CN108700804A - 具有高介电常数的可光成像薄膜 - Google Patents

具有高介电常数的可光成像薄膜 Download PDF

Info

Publication number
CN108700804A
CN108700804A CN201680070805.0A CN201680070805A CN108700804A CN 108700804 A CN108700804 A CN 108700804A CN 201680070805 A CN201680070805 A CN 201680070805A CN 108700804 A CN108700804 A CN 108700804A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
preparation according
film
methyl
zirconium oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201680070805.0A
Other languages
English (en)
Inventor
C·沃尔福-古普塔
Y·饶
S·韩
羽贺满
W·H·H·伍德沃德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ROHM and HAAS ELECT MATERIALS
Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Rohm and Haas Co
Original Assignee
ROHM and HAAS ELECT MATERIALS
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ROHM and HAAS ELECT MATERIALS, Dow Global Technologies LLC, Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical ROHM and HAAS ELECT MATERIALS
Publication of CN108700804A publication Critical patent/CN108700804A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable

Abstract

一种用于制备可光成像膜的制剂；所述制剂包含：(a)负性光致抗蚀剂，其包含：(i)具有环氧基的丙烯酸粘合剂和(ii)光活性物质；以及(b)官能化氧化锆纳米颗粒。

Description

具有高介电常数的可光成像薄膜
技术领域
本发明涉及具有高介电常数的可光成像薄膜。
背景技术
高介电常数薄膜对于如嵌入式电容器、TFT钝化层和栅极电介质的应用来说是高度关注的，以便进一步使微电子组件小型化。获得可光成像高介电常数薄膜的一种方法是将高介电常数纳米颗粒并入到光致抗蚀剂中。US7630043公开了基于含有具有碱溶性单元如羧酸的丙烯酸聚合物和介电常数高于4的细颗粒的正性光致抗蚀剂的复合薄膜。然而，所述参考文献没有公开用于本发明的粘合剂。
发明内容
本发明提供了一种用于制备可光成像膜的制剂；所述制剂包含：(a)负性光致抗蚀剂，其包含：(i)具有环氧基的丙烯酸粘合剂和(ii)光活性物质；以及(b)官能化氧化锆纳米颗粒。
具体实施方式
除非另有规定，否则百分比是重量百分比(wt％)并且温度以℃为单位。除非另有规定，否则操作在室温(20-25℃)下进行。术语“纳米颗粒”是指直径为1到100nm的颗粒；即至少90％的颗粒处于指定的尺寸范围内，并且粒度分布的最大峰高在所述范围内。优选地，纳米颗粒具有75nm或更小、优选50nm或更小、优选25nm或更小、优选10nm或更小、优选7nm或更小的平均直径。优选地，纳米颗粒的平均直径是0.3nm或更大、优选1nm或更大。粒度由动态光散射(DLS)测定。优选地，氧化锆颗粒的由宽度参数BP＝(N75-N25)表征的直径分布的宽度是4nm或更小、优选3nm或更小、优选2nm或更小。优选地，氧化锆颗粒的由BP＝(N75-N25)表征的直径分布的宽度是0.01或更大。考虑如下的商W是有用的：
W＝(N75-N25)/Dm
