CN108630136B - 失效侦测系统及其方法 - Google Patents

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Abstract

一种失效侦测系统包含一发光阵列,及一失效侦测装置,该发光阵列包括多个发光二极管单元,该失效侦测装置包括一驱动模块,及一判断模块,该驱动模块接收一指示一欲侦测发光二极管单元的坐标信号,该欲侦测发光二极管单元是该多个发光二极管单元的其中之一,该驱动模块根据该坐标信号产生一驱动信号至该欲侦测发光二极管单元,该判断模块接收一选择信号,并根据该选择信号侦测来自该欲侦测发光二极管单元的输出端的一输出电压,该判断模块根据该输出电压的大小产生一指示该欲侦测发光二极管单元是否异常的状态信号。本发明失效侦测系统直接侦测该发光二极管单元的该输出电压,因此不需如现有的技术提供不同准位的预定电流值。

Description

失效侦测系统及其方法
技术领域
本发明涉及一种系统及方法,特别是指能快速侦测发光二极管是否异常的失效侦测系统及其方法。
背景技术
现有的发光二极管失效侦测系统具有以下的缺点:
1.须提供两个不同准位的预定电流:如申请号US 2014/0097849A1所揭示的发光二极管失效侦测系统,需先量测该串列的发光二极管接收一高准位的预定电流时的第一跨压,再量测该串列的发光二极管接收一低准位的预定电流时的第二跨压,并将根据该第一跨压与该第二跨压进行减法运算而得到一第一校准值,后续再重复上述的量测以得到一第二校准值,该发光二极管失效侦测系统再判断该第一校准值和该第二校准值的差值是否大于一基本值以判断该串列发光二极管是否故障。
2.无法快速更换维修:现有的发光二极管失效侦测系统只能侦测出该串列的发光二极管有故障,但却无法确切知道是哪一颗发光二极管故障。
3.增加成本:由于现有的发光二极管失效侦测系统无法知道是哪一颗发光二极管故障,因此,当检测到该串列的发光二极管故障时,仅能针对该串列的发光二极管逐一检测,而无法快速更换,以致造成时间成本提高。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种能不需提供不同准位的预定电流,就能明确地知道失效的发光二极管的位置坐标,而能马上更换维修的失效侦测系统。
本发明失效侦测系统包含一发光阵列及一失效侦测装置。
该发光阵列包括多个扫描线、多个数据线,及多个发光二极管单元。
该多个扫描线各自沿一第一方向设置。
该多个数据线各自沿一第二方向垂直设置于所述扫描线。
该多个发光二极管单元分别对应地设置于由该多个扫描线与该多个数据线所界定的矩阵间,每一发光二极管单元具有一电连接所对应的该扫描线的输入端及一电连接所对应的该数据线的输出端。
该失效侦测装置包括一驱动模块及一判断模块。
该驱动模块电连接该多个扫描线及该多个数据线,且接收一指示一欲侦测发光二极管单元的坐标信号,该欲侦测发光二极管单元是该多个发光二极管单元的其中之一,该驱动模块根据该坐标信号产生一驱动信号至该欲侦测发光二极管单元。
该判断模块电连接每一发光二极管单元的输出端,且接收一指示哪一数据线的选择信号,该选择信号相关于该坐标信号,该判断模块根据该选择信号侦测来自该欲侦测发光二极管单元的输出端的一输出电压,该判断模块根据该输出电压的大小产生一指示该欲侦测发光二极管单元是否异常的状态信号。
本发明失效侦测系统,该失效侦测装置还包括
一控制单元,用于根据一相关于该欲侦测发光二极管单元的位置坐标产生该坐标信号及该选择信号,并电连接于该判断模块和该驱动模块以接收来自该判断模块的该状态信号,该控制单元根据对应于该欲侦测发光二极管单元的该状态信号与该位置坐标,输出一判断结果。
本发明失效侦测系统,还包含一显示器,电连接该控制单元以接收该判断结果,并显示该判断结果。
本发明失效侦测系统,该判断模块包括一多工器,接收该选择信号,且电连接该多个数据线,以接收该多个数据线上的电压,并根据该选择信号选择该多个数据线上的电压的其中之一,作为该欲侦测发光二极管单元的输出端的该输出电压,一减法器,接收一相关于该驱动信号的预设电压,且电连接该多工器以接收该输出电压,并将该预设电压及该输出电压进行减法运算以产生一相关于该欲侦测发光二极管单元的电压差值,及一比较电路,接收一临界值,且电连接该减法器以接收该电压差值,并比较该电压差值与该临界值以产生该状态信号。
