CN108695142B - 一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 100
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 86
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 81
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 7
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 2
- 239000006101 laboratory sample Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003471 anti-radiation Effects 0.000 description 1
- 229910000062 azane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005492 condensed matter physics Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
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Abstract
本发明涉及一种调控无机半导体异质结材料生长的制备方法，特别是调控石墨烯/碳化硅(Graphene/SiC)纳米异质结生长的方法。所述的制备方法包括如下步骤：1)在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；2)将聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中；3)将高纯石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在保护气体的作用下在1520‑1600℃下保温30‑80min进行热处理，随炉冷却至室温，制得Graphene/SiC纳米异质结。本发明能够实现Graphene/SiC纳米异质结的生长调控；且周期短，工艺可控，在纳米异质结生长的同时即可实现对其组成比例的调控。
Description
技术领域
本发明涉及一种调控无机半导体异质结材料生长的制备方法，特别是调控石墨烯/碳化硅(Graphene/SiC)纳米异质结生长的方法。
背景技术
碳化硅(SiC)是第三代半导体的核心材料之一，与元素半导体材料(Si)和其他化合物半导体材料GaAs、GaP和InP相比，它具有很多优点。碳化硅不仅具有较大的带隙(3C、4H、6H型碳化硅在室温下的带隙分别为2.23、3.22、2.86eV)，而且具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点，在高温、高频，大功率，光电子和抗辐射等方面具有巨大的应用前景。碳化硅替代硅，制备光电器件和集成电路，可提高军用电子系统和武器装备性能，以及为抗恶劣环境的电子设备提供新型器件。此外，SiC纳米结构具有很高的硬度、韧性、耐磨性、耐高温性、低的热膨胀系数等优良特性，在制备高性能复合材料、高强度小尺寸复合材料构件、表面纳米增强复合材料以及构筑纳米光电器件等方面具有非常诱人的应用前景。
石墨烯(Graphene)材料是10层以下石墨结构的统称。单层石墨烯的晶体结构是由碳六元环组成的两维(2D)周期蜂窝状点阵结构，厚度只有0.335nm，是目前已知最薄的材料。石墨烯因其晶体结构和电子结构而具有独特的物理现象，被认为是未来新一代的半导体材料，在高性能纳电子器件、复合材料、场发射材料、气体传感器及能量存储等领域具有广阔的应用前景。例如，石墨烯中的每个碳原子与其它3个碳原子通过强σ键相连，C-C键(sp2)使其成为已知最为牢固的材料之一，且具有优异的稳定性和导热性。其次，因其碳原子有4个价电子的成键方式，石墨烯具有良好的导电性、优异的电子迁移率(室温下可以超过15000cm2/(V·s))、能隙为零的半导体，为目前已发现的电阻率最小的材料。石墨烯独特的载流子特性和无质量的狄拉克费米子属性使其能够在室温下观测到霍尔效应。另外，石墨烯还具有量子隧道效应及半整数霍尔效应、安德森局域化的弱化现象、永不消失的电导率等特性。此外，石墨烯还具有其它一些优异的物理化学特性，如高吸附性、高化学稳定性、高达2630m2/g的理论比表面积、铁磁性、良好的导热性(3080～5150W/(m·K))等，这些优良性质不仅为凝聚态物理和量子电动力学提供了较好的研究平台，还使其有可能替代Si材料而成为新一代计算机芯片材料，具有广泛的应用潜力。
异质结由两种具有独特属性的功能材料相接触所形成的界面区域，具有两种半导体各自PN结皆不能达到的优良光电特性，如高电子发射效率和高电子迁移率等，使其适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。从器件制作的角度出发，通过SiC热分解法直接制备石墨烯/碳化硅(Graphene/SiC)结构，用碳化硅取代硅，制备光电器件和集成电路，可为军用电子系统和武器装备性能的提高，以及抗恶劣环境的电子设备提供新型器件；同时省掉石墨烯薄膜向器件衬底转移的工序，简化工艺流程，降低加工过程对薄膜性能的不利影响，可以提供更加可信的质量和界面，具有良好的可生产性及可重复性。
