CN108693906B - 电压调节器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电压调节器，该电压调节器具有：电压输出电路，其根据输入到输入端子的外部电压，生成低于外部电压的恒定的内部电压，并输出到输出端子；感温电路，其与温度上升对应地使输出节点的输出电压下降；过热检测电路，其与感温电路的输出节点和测试端子连接；以及电压检测电路，其与感温电路的输出节点和测试端子连接，在感温电路的输出电压和测试端子的电压低于第一电压时，电压输出电路根据过热检测电路输出的输出停止信号来停止输出，在测试端子的电压高于第二电压时，电压输出电路根据电压检测电路输出的测试模式信号来向输出端子输出外部电压，其中第二电压高于感温电路的输出电压和第一电压。

Description

电压调节器
技术领域
本发明涉及电压调节器。
背景技术
以往，例如，在专利文献1中公开了如下电压调节器：根据输入到外部端子(输入端子)的外部电压，生成低于该外部电压的恒定的内部电压，并输出到输出端子，其中，为了进行与输出端子连接的外部电路的应力测试(Stress test)，或者，为了对电压调节器的输出晶体管施加大电压(外部端子-接地端子间电压)来进行输出晶体管的应力测试，将输出端子的电压从内部电压切换到外部电压。
专利文献1：日本特开平4-274504号公报
但是，在专利文献1所示的电压调节器中，为了将输出端子的电压从内部电压切换到外部电压，需要追加专用的测试端子，存在如导致电路面积的增加的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制电路规模的增加并将输出端子的电压从内部电压切换到外部电压的电压调节器。
本发明的电压调节器，其特征在于，该电压调节器具有：电压输出电路，其根据输入到输入端子的外部电压，生成低于所述外部电压的恒定的内部电压，并输出到输出端子；感温电路，其与温度上升对应地使输出节点的输出电压下降；过热检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和测试端子连接；以及电压检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和所述测试端子连接，在所述感温电路的输出电压和所述测试端子的电压低于第一电压时，所述电压输出电路根据所述过热检测电路输出的输出停止信号来停止输出，在所述测试端子的电压高于第二电压时，所述电压输出电路根据所述电压检测电路输出的测试模式信号来向所述输出端子输出所述外部电压，其中，所述第二电压高于所述感温电路的输出电压和所述第一电压。
根据本发明，通过设为如下结构，能够在不设置专用的端子的情况下向输出端子输出外部电压，在该结构中，具有通常搭载于电压调节器的过热保护电路(包含上述的感温电路和过热检测电路的电路)以及用于测试该过热保护电路的测试端子的电压调节器还具有与该测试端子连接的电压检测电路，在输入到测试端子的电压比高于用于测试过热保护电路的第一电压的第二电压高时，电压检测电路输出测试模式信号，电压输出电路根据测试模式信号来向输出端子输出外部电压。这样，无需追加专用的端子，因此，能够抑制电路规模的增加，并将输出端子的电压从内部电压切换到外部电压。
附图说明
图1是用于说明本发明的实施方式的电压调节器的框图。
图2是示出图1所示的电压调节器中的感温电路的一个具体例的电路图。
图3是示出图1所示的电压调节器中的电压输出电路和电压检测电路各自的第1具体例、以及过热检测电路的一个具体例的电路图。
图4是示出图1所示的电压调节器中的电压检测电路的第2具体例的电路图。
图5是示出图1所示的电压调节器中的电压输出电路的第2具体例的电路图。
图6是示出图1所示的电压调节器中的电压输出电路的第3具体例的电路图。
图7是示出图1所示的电压调节器中的电压输出电路的第4具体例的电路图。
标号说明
10：电压调节器；11、111、112、113、114：电压输出电路；12、121：感温电路；13：过热检测电路；14：电压检测电路；20：输入端子；21：输出端子；22：测试端子；TE：测试信号；ST：输出停止信号；TM：测试模式信号；111：误差放大器；112：电阻分压电路；113、131、141：基准电压源；114：输出停止电路(PMOS晶体管)；120：二极管元件；121：电流源；130、140、300：比较器；302：过冲抑制电路(PMOS晶体管)；400：电压调整端子。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施方式。