本发明失效侦测系统,该临界值包括一指示一第一准位的第一参考电压,及一指示一第二准位的第二参考电压,该第一参考电压小于该第二参考电压,该比较电路包括一第一比较器与一第二比较器,第一比较器具有一接收该第一参考电压的反向输入端、一接收该电压差值的非反向输入端,及一输出端,该第一比较器根据该第一参考电压和该电压差值进行比较,并在其输出端输出一具有一高准位及一低准位二者其中之一的第一判断信号。第二比较器具有一接收该第二参考电压的反向输入端、一接收该电压差值的非反向输入端,及一输出端,该第二比较器根据该第二参考电压和该电压差值进行比较,并在其输出端输出一具有一高准位及一低准位二者其中之一的第二判断信号,及一或闸,具有一电连接该第一比较器的该输出端以接收该第一判断信号的第一端、一电连接该第二比较器的该输出端以接收该第二判断信号的第二端,及一输出端,该或闸根据该第一判断信号和该第二判断信号进行逻辑运算,并在其输出端输出该状态信号,当该电压差值界于该第一参考电压与该第二参考电压间,则该状态信号指示没有异常,当该电压差值小于该第一参考电压或大于该第二参考电压,则该状态信号指示异常。
本发明失效侦测系统,该选择信号包括一指示哪一扫描线的第一次选择信号,及一指示哪一数据线的第二次选择信号,该判断模块包括一第一多工器,接收该第一次选择信号,且电连接该多个扫描线,以接收该多个扫描线上的电压,并根据该第一次选择信号选择该多个扫描线上的电压的其中之一,作为该欲侦测发光二极管单元的输入端的一输入电压;一第二多工器,接收该第二次选择信号,且电连接该多个数据线,以接收该多个数据线上的电压,并根据该第二次选择信号选择该多个数据线上的电压的其中之一,作为该欲侦测发光二极管单元的输出端的该输出电压;一减法器,电连接该第一多工器和该第二多工器以接收该输入电压和该输出电压,并将该输入电压及该输出电压进行减法运算以产生一相关于该欲侦测发光二极管单元的跨压;及一比较电路,接收一临界值,且电连接该减法器以接收该跨压,并比较该跨压与该临界值以产生该状态信号。
本发明失效侦测系统,该坐标信号包括一指示该欲侦测发光二极管单元所对应的扫描线的扫描信号及一该欲侦测发光二极管单元所对应的数据线的数据信号,该驱动模块包括一扫描单元,接收一驱动电压及该扫描信号,且电连接该多个扫描线,并根据该扫描信号以决定将该驱动电压传送到哪一扫描线上;及一数据单元,接收一地电压及该数据信号,且电连接该多个数据线,且根据该数据信号以决定将该地电压传送到哪一数据线上。
本发明失效侦测系统,该扫描单元包括多个扫描开关,每一扫描开关具有一输入端、一输出端及一控制端,该多个扫描开关的输入端接收该驱动电压,该多个扫描开关的输出端分别电连接该多个扫描线,该多个扫描开关的控制端受该扫描信号控制,以切换于导通与不导通间,及该数据单元包括多个数据开关,每一数据开关具有一输入端、一输出端及一控制端,该多个数据开关的输入端电连接该多个数据线,该多个数据开关的输出端接收该地电压,该多个数据开关的控制端受该数据信号控制,以切换于导通与不导通间。
本发明的一第二目的在于提供一种能不需提供不同准位的预定电流,就能明确地知道失效的发光二极管的位置坐标,而能马上更换维修的发光二极管失效侦测方法。
本发明发光二极管失效侦测方法,由一失效侦测系统执行,该失效侦测系统包含一发光阵列,及一失效侦测装置,该发光阵列包括多个扫描线、多个数据线,及多个发光二极管单元,该多个扫描线各自沿一第一方向设置,该多个数据线各自沿一第二方向垂直设置于所述扫描线,该多个发光二极管单元分别对应地设置于由该多个扫描线与该多个数据线所界定的矩阵间,每一发光二极管单元具有一电连接所对应的该扫描线的输入端及一电连接所对应的该数据线的输出端,该失效侦测装置包括一驱动模块,及一判断模块,该驱动模块电连接该多个扫描线及该多个数据线,该判断模块电连接每一发光二极管单元的输出端,该失效侦测方法包含以下步骤(A)至步骤步骤(C)。
步骤(A):利用该驱动模块根据一指示哪一发光二极管单元的坐标信号产生一驱动信号至一欲侦测发光二极管单元,该欲侦测发光二极管单元是该多个发光二极管单元的其中之一。