其中Dm是数均直径。优选地，W是1.0或更小、优选0.8或更小、优选0.6或更小、优选0.5或更小、优选0.4或更小。优选地，W是0.05或更大。
优选地，官能化纳米颗粒包含氧化锆和一种或多种配体，优选具备具有极性官能团的烷基、杂烷基(例如聚(环氧乙烷))或芳基的配体；优选羧酸、醇、三氯硅烷、三烷氧基硅烷或混合氯/烷氧基硅烷；优选羧酸。据信极性官能团键合到纳米颗粒的表面。优选地，配体具有1到25个、优选1到20个、优选3到12个非氢原子。优选地，配体包含碳、氢以及选自由氧、硫、氮和硅组成的群组的其它元素。优选地，烷基是C1-C18、优选C2-C12、优选C3-C8。优选地，芳基是C6-C12。烷基或芳基可以用异氰酸酯、巯基、缩水甘油氧基或(甲基)丙烯酰氧基进一步官能化。优选地，烷氧基是C1-C4，优选甲基或乙基。在有机硅烷中，一些合适的化合物是烷基三烷氧基硅烷、烷氧基(聚亚烷基氧基)烷基三烷氧基硅烷、取代的烷基三烷氧基硅烷、苯基三烷氧基硅烷和其混合物。举例来说，一些合适的有机硅烷是正丙基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、2-[甲氧基(聚亚乙氧基)丙基]-三甲氧基硅烷、甲氧基(三亚乙氧基)丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸基丙基三乙氧基硅烷、3-异氰酸基丙基三甲氧基硅烷、缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和其混合物。在有机醇中，优选是具有式R10OH的醇或醇的混合物，其中R10是脂族基、芳族取代的烷基、芳族基或烷基烷氧基。更优选有机醇是乙醇、丙醇、丁醇、己醇、庚醇、辛醇、十二烷醇、十八烷醇、苯甲醇、苯酚、油醇、三甘醇单甲醚和其混合物。在有机羧酸中，优选是具有式R11COOH的羧酸，其中R11是脂族基、芳族基、聚烷氧基或其混合物。在R11是脂族基的有机羧酸中，优选的脂族基是甲基、丙基、辛基、油基和其混合物。在R11是芳族基的有机羧酸中，优选的芳族基是C6H5。优选地，R11是聚烷氧基。当R11是聚烷氧基时，R11是线性串列的烷氧基单元，其中每个单元中的烷基可以与其它单元中的烷基相同或不同。在R11是聚烷氧基的有机羧酸中，优选的烷氧基单元是甲氧基、乙氧基和其组合。官能化纳米颗粒描述于例如US2013/0221279中。
优选地，制剂中的官能化纳米颗粒的量(以整个制剂的固体基准计算)是50到95wt％；优选至少60wt％、优选至少70wt％、优选至少80wt％、优选至少90wt％；优选不大于90wt％。“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸或甲基丙烯酸。“丙烯酸粘合剂”是丙烯酸聚合物的含水乳液，所述丙烯酸聚合物是具有至少60wt％、优选至少70wt％、优选至少80wt％、优选至少90wt％丙烯酸单体的聚合物。丙烯酸单体包括(甲基)丙烯酸和其C1-C22烷基或羟烷基酯；巴豆酸、衣康酸、富马酸、马来酸、马来酸酐、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯腈和巴豆酸、衣康酸、富马酸或马来酸的烷基或羟烷基酯。丙烯酸聚合物还可以包含其它聚合单体残基，包括例如非离子型(甲基)丙烯酸酯、阳离子型单体、单不饱和二羧酸酯、C1-C22烷基羧酸的乙烯基酯、乙烯基酰胺(包括例如N-乙烯基吡咯烷酮)、磺化丙烯酸单体、乙烯基磺酸、乙烯基卤化物、含磷单体、杂环单体、苯乙烯和取代的苯乙烯。
优选地，负性光致抗蚀剂包含肟酯型光引发剂，其在UV曝光时分解并生成甲基，甲基与存在于光致抗蚀剂制剂中的多官能单体反应以生成不溶网络体系
肟酯型光引发剂的光反应
多官能单体的实例(二季戊四醇六丙烯酸酯)
优选地，丙烯酸粘合剂的重均分子量(Mw)是5,000到50,000克/摩尔，优选至少7,000克/摩尔、优选至少9,000克/摩尔；优选不大于25,000、优选不大于18,000；全部基于聚苯乙烯等效分子量。优选地，丙烯酸粘合剂包含(i)(甲基)丙烯酸C1-C4烷基酯(优选甲基)、(ii)包含环氧基的C3-C12(甲基)丙烯酸酯和(iii)C3-C8羧酸单体的聚合残基。优选地，(甲基)丙烯酸酯是甲基丙烯酸酯。优选地，环氧基存在于通过自由基聚合制备的聚丙烯酸酯共聚物粘合剂的第二共聚单体中。含环氧基的共聚单体的实例包括甲基丙烯酸2，3-环氧丙酯(甲基丙烯酸缩水甘油酯)、丙烯酸4-羟丁酯缩水甘油醚或含环氧基的(甲基)丙烯酸酯。优选地，第一(i)单体含量是52到63％，第二(ii)单体含量是18到22％，并且第三(iii)单体含量是20到25％。最具体来说，在本实施例中，第一单体含量是58％，第二单体含量是20％，并且第三单体含量是22％。