图1是用于说明本发明的实施方式的电压调节器10的框图。
本实施方式的电压调节器10具有输入端子20、输出端子21、测试端子22、电压输出电路11、感温电路12、过热检测电路13和电压检测电路14。
电压输出电路11根据输入到输入端子20的外部电压Vin，生成低于外部电压Vin的恒定的内部电压，并输出到输出端子21。
向测试端子22输入测试信号TE。
感温电路12与温度上升对应地使输出节点的输出电压下降。此外，感温电路12的输出节点与测试端子22连接。
过热检测电路13的输入节点与感温电路12的输出节点和测试端子22连接，向电压输出电路11输出输出停止信号ST。
电压检测电路14的输入节点连接于感温电路12的输出节点和测试端子22，向电压输出电路11输出测试模式信号TM。
此外，由感温电路12、过热检测电路13和电压输出电路11内的输出停止电路(未图示)构成了过热保护电路。
下面对该结构的电压调节器10的动作进行说明。
首先，对与电压调节器10的过热保护电路相关的动作进行说明。
在通常动作时，在电压调节器10的温度上升时，感温电路12的输出电压与该温度对应地下降。而且，在感温电路12的输出电压低于第一电压时，过热检测电路13将输出停止信号ST设为有效。
由此，电压输出电路11内的输出停止电路停止向输出端子21的输出。这样，能够从过热状态保护电压调节器10。
在测试过热保护电路以决定上述第一电压的情况下，在向测试端子22输入上述第一电压附近的电压作为测试信号TE时，调查过热保护电路(过热检测电路13)开始动作的(向输出端子21的输出停止的)电压。将根据该测试的结果而得到的过热保护电路的动作开始电压重新设为第一电压，设定到过热检测电路13中。
接着，对将电压调节器10的输出端子21的电压从内部电压切换到向输入端子20输入的外部电压Vin的测试模式的动作进行说明。该测试模式例如用于进行与输出端子21连接的外部电路(未图示)的应力测试、或者对电压调节器10的电压输出电路11内的输出晶体管(未图示)施加大电压来进行输出晶体管的应力测试等。
在设为测试模式的情况下，作为测试信号TE，将高于第二电压的电压输入到测试端子22，该第二电压高于感温电路12的输出电压和设定在过热检测电路13中的第一电压。
由此，电压检测电路14将测试模式信号TM设为有效。据此，电压输出电路11将输入到输入端子20的外部电压Vin输出到输出端子21。
这样，根据本实施方式，通常能够将用于过热保护电路的测试中的测试端子22兼用作输入用于设为将电压调节器10的输出端子21的电压从内部电压切换到外部电压Vin的测试模式的信号的端子。因此，能够抑制端子的追加、即电路规模的增加，并实现上述测试模式。
以上，对本实施方式的结构和动作进行了说明，但为了更加详细地说明本实施方式，下面，对图1所示的各电路的具体例进行说明。
图2是示出作为图1所示的电压调节器10中的感温电路12的一个具体例的感温电路121的电路图。
感温电路121具有：电流源121，其一端与输入外部电压Vin的输入端子20连接，另一端与输出节点、即测试端子22连接；以及二极管元件120，其正向连接于测试端子22与接地端子之间。二极管元件120作为感温元件发挥作用。
根据该结构，在温度上升时，测试端子22的电压下降。
另外，在本例子中示出了向电流源121的一端提供外部电压Vin作为电源电压的例子，但不限于此，当然可以将在电压调节器10的内部生成的电压作为电源电压。
图3是示出作为图1所示的电压调节器10中的电压输出电路11和电压检测电路14各自的第1具体例的电压输出电路111和电压检测电路141、以及作为过热检测电路13的一个具体例的过热检测电路131的电路图。另外，对与图1所示的电压调节器10相同的结构要素标注相同标号，并适当省略重复说明。
电压输出电路111具有输出晶体管110、误差放大器111、电阻分压电路112、基准电压源113、PMOS晶体管114和NMOS晶体管115。
输出晶体管110的源极与输入端子20连接，漏极与输出端子21连接。
电阻分压电路112连接在输出端子21与接地端子之间。
向误差放大器111的非反相输入端子输入由电阻分压电路112分压而得的分压电压，向反相输入端子输入基准电压源113的基准电压。