步骤(B):利用该判断模块根据一选择信号侦测来自该欲侦测发光二极管单元的输出端的一输出电压,该选择信号相关于该坐标信号,并指示哪一数据线。
步骤(C):利用该判断模块根据该输出电压的大小产生一指示是否异常的状态信号。
本发明失效侦测方法,该失效侦测装置还包括一控制单元,该控制单元电连接于该判断模块和该驱动模块,该失效侦测方法还包含以下步骤:利用该控制单元根据一相关于该欲侦测发光二极管单元的位置坐标产生该坐标信号及该选择信号;利用该控制单元接收来自该判断模块的该状态信号;利用该控制单元根据对应于该欲侦测发光二极管单元的该状态信号与该位置坐标,输出一判断结果。
本发明失效侦测方法,该失效侦测系统还包含一显示器,该显示器电连接该控制单元,该失效侦测方法还包含以下步骤:利用该显示器接收该判断结果;利用该显示器显示该判断结果。
本发明的一第三目的在于提供一种能不需提供不同准位的预定电流,就能明确地知道失效的发光二极管的位置坐标,而能马上更换维修的失效侦测装置。
本发明失效侦测装置适用于一发光阵列,该发光阵列包括多个扫描线、多个数据线,及多个发光二极管单元,该多个扫描线各自沿一第一方向设置,该多个数据线各自沿一第二方向垂直设置于所述扫描线,该多个发光二极管单元分别对应地设置于由该多个扫描线与该多个数据线所界定的矩阵间,每一发光二极管单元具有一电连接所对应的该扫描线的输入端及一电连接所对应的该数据线的输出端。
该失效侦测装置包含一驱动模块,及一判断模块。
该驱动模块电连接该多个扫描线及该多个数据线,且接收一指示一欲侦测发光二极管单元的坐标信号,该欲侦测发光二极管单元是该多个发光二极管单元的其中之一,该驱动模块根据该坐标信号产生一驱动信号至该欲侦测发光二极管单元。
该判断模块电连接每一发光二极管单元的输出端,且接收一指示哪一数据线的选择信号,该选择信号相关于该坐标信号,该判断模块根据该选择信号侦测来自该欲侦测发光二极管单元的输出端的一输出电压,该判断模块根据该输出电压的大小产生一指示该欲侦测发光二极管单元是否异常的状态信号。
本发明失效侦测装置,该判断模块包括一减法器,接收一相关于该驱动信号的预设电压,且电连接该发光二极管单元的该输出端以接收该输出电压,并将该预设电压及该输出电压进行减法运算以产生一相关于该发光二极管单元的电压差值;一比较电路,接收一临界值,且电连接该减法器以接收该电压差值,并比较该电压差值与该临界值以产生该状态信号。
本发明失效侦测装置,该失效侦测装置还包括一控制单元,用于产生该控制信号,并电连接该判断模块以接收该状态信号,该控制单元根据该发光二极管单元的该状态信号,输出一判断结果。
本发明失效侦测装置,该判断模块还电连接该发光二极管单元的该输入端,并包括一减法器,电连接该发光二极管单元的该输入端和该输出端以接收该输入电压和该输出电压,并将该输入电压及该输出电压进行减法运算以产生一相关于该发光二极管单元的跨压;一比较电路,接收一临界值,且电连接该减法器以接收该跨压,并比较该跨压与该临界值以产生该状态信号。
本发明失效侦测装置,该控制信号包括一扫描信号及一数据信号,该驱动模块包括一扫描单元,接收一驱动电压及该扫描信号,且电连接该发光二极管单元的该输入端,并根据该扫描信号以决定是否将该驱动电压传送到该发光二极管单元;一数据单元,接收一地电压及该数据信号,且电连接该发光二极管单元的该输出端,且根据该数据信号以决定是否将该地电压传送到该发光二极管单元。
本发明失效侦测系统,该扫描单元包括一扫描开关,该扫描开关具有一输入端、一输出端及一控制端,该输入端接收该驱动电压,该输出端电连接该发光二极管单元的该输入端,该控制端受该扫描信号控制,以切换于导通与不导通间;该数据单元包括一数据开关,该数据开关具有一输入端、一输出端及一控制端,该输入端电连接该发光二极管单元的该输出端,该输出端接收该地电压,该控制端受该数据信号控制,以切换于导通与不导通间。
本发明的一第四目的在于提供一种能不需提供不同准位的预定电流,就能明确地知道失效的发光二极管的位置坐标,而能马上更换维修的失效侦测装置。
本发明失效侦测装置,电连接一发光二极管单元,该发光二极管单元具有一输入端,及一输出端,该失效侦测装置包含一驱动模块及一判断模块。
