CN111354618B - 一种等离子体去胶装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种等离子体去胶装置，包括真空室、沿竖直方向贯穿真空室底部的转轴、与转轴的底部传动连接的转轴驱动机构、设置在转轴顶部的可调式样品支撑机构、设置在真空室内并位于可调式样品支撑机构上方的等离子体发生单元、气体恒温循环系统、气瓶及真空泵，气体恒温循环系统的一端与真空室的侧面相连通，另一端与真空室的顶部相连通，气瓶及真空泵分别与真空室的内部相连通。与现有技术相比，本发明能够提高刻蚀光刻胶的速度及均匀度，缩短等离子气体到达样品表面的时间，避免等离子体直接作用在样品上对其造成损伤，通过气体加热样品和特殊的样品支撑机构能够避免薄膜氧化和受力的接触面不均匀而导致的变形等问题。

Description

一种等离子体去胶装置
技术领域
本发明属于低温等离子体及表面处理技术领域，涉及一种等离子体去胶装置。
背景技术
目前，对于晶圆或集成电路芯片的去胶工艺，通常采用的是化学腐蚀去胶法，该方法需要用到很多化学药品，在操作时这些药品有一定的危险性；同时，利用化学品处理还会产生很多的废液，对环境造成一定的污染；化学药品还会污染产品，对其成品率带来一定的影响，因此，应考虑一些更为环保有效的去胶方法，避免或尽量少用化学药品。等离子体去胶法正是克服上述问题的有效工艺之一。等离子体去胶法是一种干式法，具有成品率高、工序简单、时间短、操作较安全、重复性好、无需进行废液处理等许多优点。
虽然等离子体去胶法有许多的优点，但现有的等离子体去胶装置或多或少都存在一些问题，例如：等离子体电极上电压分布不均匀或待处理样品表面导电性不均匀造成的去胶不均匀；等离子体束直接作用到晶圆表面对其造成损伤；现有的集成电路芯片或晶圆支架可能会由于受力的接触面不均匀而导致集成电路芯片或晶圆变形等。
中国发明专利CN 109932875 A公开了一种加热盘及应用其的等离子去胶机、等离子去胶方法，虽然通过使用导热支撑凸点可以在一定程度上提高刻蚀均匀度，改善氧化问题，但依然无法完全避免电极电压不均匀产生的等离子束对刻蚀均匀度的影响，极大地降低了样品的均匀度和成品率。中国发明专利CN 101201558 A公开了一种等离子去胶台可调式载片体，虽然装卸灵活，但夹持式的夹片可能在装卸过程中对样品造成损害，且机器的长时间振动可能会引起样品的滑落。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种等离子体去胶装置，该装置能够提高刻蚀光刻胶的速度及均匀度，缩短等离子气体到达样品(晶圆或集成电路芯片)表面的时间，避免等离子体直接作用在样品上对其造成损伤，通过气体加热样品和特殊的样品支撑机构能够避免薄膜氧化和受力的接触面不均匀而导致的变形等问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种等离子体去胶装置，该装置包括真空室、沿竖直方向贯穿真空室底部的转轴、与转轴的底部传动连接的转轴驱动机构、设置在转轴顶部的可调式样品支撑机构、设置在真空室内并位于可调式样品支撑机构上方的等离子体发生单元、气体恒温循环系统、气瓶及真空泵，所述的气体恒温循环系统的一端与真空室的侧面相连通，另一端与真空室的顶部相连通，所述的气瓶及真空泵分别与真空室的内部相连通。真空泵用于使真空室处于真空状态，气瓶用于向真空室内通入所需的工作气体(氧气、氨气等)。
进一步地，所述的真空室的下方设有电机安装室，所述的转轴驱动机构位于电机安装室内。
进一步地，所述的转轴驱动机构包括电机以及设置在电机与转轴之间的传动齿轮组，所述的转轴为升降轴，所述的转轴上设有高度调节旋钮，通过高度调节旋钮可适当调节转轴的高度。电机通过传动齿轮组带动转轴转动，进而带动转轴上的可调式样品支撑机构以及置于可调式样品支撑机构上的样品(晶圆或集成电路芯片)同步转动，使样品表面能够均匀接触到等离子体。转轴的转动速率为1-20r/min。
进一步地，所述的可调式样品支撑机构包括多个沿周向均匀布设在转轴顶部的支撑臂、套设在支撑臂上并可沿支撑臂长度方向移动的支撑底座以及设置在支撑底座上的固定旋钮。根据不同半径大小的样品，调节支撑底座在支撑臂上的位置，之后旋紧固定旋钮，对支撑底座的位置进行固定。支撑臂优选为5个，材质为聚四氟乙烯或环氧树脂，长度为5-20cm。支撑底座及固定旋钮的材质为聚四氟乙烯或环氧树脂。
进一步地，所述的支撑臂的侧面沿支撑臂长度方向开设有固定槽，所述的固定旋钮的一端穿过支撑底座的侧面并伸入固定槽内。当需要固定支撑底座时，旋紧固定旋钮，使固定旋钮的一端仅仅抵在固定槽壁面上。