PMOS晶体管114的栅极输入输出停止信号ST，源极与输入端子20连接，漏极与输出晶体管110的栅极连接。另外，PMOS晶体管114作为在图1的说明中所记载的输出停止电路发挥作用。
NMOS晶体管115的栅极输入测试模式信号TM，源极与接地端子连接，漏极与输出晶体管110的栅极连接。
根据该结构，电压输出电路111根据输入基于输出端子21的电压的电压和基准电压源113的基准电压的误差放大器111输出的电压来控制输出晶体管110的栅极，由此，能够将低于输入到输入端子20的外部电压Vin的恒定的内部电压输出到输出端子21。
过热检测电路131具有比较器130和基准电压源131。
比较器130的非反相输入端子连接于感温电路12的输出节点和测试端子22，反相输入端子接受作为基准电压源131的电压的第一电压，比较器130的输出信号成为输出停止信号ST。
电压检测电路141具有比较器140和基准电压源141。
比较器140的非反相输入端子连接于感温电路12的输出节点和测试端子22，反相输入端子接受作为基准电压源141的电压的第二电压，比较器140的输出信号成为测试模式信号TM。
而且，输出停止信号ST输入到电压输出电路111内的PMOS晶体管114的栅极，测试模式信号TM输入到电压输出电路111内的NMOS晶体管115的栅极。
此外，测试模式信号TM还输入到电压输出电路111内的误差放大器111。
在本例子中，由感温电路12、过热检测电路131和电压输出电路111内的PMOS晶体管114(输出停止电路)构成了过热保护电路。
在通常动作时过热保护电路发挥作用的情况或者进行过热保护电路的测试的情况下，在感温电路12的输出电压低于作为基准电压源131的电压的第一电压、或者向测试端子22输入低于第一电压的电压作为测试信号TE时，作为比较器130的输出的输出停止信号ST成为低电平(有效电平)。由此，PMOS晶体管114导通。
这时，作为比较器140的输出的测试模式信号TM也成为低电平，因此，NMOS晶体管115截止。
因此，输出晶体管110的栅极成为高电平，因此，输出晶体管110截止。因此，停止电压输出电路111的输出。
这样，能够在通常动作时，使过热保护电路发挥作用、或者将过热保护电路设为测试状态。
另一方面，在设为将电压调节器10的输出端子21的电压从内部电压切换到外部电压Vin的测试模式的情况下，向测试端子22输入高于作为基准电压源141的电压的第二电压的电压。由此，作为比较器140的输出的测试模式信号TM成为高电平(有效电平)。由此，NMOS晶体管115导通。
此外，还向误差放大器111输入高电平的测试模式信号TM，据此，误差放大器111停止动作。
此外，这时，作为比较器130的输出的输出停止信号ST也成为高电平，因此，PMOS晶体管114截止。
因此，输出晶体管110的栅极成为低电平(接地电压)，对输出晶体管110的栅极-源极间施加电压调节器10中的最大电压。由此，能够进行输出晶体管110的应力测试。
此外，向作为输出晶体管110的漏极的输出端子21输出外部电压Vin，作为输出电压，该外部电压Vin输入到输入端子20。由此，还能够进行与输出端子21连接的外部电路(未图示)的应力测试。
接着，使用图4，对作为图1所示的电压调节器10中的电压检测电路14的第2具体例的电压检测电路142进行说明。
如图4所示，本例子中的电压检测电路142具有：NMOS晶体管142，该NMOS晶体管142的栅极和漏极与测试端子22连接；以及电阻143，其连接于NMOS晶体管142的源极与接地端子之间。而且，NMOS晶体管142的源极的电压成为测试模式信号TM。
其它方面与图3所示的电压调节器10相同，因此，对相同的结构要素标注相同标号，并适当省略重复说明。
在本例子中，如上所述地构成了电压检测电路142，因此，第二电压根据NMOS晶体管142的阈值电压和电压输出电路111内的NMOS晶体管115的阈值电压而决定。
如图2所示，在感温电路12使用二极管元件来构成的情况下，感温电路12的输出电压的上限大概成为0.9V。
因此，第二电压需要成为0.9V以上。在该情况下，作为NMOS晶体管142，优选采用具有P型栅极的异极栅极MOS晶体管。异极栅极MOS晶体管的阈值电压容易设定为高于通常的MOS晶体管的阈值电压，因此，通过采用该异极栅极MOS晶体管的阈值电压，容易将第二电压可靠地设为0.9V以上。
接着，使用图5，对作为图1所示的电压调节器10中的电压输出电路11的第2具体例的电压输出电路112进行说明。