该驱动模块电连接该发光二极管单元的该输入端及该输出端,并接收一控制信号,该驱动模块根据该控制信号产生一供该发光二极管单元接收的驱动信号。
该判断模块电连接该发光二极管单元的该输出端,并侦测该发光二极管单元的该输出端的一输出电压,该判断模块根据该输出电压的大小产生一指示该发光二极管单元是否异常的状态信号。
本发明失效侦测装置,该判断模块包括多个减法器,所述减法器分别电连接所述发光二极管,每一减法器侦测所对应的该发光二极管的该阳极和该阴极以接收一输入电压和一输出电压,并将该输入电压及该输出电压进行减法运算以产生一所对应的该发光二极管的跨压;多个比较电路,每一比较电路接收一临界值,并电连接所对应的该减法器以接收该跨压,并比较该跨压与该临界值以产生一次状态信号,该多个比较电路产生的该多个次状态信号组成该状态信号。
本发明失效侦测装置,该失效侦测装置还包括一控制单元,用于产生该控制信号,并电连接该判断模块以接收该状态信号,该控制单元根据该发光二极管单元的该状态信号,输出一判断结果。
本发明的一第五目的在于提供一种能不需提供不同准位的预定电流,就能明确地知道失效的发光二极管的位置坐标,而能马上更换维修的失效侦测装置。
本发明失效侦测装置,电连接一发光二极管单元,该发光二极管单元具有一输入端、一输出端,及多个串接的发光二极管,每一发光二极管具有一阳极及一阴极,所述发光二极管的一的阳极电连接该输入端,该多个发光二极管的另一的阴极电连接该输出端,该失效侦测装置包含一驱动模块及一判断模块。
该驱动模块电连接该发光二极管单元的该输入端及该输出端,并接收一控制信号,该驱动模块根据该控制信号产生一供该发光二极管单元接收的驱动信号。
该判断模块电连接每一发光二极管的该阳极和该阴极,并侦测每一发光二极管的一跨压,该判断模块根据每一跨压的大小产生一指示该跨压所对应的该发光二极管是否异常的状态信号。
本发明的有益效果在于:本发明失效侦测系统直接侦测该发光二极管单元的该输出电压,因此不需如现有的技术提供不同准位的预定电流值。
附图说明
本发明的其他的特征及功效,将于参照图式的实施方式中清楚地呈现,:
图1是一电路方块图,说明本发明失效侦测系统的一第一实施例;
图2是一方块图,说明本发明失效侦测系统的该第一实施例的一判断模块;
图3是一电路图,说明本发明失效侦测系统的该第一实施例的该判断模块的一比较电路;
图4是一流程图,说明本发明失效侦测系统的该第一实施例的发光二极管失效侦测方法的一步骤(A)至步骤(H);
图5是一方块图,说明本发明失效侦测系统的该第一实施例的另一态样;
图6是一电路方块图,说明本发明失效侦测系统的一第二实施例;
图7是一方块图,说明本发明失效侦测系统的该第二实施例的一判断模块;
图8是一电路方块图,说明本发明失效侦测系统的一第三实施例;
图9是一电路方块图,说明本发明失效侦测系统的一第四实施例;及
图10是一电路方块图,说明本发明失效侦测系统的一第五实施例。
具体实施方式
在本发明被详细描述前,应当注意在以下的说明内容中,类似的元件是以相同的编号来表示。
参阅图1,本发明失效侦测系统的一第一实施例包含一发光阵列1、一失效侦测装置2,及一显示器29。
该发光阵列1包括多个扫描线、多个数据线,及多个发光二极管单元11a~11p,该多个扫描线彼此相间隔沿一行方向(指第一方向)设置,该多个数据线彼此相间隔地沿一列方向(指第二方向)垂直设置于所述扫描线,该多个发光二极管单元11a~11p分别对应地设置于由该多个扫描线与该多个数据线所界定的矩阵间,每一发光二极管单元具有一电连接所对应的该扫描线的输入端,及一电连接所对应的该数据线的输出端。
该失效侦测装置2包括一驱动模块21、一判断模块24,及一控制单元30。
该驱动模块21电连接该多个扫描线及该多个数据线,并包括一扫描单元22,及一数据单元23。
该扫描单元22电连接该多个扫描线,该扫描单元22包括多个扫描开关221、222,每一扫描开关具有一输入端、一输出端及一控制端,该多个扫描开关221、222的输入端接收该驱动电压Vdd,该多个扫描开关221、222的输出端分别电连接该多个扫描线,该多个扫描开关221、222的控制端受一扫描信号Vy1~Vy4控制,以切换于导通与不导通间。
