CN210378983U - 晶圆加工装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种晶圆加工装置，包括制程腔室与加热机构。所述制程腔室用于放置晶圆。反应溶液提供机构，所述反应溶液提供机构用于将磷酸溶液输送到所述晶圆的待加工处理面上。所述加热机构用于对所述待加工处理面上的磷酸溶液进行加热处理。由于将待加工处理面上的磷酸溶液进行加热控温，并控制加热温度为120℃以上，这样能避免磷酸溶液由于大量热损失而导致温度过低，从而能保证晶圆的待加工处理面上的反应温度，无需较多的蚀刻剂体积和较长的加工时间才能达到预设的蚀刻量，能提高对氮化硅的蚀刻选择性，及降低对二氧化硅的蚀刻量，此外，能够提高蚀刻均匀性，以及提高蚀刻工作效率。

Description

晶圆加工装置

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工技术领域，特别是涉及一种晶圆加工装置。

背景技术

传统的蚀刻氮化硅的晶圆加工装置对晶圆蚀刻过程中，先通过加热装置对磷酸溶液进行加热到预设温度，然后再通过喷嘴将磷酸溶液喷射到晶圆的表面上进行氮化硅的蚀刻处理。然而，传统的蚀刻氮化硅的晶圆加工装置加工出的晶圆的蚀刻均匀性较差，晶圆的蚀刻工作效率较低。

实用新型内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种晶圆加工装置，它能够提高蚀刻均匀性，以及提高蚀刻工作效率。

其技术方案如下：一种晶圆加工装置，包括：制程腔室，所述制程腔室用于放置晶圆；反应溶液提供机构，所述反应溶液提供机构用于将反应溶液输送到所述晶圆的待加工处理面上；加热机构，所述加热机构用于对所述待加工处理面上的反应溶液进行加热处理。

上述晶圆加工装置，由于将待加工处理面上的反应溶液进行加热控温，反应溶液以磷酸溶液为例，并控制加热温度例如为120℃以上，这样能避免磷酸溶液由于大量热损失而导致温度过低，从而能保证晶圆的待加工处理面上的反应温度，无需较多的蚀刻剂体积和较长的加工时间才能达到预设的蚀刻量，能提高对氮化硅的蚀刻选择性，及降低对二氧化硅的蚀刻量，此外，能够提高蚀刻均匀性，以及提高蚀刻工作效率。

在其中一个实施例中，所述的蚀刻氮化硅的晶圆加工装置还包括设置于所述制程腔室内的旋转机构，所述旋转机构用于放置并驱动所述晶圆旋转，所述反应溶液提供机构用于将所述反应溶液输送到所述晶圆的待加工处理面的中部部位。

在其中一个实施例中，所述加热机构包括设置于所述晶圆上方的条状载体，以及沿着所述条状载体依次间隔设置的若干个加热灯；或者，

所述加热机构包括设置于所述晶圆上方的板状载体，以及若干个加热灯，所述加热灯呈阵列式布置于所述板状载体上。

在其中一个实施例中，所述反应溶液提供机构包括第一喷嘴、反应溶液供给源及第一管路，所述第一喷嘴装设于所述加热机构上，所述反应溶液供给源通过所述第一管路与所述第一喷嘴相连。

在其中一个实施例中，所述制程腔室内还设有升降机构，所述升降机构与所述加热机构相连，所述升降机构用于驱动所述加热机构升降移动。

在其中一个实施例中，所述加热机构包括设置于所述晶圆下方的板状载体，以及若干个加热灯，所述加热灯呈阵列式布置于所述板状载体上，所述板状载体设置于所述旋转机构上。

在其中一个实施例中，所述的晶圆加工装置还包括控制器，所述控制器分别与所述旋转机构、所述反应溶液提供机构、所述加热机构电性连接。

在其中一个实施例中，所述的晶圆加工装置还包括设置于所述制程腔室内的隔挡件，所述隔挡件绕设于所述旋转机构的周向外围。

在其中一个实施例中，所述反应溶液提供机构包括第一喷嘴、反应溶液供给源及第一管路；所述第一喷嘴装设于所述隔挡件上，并对着所述旋转机构上的晶圆的待加工处理面；所述反应溶液供给源通过所述第一管路与所述第一喷嘴相连。

