CN108695150B - 一种半导体晶圆批量刻蚀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体工艺技术领域，具体涉及一种半导体晶圆批量刻蚀方法，该刻蚀方法涉及到的刻蚀装置包括反应腔、晶圆固定装置、气体注入口、激励线圈、旋转装置、离子加速器和加热装置。反应腔上设置有进气口、出气口和真空泵，真空泵与出气口相连接；晶圆固定装置位于反应腔内部；气体注入口设置在反应腔顶部；激励线圈环绕反应腔设置，激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；旋转装置与晶圆固定装置相连，旋转装置用于带动晶圆绕反应腔轴线旋转；离子加速器固定在反应腔内壁上，离子加速器用于对电离后的氯离子加速，使氯离子撞击晶圆；加热装置位于反应腔外部，加热装置用于对晶圆的加热。本装置适用于大批量的晶圆的刻蚀，有利于提高生产率。

Description

一种半导体晶圆批量刻蚀方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域，具体涉及一种半导体晶圆批量刻蚀方法。
背景技术
半导体晶圆刻蚀是指将晶圆表面均匀移除或图案选择性部分移除的过程，它对于半导体材料加工具有十分重要的意义。传统的刻蚀方法刻蚀效率低，并且对所需刻蚀材料要求高，刻蚀高熔点材料难度较高，满足不了生产需求。
现有技术中也出现了一种半导体刻蚀的技术方案，如申请号为CN201410356255.1的一项中国专利中公开了一种刻蚀方法。其刻蚀装置包括：反应腔、晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。在一定程度上提高了刻蚀产物的排出效率，但由于每次只能对一块晶圆进行操作，工作效率较低。并且晶圆受热不均匀，一些特殊材料刻蚀所需温度较高，该技术方案无法解决。
鉴于此，本发明所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，不仅能够有效的排出刻蚀产物，加快刻蚀过程，提高生产效率，同时可以实现晶圆的批量刻蚀。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，本发明提出了一种半导体晶圆批量刻蚀方法，本发明主要用于实现大批量的晶圆的刻蚀，同时可以更加有效的排出刻蚀产物，并且本发明可以有效的使待刻蚀晶圆均匀受热至所需刻蚀温度，能够有效提高晶圆刻蚀的生产效率。本发明通过旋转装置、加热装置、离子加速器、晶圆固定装置、激励线圈和反应腔的配合，通过晶圆的旋转使得晶圆表面的刻蚀产物得以有效排出，能够加速半导体晶圆刻蚀的效率，节约生产时间。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，该刻蚀方法采用如下刻蚀装置，该刻蚀装置包括反应腔、晶圆固定装置、气体注入口、激励线圈、旋转装置、离子加速器和加热装置；所述反应腔上设置有进气口、出气口和真空泵，真空泵与出气口相连接，真空泵用于将刻蚀完成后反应腔内的气体排出；所述晶圆固定装置数量为四，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部，晶圆的待刻蚀面垂直于反应腔的底部；所述气体注入口设置在反应腔顶部，气体注入口用于向反应腔通入刻蚀气体；所述激励线圈环绕反应腔设置，激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；所述旋转装置与晶圆固定装置相连，旋转装置用于带动晶圆绕反应腔轴线旋转；所述的离子加速器数量为四，离子加速器固定在反应腔内壁上方，离子加速器分别与四个晶圆固定装置相对，离子加速器作用在于对电离后的氯离子加速，使氯离子撞击晶圆；所述的加热装置位于反应腔外部，加热装置用于对晶圆进行加热；