该数据单元23电连接该多个数据线,该数据单元23包括多个数据开关231、232,每一数据开关具有一输入端、一输出端及一控制端,该多个数据开关231、232的输入端电连接该多个数据线,该多个数据开关231、232的输出端接收该地电压,该多个数据开关231、232的控制端受一数据信号Vx1~Vx4控制,以切换于导通与不导通间。
同时参阅图2和图3,该判断模块24电连接每一发光二极管单元的输出端,该判断模块24包括一多工器25、一减法器26,及一比较电路27,该多工器25具有多个电连接该多个数据线的输入端、一接收一选择信号S1的选择端,及一输出端,该减法器26具有两个分别接收一预设电压Vp及电连接该多工器25以接收输出电压的输入端,及一输出端,该比较电路27电连接该减法器26的该输出端,并包括一第一比较器271、一第二比较器272,及一或闸273,该第一比较器271具有一接收该第一参考电压Vr1的反向输入端、一接收该电压差值Vdif的非反向输入端,及一输出端,该第二比较器272具有一接收一第二参考电压Vr2的反向输入端、一接收该电压差值Vdif的非反向输入端,及一输出端,该或闸273具有一电连接该第一比较器271的该输出端的第一端、一电连接该第二比较器272的该输出端的第二端,及一输出端。
该控制单元30电连接于该判断模块24、该驱动模块21和该显示器29。
参阅图4,同时参阅图1、图2,为方便后续说明图1以四个扫描线、四个数据线,和十六个发光二极管单元11a~11p、四个扫描开关221、222和四个数据开关231、232为例,并针对该失效侦测系统执行该发光二极管失效侦测方法加以说明,该发光二极管失效侦测方法包含以下步骤:
步骤(A):该驱动模块21根据一指示欲侦测的发光二极管单元11f的坐标信号产生一驱动信号至欲侦测的该发光二极管单元11f,欲侦测的该发光二极管单元11f是该多个发光二极管单元11a~11p的其中之一,而该坐标信号包括指示哪一扫描线的扫描信号Vy1~Vy4及一指示哪一数据线的数据信号Vx1~Vx4。
该步骤(A)的详细作法为:
该驱动模块21的该扫描单元22接收该驱动电压Vdd及扫描信号Vy1~Vy4并根据该扫描信号Vy2决定将该驱动电压Vdd传送到哪一扫描线。该驱动模块21的该数据单元23接收该地电压及该数据信号Vx1~Vx4,并根据该数据信号Vx2决定将该地电压传送到哪一扫描线。
在此更进一步地加以说明,为方便后续实施例的说明,在此定义扫描信号Vy1~Vy4为0100的四位元的信号,而数据信号Vx1~Vx4为0100的四位元的信号。
当该扫描单元22的所述扫描开关221、222接收扫描信号Vy1~Vy4,由于该扫描信号Vy2为1,所以对应该扫描信号Vy2的所述扫描开关222即切换为导通,以致该驱动电压Vdd传送至其所对应的该扫描线1A上,同样地,该数据单元23的所述数据开关231、232接收数据信号Vx1~Vx4,由于该数据信号Vx2为1,所以对应该数据信号Vx2的所述数据开关232即切换为导通,以致该地电压传送至其所对应的该数据线1B上,这时,电连接于该所对应的该扫描线1A和该所对应的该数据线1B间的欲侦测的该发光二极管单元11f即能同时接收到该驱动电压Vdd和该地电压,欲侦测的该发光二极管单元11f所接收到的该驱动电压Vdd和该地电压共同组成该驱动信号。
步骤(B):该判断模块24根据指示哪一数据信号的该,。S1侦测来自欲侦测的该发光二极管单元11f的输出端的一输出电压,该选择信号S1相关于该坐标信号。
该步骤(B)的详细作法为:
该判断模块24的该多工器25接收该选择信号S1和该多个数据线上的电压Vd1~Vd4,并根据该选择信号S1选择该多个数据线上的电压Vd2,作为欲侦测的该发光二极管单元11f的输出端的该输出电压。
接着继续说明该多工器25接收所述电压Vd1~Vd4,且根据该选择信号S1选择相关于欲侦测的该发光二极管单元11f的该数据线上的电压Vd2,作为欲侦测的该发光二极管单元11f的输出端的该输出电压,并输出该输出电压。
步骤(C):该判断模块24根据该输出电压的大小产生一指示该欲侦测的该发光二极管单元11f是否异常的状态信号S2。
该步骤(C)的详细作法为:
该判断模块24的该减法器26接收相关于该驱动信号的该预设电压Vp,及来自该多工器25的该输出电压,并根据该预设电压Vp及该输出电压Vd2进行减法运算以产生一相关于欲侦测的该发光二极管单元11f的电压差值Vdif。