在输入到输入端子20的外部电压Vin为特别高的电压的情况下，优选使用本例子的电压输出电路112。即，在图3和图4所示的电压输出电路111中，在外部电压Vin为高电压的情况下，在产生了输出晶体管110的栅极的电压发生较大偏移而下降至接近接地电压的电压的情况时，有可能导致输出晶体管110的栅极-源极间的电压超过耐压，从而导致输出晶体管110破坏。
与此相对，根据电压输出电路112，能够避免这样的问题。
如图5所示，与图3和4所示的电压输出电路111相比，本例子中的电压输出电路112还具有钳位电路200及开关201，该钳位电路200及开关201串联连接在输入端子20与输出晶体管110的栅极之间。在测试模式信号TM成为高电平(有效电平)时，开关201断开。
其它方面与图3和4所示的电压输出电路111相同，因此，对相同的结构要素标注相同标号，并适当省略重复说明。
根据该结构，在开关201接通的通常状态下，钳位电路200对栅极的电压进行钳位，使得输出晶体管110的栅极的电压不低于规定的电压。因此，能够防止输出晶体管110的栅极-源极间的电压超过耐压。
另一方面，在将电压调节器10设为测试模式的情况下，测试模式信号TM变为高电平，开关201断开，停止钳位。
这样，根据本例子，能够在不对测试模式时产生影响的情况下，防止在通常动作时对输出晶体管110的栅极-源极间施加大电压。
接着，使用图6，对作为图1所示的电压调节器10中的电压输出电路11的第3具体例的电压输出电路113进行说明。本例子的电压输出电路113追加了抑制输出端子21的电压的过冲(Overshoot)的功能。
如图6所示，与图3和4所示的电压输出电路111相比，本例子中的电压输出电路113还具有比较器300、OR电路(逻辑电路)301、以及作为过冲抑制电路发挥作用的PMOS晶体管302。
比较器300的非反相输入端子输入基准电压源113的电压，反相输入端子输入由电阻分压电路112分压而得的分压电压。在比较器300的非反相输入端子设置有偏移(offset)。
向OR电路301输入比较器300的输出和测试模式信号TM。
PMOS晶体管302的源极与输入端子20连接，漏极与输出晶体管110的栅极连接，栅极与OR电路301的输出节点连接。
其它方面与图3和4所示的电压输出电路111相同，因此，对相同的结构要素标注相同标号，并适当省略重复说明。
根据该结构，在输出端子21的电压发生过冲时，比较器300的反相输入端子的电压上升，因此，比较器300的输出成为低电平。在OR电路301接收到该比较器300的输出时，OR电路301的输出成为低电平。因此，PMOS晶体管302的栅极成为低电平，PMOS晶体管302导通。由此，输出晶体管110截止，因此，能够抑制过冲。
另一方面，在将电压调节器10设为测试模式的情况下，测试模式信号TM变为高电平，OR电路301接收该测试模式信号TM，因此，OR电路301的输出成为高电平。因此，PMOS晶体管302的栅极变为高电平，PMOS晶体管302截止。即，过冲抑制电路停止。
这样，根据本例子，能够在不对测试模式时产生影响的情况下，具有过冲抑制功能。
接着，使用图7，对作为图1所示的电压调节器10中的电压输出电路11的第4具体例的电压输出电路114进行说明。
如图7所示，本例子中的电压输出电路114成为图5所示的电压输出电路112的变形例。
即，与图5所示的电压输出电路112同样，电压输出电路114具有钳位电路200和开关201，在开关201接通的通常状态下，钳位电路200进行钳位，使得输出晶体管110的栅极不低于规定的电压。因此，能够防止输出晶体管110的栅极-源极间的电压超过耐压。
另一方面，与图5所示的电压输出电路112相比，电压输出电路114成为如下结构：将电阻分压电路112从输出端子21切断，取而代之，与电压调整端子400连接，并移除NMOS晶体管115，并且，不向误差放大器111输入测试模式信号TM，该电压调整端子400与输出端子21分开设置。
因此，在将电压调节器10设为测试模式的情况下，测试模式信号TM变为高电平，开关201断开，停止钳位。
这时，在本例子中，向电压调整端子400输入低于内部电压的电压、例如接地电压。由此，误差放大器111的输出成为低电平(接地电压)。因此，即使在输出晶体管110的栅极成为低电平(接地电压)、使用了本例子的电压输出电路114的电压调节器10中，与使用了其他例子的电压输出电路111～113的电压调节器10同样，能够将输入到输入端子20的外部电压Vin输出到输出端子21。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不受上述实施方式限定，当然能够在不脱离本发明的宗旨的范围内进行各种变更。