该刻蚀方法包括如下步骤：
步骤一：将待刻蚀晶圆固定在晶圆固定装置上；
步骤二：步骤一中晶圆完成固定后，从反应腔顶部气体注入口注入氯气；
步骤三：步骤二中通完氯气后，开启加热装置，使热空气进入反应腔内对晶圆进行加热；
步骤四：步骤三中晶圆加热后，开启激励线圈，将氯气电离成氯离子，并开启离子加速器，对氯离子进行加速；
步骤五：步骤四中的氯气被电离成氯离子，氯离子加速后，开启旋转装置，使得晶圆旋转；
步骤六：刻蚀结束后，打开反应腔上的出气口，通过真空泵将反应腔内的刻蚀气体排出，关闭所有装置，将刻蚀后的晶圆取出。
所述的旋转装置包括旋转固定支架、连接轴和旋转电机，所述旋转电机固定在反应腔的外壁上，旋转电机位于反应腔的下方；所述连接轴安装在反应腔内部，连接轴的下端与旋转电机相连接；所述旋转固定支架数量为四，旋转固定支架位于反应腔内部，旋转固定支架水平固定在连接轴的上端，旋转固定支架上固定有晶圆固定装置。工作时，旋转电机带动连接轴转动，连接轴带动旋转固定支架旋转，晶圆固定装置上固定的晶圆随着旋转固定装置同步转动，旋转过程中的晶圆与反应腔内的氯气进行反应，反应后位于晶圆表面的刻蚀产物由于晶圆的旋转从晶圆表面排出。
所述的加热装置包括进气装置、空气过滤器和加热器，所述加热器一端与反应腔相连，加热器另一端与空气过滤器相连；所述进气装置与空气过滤器相连，空气通过进气装置进入空气过滤器过滤。工作时，外界的空气通过进气装置进入空气过滤器，空气过滤器对进入的空气进行过滤，过滤后的空气进入加热器进行加热，加热后的空气通过反应腔上的进气口进入反应腔内，加热后的空气为反应腔内的晶圆进行加热，通过热空气加热晶圆可以使晶圆受热均匀。
所述晶圆的待刻蚀面具有Au、Ag、Pt、Cu或In材料。工作时，这些材料在加热状态下达到一定温度后开始与反应腔内经电离后的氯离子发生化学反应，反应过程中电离后的氯离子通过固定在反应腔上的离子加速器加速，加速后的氯离子不断地轰击晶圆的表面，加快反应的过程。
所述的连接轴上还设有刻蚀产物吸附板；所述刻蚀产物吸附板位于反应腔内部，刻蚀产物吸附板水平固定在连接轴的上部，刻蚀产物吸附板数量为四，刻蚀产物吸附板为矩形结构，刻蚀产物吸附板表面一侧开有进气孔，刻蚀产物吸附板内部设有通道，刻蚀产物吸附板内部的通道与其表面的进气孔相连通，连接轴内部设有空心的通道，刻蚀产物吸附板内部的通道与连接轴内部的通道相连通。工作时，刻蚀产物吸附板与连接轴一起转动，转动过程中从晶圆表面排出的刻蚀产物通过刻蚀产物吸附板表面的进气孔进入刻蚀产物吸附板内部通道，进入刻蚀产物吸附板内部通道的刻蚀产物通过连接轴内部通道排出。
所述的刻蚀产物吸附板还可以设置为一单面带有梯形凹槽的矩形块，刻蚀产物吸附板带凹槽一侧表面开有进气孔，矩形块内部设有通道与表面进气孔相连通，刻蚀产物吸附板凹槽上连接一块方板；所述方板内部设有通道，方板内部的通道与刻蚀产物吸附板内部通道相连通，方板远离矩形块的一端用铰接的方式连接两个方块；所述方块靠近刻蚀产物吸附板一侧用弹簧与方板连接，方块靠近刻蚀产物吸附板一侧表面开有进气孔，方块内部设有通道，方块表面的进气孔与方块内部通道相连通，方块内部的通道与方板内部的通道相联通。工作时，从晶圆表面排出的刻蚀产物通过刻蚀产物吸附板表面的进气孔进入刻蚀产物吸附板内部的通道，刻蚀产物吸附板由于具有斜面和铰接在刻蚀产物吸附板上的两个方块，刻蚀后进入方块与刻蚀产物吸附板之间的刻蚀产物更加容易进入刻蚀产物吸附板，刻蚀产物还可以通过刻蚀产物吸附板与其表面铰接的两个方块进入刻蚀产物吸附板内的通道，再由连接轴内部通道排出。