该判断模块24的该比较电路27接收一临界值Vr,及来自该减法器26的该电压差值Vdif,并比较该电压差值Vdif与该临界值Vr产生该状态信号S2,该临界值Vr包括指示一第一准位的该第一参考电压Vr1,及一指示一第二准位的该第二参考电压Vr2,该第一参考电压Vr1小于该第二参考电压Vr2。
以下更进一步地针对该比较电路27的作动加以说明。
参阅图3,该比较电路27的该第一比较器271根据该反向输入端接收的该第一参考电压Vr1和该非反向输入端接收的该电压差值Vdif进行比较,并在该输出端输出一具有一高准位及一低准位二者其中之一的第一判断信号Sj1;该比较电路27的该第二比较器272根据该反向输入端接收的该第二参考电压Vr2和该非反向输入端接收的该电压差值Vdif进行比较,并在该输出端输出一具有一高准位及一低准位二者其中之一的第二判断信号Sj2;而该比较电路27的该或闸273根据该第一端所接收到的该第一判断信号Sj1和该第二端所接收到的该第二判断信号Sj2进行逻辑运算产生该状态信号S2,并由该输出端输出,当该电压差值Vdif介于该第一参考电压Vr1与该第二参考电压Vr2间,则该状态信号S2指示没有异常,当该电压差值Vdif小于该第一参考电压Vr1或大于该第二参考电压Vr2,则该状态信号S2指示异常。
为更清楚说明,在此定义该预设电压Vp为3.8伏特,该第一参考电压Vr1为2.6伏特,该第二参考电压Vr2为3.5伏特,而该输出电压为0.4伏特。
该减法器26接收该预设电压Vp(3.8V)和该输出电压Vd2(0.4V)即进行减法运算而得到3.4伏特的电压差值Vdif,该比较电路27的该第一比较器271的该反向输入端和该非反向输入端分别接收该第一参考电压Vr1(2.6V)和该电压差值Vdif(3.4V),因此,该第一比较器271的该输出端输出低准位的该第一判断信号Sj1,而该比较电路27的该第二比较器272的该反向输入端和该非反向输入端分别接收该第二参考电压Vr2(3.5V)和该电压差值Vdif(3.4V),因此,该第二比较器272的该输出端输出低准位的该第二判断信号Sj2,该或闸273接收该第一判断信号Sj1和该第二判断信号Sj2,并根据该第一判断信号Sj1和该第二判断信号Sj2进行逻辑运算,输出低准位的该状态信号S2。
步骤(D):该控制单元30根据一相关于欲侦测的该发光二极管单元11f的位置坐标产生该坐标信号和该选择信号S1。
步骤(E):该控制单元30接收来自该判断模块24的该状态信号S2。
步骤(F):该控制单元30根据对应于欲侦测的该发光二极管单元11f的该状态信号S2与该位置坐标,输出一判断结果。
步骤(G):该显示器29接收该判断结果。
步骤(H):该显示器29显示该判断结果。
接着说明步骤(D)至步骤(H),该控制单元30根据欲侦测的该发光二极管单元11f的位置坐标产生该扫描信号Vy1~Vy4和该数据信号Vx1~Vx4,及相关于欲侦测的该发光二极管单元11f的所对应的该数据线的该选择信号S1,该控制单元30接收步骤(C)的具有低准位的该状态信号S2时,并根据该状态信号S2判断欲侦测的该发光二极管单元11f无异常,还根据该坐标信号判断出欲侦测的该发光二极管单元11f的位置坐标,进而输出至该显示器29,使该显示器29藉此显示出判断结果,该判断结果指示欲侦测的该发光二极管单元11f位于该发光阵列1的何处且其状态为无异常。
通过上述的失效侦测系统执行失效侦测方法能让一维修人员直接通过该显示器29显示的该判断结果观察出欲侦测的该发光二极管单元11f是否异常,及欲侦测的该发光二极管单元11f的所在位置,因此,当欲侦测的该发光二极管单元11f为异常时,该维修人员能快速地对异常的欲侦测的该发光二极管单元11f进行更换,而不需对发光二极管单元11a~11p逐一检测,因此减少时间成本的耗费。
参阅图5,本发明失效侦测系统的该第一实施例的该判断模块还有另一态样,另一态样的该判断模块包括多个比较单元28,及一多工器25。