通过SiC热分解实现石墨烯生长的方法已经历十几年，可以直接获得Graphene/SiC结构，无需经过石墨烯转移到器件衬底的工序，降低对石墨烯质量的影响，基本解决了石墨烯生长均匀性和低缺陷的问题。目前，这一技术有望实现Graphene/SiC替代Si在电子器件中的应用。目前文献报道的SiC热分解方法中，主要采用SiC晶片或薄膜作为衬底生长石墨烯薄膜。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的上述问题，提供一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法，工艺简单，安全性高、可控性好，生产方便，产品稳定性好、灵敏度高。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法，所述的制备方法包括如下步骤：
1)在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；
2)将聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于高纯石墨坩埚中；
3)将高纯石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在保护气体的作用下于1350-1600℃保温30-80min进行热处理，随炉冷却至室温，制得Graphene/SiC纳米异质结。
本发明先清洗SiC晶片，SiC晶片上溅射催化剂薄膜使催化剂在晶片表面均匀分布，有利于获得分布均匀的SiC纳米线生长点。
在上述调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法中，SiC晶片的清洗依次采用丙酮、去离子水和乙醇超声清洗，可重复清洗。
在上述调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法中，所述的催化剂为Au、Ag中的一种或两种。
在上述调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法中，所述的聚合物前驱体为含有Si和C元素的聚合物前驱体。
作为优选，所述的聚合物前驱体为聚硼硅氮烷。聚硼硅氮烷热分解提供生长SiC所需的Si源和C源，同时还提供掺杂元素B，获得B掺杂的SiC纳米线。B掺杂可提高SiC的溶解度、热分散性和导电性等。最重要一点，B掺杂的SiC纳米线表面更粗糙，存在大量的尖角，更利于高温下Si原子的升华，促进Graphene/SiC异质结的形成。
在上述调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法中，经处理后的聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于高纯石墨坩埚中时，聚合物前驱体置于坩埚底部，SiC晶片置于粉末上方，带催化剂薄膜面朝向粉末。将粉末置于底部的原因在于：聚合物前驱体热分解成气源，带催化剂的晶片置于上方，利于挥发气体与催化剂接触反应。
作为优选，聚合物前驱体的处理为热交联固化和粉碎，便于保存和称量，或直接液态。
进一步优选，热交联在管式气氛烧结炉中在保护气体下进行，热交联的温度为230-280℃，时间为20-40min。在230-280℃下能更好的保证原前驱体既能固化又不会分解，不会对原料造成破坏。
更进一步优选，热处理的保护气体和热交联处理气氛中的气体均为Ar。SiC生长过程中易受N2环境影响，生成N掺杂的SiC，所以在不需要N掺杂的条件下采用Ar保护更合适。
作为优选，所述热解的温度为1520-1600℃。进一步优选，所述热处理的温度为1550℃，热处理时间为30-50min。在此温度下能长出较均匀的SiC纳米线。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：
1、本发明能够实现Graphene/SiC纳米异质结的生长调控；
2、本发明周期短，工艺可控，在纳米异质结生长的同时即可实现对其组成比例的调控。
附图说明
图1为本发明实施例1所制得的Graphene/SiC纳米异质结的低倍扫面电镜(SEM)图；
图2为本发明实施例1所制得的Graphene/SiC纳米异质结的高倍扫面电镜(SEM)图；
图3为本发明实施例1所制得的Graphene/SiC纳米异质结的高倍扫面电镜(SEM)图；
图4为本发明实施例1所制得的Graphene/SiC纳米异质结的拉曼(Raman)图谱；
图5为本发明实施例2所制得的Graphene/SiC纳米异质结的高倍扫面电镜(SEM)图；
图6为本发明实施例3所制得的Graphene/SiC纳米异质结的高倍扫面电镜(SEM)图；
图7为本发明实施例4所制得的Graphene/SiC纳米异质结的高倍扫面电镜(SEM)图；
图8为本发明对比例1所制得的纳米材料的高倍扫面电镜(SEM)图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例，并结合附图说明对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
实施例1
初始原料选取聚硼硅氮烷，在高纯Ar气氛保护下于260℃保温30min进行热交联固化。将固化物装入尼龙树脂球磨罐中，球磨粉碎成粉末，称取0.3g置于高纯石墨坩埚底部。裁取6H-SiC(0001)晶片10×10×0.5mm(长×宽×厚)，依次采用丙酮、去离子水和乙醇超声清洗各10min，取出后置于空气环境中自然晾干。6H-SiC(0001)晶片在喷金喷碳仪中喷金90nm，将处理后的6H-SiC(0001)晶片嵌在C纸上置于高纯石墨坩埚中，覆盖金膜的面朝向粉末且距离为2cm，并放在石墨电阻气氛烧结炉中。气氛炉先抽真空至10-4Pa，再充入高纯Ar保护气，抽真空再充气反复3次以降低气氛炉内O2含量，直至第4次充气压力为一个大气压(0.1Mpa)，此后压力恒定。然后以25℃/min的速率从室温快速升温至1550℃。在1550℃下保温30min进行热解，然后随炉冷却。6H-SiC(0001)晶片上生长的Graphene/SiC异质结纳米阵列在不同放大倍率下的SEM和Raman图谱分别如图1-3和图4所示，其阵列分布均匀，取向一致，且表明所制备的纳米阵列为Graphene/SiC异质结。