本发明的有益效果是：
1.本发明所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，所述反应腔、旋转装置、刻蚀产物吸附板、晶圆固定装置、加热装置、真空泵、离子加速器和激励线圈相配合,氯气进入反应腔经过激励线圈电离后，与加热的晶圆发生反应,旋转装置带动晶圆固定装置同步转动，这样可以有效的保证刻蚀产物从晶圆表面完全排出，刻蚀产物不会附着在晶圆表面，阻碍反应的进行。
2.本发明所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，所述旋转装置包括旋转电机、连接轴和旋转固定支架，除此之外，所述的连接轴上还设置有刻蚀产物吸附板，刻蚀过程中，所述旋转电机带动连接轴和旋转固定支架转动，这样方便将刻蚀后的刻蚀产物进入刻蚀产物吸附板，从而进入连接轴内部，最终排出反应腔,从而保证了反应腔内部的刻蚀气体浓度，使得刻蚀过程持续快速进行，并确保了刻蚀完成后，刻蚀气体的可回收率，避免了刻蚀气体的浪费。
3.本发明所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，所述的加热装置包括进气装置、空气过滤器和加热器。工作时，通过进气装置进入的空气经过空气过滤器过滤，空气过滤后由加热装置加热，最后进入反应腔对晶圆进行加热。用热空气加热晶圆可以保证晶圆受热均匀，并保证晶圆达到刻蚀所需温度，热空气还可以为氯离子提供能量，使氯离子在反应腔内更加活跃，加块与晶圆的反应，加热后的空气还可以促进刻蚀产物的排出。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的刻蚀方法流程图；
图2是本发明的主视图；
图3是图1中A-A剖视图；
图4是本发明图3中A处的局部放大图；
图中：反应腔1、晶圆固定装置2、气体注入口3、激励线圈4、旋转装置5、离子加速器6、加热装置7、进气口11、出气口12、真空泵13、旋转固定支架51、连接轴52、旋转电机53、进气装置71、空气过滤器72、加热器73、刻蚀产物吸附板8、进气孔81、方板82、方块83、弹簧84。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1至图4所示，本发明所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，该刻蚀方法采用如下刻蚀装置，该刻蚀装置，包括反应腔1、晶圆固定装置2、气体注入口3、激励线圈4、旋转装置5、离子加速器6和加热装置7；所述反应腔1上设置有进气口11、出气口12和真空泵13，真空泵13与出气口12相连接，真空泵13用于将刻蚀完成后反应腔1内的气体排出；所述晶圆固定装置2数量为四，晶圆固定装置2用于将晶圆固定在反应腔1的内部，晶圆的待刻蚀面垂直于反应腔1的底部；所述气体注入口3设置在反应腔1顶部，气体注入口3用于向反应腔1通入刻蚀气体；所述激励线圈4环绕反应腔1设置，激励线圈4用于将刻蚀气体激发成等离子体；所述旋转装置5与晶圆固定装置2相连，旋转装置5用于带动晶圆绕反应腔1轴线旋转；所述的离子加速器6数量为四，离子加速器6固定在反应腔1的内壁上，离子加速器6分别与四个晶圆固定装置2相对，离子加速器6作用在于对电离后的氯离子加速，使氯离子撞击晶圆，加快刻蚀的速度；所述的加热装置7位于反应腔1外部，加热装置7用于对晶圆进行加热；
该刻蚀方法包括如下步骤：
步骤一：将待刻蚀晶圆固定在晶圆固定装置2上；
步骤二：步骤一中晶圆完成固定后，从反应腔1顶部气体注入口3注入氯气；
步骤三：步骤二中通完氯气后，开启加热装置7，使热空气进入反应腔1内对晶圆进行加热；