该多个比较单元28接收预设电压Vp,并电连接该多个数据线以接收该多个数据线上的电压Vd1~Vd4,每一比较单元28根据该多个电压Vd1~Vd4的所对应者和该预设电压Vp进行比较,并产生一比较信号S11/S12/S13/S14。每一比较单元28包括一减法器26,及一比较电路27。每一比较单元28的该减法器26电连接该多个数据线的所对应的电压端以接收该所对应的数据线上的电压,并根据该所对应数据线上的电压和该预设电压Vp进行减法运算以产生该电压差值Vdif;每一比较单元28的该比较电路27接收该临界值Vr,且电连接该减法器26以接收该电压差值Vdif,并比较该电压差值Vdif与该临界值Vr以产生该比较信号S11/S12/S13/S14,该比较电路27的细部电路与该图3类似,在此不再赘述,不同的处仅在于该或闸273的该输出端输出该比较信号S11/S12/S13/S14。
该多工器25接收该选择信号S1,且电连接该多个比较单元28以接收该多个比较信号S11~S14,并根据该选择信号S1选择并输出所述比较信号S11~S14的一相关于该输出电压的比较信号S12,作为该状态信号S2,该状态信号S2相关于欲侦测的该发光二极管单元11f。
参阅图6和图7,本发明失效侦测系统的一第二实施例与该第一实施例的不同之处在于:该选择信号S1包括一指示哪一扫描线的第一次选择信号S1a,及一指示哪一数据线的第二次选择信号S1b,且该判断模块24包括一第一多工器25a、一第二多工器25b、一减法器26,及一比较电路27。
该第一多工器25a接收该第一次选择信号S1a,且电连接该多个扫描线,以接收该多个扫描线上的电压Vled1~Vled4,并根据该第一次选择信号S1a选择该多个扫描线上的电压Vled2,作为欲侦测的该发光二极管单元11f的输入端的一输入电压。
该第二多工器25b接收该第二次选择信号S1b,且电连接该多个数据线,以接收该多个数据线上的电压Vd1~Vd4,并根据该第二次选择信号S1b选择该多个数据线上的电压Vd2,作为欲侦测的该发光二极管单元11f的输出端的该输出电压。
该减法器26电连接该第一多工器25a和该第二多工器25b以接收该输入电压和该输出电压,并将该输入电压及该输出电压进行减法运算以产生一相关于欲侦测的该发光二极管单元11f的跨压Vc。
该比较电路27接收该临界值Vr,且电连接该减法器26以接收该跨压Vc,并比较该跨压Vc与该临界值Vr以产生该状态信号S2。该比较电路27的细部电路与图3类似,在此不再赘述,不同的处仅在于该比较电路27接收该跨压Vc。
因此,本发明失效侦测系统不仅能如该第一实施例仅侦测欲侦测的该发光二极管单元11f的该输出电压,也可以如该第二实施例侦测欲侦测的该发光二极管单元11f的该输入电压,通过侦测欲侦测的该发光二极管单元11f的跨压Vc以判断欲侦测的该发光二极管单元11f是否异常。
参阅图8,本发明失效侦测系统的一第三实施例与该第一实施例的不同之处在于:该失效侦测装置2仅电连接一个发光二极管单元11f,该发光二极管单元11f具有一输入端、一输出端,及一电连接于该输入端和该输出端间的发光二极管11。
该失效侦测装置2包含一驱动模块21、一判断模块24及一控制单元30。
该驱动模块21电连接该发光二极管单元11f的该输入端及该输出端,并接收一控制信号S3,该驱动模块21根据该控制信号S3产生供该发光二极管单元11f接收的该驱动信号,该控制信号S3包括一扫描信号S31及一数据信号S32。
该驱动模块21包括一扫描单元22及一数据单元23。该扫描单元22接收该驱动电压Vdd及该扫描信号S31,且电连接该发光二极管单元11f的该输入端,并根据该扫描信号S31以决定是否将该驱动电压Vdd传送到该发光二极管单元11f。该扫描单元22包括一扫描开关222,该扫描开关222具有一输入端、一输出端及一控制端,该输入端接收该驱动电压Vdd,该输出端电连接该发光二极管单元11f的该输入端,该控制端受该扫描信号S31控制,以切换于导通与不导通间。该数据单元23接收一地电压及该数据信号S32,且电连接该发光二极管单元11f的该输出端,且根据该数据信号S32以决定是否将该地电压传送到该发光二极管单元11f。该数据单元23包括一数据开关232,该数据开关232具有一输入端、一输出端及一控制端,该输入端电连接该发光二极管单元11f的该输出端,该输出端接收该地电压,该控制端受该数据信号S32控制以切换于导通与不导通间。