优选地，膜厚度是至少50nm、优选至少100nm、优选至少500nm、优选至少1000nm；优选不大于3000nm、优选不大于2000nm、优选不大于1500nm。优选地，将制剂涂布到标准硅晶片或氧化铟锡(ITO)涂布的载玻片上
实例
1.1材料
粒度分布范围为2到13nm的Pixelligent PA(Pix-PA)和Pixelligent PB(Pix-PB)氧化锆(ZrO2)官能化纳米颗粒购自Pixelligent Inc.。这些纳米颗粒通过溶剂热合成法，用基于锆醇盐的前体合成。所用的可能的基于锆醇盐的前体可以包括异丙醇锆(IV)异丙醇、乙醇锆(IV)、正丙醇锆(IV)和正丁醇锆(IV)。本发明文本中描述的不同潜在的封端剂可以通过盖帽交换过程添加到纳米颗粒。显影剂MF-26A(2.38wt％氢氧化四甲基铵)由陶氏电子材料集团(Dow Electronic Materials group)提供。PNLK-0531宽带g线和i线负性光致抗蚀剂由陶氏电子材料集团提供。表1中详述了PNLK-0531的组成。
表1.负性光致抗蚀剂PNLK-0531的组成.
组分 百分比
聚丙烯酸酯共聚物 14.2
光引发剂 2.13
多官能单体 6.51
表面活性剂 0.15
溶剂 77.01
1.2薄膜制备
制备含有与负性光致抗蚀剂PNLK-0531混合的不同比率的Pixelligent PA(Pix-PA)和Pixelligent PB(Pix-PB)型纳米颗粒(都基于官能化氧化锆纳米颗粒)溶液的溶液。针对所使用的每种薄膜组合物开发旋涂曲线，并相应地调整旋涂速度以对每种组合物获得700和1000nm的目标薄膜厚度。
1.3介电常数表征
在每个纳米颗粒-光致抗蚀剂薄膜上沉积四个直径为3mm的50nm厚的金电极。ITO与鳄鱼夹接触，并且金电极与金线接触，能够对样品施加频率扫描。测量每个样品的电容，并且通过等式1确定介电常数，其中C是电容，εr是介电常数，ε0是真空介电常数，A是电极的面积，并且d是膜的厚度。
C＝εr ε0.A/d 等式1
1.4可光成像性(整片曝光)
使硅晶片上的基于PNLK-0531的薄膜在100℃下经受90秒的软烘烤，并且浸入含有MF-26A的培养皿中80秒。
1.5可光图案化性
用于生成负性光致抗蚀剂PNLK-0531和纳米颗粒-PNK-0531复合薄膜的对比度曲线的工艺条件详述于表2中。用于生成沟槽图案的工艺条件概述于表3中。用于生成接触孔图案的工艺条件概述于表4中。
表2.用于生成基于PNLK-0531的薄膜的对比度曲线的工艺条件.
衬底 Si
膜厚度 软烘烤后1.0μm
软烘烤 100℃ 120秒
曝光步骤 365nm下20-100mJ/cm2
显影步骤 2.38wt％TMAH，70秒
硬烘烤 230℃，在对流烘箱中30分钟
表3.用于生成基于PNLK-0531的薄膜的沟槽图案的工艺条件.
衬底 Si
膜厚度 软烘烤后1.0μm
软烘烤 100℃ 120秒
曝光步骤 365nm下100mJ/cm2
显影步骤 2.38wt％TMAH，70秒
掩模间隙 50μm胶带间隙
硬烘烤 230℃，在对流烘箱中30分钟
表4.用于生成基于PNLK-0531的薄膜的接触孔图案的工艺条件.
衬底 Si
膜厚度 软烘烤后1.0μm
软烘烤 100℃ 120秒
曝光步骤 365nm下100mJ/cm2
显影步骤 2.38wt％TMAH，70秒
掩模间隙 50μm胶带间隙
硬烘烤 230℃，在对流烘箱中30分钟
1.6纳米颗粒在膜中的分散
使用旋涂在各自为约2.5cm2的Kapton衬底上的纳米颗粒-光致抗蚀剂薄膜样品。使用剃刀刀片从旋涂膜的角落提取1mm×2mm的膜片。将这个片安装在一个卡盘上，这样就可以在不需要包括Kapton衬底的情况下将所述层的增厚(角落处的滴落)分成几部分。Leica UC6超薄切片机在室温下操作。切割厚度设定为45nm，切割速率为0.6次/秒。所有切片都使用钻石湿刀。将切片漂浮在水面上并收集到150目formvar涂布的铜网格上，并在环境温度下的开放气氛中干燥。JEOL透射电子显微镜在100kV加速电压下运行，点尺寸为3。聚光镜和物镜光圈都设置得很大。显微镜由Gatan Digital Micrograph v3.10软件控制。使用Gatan Multiscan794CCD照相机收集图像数据。Adobe Photoshop v9.0用于后期处理所有图像。