在其中一个实施例中，所述的晶圆加工装置，还包括第一清洗液提供机构与第二清洗液提供机构，所述第一清洗液提供机构包括第二喷嘴、超纯水供给源及第二管路，所述超纯水供给源通过所述第二管路与所述第二喷嘴相连，所述第二喷嘴面向所述晶圆的待加工处理面；所述第二清洗液提供机构包括第三喷嘴、异丙醇供给源及第三管路，所述异丙醇供给源通过所述第三管路与所述第三喷嘴相连，所述第三喷嘴面向所述晶圆的待加工处理面；所述第一喷嘴、所述第二喷嘴及所述第三喷嘴均设置于加热机构上或隔挡件上；所述制程腔室的底壁上还设有废液开口。

附图说明

图1为本实用新型一实施例所述的晶圆加工方法流程图；

图2为本实用新型一实施例所述的蚀刻氮化硅的晶圆加工方法中的铺设磷酸溶液的具体流程图；

图3为本实用新型一实施例所述的晶圆加工方法的具体流程图；

图4为本实用新型一实施例所述的晶圆加工装置的结构示意图；

图5为本实用新型一实施例所述的晶圆加工装置中的加热机构的结构示意图；

图6为本实用新型另一实施例所述的晶圆加工装置中的加热机构的结构示意图；

图7为本实用新型另一实施例所述的晶圆加工装置的结构示意图；

图8为本实用新型一实施例所述的晶圆加工装置中的加热机构上装设喷嘴的结构示意图；

图9为本实用新型另一实施例所述的晶圆加工装置中的加热机构上装设喷嘴的结构示意图；

图10为本实用新型另一实施例所述的晶圆加工装置的结构示意图；

图11为本实用新型另一实施例所述的晶圆加工装置的结构示意图；

图12为本实用新型另一实施例所述的晶圆加工装置的结构示意图；

图13为本实用新型一实施例所述的晶圆加工装置的加热机构上的不同部位的加热灯的加热功率大小控制示意图。

附图标记：

10、制程腔室；20、第一喷嘴；30、加热机构；31、条状载体；32、加热灯；33、板状载体；40、旋转机构；50、升降机构；60、隔挡件；70、第二喷嘴；80、第三喷嘴；90、支撑杆；100、晶圆。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在中间元件。相反，当元件为称作“直接”与另一元件连接时，不存在中间元件。

传统的蚀刻氮化硅的晶圆加工装置对晶圆蚀刻过程中，当蚀刻液从喷嘴流出时，磷酸溶液的热损失非常明显，蚀刻液的温度急剧下降，导致晶片表面上的工艺条件不一致。由于这种明显的热损失，普通晶圆在较高的温度下需要较多的蚀刻剂体积和较长的加工时间，才能达到预设的蚀刻量。此外，磷酸溶液的粘度随着温度的降低而增加，导致蚀刻均匀性较差。

在一个实施例中，请参阅图4，一种晶圆加工装置，包括制程腔室10、反应溶液提供机构及加热机构30。所述制程腔室10用于放置晶圆100。所述反应溶液提供机构用于将反应溶液输送到所述晶圆100的待加工处理面上。所述加热机构30用于对所述待加工处理面上的反应溶液进行加热处理。

上述的晶圆加工装置，由于将待加工处理面上的反应溶液进行加热控温，并控制加热温度例如为120℃以上，这样能避免反应溶液由于大量热损失而导致温度过低，从而能保证晶圆100的待加工处理面上的反应温度，无需较多的蚀刻剂体积和较长的加工时间才能达到预设的蚀刻量，能提高对氮化硅的蚀刻选择性，及降低对二氧化硅的蚀刻量，此外，能够提高蚀刻均匀性，以及提高蚀刻工作效率。

需要说明的是，上述的反应溶液也不限于为磷酸溶液，还可以是其它在刻蚀反应过程中需要进行加热以提高反应速率的溶液，在此不进行一一举例。下文将以磷酸溶液为例详细进行说明。

进一步地，请参阅图4，所述的晶圆加工装置还包括设置于所述制程腔室10内的旋转机构40。所述旋转机构40用于放置并驱动所述晶圆100旋转，所述反应溶液提供机构用于将所述磷酸溶液输送到所述晶圆100的待加工处理面的中部部位。具体而言，旋转机构40例如为旋转电机。此外，旋转机构40的驱动端上还装设有晶圆载具，晶圆载具例如是静电卡盘。晶圆100装设于晶圆载具上，旋转机构40带动晶圆载具转动后，从而相应带动晶圆载具上的晶圆100转动。如此，这样晶圆100旋转时产生离心力，中心部位处的磷酸溶液在离心力作用下向晶圆100的周向边缘流动，从而确保磷酸溶液均匀地平铺覆盖在整个待加工处理面上，从而提高蚀刻均匀性。