进一步地，所述的支撑底座包括底部支撑部以及外侧限位部。底部支撑部用于对样品的底部进行支撑，外侧限位部用于对样品的外侧边缘进行卡紧固定。
进一步地，所述的等离子体发生单元包括依次交替设置的多个低压电极及多个高压电极，所述的低压电极及高压电极均位于可调式样品支撑机构的上方。高压电极和低压电极的材质为铜、钨、铜钨合金或钨钼合金，功率为50-1000W，等离子体发生单元的底端与样品之间的距离为0.3-1cm。
进一步地，所述的气体恒温循环系统包括气体恒温循环管道以及分别设置在气体恒温循环管道上的恒温加热器、风机，所述的气体恒温循环管道的一端与真空室的侧面相连通，另一端与真空室的顶部相连通。风机用于促进真空室内部气体循环流动，恒温加热器用于对真空室内部气体进行加热，维持所需额定温度。同时，循环气体还能够带动等离子体快速到达样品表面并与样品表面的有机物发生反应，也能及时带走样品表面形成的挥发性小分子物质。
进一步地，所述的气体恒温循环管道上位于真空室顶部的一端设有气体喷头。气体喷头用于将气体恒温循环管道内恒温加热后的气体喷入真空室内。
进一步地，所述的真空室的侧壁上设有密封门及观察窗。真空室壁面由石英玻璃、钢化玻璃、陶瓷、聚四氟乙烯或环氧树脂构成，壁厚为1-5cm。样品可由密封门装入真空室内，通过透明观察窗可以清晰地观察去胶状况。
本发明中，将样品置于可调式样品支撑机构上，之后根据样品的大小调节支撑底座于合适位置并旋紧固定旋钮进行固定，可调式样品支撑机构能够满足不同尺寸的样品。由多个支撑臂组成的支架结构既能够稳定地支撑样品，又能保证样品不会由于受力的接触面不均匀而变形。通过真空泵使真空室内处于真空状态，气瓶通入所需气体。高压电极和低压电极产生等离子体，恒温加热器将真空室内气体加热到额定温度，通过风机带动气体循环并通过气体喷头喷出。同时，电机带动可调式样品支撑机构转动，使样品表面能够均匀接触到等离子气体。利用高温气体(38-42℃)对样品加热能够避免现有技术中加热盘加热所造成的局部加热过快的问题，另外热气流能将等离子体快速送达样品的表面并与样品表面的有机物发生反应，一定的气速也能及时带走样品表面形成的挥发性小分子物质。
与现有技术相比，本发明具有以下特点：
1)相比现有的等离子体去胶装置，本发明可调式样品支撑机构既能够稳定地支撑样品，又能保证样品不会由于受力的接触面不均匀而变形；利用气体对样品加热，能够避免如加热盘加热造成的局部加热过快的问题，另外热气流能快速将等离子气体输送达样品表面并与样品表面的有机物发生反应，提高有机物的活化效率，一定的气速也能及时带走晶圆表面形成的挥发性小分子物质，因而极大提高了刻蚀光刻胶的速度及均匀度，避免了电极直接作用在晶圆表面对其造成的损伤。
2)成品率高、工序简单、时间短、操作较安全、重复性好、无需进行废液处理。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图；
图2为本发明中可调式样品支撑机构的俯视结构示意图；
图3为本发明中支撑臂的结构示意图；
图4为本发明中真空室的外部结构示意图；
图中标记说明：
1—样品、2—支撑底座、201—底部支撑部、202—外侧限位部、3—低压电极、4—高压电极、5—气体喷头、6—支撑臂、7—转轴、8—电机、9—恒温加热器、10—风机、11—真空泵、12—气瓶、13—真空室、14—固定旋钮、15—密封门、16—观察窗、17—固定槽、18—电机安装室、19—传动齿轮组、20—气体恒温循环管道、21—高度调节旋钮。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。本实施例以本发明技术方案为前提进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例：
如图1所示的一种等离子体去胶装置，包括真空室13、沿竖直方向贯穿真空室13底部的转轴7、与转轴7的底部传动连接的转轴驱动机构、设置在转轴7顶部的可调式样品支撑机构、设置在真空室13内并位于可调式样品支撑机构上方的等离子体发生单元、气体恒温循环系统、气瓶12及真空泵11，气体恒温循环系统的一端与真空室13的侧面相连通，另一端与真空室13的顶部相连通，气瓶12及真空泵11分别与真空室13的内部相连通。
其中，真空室13的下方设有电机安装室18，转轴驱动机构位于电机安装室18内。转轴驱动机构包括电机8以及设置在电机8与转轴7之间的传动齿轮组19，转轴7为升降轴，转轴7上设有高度调节旋钮21。
如图2所示，可调式样品支撑机构包括多个沿周向均匀布设在转轴7顶部的支撑臂6、套设在支撑臂6上并可沿支撑臂6长度方向移动的支撑底座2以及设置在支撑底座2上的固定旋钮14。