实施例2
与实施例1的区别仅在于，该实施例2中在1550℃下保温40min，实验样品的高倍扫描电镜(SEM)如图5所示，获得Graphene/SiC纳米异质结。对比实施例1和实例2的结果可知，1550℃下保温时间由30min延长至40min，延长了SiC热分解生成Graphene的时间，Graphene长长、长大，Graphene/SiC纳米异质结的组成比例增大。
实施例3
与实施例1的区别仅在于，该实施例3中在1550℃下保温50min，实验样品的高倍扫描电镜(SEM)如图6所示，获得Graphene/SiC纳米异质结。对比实施例1-3的结果可知，1550℃下保温时间由30min、40min延长至50min，继续延长了SiC热分解生成Graphene的时间，Graphene/SiC纳米异质结的组成比例增大。
实施例4
与实施例1的区别仅在于，该实施例4中在1550℃下保温80min，6H-SiC(0001)晶片上生长的Graphene/SiC纳米异质结的高倍扫描电镜(SEM)如图7所示。对比实施例1至4的结果可知，1550℃下保温时间由30min、40min、50min延长至80min，相当于延长SiC热分解生成Graphene的时间，SiC纳米线已断裂，Graphene/SiC纳米异质结的组成比例增大。
实施例5
与实施例1的区别仅在于，该实施例5中是在6H-SiC(0001)晶片上溅射Ag，形成90nm的Ag薄膜，实验表明该实施例5可以制备Graphene/SiC纳米异质结。
实施例6
与实施例1的区别仅在于，该实施例6中的热解温度为1520℃，通过实验对比可得，1520℃下保温30min，可制得Graphene/SiC纳米异质结，但是实施例1中1550℃下热解制得的Graphene/SiC纳米异质结的形貌和分布都优于1520℃热解样品。
实施例7
与实施例1的区别仅在于，该实施例7中的热解温度为1400℃，通过实验对比可得，1400℃下保温30min，可制得Graphene/SiC纳米异质结，但是实施例1中1550℃下热解制得的Graphene/SiC纳米异质结的形貌和分布都优于1400℃热解样品。
实施例8
与实施例1的区别仅在于，该实施例8中的热解温度为1600℃，通过实验对比可得，1600℃下保温30min，可制得Graphene/SiC纳米异质结，但是实施例1中1550℃下热解制得的Graphene/SiC纳米异质结的形貌和分布都优于1600℃热解样品。
实施例9
与实施例1的区别仅在于，该实施例9中的热解温度为1350℃，通过实验对比可得，1350℃下保温30min，可制得Graphene/SiC纳米异质结，但是实施例1中1550℃下热解制得的Graphene/SiC纳米异质结的形貌和分布都优于1350℃热解样品。
实施例10
与实施例1的区别仅在于，该实施例10中的热解温度为1600℃，通过实验对比可得，1600℃下保温30min，可制得Graphene/SiC纳米异质结，但是实施例1中1550℃下热解制得的Graphene/SiC纳米异质结的形貌和分布都优于1600℃热解样品。
实施例11
与实施例1的区别仅在于，该实施例11中聚合物前驱体聚硼硅氮烷在高纯Ar气氛保护下于230℃保温40min进行热交联固化，实验表明该实施例11可以制备Graphene/SiC纳米异质结。
实施例12
与实施例1的区别仅在于，该实施例12中聚合物前驱体聚硼硅氮烷在高纯Ar气氛保护下于280℃保温20min进行热交联固化，实验表明该实施例12可以制备Graphene/SiC纳米异质结。
对比例1
与实施例1的区别仅在于，该对比例1中在1550℃下保温20min，6H-SiC(0001)晶片上生长的Graphene/SiC纳米异质结的高倍扫描电镜(SEM)如图8所示。从图8中并未观察到Graphene的生长。与实施例1相比，1550℃下保温时间由30min缩短至20min，减少了SiC热分解生成Graphene的时间，最后没有Graphene生成，说明了1550℃下保温时间对Graphene/SiC纳米异质结的生长至关重要。
对比例2
与实施例1的区别仅在于，该对比例2中在1550℃下保温90min，通过实验对比可得，在1550℃下保温90min热解不能得到Graphene/SiC纳米异质结。
对比例3
与实施例1的区别仅在于，该对比例3中热解在N2/Ar＝5/95混合气下进行，通过实验对比可得，在N2/Ar＝5/95混合气下进行热解，产物中没有观察到Graphene/SiC纳米异质结。
对比例4
与实施例1的区别仅在于，该对比例4中的聚合物前驱体为聚硅氮烷，通过比较可得，采用聚硅氮烷为原料所得产物中没有观察到Graphene/SiC纳米异质结。实施例1中用聚硼硅氮烷得到的为B掺杂的SiC纳米线，这种纳米线的表面粗糙，且有较多的尖角，利于热处理阶段异质结的形成。热处理尖角处表层Si原子受到的束缚力更小，这种位置的Si原子易于升华，剩下C原子重组形成石墨烯。
本发明提出了一种调控Graphene/SiC纳米异质结的生长方法。该技术通过改变高温下的热处理时间，也即是改变SiC纳米结构热分解生成Graphene的处理时间，实现Graphene/SiC纳米异质结不同组成比例的生长，为其后续在电子器件等领域的应用奠定了一定的基础。
