CN108682620A - 一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法及其装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法,包括以下步骤:S1、加装平板;S2、安装感应器;S3、感应器报警。一种改善滚轮带液刻蚀过刻的装置,包括滚轮带液刻蚀设备,所述滚轮下方设置有平板,所述平板与滚轮相互贴合;所述平板上平行设置有多组安装槽,所述安装槽与滚轮相互垂直,且安装槽与滚轮连接处设置有感应器,所述感应器包括电性连接的按钮开关和报警器,所述按钮开关与滚轮活动连接。本发明的装置配合着改善过刻的方法,能够有效避免由于滚轮不平造成的过刻,减少由于刻蚀过程中过刻造成效率降低情况,以及过刻造成的外观不良情况,可以实时进行过刻情况的检测,实用性强,非常值得推广。

Description

一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法及其装置
技术领域
本发明涉及刻蚀技术领域,具体为一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法及其装置。
背景技术
目前常规单晶电池片生产过程为:制绒-扩散-湿法刻蚀-退火-SiNx镀膜-丝网印刷-烧结-分选-检测,扩散采用两片硅片背靠背方式进行,对硅片正面进行掺杂,形成P-N结,背面和侧边也不可避免地扩散上磷,正面收集的光生电子会沿着边缘有磷的区域流到背面,造成短路。湿法刻蚀使用HF/HNO3溶液去除侧边和背面的磷,避免发生短路,但刻蚀过程中经常出现过刻,即将正面部分P-N结刻蚀去除,过刻会降低光生载流子的吸收能力,从而导致电池片转换效率下降,严重过刻时会出现明显的外观异常。本发明旨在减少刻蚀过程中的过刻现象,降低过刻对效率、良率的影响。
目前采用的湿法刻蚀技术主要为“水上漂”和滚轮带液两种,“水上漂”技术中需使用硫酸,以达到使硅片漂在液面的浮力,但硫酸污染较大,现正在逐步减少其使用量;滚轮带液技术中硅片不直接接触溶液,而是螺纹滚轮的一部分淹没在溶液中,利用滚轮转动时带起的液对硅片的侧边和背面进行刻蚀,此技术对滚轮的水平型要求较高,生产时在硅片上表面铺上水膜,避免上表面被刻蚀,若滚轮不平,则会引起硅片抖动,水膜将会流下,硅片上表面将会被刻蚀,即过刻,现生产过程中常出现因滚轮不平而引起的过刻。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法及其装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法,包括以下步骤:
S1、加装平板:在滚轮带液刻蚀设备的滚轮下加装一个平板,且滚轮与平板相互贴合;
S2、安装感应器:在平板与滚轮贴合处设置有感应器,且感应器安装于平板上;
S3、感应器报警:若滚轮未与平板贴合,则感应器发出报警信号。
一种装置,用于改善滚轮带液刻蚀过刻的方法,包括滚轮带液刻蚀设备,所述滚轮带液刻蚀设备中水平设置有多根滚轮,所述滚轮下方设置有平板,所述平板与滚轮相互贴合;
所述平板上平行设置有多组安装槽,所述安装槽与滚轮相互垂直,且安装槽与滚轮连接处设置有感应器,所述感应器包括电性连接的按钮开关和报警器,所述按钮开关与滚轮活动连接。
优选的,所述平板中开设有若干孔洞,所述平板的开孔率范围为5%-25%。
优选的,所述孔洞之间的距离相同。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明的装置配合着改善过刻的方法,能够有效避免由于滚轮不平造成的过刻,减少由于刻蚀过程中过刻造成效率降低情况,以及过刻造成的外观不良情况,可以实时进行过刻情况的检测,实用性强,非常值得推广。
附图说明
图1为本发明的方法流程示意框图;
图2为本发明的整体装置结构示意图;
图3为本发明的平板与滚轮连接结构示意图;
图4为本发明的平板表面结构示意图。
图中:1滚轮带液刻蚀设备、2滚轮、3平板、31孔洞、4安装槽、5感应器、51按钮开关、52报警器、6硅片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-4,本发明提供一种技术方案:
一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法,包括以下步骤:
S1、加装平板3:在滚轮带液刻蚀设备1的滚轮2下加装一个平板3,且滚轮2与平板3相互贴合;
S2、安装感应器5:在平板3与滚轮2贴合处设置有感应器5,且感应器5安装于平板3上;
S3、感应器5报警:若滚轮2未与平板3贴合,则感应器5发出报警信号。
一种装置,用于改善滚轮带液刻蚀过刻的方法中,包括滚轮带液刻蚀设备1,滚轮带液刻蚀设备1中水平设置有多根滚轮2,滚轮2下方设置有平板3,平板3与滚轮2相互贴合,平板3中开设有若干孔洞31,平板3的开孔率范围为5%-25%,孔洞31之间的距离相同。
平板3上平行设置有多组安装槽4,安装槽4与滚轮2相互垂直,且安装槽4与滚轮2连接处设置有感应器5,感应器5包括电性连接的按钮开关51和报警器52,按钮开关51与滚轮2活动连接,当平板3与滚轮2贴合时,按钮开关51与滚轮2相接触,此时使得报警器52不发出报警信号,当滚轮2发生弯曲等情况导致滚轮2不再与平板3贴合时,按钮开关51不再被滚轮2挤压接触,此时报警器52被启动,发出报警信号,提醒工作人员滚轮2高度不再处于同一水平位置,及时发现及时处理由于滚轮2不水平导致的过刻现象。
本发明在现有的滚轮带液刻蚀设备1的螺纹滚轮2下加装一个平板3,滚轮2与平板3贴合,平板3上带有感应器5,感应器5位于每根滚轮2的下方处,每根滚轮2下感应器5数目与一排同时前进硅片6数一致,位置为硅片6经过对应下方中间位置,若滚轮2高度未处于同一水平位置,或者滚轮2弯曲导致滚轮2某一段与其他滚轮2不在同一水平位置,当任一感应器5检测到滚轮2未与平板3贴合时将会报警。
平板上3设计有大小相同的圆形孔洞31,液体由孔洞31中流动,进行平板3上下溶液的交换、混合,平板3开孔率为20%,每个孔洞31之间距离相同,以避免由于溶液交换、混合不均所引起的各项异常。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (4)