1.7薄膜厚度测量
刮擦载玻片上的涂层以暴露玻璃表面以测量涂层厚度。为了验证测量的准确性并确保玻璃衬底未被触针损坏，也对没有涂层的玻璃进行刮擦，并且观察到当施加类似的力时没有损坏。表面轮廓是在Dektak 150针式轮廓仪上获得的。测量厚度作为划痕表面与平坦底部之间的高度。对于每个样品，在2个不同划痕下完成至少8次测量。
2.结果
2.1介电常数结果
表5列出了由不同量的Pixelligent PA(Pix-PA)和Pixelligent PB(Pix-PB)纳米颗粒与PNLK-0531负性光致抗蚀剂混合制成的几个薄膜在1.15MHz下测量的介电常数，作为并入光致抗蚀剂中的纳米颗粒的重量百分比的函数。对于基于Pix-PA型纳米颗粒和89.33wt％的纳米颗粒存在于相应薄膜中的薄膜，所获得的介电常数高达11.99，而对于基于Pix-PB型纳米颗粒和93.46wt％的纳米颗粒存在于相应薄膜中的薄膜，介电常数高达11.93。介电常数仍然高于基于Pix-PA的薄膜和59.80的相应wt％、以及基于Pix-PB的薄膜和68.50的相应wt％的陶氏客户CTQ 6.5。表6显示了Pix-PA和PNLK-0531薄膜的相同趋势，以及700nm的目标厚度。
表5.PNLK-0531-纳米颗粒薄膜在1.15MHz下测量的介电常数，作为并入光致抗蚀剂中的纳米颗粒的重量百分比和1000nm的目标膜厚度的函数.
表6.PNLK-0531-纳米颗粒薄膜在1.15MHz下测量的介电常数，作为并入光致抗蚀剂中的纳米颗粒的重量百分比和700nm的目标膜厚度的函数.
2.2复合薄膜的可光成像性
表7和8显示了在经历100℃下90秒软烘烤和MF-26A(2.38wt％TMAH)中80秒浸渍之前和之后基于PNLK-0531的薄膜的厚度。所有薄膜在显影剂中80秒后被移出，与所使用的纳米颗粒的类型(Pix-PA或Pix-PB)和存在于薄膜中的纳米颗粒的wt％无关。
表7.PNLK-0531-纳米颗粒薄膜在经历针对700nm的初始目标膜厚度的显影条件之前和之后的厚度.
表8.PNLK-0531纳米颗粒薄膜在经历针对1000nm的初始目标膜厚度的显影条件之前和之后的厚度.
2.3可光图案化性
2.3.1对比度曲线
如表9所示，含有50-70wt％的Pix-PA的PNLK-0531给出了合理的膜保留率(对于20mJ/cm2的曝光能量在60与66％之间，对于高于40mJ/cm2的曝光能量在70与80％之间，并且处理条件描述于表2中)。散装区域没有发现显影残留物。
表9.对比度曲线.
2.3.2密集的沟槽
如表10所示，对于含有50wt％的Pix-PA的PNLK-0531薄膜(厚度约为650nm)，在20mJ/cm2曝光能量下，可以获得明确限定的1∶1 9-10μm密集沟槽。对于含有60wt％的Pix-PA的PNLK-0531薄膜，在相同的曝光能量下，可以获得明确限定的1∶1 8μm密集沟槽。这些膜的介电常数为6.8，比陶氏客户CTQ 6.5高。相应的膜厚度给出于表11中。
表10.密集的沟槽.
表11.膜厚度
2.3.3接触孔
如表12所示，对于对照PNLK-0531和含有50wt％的Pix-PA纳米颗粒的薄膜，接触孔图案相当明确限定，并且对于10与15mJ/cm2之间的曝光能量呈现5.4的介电常数。对于含有60wt％的Pix-PA纳米颗粒的薄膜，接触孔图案也相当明确限定，并且对于15mJ/cm2的曝光能量呈现6.8的介电常数。最后，对于20mJ/cm2的曝光能量，对于含有70wt％的Pix-PA纳米颗粒的薄膜，接触孔图案相当明确限定，并且呈现8.1的介电常数。相应的膜厚度给出于表13中。
表12.接触孔图案.
表13.膜厚度.
2.4透射率
ZrO2官能化纳米颗粒在含59.8wt％纳米颗粒的负性光致抗蚀剂PNLK-0531薄膜中的分散体的显微照片显示纳米颗粒非常好地分散在光致抗蚀剂中，没有纳米颗粒团聚的迹象。含有59.8wt％Pix-PA纳米颗粒的PNLK-0531薄膜在400nm下的透射率约为97％，这高于客户要求的90％CTQ。整个可见光区的透射率都在95％以上。