如图3所示，支撑臂6的侧面沿支撑臂6长度方向开设有固定槽17，固定旋钮14的一端穿过支撑底座2的侧面并伸入固定槽17内。支撑底座2包括底部支撑部201以及外侧限位部202。
等离子体发生单元包括依次交替设置的多个低压电极3及多个高压电极4，低压电极3及高压电极4均位于可调式样品支撑机构的上方。
气体恒温循环系统包括气体恒温循环管道20以及分别设置在气体恒温循环管道20上的恒温加热器9、风机10，气体恒温循环管道20的一端与真空室13的侧面相连通，另一端与真空室13的顶部相连通。气体恒温循环管道20上位于真空室13顶部的一端设有气体喷头5。
如图4所示，真空室13的侧壁上设有密封门15及观察窗16。
本装置在应用时，将直径10cm的样品1(晶圆或集成电路芯片)从密封门15放入真空室13并置于可调式样品支撑机构上，并调节各支撑底座2在支撑臂6上的位置，使支撑底座2的外侧限位部202与转轴7间距5cm，之后旋紧固定旋钮14以对支撑底座2的位置进行固定；调节高度调节旋钮21使等离子体发生单元的底端与样品表面的距离为0.5cm；启动真空泵11，使真空室13处于真空状态，之后打开气瓶12，向真空室13内通入氧气；设置恒温加热器9的额定温度为40℃，启动风机10，等离子体发生单元功率设定为200W，并启动电机8，使转速为10r/min。通过观察窗16实时观察样品1表面的去胶情况。
本装置不仅保证了样品1不会由于受力的接触面不均匀而变形，也避免局部加热过快的问题。另外，电极不直接作用到样品1的表面，避免了等离子体对样品1表面造成的损伤，一定的气速也能及时带走样品1表面形成的挥发性小分子物质，极大地提高了刻蚀光刻胶的速度及均匀度。
上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和使用发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于上述实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种等离子体去胶装置，其特征在于，该装置包括真空室(13)、沿竖直方向贯穿真空室(13)底部的转轴(7)、与转轴(7)的底部传动连接的转轴驱动机构、设置在转轴(7)顶部的可调式样品支撑机构、设置在真空室(13)内并位于可调式样品支撑机构上方的等离子体发生单元、气体恒温循环系统、气瓶(12)及真空泵(11)，所述的气体恒温循环系统的一端与真空室(13)的侧面相连通，另一端与真空室(13)的顶部相连通，所述的气瓶(12)及真空泵(11)分别与真空室(13)的内部相连通；
所述的转轴驱动机构包括电机(8)以及设置在电机(8)与转轴(7)之间的传动齿轮组(19)，所述的转轴(7)为升降轴，所述的转轴(7)上设有高度调节旋钮(21)；
所述的可调式样品支撑机构包括多个沿周向均匀布设在转轴(7)顶部的支撑臂(6)、套设在支撑臂(6)上并可沿支撑臂(6)长度方向移动的支撑底座(2)以及设置在支撑底座(2)上的固定旋钮(14)；
所述的等离子体发生单元包括依次交替设置的多个低压电极(3)及多个高压电极(4)，所述的低压电极(3)及高压电极(4)均位于可调式样品支撑机构的上方；
所述的气体恒温循环系统包括气体恒温循环管道(20)以及分别设置在气体恒温循环管道(20)上的恒温加热器(9)、风机(10)，所述的气体恒温循环管道(20)的一端与真空室(13)的侧面相连通，另一端与真空室(13)的顶部相连通。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体去胶装置，其特征在于，所述的真空室(13)的下方设有电机安装室(18)，所述的转轴驱动机构位于电机安装室(18)内。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体去胶装置，其特征在于，所述的支撑臂(6)的侧面沿支撑臂(6)长度方向开设有固定槽(17)，所述的固定旋钮(14)的一端穿过支撑底座(2)的侧面并伸入固定槽(17)内。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体去胶装置，其特征在于，所述的支撑底座(2)包括底部支撑部(201)以及外侧限位部(202)。
5.根据权利要求1所述的一种等离子体去胶装置，其特征在于，所述的气体恒温循环管道(20)上位于真空室(13)顶部的一端设有气体喷头(5)。
6.根据权利要求1所述的一种等离子体去胶装置，其特征在于，所述的真空室(13)的侧壁上设有密封门(15)及观察窗(16)。
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