例如，电压输出电路11可以构成为具有用于对图5所示的输出晶体管的栅极的电压进行钳位的结构以及用于抑制图6所示的过冲的结构的双方。

Claims (11)

1.一种电压调节器，其特征在于，该电压调节器具有：
电压输出电路，其根据输入到输入端子的外部电压，生成低于所述外部电压的恒定的内部电压，并输出到输出端子；
感温电路，其与温度上升对应地使输出节点的输出电压下降；
过热检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和测试端子连接；以及
电压检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和所述测试端子连接，
在所述感温电路的输出电压和所述测试端子的电压低于第一电压时，所述电压输出电路根据所述过热检测电路输出的输出停止信号来停止输出，
在所述测试端子的电压高于第二电压时，所述电压输出电路根据所述电压检测电路输出的测试模式信号来向所述输出端子输出所述外部电压，其中，所述第二电压高于所述感温电路的输出电压和所述第一电压，
所述电压检测电路具有：
NMOS晶体管，其栅极和漏极连接于所述测试端子；以及
电阻，其连接于所述NMOS晶体管的源极与接地端子之间，
所述NMOS晶体管的源极的电压成为所述测试模式信号。
2.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
所述过热检测电路具有第一比较器，该第一比较器的非反相输入端子连接于所述感温电路的所述输出节点和所述测试端子，该第一比较器的反相输入端子输入所述第一电压，该第一比较器的输出信号成为所述输出停止信号。
3.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
所述NMOS晶体管是具有P型栅极的异极栅极MOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
所述电压输出电路具有：
误差放大器，其输入基准电压和基于所述输出端子的电压的电压；
输出晶体管，其源极与所述输入端子连接，漏极与所述输出端子连接，根据所述误差放大器输出的电压来控制该输出晶体管的栅极；
PMOS晶体管，其栅极输入所述输出停止信号，源极与所述输入端子连接，漏极与所述输出晶体管的栅极连接；以及
NMOS晶体管，其栅极输入所述测试模式信号，源极与接地端子连接，漏极与所述输出晶体管的栅极连接。
5.根据权利要求4所述的电压调节器，其特征在于，
在接收到所述测试模式信号时，所述误差放大器停止动作。
6.一种电压调节器，其特征在于，该电压调节器具有：
电压输出电路，其根据输入到输入端子的外部电压，生成低于所述外部电压的恒定的内部电压，并输出到输出端子；
感温电路，其与温度上升对应地使输出节点的输出电压下降；
过热检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和测试端子连接；以及
电压检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和所述测试端子连接，
在所述感温电路的输出电压和所述测试端子的电压低于第一电压时，所述电压输出电路根据所述过热检测电路输出的输出停止信号来停止输出，
在所述测试端子的电压高于第二电压时，所述电压输出电路根据所述电压检测电路输出的测试模式信号来向所述输出端子输出所述外部电压，其中，所述第二电压高于所述感温电路的输出电压和所述第一电压，
所述电压输出电路具有：
误差放大器，其输入基准电压和基于所述输出端子的电压的电压；
输出晶体管，其源极与所述输入端子连接，漏极与所述输出端子连接，根据所述误差放大器输出的电压来控制该输出晶体管的栅极；
PMOS晶体管，其栅极输入所述输出停止信号，源极与所述输入端子连接，漏极与所述输出晶体管的栅极连接；
NMOS晶体管，其栅极输入所述测试模式信号，源极与接地端子连接，漏极与所述输出晶体管的栅极连接；以及
钳位电路及开关，该钳位电路及该开关串联连接于所述输入端子与所述输出晶体管的栅极之间，
在所述开关接通时，所述钳位电路对所述输出晶体管的栅极的电压进行钳位，使得所述输出晶体管的栅极的电压不低于规定的电压，