Claims (7)

1.一种用于制备可光成像膜的制剂；所述制剂包含：(a)负性光致抗蚀剂，其包含：(i)具有环氧基的丙烯酸粘合剂和(ii)光活性物质；以及(b)官能化氧化锆纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的制剂，其中所述官能化氧化锆纳米颗粒的平均直径是0.3nm到50nm。
3.根据权利要求2所述的制剂，其中所述官能化氧化锆纳米颗粒包含具有羧酸、醇、三氯硅烷、三烷氧基硅烷或混合氯/烷氧基硅烷官能团的配体。
4.根据权利要求3所述的制剂，其中所述配体具有一到二十个非氢原子。
5.根据权利要求4所述的制剂，其中所述丙烯酸粘合剂包含(i)(甲基)丙烯酸C1-C4烷基酯、(ii)包含环氧基的C3-C12(甲基)丙烯酸酯和(iii)C3-C8羧酸单体的聚合残基。
6.根据权利要求5所述的制剂，其中所述制剂中的官能化纳米颗粒的量以整个制剂的固体基准计算是50到95wt％。
7.根据权利要求6所述的制剂，其中所述丙烯酸粘合剂的重均分子量是5，000到50,000。
CN201680070805.0A 2015-12-17 2016-12-07 具有高介电常数的可光成像薄膜 Pending CN108700804A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562268540P 2015-12-17 2015-12-17
US62/268540 2015-12-17
PCT/US2016/065227 WO2017105938A1 (en) 2015-12-17 2016-12-07 Photo-imageable thin films with high dielectric constants

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108700804A true CN108700804A (zh) 2018-10-23

Family

ID=57861216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680070805.0A Pending CN108700804A (zh) 2015-12-17 2016-12-07 具有高介电常数的可光成像薄膜

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20180364572A1 (zh)
EP (1) EP3391147A1 (zh)
JP (1) JP2019500640A (zh)
KR (1) KR20180095544A (zh)
CN (1) CN108700804A (zh)
TW (1) TW201741766A (zh)
WO (1) WO2017105938A1 (zh)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030064320A1 (en) * 2000-12-05 2003-04-03 Makoto Hanabata Active components and photosensitive resin composition containing the same
US6649672B1 (en) * 1999-06-02 2003-11-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Binding agents modified by nanoparticles for coating agents and use of the same
CN101109879A (zh) * 2006-07-19 2008-01-23 株式会社日立显示器 液晶显示装置及其制造方法
CN101463175A (zh) * 2007-12-19 2009-06-24 拜尔材料科学股份公司 包含纳米粒子的粘结剂
CN102639432A (zh) * 2009-12-02 2012-08-15 3M创新有限公司 官能化的氧化锆纳米粒子及由其制备的高折射率膜
CN102844708A (zh) * 2010-04-14 2012-12-26 东丽株式会社 负型感光性树脂组合物、使用该组合物的保护膜及触摸面板构件
US20130221279A1 (en) * 2010-10-27 2013-08-29 Pixelligent Technologies, Llc Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
JP2013205435A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Jsr Corp アレイ基板、液晶表示素子、感放射線性樹脂組成物およびアレイ基板の製造方法
CN103907057A (zh) * 2011-11-01 2014-07-02 Az电子材料美国公司 纳米复合负型光敏性组合物及其用途
US20150004801A1 (en) * 2013-06-28 2015-01-01 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Spin-on compositions of soluble metal oxide carboxylates and methods of their use
JP2015017193A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 日産化学工業株式会社 固体撮像素子用高屈折率膜形成組成物
CN104519916A (zh) * 2012-08-23 2015-04-15 通用电气公司 用于诊断成像的纳米微粒组合物
US20150126029A1 (en) * 2013-11-05 2015-05-07 Sony Corporation Dry film photoresist, manufacturing method of dry film photoresist, metal pattern forming method and electronic component
CN105593294A (zh) * 2013-07-25 2016-05-18 埃西勒国际通用光学公司 用于可固化涂层的混合环氧-丙烯酸与氧化锆纳米复合材料