在一个实施例中，请参阅图4及图5，所述加热机构30包括设置于所述晶圆100上方的条状载体31，以及沿着所述条状载体31依次间隔设置的若干个加热灯32。如此，旋转机构40驱动晶圆100旋转时，条状加热载体上呈一排设置的加热灯32便可以对整个晶圆100均匀地加热，加热机构30占用制程腔室10内的空间较小，如此可以减小制程腔室10的体积。此外，加热机构30在制程腔室10内的移动更加快速灵敏。另外，避免反应溶液提供机构的喷出溶液与加热机构30相互干涉。具体而言，晶圆100例如为圆形状，条状加热载体的长度大于晶圆100的直径，条状加热载体沿着竖直方向在晶圆100的待加工处理面上的投影覆盖于晶圆100的待加工处理面上的径向线。

在另一个实施例中，请参阅图4及图6，所述加热机构30包括设置于所述晶圆100上方的板状载体33，以及若干个加热灯32，所述加热灯32呈阵列式布置于所述板状载体33上。如此，板状载体33上的加热灯32产生的热量能均匀地覆盖于晶圆100的整个待加工处理面，即使旋转机构低速或静止时，板状载体33上的加热灯32也可以对晶圆100的整个待加工处理面均匀地进行加热，从而提高了晶圆100的蚀刻均匀性，保证了晶圆100的产品质量。具体而言，板状载体33例如为圆形板或方形板或其它形状板，板状载体33沿着竖直方向在晶圆100的待加工处理面上的投影能完全覆盖晶圆100的待加工处理面。

在一个实施例中，请参阅图4，所述反应溶液提供机构包括第一喷嘴20、磷酸溶液供给源及第一管路。所述第一喷嘴20装设于所述加热机构30上，所述磷酸溶液供给源通过所述第一管路与所述第一喷嘴20相连。磷酸溶液供给源具体例如设置于制程腔室10外。如此，磷酸溶液供给源通过第一管路将磷酸溶液供给第一喷嘴20，由第一喷嘴20根据需要喷射于待加工处理面上。

在一个实施例中，请参阅图4，所述制程腔室10内还设有升降机构50。所述升降机构50与所述加热机构30相连，所述升降机构50用于驱动所述加热机构30升降移动。升降机构50具体例如设置于制程腔室10的顶壁上。升降机构50例如为电机丝杆升降机构50、气缸升降机构50、液压缸升降机构50、电缸升降机构50等等。在升降机构50的作用下，升降机构50能带动加热机构30靠近于晶圆100的待加工处理面，从而能够更好地对待加工处理面上的磷酸溶液进行升温处理。当晶圆100的表面氮化硅蚀刻结束后，通过升降机构50驱动加热机构30远离于晶圆100的待加工处理面。

在另一个实施例中，请参阅图11或图12，所述加热机构30包括设置于所述晶圆100下方的板状载体33，以及若干个加热灯32。所述加热灯32呈阵列式布置于所述板状载体33上，所述板状载体33设置于所述旋转机构40上。

在一个实施例中，所述的晶圆加工装置还包括控制器。所述控制器分别与所述旋转机构40、所述反应溶液提供机构、所述加热机构30电性连接。在控制器的控制下，旋转机构40、反应溶液提供机构及加热机构30分工协作，自动化程度较高，无需人为操作，降低人力成本，工作效率较高。

在另一个实施例中，请参阅图11或图12，所述的晶圆加工装置还包括设置于所述制程腔室10内的隔挡件60。所述隔挡件60绕设于所述旋转机构的周向外围。隔挡件60具体是隔挡片或隔挡板。隔挡件60能有利于反应溶液提供机构输送到晶圆100的代加工处理面上的磷酸溶液位于隔挡件60所包围的范围以内区域，避免喷出到隔挡件60所包围的范围以外区域，从而能放置副产物扩大化。

进一步地，请参阅图11，所述反应溶液提供机构包括第一喷嘴20、磷酸溶液供给源及第一管路。所述第一喷嘴20装设于所述隔挡件60上，并对着所述旋转机构上的晶圆100的待加工处理面。所述磷酸溶液供给源通过所述第一管路与所述第一喷嘴20相连。磷酸溶液供给源具体例如设置于制程腔室10外。