步骤四：步骤三中晶圆加热后，开启激励线圈4，将氯气电离成氯离子，并开启离子加速器6，对氯离子进行加速；
步骤五：步骤四中的氯气被电离成氯离子，氯离子加速后，开启旋转装置5，使得晶圆旋转；
步骤六：刻蚀结束后，打开反应腔1上的出气口12，通过真空泵13将反应腔内的刻蚀气体排出，关闭所有装置，将刻蚀后的晶圆取出。
所述的旋转装置5包括旋转固定支架51、连接轴52和旋转电机53，所述旋转电机53固定在反应腔1的外壁上，旋转电机53位于反应腔1的下方；所述连接轴52安装在反应腔1内部，连接轴52的下端与旋转电机53相连接；所述旋转固定支架51数量为四，旋转固定支架51位于反应腔1内部，旋转固定支架51水平固定在连接轴52的上端，旋转固定支架51上固定有晶圆固定装置2。工作时，旋转电机53带动连接轴52转动，连接轴52带动旋转固定支架51旋转，晶圆固定装置2上固定的晶圆随着旋转装置5同步转动，旋转过程中的晶圆与反应腔1内的氯离子进行反应，反应后残留在晶圆表面的刻蚀产物由于晶圆的旋转从晶圆表面排出。
所述的加热装置7包括进气装置71、空气过滤器72和加热器73，所述加热器73一端与反应腔1相连，加热器73另一端与空气过滤器72相连；所述进气装置71与空气过滤器72相连，空气通过进气装置71进入空气过滤器72进行过滤。工作时，外界的空气通过进气装置71进入空气过滤器72，空气过滤器72对进入的空气进行过滤，过滤后的空气进入加热器73进行加热，加热后的空气通过反应腔1上的进气口11进入反应腔1内，加热后的空气为反应腔1内的晶圆进行加热，通过热空气加热晶圆可以使晶圆受热均匀。
所述晶圆的待刻蚀面具有Au、Ag、Pt、Cu或In材料。工作时，这些材料在加热状态下达到一定温度后开始与反应腔1内经电离后的氯离子发生化学反应，反应过程中电离后的氯离子通过固定在反应腔1上的离子加速器6加速，加速后的氯离子不断地轰击晶圆的表面，加快反应的过程。
所述的连接轴52上还设有刻蚀产物吸附板8；所述刻蚀产物吸附板8位于反应腔1内部，刻蚀产物吸附板8水平固定在连接轴52的上部，刻蚀产物吸附板8数量为四，刻蚀产物吸附板8为矩形结构，刻蚀产物吸附板8表面一侧开有进气孔81，刻蚀产物吸附板8内部设有通道，刻蚀产物吸附板8内部的通道与其表面的进气孔81相连通，连接轴52内部设有空心的通道，刻蚀产物吸附板8内部的通道与连接轴52内部的通道相连通。工作时，刻蚀产物吸附板8与连接轴52一起转动，转动过程中从晶圆表面排出的刻蚀产物通过刻蚀产物吸附板8表面的进气孔81进入刻蚀产物吸附板8内部通道，进入刻蚀产物吸附板8内部通道的刻蚀产物通过连接轴52内部通道排出。
作为本发明的一种实施方式，所述的刻蚀产物吸附板8还可以设置为一单面带有梯形凹槽的矩形块，刻蚀产物吸附板8带凹槽一侧表面开有进气孔81，矩形块内部设有通道与表面进气孔81相连通，刻蚀产物吸附板8凹槽上连接一块方板82；所述方板82内部设有通道，方板内部通道与刻蚀产物吸附板8内部通道相连通，方板82远离矩形块的一端用铰接的方式连接两个方块83；所述方块83靠近刻蚀产物吸附板8一侧用弹簧84与方板82连接，方块83靠近刻蚀产物吸附板8一侧表面开有进气孔81，方块83内部设有通道，方块83内部的通道与方板82内部的通道相联通。工作时，从晶圆表面排出的刻蚀产物通过刻蚀产物吸附板8表面的进气孔81进入刻蚀产物吸附板8内部的通道，刻蚀产物吸附板8由于具有斜面和铰接在刻蚀产物吸附板8上的两个方块83，刻蚀后进入阻挡块与刻蚀产物吸附板8之间的刻蚀产物更加容易进入刻蚀产物吸附板8，刻蚀产物还可以通过刻蚀产物吸附板8与其表面铰接的两个方块83进入刻蚀产物吸附板8内的通道，再由连接轴52内部通道排出。
具体操作流程如下：