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6649672B1 (en) * 1999-06-02 2003-11-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Binding agents modified by nanoparticles for coating agents and use of the same
US20030064320A1 (en) * 2000-12-05 2003-04-03 Makoto Hanabata Active components and photosensitive resin composition containing the same
CN101109879A (zh) * 2006-07-19 2008-01-23 株式会社日立显示器 液晶显示装置及其制造方法
CN101463175A (zh) * 2007-12-19 2009-06-24 拜尔材料科学股份公司 包含纳米粒子的粘结剂
CN102639432A (zh) * 2009-12-02 2012-08-15 3M创新有限公司 官能化的氧化锆纳米粒子及由其制备的高折射率膜
CN102844708A (zh) * 2010-04-14 2012-12-26 东丽株式会社 负型感光性树脂组合物、使用该组合物的保护膜及触摸面板构件
US20130221279A1 (en) * 2010-10-27 2013-08-29 Pixelligent Technologies, Llc Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
CN103907057A (zh) * 2011-11-01 2014-07-02 Az电子材料美国公司 纳米复合负型光敏性组合物及其用途
JP2013205435A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Jsr Corp アレイ基板、液晶表示素子、感放射線性樹脂組成物およびアレイ基板の製造方法
CN104519916A (zh) * 2012-08-23 2015-04-15 通用电气公司 用于诊断成像的纳米微粒组合物
CN104519917A (zh) * 2012-08-23 2015-04-15 通用电气公司 用于诊断成像的纳米微粒组合物
US20150004801A1 (en) * 2013-06-28 2015-01-01 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Spin-on compositions of soluble metal oxide carboxylates and methods of their use
JP2015017193A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 日産化学工業株式会社 固体撮像素子用高屈折率膜形成組成物
CN105593294A (zh) * 2013-07-25 2016-05-18 埃西勒国际通用光学公司 用于可固化涂层的混合环氧-丙烯酸与氧化锆纳米复合材料
US20150126029A1 (en) * 2013-11-05 2015-05-07 Sony Corporation Dry film photoresist, manufacturing method of dry film photoresist, metal pattern forming method and electronic component

Also Published As

Publication number Publication date
TW201741766A (zh) 2017-12-01
JP2019500640A (ja) 2019-01-10
US20180364572A1 (en) 2018-12-20
KR20180095544A (ko) 2018-08-27
WO2017105938A1 (en) 2017-06-22
EP3391147A1 (en) 2018-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI364441B (en) Organosilicone resin emulsion composition and article having coating thereof
CN103476890B (zh) 粘合片
JP6943865B2 (ja) 光学用途向けナノコンポジット配合物
CN102471583B (zh) 包含氟化的混合组合物的制品
CN106243596A (zh) 金属氧化物微粒分散浆料
CN106103610A (zh) 银纳米线油墨的制造方法以及银纳米线油墨及透明导电涂膜
TW201247810A (en) Electroconductive member, method for manufacturing the same, composition, touch panel and solar cell using the same
TWI599585B (zh) 樹脂組成物、使用其之觸控面板感測器用透明膜及觸控面板
US20020120039A1 (en) Vinyl copolymer emulsion
CN115558419B (zh) 一种光固化复合型环氧氟硅树脂涂料及其制备和涂层制备方法
JP2006335925A (ja) スルホン酸基含有ポリマー、及びその製造方法、並びにポリマー組成物
JPWO2019240154A1 (ja) 無機酸化物微粒子分散液
CN108700804A (zh) 具有高介电常数的可光成像薄膜
TW201716517A (zh) 用於剛性及可撓性基材之導電透明塗層
WO2015049939A1 (ja) 感光性導電フィルム、これを用いた導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
TWI785051B (zh) 透明樹脂組成物、透明被膜及被覆透明樹脂之玻璃基板
CN110317525A (zh) 一种导电高分子水性浆料及其制备方法和应用
CN108292095A (zh) 具有高介电常数的光可成像薄膜
JP2017037116A (ja) 感光性樹脂組成物
CN108369375A (zh) 具有高介电常数的可光成像薄膜
JP5510126B2 (ja) 表面処理剤
CN108780277A (zh) 具有高介电常数的光可成像薄膜
CN108780272A (zh) 具有高介电强度的光可成像薄膜
Hoffmann et al. Highly porous nanocoatings tailored for inverse nanoparticle‐polymer composites
JPH11181210A (ja) 安定化された水性硬化性組成物

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20181023