在一个实施例中，请再参阅图4、图7、图10至图12中任意一幅，所述的晶圆加工装置还包括第一清洗液提供机构与第二清洗液提供机构。所述第一清洗液提供机构包括第二喷嘴70、超纯水供给源及第二管路。所述超纯水供给源通过所述第二管路与所述第二喷嘴70相连，所述第二喷嘴70面向所述晶圆100的待加工处理面。如此，超纯水供给源通过第二管路将超纯水供给第二喷嘴70，由第二喷嘴70根据需要喷射于待加工处理面上。

进一步地，所述第二清洗液提供机构包括第三喷嘴80、异丙醇供给源及第三管路，所述异丙醇供给源通过所述第三管路与所述第三喷嘴80相连，所述第三喷嘴80面向所述晶圆100的待加工处理面。如此，异丙醇供给源通过第三管路将异丙醇供给第三喷嘴80，由第三喷嘴80根据需要喷射于待加工处理面上。

作为一个可选的方案，上述的晶圆加工装置中的第一清洗液提供机构与第二清洗液提供机构不进行设置，第一喷嘴20还通过第一管路分别与超纯水供给源、异丙醇供给源及SC1溶液供给源进行连接，需要使用磷酸溶液、超纯水、异丙醇或SC1溶液时，相应控制磷酸溶液供给源、超纯水供给源、异丙醇供给源或SC1溶液进行输送工作即可，第一喷嘴20便相应喷射出磷酸溶液、超纯水、异丙醇或SC1溶液，这样只需要第一喷嘴20即可，无需设置第二喷嘴70与第三喷嘴80，从而简化了装置结构。

在一个实施例中，请参阅图7至图9，所述第一喷嘴20、所述第二喷嘴70及所述第三喷嘴80均设置于加热机构30上。

在另一个实施例中，请参阅图4、图10或图11，所述第一喷嘴20、所述第二喷嘴70及所述第三喷嘴80均设置于隔挡件60上。

作为一个可选的方案，第一喷嘴20、第二喷嘴70及第三喷嘴80均设置于制程腔室10的内壁上。

作为一个可选的方案，请参阅图12，所述的晶圆加工装置还包括设置于制程腔室10内的支撑杆90。第一喷嘴20、第二喷嘴70及第三喷嘴80均设置于支撑杆90上。

进一步地，所述的晶圆加工装置还包括第三清洗液提供机构。所述第三清洗液提供机构包括第四喷嘴、SC1溶液供给源及第四管路，所述SC1溶液供给源通过所述第四管路与所述第四喷嘴相连，所述第四喷嘴面向所述晶圆100的待加工处理面。具体而言，所述第一喷嘴20、所述第二喷嘴70、所述第三喷嘴80及第四喷嘴均设置于加热机构30上或隔挡件60上。如此，有利于将各个喷嘴整合在一起，在需要工作时，相应喷出磷酸、超纯水、SC1溶液或异丙醇到待加工处理面上。

在一个实施例中，所述制程腔室10的底壁上还设有废液开口。如此，多余的磷酸溶液，清洗晶圆100的超纯水或去离子水，SC1溶液，以及异丙醇均可以通过废液开口排出到制程腔室10的外部，以进行分类收集，及循环使用，或者排出作废。

在一个实施例中，请参阅图1及图4，一种晶圆加工方法，包括如下步骤：

S100、将晶圆100放置于制程腔室10内；

S200、使得磷酸溶液铺展覆盖于晶圆100的待加工处理面上；

S300、对所述待加工处理面上的磷酸溶液进行加热，并控制加热温度为120℃以上。

上述的晶圆加工方法，由于将待加工处理面上的磷酸溶液进行加热控温，并控制加热温度为120℃以上，这样能避免磷酸溶液由于大量热损失而导致温度过低，从而能保证晶圆100的待加工处理面上的反应温度，无需较多的蚀刻剂体积和较长的加工时间才能达到预设的蚀刻量，能提高对氮化硅的蚀刻选择性，及降低对二氧化硅的蚀刻量，此外，能够提高蚀刻均匀性，以及提高蚀刻工作效率。

在一个实施例中，请参阅图2及图4，上述S200步骤具体包括如下步骤：

S210、使所述待加工处理面呈水平方向或基本水平方向放置；

基本水平方向相对于水平方向可以有一定程度的倾斜，倾斜范围例如可以是5°以内。

S220、将磷酸溶液喷射到所述待加工处理面上；

S230、使所述晶圆100进行旋转。

例如，将晶圆100放置于旋转机构40上，晶圆100的待加工处理面呈水平设置，由旋转机构40带动晶圆100进行旋转。晶圆100旋转时产生离心力，有利于将喷射到待加工处理面上的磷酸溶液均匀地平铺覆盖在整个待加工处理面上，从而提高蚀刻均匀性。