在接收到所述测试模式信号时，所述开关断开。
7.根据权利要求6所述的电压调节器，其特征在于，
所述过热检测电路具有第一比较器，该第一比较器的非反相输入端子连接于所述感温电路的所述输出节点和所述测试端子，该第一比较器的反相输入端子输入所述第一电压，该第一比较器的输出信号成为所述输出停止信号。
8.根据权利要求6所述的电压调节器，其特征在于，
所述电压检测电路具有第二比较器，该第二比较器的非反相输入端子连接于所述感温电路的所述输出节点和所述测试端子，该第二比较器的反相输入端子输入所述第二电压，该第二比较器的输出信号成为所述测试模式信号。
9.一种电压调节器，其特征在于，该电压调节器具有：
电压输出电路，其根据输入到输入端子的外部电压，生成低于所述外部电压的恒定的内部电压，并输出到输出端子；
感温电路，其与温度上升对应地使输出节点的输出电压下降；
过热检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和测试端子连接；以及
电压检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和所述测试端子连接，
在所述感温电路的输出电压和所述测试端子的电压低于第一电压时，所述电压输出电路根据所述过热检测电路输出的输出停止信号来停止输出，
在所述测试端子的电压高于第二电压时，所述电压输出电路根据所述电压检测电路输出的测试模式信号来向所述输出端子输出所述外部电压，其中，所述第二电压高于所述感温电路的输出电压和所述第一电压，
所述电压输出电路具有：
误差放大器，其输入基准电压和基于所述输出端子的电压的电压；
输出晶体管，其源极与所述输入端子连接，漏极与所述输出端子连接，根据所述误差放大器输出的电压来控制该输出晶体管的栅极；
PMOS晶体管，其栅极输入所述输出停止信号，源极与所述输入端子连接，漏极与所述输出晶体管的栅极连接；
NMOS晶体管，其栅极输入所述测试模式信号，源极与接地端子连接，漏极与所述输出晶体管的栅极连接；
比较器，其输入基准电压和基于所述输出端子的电压的电压；
逻辑电路，其输入所述比较器的输出和所述测试模式信号；以及
过冲抑制电路，其连接于所述输入端子与所述输出晶体管的栅极之间，被所述逻辑电路的输出控制，
在接收到所述测试模式信号时，所述逻辑电路输出使所述过冲抑制电路停止的信号。
10.一种电压调节器，其特征在于，该电压调节器具有：
电压输出电路，其根据输入到输入端子的外部电压，生成低于所述外部电压的恒定的内部电压，并输出到输出端子；
感温电路，其与温度上升对应地使输出节点的输出电压下降；
过热检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和测试端子连接；以及
电压检测电路，其与所述感温电路的所述输出节点和所述测试端子连接，
在所述感温电路的输出电压和所述测试端子的电压低于第一电压时，所述电压输出电路根据所述过热检测电路输出的输出停止信号来停止输出，
在所述测试端子的电压高于第二电压时，所述电压输出电路根据所述电压检测电路输出的测试模式信号来向所述输出端子输出所述外部电压，其中，所述第二电压高于所述感温电路的输出电压和所述第一电压，
所述电压输出电路具有：
误差放大器，其输入基准电压和基于与所述输出端子分开设置的电压调整端子的电压的电压；
输出晶体管，其源极与所述输入端子连接，漏极与所述输出端子连接，根据所述误差放大器输出的电压来控制该输出晶体管的栅极；
PMOS晶体管，其栅极输入所述输出停止信号，源极与所述输入端子连接，漏极与所述输出晶体管的栅极连接；以及
钳位电路及开关，它们串联连接于所述输入端子与所述输出晶体管的栅极之间，
在所述开关接通时，所述钳位电路进行钳位，使得所述输出晶体管的栅极不低于规定的电压，
在接收到所述测试模式信号时，所述开关断开，
在所述电压检测电路输出所述测试模式信号时，所述电压调整端子被输入低于所述内部电压的电压。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的电压调节器，其特征在于，
所述感温电路具有：
电流源，其一端接受电源电压，另一端与所述测试端子连接；以及
二极管元件，其正向连接于所述测试端子与接地端子之间。
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