1.一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、加装平板(3):在滚轮带液刻蚀设备(1)的滚轮(2)下加装一个平板(3),且滚轮(2)与平板(3)相互贴合;
S2、安装感应器(5):在平板(3)与滚轮(2)贴合处设置有感应器(5),且感应器(5)安装于平板(3)上;
S3、感应器(5)报警:若滚轮(2)未与平板(3)贴合,则感应器(5)发出报警信号。
2.一种装置,用于权利要求书1所述的改善滚轮带液刻蚀过刻的方法,包括滚轮带液刻蚀设备(1),所述滚轮带液刻蚀设备(1)中水平设置有多根滚轮(2),其特征在于:所述滚轮(2)下方设置有平板(3),所述平板(3)与滚轮(2)相互贴合;
所述平板(3)上平行设置有多组安装槽(4),所述安装槽(4)与滚轮(2)相互垂直,且安装槽(4)与滚轮(2)连接处设置有感应器(5),所述感应器(5)包括电性连接的按钮开关(51)和报警器(52),所述按钮开关(51)与滚轮(2)活动连接。
3.根据权利要求2所述的一种改善滚轮带液刻蚀过刻的装置,其特征在于:所述平板(3)中开设有若干孔洞(31),所述平板(3)的开孔率范围为5%-25%。
4.根据权利要求3所述的一种改善滚轮带液刻蚀过刻的装置,其特征在于:所述孔洞(31)之间的距离相同。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114481331A (zh) * 2022-01-24 2022-05-13 江西中弘晶能科技有限公司 一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315313A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Fujitsu Ltd 枚葉式超音波処理装置
JP2001286912A (ja) * 2000-03-31 2001-10-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロールプロフィール評価方法
JP2006133628A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像形成装置
CN202167531U (zh) * 2011-07-30 2012-03-14 常州天合光能有限公司 太阳能电池片刻蚀机传输装置
CN102386086A (zh) * 2011-11-10 2012-03-21 北京七星华创电子股份有限公司 滚轮及刻蚀清洗机
CN204184877U (zh) * 2014-09-11 2015-03-04 江苏力维物流机械有限公司 传送辊平稳性检测装置
CN104733346A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 昆山国显光电有限公司 一种湿法刻蚀设备
CN204924159U (zh) * 2015-09-18 2015-12-30 武汉钢铁(集团)公司 一种钢板不平度测量装置
CN205146897U (zh) * 2015-11-26 2016-04-13 江阴科玛金属制品有限公司 辊系水平度检测平台
CN208173567U (zh) * 2018-06-07 2018-11-30 通威太阳能(安徽)有限公司 一种改善滚轮带液刻蚀过刻的装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315313A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Fujitsu Ltd 枚葉式超音波処理装置
JP2001286912A (ja) * 2000-03-31 2001-10-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロールプロフィール評価方法
JP2006133628A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像形成装置
CN202167531U (zh) * 2011-07-30 2012-03-14 常州天合光能有限公司 太阳能电池片刻蚀机传输装置
CN102386086A (zh) * 2011-11-10 2012-03-21 北京七星华创电子股份有限公司 滚轮及刻蚀清洗机
CN104733346A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 昆山国显光电有限公司 一种湿法刻蚀设备
CN204184877U (zh) * 2014-09-11 2015-03-04 江苏力维物流机械有限公司 传送辊平稳性检测装置
CN204924159U (zh) * 2015-09-18 2015-12-30 武汉钢铁(集团)公司 一种钢板不平度测量装置
CN205146897U (zh) * 2015-11-26 2016-04-13 江阴科玛金属制品有限公司 辊系水平度检测平台
CN208173567U (zh) * 2018-06-07 2018-11-30 通威太阳能(安徽)有限公司 一种改善滚轮带液刻蚀过刻的装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114481331A (zh) * 2022-01-24 2022-05-13 江西中弘晶能科技有限公司 一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法

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