其中，步骤S220与步骤S230的顺序不进行限定，可以相互替换。

具体而言，将磷酸溶液喷射到待加工处理面的中心部位，这样晶圆100旋转时便能够使得中心部位处的磷酸溶液在离心力作用下向晶圆100的周向边缘流动，从而确保磷酸溶液均匀地平铺覆盖在整个待加工处理面上。

作为一个可选而又不同于上述实施例的方案，采用例如花洒式喷嘴将磷酸溶液喷射到待加工处理面上，由旋转机构40对晶圆100进行旋转，也能实现将磷酸溶液均匀地铺展覆盖于晶圆100的待加工处理面上。

作为一个可选而又不同于上述实施例的方案，采用例如多个第一喷嘴20将磷酸溶液喷射到待加工处理面上的多个部位，由旋转机构40对晶圆100进行旋转，也能实现将磷酸溶液均匀地铺展覆盖于晶圆100的待加工处理面上。

在一个实施例中，上述S300中对所述待加工处理面上的磷酸溶液进行加热的具体方法为：根据待加工处理面上的各个部位的磷酸溶液的量来调整对各个部位的加热温度。

一般而言，由于将磷酸溶液喷射到待加工处理面上的中部部位并向边缘部位平展铺开，这样待加工处理面上的中部部位的磷酸溶液的量多于加工处理面上的边缘部位的磷酸溶液的量，磷酸溶液先接触待加工处理面上的中部部位，磷酸溶液接触待加工处理面的中部部位的时长长于接触待加工处理面的边缘部位的时长，如此对待加工处理面上的中部部位的磷酸溶液的加热温度低于对边缘部位的磷酸溶液的加热温度。具体而言，待加工处理面上的中部部位的磷酸溶液的加热温度到边缘部位的磷酸溶液的加热温度逐渐升高。如此，能保证对晶圆100的待加工处理面的蚀刻均匀性，也能保证蚀刻效率。

进一步地，采用设置于所述晶圆100的上方或下方的若干个加热件对所述待加工处理面上的各个部位的磷酸溶液进行加热，所述加热件的工作功率根据所述待加工处理面上的各个部位的磷酸溶液的量来调整。具体而言，加热件可以是卤素灯、红外线灯或其它加热灯32，加热件也可以是碳加热器。此外，作为一个可选的方案，加热件也可以是与晶圆100的下侧面导热接触的电加热棒或热流体。

在一个具体示例中，请参阅图4及图13，在对待加工处理面上的磷酸溶液进行加热的过程中，靠近于待加工处理面的中部部位的加热件的工作功率P至远离于待加工处理面的边缘部位的加热件的工作功率P逐渐升高。

进一步地，所述加热温度控制为130℃～200℃。如此，该加热温度有利于使得晶圆100的待加工处理面上的磷酸溶液的温度符合要求，使得待加工处理面上的磷酸溶液分布较为均匀，提高对待加工处理面上的氮化硅的蚀刻均匀性，高效性，以及高选择性，能避免二氧化硅发生蚀刻反应。

此外，将温度为100℃以上的磷酸溶液铺设于所述晶圆100的待加工处理面上。如此，有利于使得晶圆100的待加工处理面上的磷酸溶液的温度符合要求，使得待加工处理面上的磷酸溶液分布较为均匀，提高对待加工处理面上的氮化硅的蚀刻均匀性，高效性，以及高蚀刻选择性，能避免二氧化硅发生蚀刻反应。

在一个实施例中，所述磷酸溶液为磷酸水溶液。当然，作为一个可选的方案，磷酸溶液并非磷酸水溶液，也可以是其它溶剂的磷酸溶液。

作为一个示例，所述磷酸水溶液中的磷酸质量百分比浓度为50％～95％。

进一步地，所述磷酸水溶液中的磷酸质量百分比浓度为75％～85％。具体而言，所述磷酸水溶液中的磷酸质量百分比浓度为78％～82％。更具体地，磷酸水溶液中的磷酸质量百分比浓度为80％。如此，能实现对氮化硅的蚀刻高效性，以及高蚀刻选择性，能避免二氧化硅发生蚀刻反应。