晶圆固定在晶圆固定装置2上，氯气从反应腔1上部气体注入口3注入反应腔1，旋转电机53带动连接轴52转动，连接轴52带动旋转固定支架51旋转，晶圆固定装置2上固定的晶圆随着旋转固定支架51同步转动；反应腔1内的氯气在激励线圈4的作用下发生电离，产生氯离子；外界的空气通过进气装置71进入空气过滤器72，空气过滤器72将进入的空气进行过滤，过滤后的空气进入加热器73进行加热，加热后的空气通过反应腔1上的进气口11进入反应腔1内，加热后的空气为反应腔1内的晶圆进行加热，通过热空气加热晶圆可以使晶圆受热均匀；旋转过程中的晶圆与反应腔1内的氯离子进行反应，反应过程中电离后的氯离子通过固定在反应腔1上的离子加速器6加速，加速后的氯离子不断地轰击晶圆的表面，加快反应的过程；反应后位于晶圆表面的刻蚀产物由于晶圆的旋转从晶圆表面排出。刻蚀产物吸附板8与连接轴52一起转动，转动过程中从晶圆表面排出的刻蚀产物通过刻蚀产物吸附板8表面的进气孔81进入刻蚀产物吸附板8内部通道，进入刻蚀产物吸附板8内部通道的刻蚀产物通过连接轴52内部通道排出。
从晶圆表面排出的刻蚀产物通过刻蚀产物吸附板8表面的进气孔81进入刻蚀产物吸附板8内部的通道，刻蚀产物吸附板8由于具有斜面和铰接在刻蚀产物吸附板8上的两个方块83，因此刻蚀后的刻蚀产物更加容易进入刻蚀产物吸附板8，刻蚀产物可以通过刻蚀产物吸附板8与其表面铰接的两个方块83进入刻蚀产物吸附板8内的通道，再由连接轴52内部通道排出。刻蚀完成后，反应腔1内的气体再由真空泵13排出。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (5)

1.一种半导体晶圆批量刻蚀方法，其特征在于：该刻蚀方法采用如下刻蚀装置，该刻蚀装置包括反应腔(1)、晶圆固定装置(2)、气体注入口(3)、激励线圈(4)、旋转装置(5)、离子加速器(6)和加热装置(7)；所述的反应腔(1)上设置有进气口(11)、出气口(12)和真空泵(13)，真空泵(13)与出气口(12)相连接，真空泵(13)用于将刻蚀完成后反应腔(1)内的气体排出；所述晶圆固定装置(2)数量为四，晶圆固定装置(2)用于将晶圆固定在反应腔(1)的顶部，晶圆的待刻蚀面垂直于反应腔(1)的底部；所述气体注入口(3)设置在反应腔(1)顶部，气体注入口(3)用于向反应腔(1)通入刻蚀气体；所述激励线圈(4)环绕反应腔(1)设置，激励线圈(4)用于将刻蚀气体激发成等离子体；所述旋转装置(5)与晶圆固定装置(2)相连，旋转装置(5)用于带动晶圆绕反应腔(1)轴线旋转；所述的离子加速器(6)数量为四，离子加速器(6)固定在反应腔(1)内壁上，离子加速器(6)分别与四个晶圆固定装置(2)相对，离子加速器(6)作用在于对电离后的等离子体加速，使离子体撞击晶圆；所述的加热装置(7)位于反应腔(1)外部，加热装置(7)用于对晶圆的加热；
该刻蚀方法包括如下步骤：
步骤一：将待刻蚀晶圆固定在晶圆固定装置(2)上；
步骤二：步骤一中晶圆完成固定后，从反应腔(1)顶部气体注入口(3)注入氯气；
步骤三：步骤二中通完氯气后，开启加热装置(7)，使热空气进入反应腔(1)内对晶圆进行加热；
步骤四：步骤三中晶圆加热后，开启激励线圈(4)，将氯气电离成氯离子，并开启离子加速器(6)，对氯离子进行加速；
步骤五：步骤四中的氯气被电离成氯离子，氯离子加速后，开启旋转装置(5)，使得晶圆旋转；
步骤六：刻蚀结束后，打开反应腔(1)上的出气口(12)，通过真空泵(13)将反应腔内的刻蚀气体排出，关闭所有装置，将刻蚀后的晶圆取出；