本处实施例对本发明要求保护的技术范围中点值未穷尽之处以及在实施例技术方案中对单个或者多个技术特征的同等替换所形成的新的技术方案，同样都在本发明要求保护的范围内，并且本发明方案所有涉及的参数间如未特别说明，则相互之间不存在不可替换的唯一性组合。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
尽管对本发明已作出了详细的说明并引证了一些具体实施例，但是对本领域熟练技术人员来说，只要不离开本发明的精神和范围可作各种变化或修正是显然的。
Claims (4)
1.一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：
1）在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；
2）将聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中；所述的聚合物前驱体为聚硼硅氮烷；聚合物前驱体在使用前，先在管式气氛烧结炉中在保护气体下，230-280℃下热交联固化20-40min，然后粉碎处理成粉末；
3）将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在保护气体的作用下于1350-1600℃保温30-80min进行热处理，随炉冷却至室温，制得Graphene/SiC纳米异质结；
热处理的保护气体和热交联处理气氛中的保护气体均为Ar，热交联在管式气氛烧结炉中在保护气体下进行，热交联的温度为230-280℃，时间为20-40min；
所述的催化剂为Au、Ag中的一种或两种。
2.根据权利要求1所述的调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法，SiC晶片的清洗依次采用丙酮、去离子水和乙醇超声清洗。
3.根据权利要求1所述的调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法，其特征在于，聚合物前驱体粉末和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中时，聚合物前驱体粉末置于坩埚底部，SiC晶片置于聚合物前驱体粉末上方，带催化剂薄膜面朝向聚合物前驱体粉末。
4.根据权利要求1所述的调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法，所述热处理的温度为1550℃，热处理时间为30-50min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810311172.9A CN108695142B (zh) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | 一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810311172.9A CN108695142B (zh) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | 一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108695142A CN108695142A (zh) | 2018-10-23 |
| CN108695142B true CN108695142B (zh) | 2019-07-12 |
Family
ID=63844876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810311172.9A Active CN108695142B (zh) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | 一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108695142B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116037930B (zh) * | 2022-12-14 | 2023-09-08 | 哈尔滨工业大学 | 一种石墨烯-氮化硅协同增强铝基复合材料的制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102886270B (zh) * | 2011-07-19 | 2016-01-13 | 中国科学院物理研究所 | SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用 |
| CN103928276B (zh) * | 2014-04-29 | 2016-07-06 | 宁波工程学院 | 一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法 |
| CN105133017B (zh) * | 2015-07-08 | 2016-11-02 | 宁波工程学院 | 调控SiC纳米阵列密度的方法 |
| CN105133018B (zh) * | 2015-07-08 | 2016-08-24 | 宁波工程学院 | SiC纳米阵列 |
-
2018
- 2018-04-09 CN CN201810311172.9A patent/CN108695142B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108695142A (zh) | 2018-10-23 |
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