进一步地，请参阅图3及图4，在所述待加工处理面通过磷酸溶液反应蚀刻步骤之后还包括步骤：

S400、使用超纯水或去离子水对蚀刻后的所述晶圆100的表面进行清洗处理；

超纯水或去离子水有利于将晶圆100的表面上附着的磷酸去除掉。其中，超纯水或去离子水对晶圆100的表面清洗第一预设时间，第一预设时间根据实际情况进行设置，例如可以是100S、120S或200S。

S500、超纯水或去离子水对晶圆100的表面清洗预设时间后，停止供给超纯水或去离子水，接着使用SC1溶液对所述晶圆100进行清洗；

SC1溶液为氢氧化铵、双氧水与水的混合液，它们具体的体积比可以根据需求进行配置，不进行赘述。使用SC1溶液，能有效改善晶圆表面的颗粒污染，可以去除离子注入产生的氧化物层，从而改善最终形成器件的电器特性。

其中，SC1溶液对晶圆100的表面清洗第二预设时间，第二预设时间根据实际情况进行设置，例如可以是100S、120S或200S。

S600、使用异丙醇对所述晶圆100的表面再次进行清洗处理。

异丙醇取代超纯水或去离子水，蒸发速度快，加快干燥速度。其中，异丙醇对晶圆100的表面清洗第三预设时间，第三预设时间根据实际情况进行设置，例如可以是100S、200S或300S。

具体而言，在采用异丙醇对晶圆100的表面进行清洗处理过程中，采用旋转机构40驱动晶圆100进行旋转，如此有利于晶圆100的表面上的干燥处理，清洗效果较好。

在一个实施例中，采用步骤S400至步骤S600中的一个步骤或两个步骤也是可行的方案。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种晶圆加工装置，其特征在于，包括：

制程腔室，所述制程腔室用于放置晶圆；

反应溶液提供机构，所述反应溶液提供机构用于将反应溶液输送到所述晶圆的待加工处理面上；

加热机构，所述加热机构用于对所述待加工处理面上的反应溶液进行加热处理。

2.根据权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，还包括设置于所述制程腔室内的旋转机构，所述旋转机构用于放置并驱动所述晶圆旋转，所述反应溶液提供机构用于将所述反应溶液输送到所述晶圆的待加工处理面的中部部位。

3.根据权利要求2所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述加热机构包括设置于所述晶圆上方的条状载体，以及沿着所述条状载体依次间隔设置的若干个加热灯；或者，

所述加热机构包括设置于所述晶圆上方的板状载体，以及若干个加热灯，所述加热灯呈阵列式布置于所述板状载体上。

4.根据权利要求3所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述反应溶液提供机构包括第一喷嘴、反应溶液供给源及第一管路，所述第一喷嘴装设于所述加热机构上，所述反应溶液供给源通过所述第一管路与所述第一喷嘴相连。

5.根据权利要求3所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述制程腔室内还设有升降机构，所述升降机构与所述加热机构相连，所述升降机构用于驱动所述加热机构升降移动。

6.根据权利要求2所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述加热机构包括设置于所述晶圆下方的板状载体，以及若干个加热灯，所述加热灯呈阵列式布置于所述板状载体上，所述板状载体设置于所述旋转机构上。

7.根据权利要求2所述的晶圆加工装置，其特征在于，还包括控制器，所述控制器分别与所述旋转机构、所述反应溶液提供机构、所述加热机构电性连接。

8.根据权利要求2所述的晶圆加工装置，其特征在于，还包括设置于所述制程腔室内的隔挡件，所述隔挡件绕设于所述旋转机构的周向外围。

9.根据权利要求8所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述反应溶液提供机构包括第一喷嘴、反应溶液供给源及第一管路；所述第一喷嘴装设于所述隔挡件上，并对着所述旋转机构上的晶圆的待加工处理面；所述反应溶液供给源通过所述第一管路与所述第一喷嘴相连。

10.根据权利要求4或9所述的晶圆加工装置，其特征在于，还包括第一清洗液提供机构与第二清洗液提供机构，所述第一清洗液提供机构包括第二喷嘴、超纯水供给源及第二管路，所述超纯水供给源通过所述第二管路与所述第二喷嘴相连，所述第二喷嘴面向所述晶圆的待加工处理面；所述第二清洗液提供机构包括第三喷嘴、异丙醇供给源及第三管路，所述异丙醇供给源通过所述第三管路与所述第三喷嘴相连，所述第三喷嘴面向所述晶圆的待加工处理面；所述第一喷嘴、所述第二喷嘴及所述第三喷嘴均设置于加热机构上或隔挡件上；所述制程腔室的底壁上还设有废液开口。

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