在发光器件封装的光路上。发光器件封装、衬底和光学构件可以用作背光单元。
另外，根据实施例的发光器件封装可以应用于显示装置、指示装置和照明装置。
这里，显示装置可以包括底盖、设置在底盖上的反射板、被配置为发光的发光模块、设置在反射板前面并且被配置为在正向方向上引导发光模块发出的光的导光板、包括设置在导光板前方的棱镜片光学片、设置在光学片前方的显示面板、连接到显示面板的并且被配置为将图像信号提供给显示面板的图像信号输出电路、以及设置在显示面板前方的滤色器。这里，底盖、反射板、发光模块、导光板和光学片可以形成背光单元。
另外，照明装置可以包括：光源模块，包括根据本实施例的衬底和发光器件封装；散热体，配置为辐射光源模块的热量，电源供应器，配置为处理或转换从外部接收的电信号并将该信号传输到光源模块。例如，照明装置可以包括台灯、车头灯和路灯。
车头灯可以包括：发光模块，其包括设置在衬底上的发光器件封装；反射器，其被配置为将发光模块发出的光沿预定方向(例如正向)反射；透镜，被配置为折射由反射器沿正向方向反射的光；以及遮光罩，被配置为通过阻挡或反射由反射器反射并透射向透镜的光的一部分来产生用户期望的光分布图案。
尽管主要描述了实施例，但是它们仅仅是示例，并不限制本发明，并且本领域技术人员可以知道，可以做出以上没有描述的各种修改和应用，而不背离这些实施例的基本特性。例如，根据实施例的特定组件可以被修改。另外，将理解的是，与修改和应用相关的差异落入由所附权利要求限定的本发明的范围内。
[实施发明的方式]
已经通过上述“具体实施方式”充分描述了用于执行本发明的模式。
[工业实用性]
根据实施例的发光器件可以应用于显示装置、指示装置以及诸如台灯、车头灯或路灯的照明装置。

Claims (19)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
发光结构，布置在所述衬底上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；
基座，布置为面向所述衬底；
第一金属焊盘和第二金属焊盘，彼此间隔开地布置在所述基座上；
第一凸块，布置在所述第一金属焊盘上；
多个第二凸块，彼此间隔开地布置在所述第二金属焊盘上；
第一欧姆层，介于所述第一导电半导体层与所述第一凸块之间；
第二欧姆层，介于所述第二导电半导体层与所述多个第二凸块之间；
电流阻挡层，介于所述第二欧姆层与所述第二导电半导体层之间；
其中所述第二欧姆层包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述发光结构的厚度方向上与介于所述多个第二凸块之间的区域叠置，所述第二区域在水平方向上与所述第一区域相邻，
所述电流阻挡层布置在所述第一区域中以在水平方向上与所述第二欧姆层重叠并且所述电流阻挡层的宽度小于所述第二欧姆层的宽度，以及
所述水平方向与所述发光结构的厚度方向相交，
其中，所述电流阻挡层包括与所述第二导电半导体层接触的第一表面以及与所述第一表面相对的第二下表面，以及
其中，所述第二欧姆层与所述第二导电半导体层在所述第二区域中电接触，并且在所述第一区域中不电接触。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层被布置为从所述第一区域延伸到所述第二区域。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层包括布置在所述第一区域中的第一段。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述电流阻挡层还包括从所述第一段延伸到所述第二区域并且在所述发光结构的所述厚度方向上与所述多个第二凸块重叠的第二段。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中：
所述第一段的宽度在10μm至90μm的范围内；以及
所述第二段的宽度在5μm至25μm的范围内。
6.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
基座，布置为面向所述衬底；
第一金属焊盘和第二金属焊盘，彼此间隔开地布置在所述基座上；
第一扩散层，介于所述第一欧姆层与所述第一凸块之间；以及
第二扩散层，介于所述第二欧姆层与所述多个第二凸块之间。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述电流阻挡层包括：
第一表面，与所述第二导电半导体层接触；和
第二表面，在所述发光结构的所述厚度方向上面向所述第二扩散层并且布置为与所述第一表面相对。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中：
所述第二欧姆层包括透光导电材料；和
从所述电流阻挡层的所述第二表面到所述第二扩散层的最短距离在1nm到10nm的范围内。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其中：
所述第二欧姆层包括金属材料；和
从所述电流阻挡层的所述第二表面到所述第二扩散层的最短距离为200nm或更大。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层包括与所述第二导电半导体层肖特基接触的空气或材料。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层包括绝缘材料。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述有源层发射深紫外线波段的光。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层包括多个电流阻挡层，所述多个电流阻挡层具有在所述发光结构的厚度方向与所述多个第二凸块重叠的部分并且沿所述水平方向布置。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述多个电流阻挡层被布置为彼此间隔开。
15.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述多个电流阻挡层被布置为彼此等距离地间隔开。
16.一种发光器件，包括：
衬底；
发光结构，布置在所述衬底上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；
电极层，布置在所述发光结构上；
多个凸块，布置在所述电极层上；
电流阻挡层，所述电流阻挡层布置在所述多个凸块之间的区域中，以在水平方向上与所述电极层重叠并且所述电流阻挡层的宽度小于所述电极层的宽度；以及
第二欧姆层，介于所述第二导电半导体层和所述多个凸块之间，
其中，所述第二欧姆层包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述发光结构的厚度方向上与介于所述多个凸块之间的区域叠置，所述第二区域在水平方向上与所述第一区域相邻，
其中，所述电流阻挡层包括与所述第二导电半导体层接触的第一表面以及与所述第一表面相对的第二下表面，以及
其中，所述第二欧姆层与所述第二导电半导体层在所述第二区域中电接触，并且在所述第一区域中不电接触。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述电极层包括：
欧姆层，介于所述发光结构与所述多个凸块之间；和
扩散层，介于所述欧姆层与所述多个凸块之间，
其中所述电流阻挡层布置在所述欧姆层中。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其中所述发光结构包括：
第一导电半导体层，布置在所述衬底下方；
有源层，布置在所述第一导电半导体层下方；和
第二导电半导体层，布置在所述有源层下方。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其中：
所述扩散层包括第一扩散层和第二扩散层；
所述多个金属焊盘包括第一金属焊盘和第二金属焊盘；
所述多个凸块包括介于在所述第一扩散层与所述第一金属焊盘之间的第一凸块以及介于所述第二扩散层与所述第二金属焊盘之间的多个第二凸块；和
所述电流阻挡层水平地延伸到在所述发光结构的厚度方向上与所述多个第二凸块重叠的区域。
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