所述的旋转装置(5)包括旋转固定支架(51)、连接轴(52)和旋转电机(53)，所述旋转电机(53)固定在反应腔(1)的外壁上，旋转电机(53)位于反应腔(1)的下方；所述连接轴(52)安装在反应腔(1)内部，连接轴(52)的下端与旋转电机(53)相连接；所述旋转固定支架(51)数量为四，旋转固定支架(51)位于反应腔(1)内部，旋转固定支架(51)水平固定在连接轴(52)的上端，旋转固定支架(51)上固定有晶圆固定装置(2)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，其特征在于：所述的加热装置(7)包括进气装置(71)、空气过滤器(72)和加热器(73)，所述加热器(73)一端与反应腔(1)相连，加热器(73)另一端与空气过滤器(72)相连；所述进气装置(71)与空气过滤器(72)相连，空气通过进气装置(71)进入空气过滤器(72)过滤。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，其特征在于：所述晶圆的待刻蚀面具有Au、Ag、Pt、Cu 或 In 材料。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，其特征在于：所述的连接轴(52)上还设有刻蚀产物吸附板(8)；刻蚀产物吸附板(8)位于反应腔(1)内部，刻蚀产物吸附板(8)水平固定在连接轴(52)的上部，所述刻蚀产物吸附板(8)数量为四，刻蚀产物吸附板(8)为矩形结构，刻蚀产物吸附板(8)表面一侧开有进气孔(81)，刻蚀产物吸附板(8)内部设有通道，刻蚀产物吸附板(8)内部的通道与其表面的进气孔(81)相通，连接轴(52)内部为空心的通道，刻蚀产物吸附板(8)内部的通道与连接轴(52)内部的通道相连通。
5.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆批量刻蚀方法，其特征在于：所述的刻蚀产物吸附板(8)还可以设置为一单面带有梯形凹槽的矩形块，刻蚀产物吸附板(8)带凹槽一侧表面开有进气孔(81)，矩形块内部设有通道与表面进气孔(81)相连通，刻蚀产物吸附板(8)凹槽上连接一块方板(82)；所述方板(82)内部设有通道，方板内部的通道与刻蚀产物吸附板(8)内部通道相连通，方板(82)远离矩形块的一端用铰接的方式连接两个方块(83)；所述方块(83)靠近刻蚀产物吸附板(8)一侧用弹簧(84)与方板(82)连接，方块(83)靠近刻蚀产物吸附板(8)一侧表面开有进气孔(81)，方块(83)内部设有通道，方块(83)内部通道与方块(83)表面进气孔相连通，方块(83)内部的通道与方板(82)内部的通道相连通。
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TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
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JP2006319181A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマエッチング装置、及び当該装置のクリーニング方法
JP5391659B2 (ja) * 2008-11-18 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2014069094A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 キヤノンアネルバ株式会社 半導体装置の製造方法、イオンビームエッチング装置及び制御装置

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