该判断模块24电连接该发光二极管单元11f的该输出端,并侦测该发光二极管单元11f的该输出端的一输出电压Vd,该判断模块24根据该输出电压Vd的大小产生一指示该发光二极管单元11f是否异常的状态信号S2。
该判断模块24包括一减法器26及一比较电路27。
该减法器26接收相关于该驱动信号的该预设电压Vp,且电连接该发光二极管单元11f的该输出端以接收该输出电压Vd,并将该预设电压Vp及该输出电压Vd进行减法运算以产生相关于该发光二极管单元11f的电压差值Vdif。
该比较电路27接收该临界值Vr,且电连接该减法器26以接收该电压差值Vdif,并比较该电压差值Vdif与该临界值Vr以产生该状态信号S2。
由于该第三实施例的失效侦测装置2的其余作动同该第一实施例,因此在此不再赘述。
参阅图9,本发明失效侦测系统的一第四实施例与该第三实施例的不同的处在于:该判断模块24还电连接该发光二极管单元11f的该输入端,因此该减法器26电连接该发光二极管单元11f的该输入端和该输出端以接收该输入电压Vled和该输出电压Vd,并将该输入电压Vled及该输出电压Vd进行减法运算以产生一相关于该发光二极管单元11f的跨压Vc,且该比较电路27接收该跨压Vc。
参阅图10,本发明失效侦测系统的一第五实施例与该第四实施例的不同之处在于:该发光二极管单元11f具有多个串接的发光二极管13~15,每一发光二极管具有一阳极及一阴极,发光二极管13阳极电连接该输入端,发光二极管15阴极电连接该输出端,且该判断模块24电连接每一发光二极管的该阳极和该阴极,并侦测每一发光二极管的一跨压Vc,该判断模块24根据每一跨压Vc的大小产生一指示该跨压Vc所对应的该发光二极管13~15是否异常的状态信号S2。
该判断模块24包括多个减法器26及多个比较电路27。
所述减法器26分别电连接所述发光二极管13~15,每一减法器26侦测所对应的该发光二极管的该阳极和该阴极以接收输入电压和输出电压,并将该输入电压及该输出电压进行减法运算以产生所对应的该发光二极管的跨压Vc。
每一比较电路27接收该临界值Vr,并电连接所对应的该减法器26以接收该跨压Vc,并比较该跨压Vc与该临界值Vr以产生次状态信号S21~S23。
该控制单元30产生该控制信号S3,并电连接该判断模块24以接收所述次状态信号S21~S23,并根据所述次状态信号S21~S23输出该判断结果。
在此更进一步地加以说明,在此假设发光二极管13为异常,因此所述状态信号S21~S23分别为1、0、0,该控制单元30则判断出该次状态信号S21为异常,因此该控制单元30则输出指示对应该状态信号S21的该发光二极管13为异常的判断结果。
综上所述,本发明失效侦测系统具有以下的优点:
1.不需提供不同准位的预定电流:本发明失效侦测系统直接侦测该发光二极管单元的该输出电压,因此不需如现有的技术提供不同准位的预定电流值。
2.可快速更换维修:本发明失效侦测系统不仅能侦测该发光二极管单元是否失效,更能于该显示器显示出失效的该发光二极管单元的发光二极管的位置坐标。
3.减少成本:由于本发明失效侦测系统能确切地知道失效的发光二极管的位置坐标,因此维修人员可直接根据位置坐标进行发光二极管的更换,因此减少了时间成本。即本发明失效侦测系统能直接侦测该发光二极管单元的该输出电压即能侦测该发光二极管单元是否失效,而直接于该显示器显示出失效的该发光二极管单元的位置坐标,以致维修人员能直接根据位置坐标进行发光二极管单元的更换,所以确实能达成本发明的目的。
以上所述者,仅为本发明的较佳实施例而已,当不能以此限定本发明实施的范围,即凡依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本发明的范围。

Claims (11)

1.一种失效侦测系统,其特征在于,包含:
一发光阵列,包括
多个扫描线,各自沿一第一方向设置,
多个数据线,各自沿一第二方向垂直设置于所述扫描线,及
多个发光二极管单元,分别对应地设置于由该多个扫描线与该多个数据线所界定的矩阵间,每一发光二极管单元具有一电连接所对应的该扫描线的输入端,及一电连接所对应的该数据线的输出端;及
一失效侦测装置,包括
一驱动模块,电连接该多个扫描线及该多个数据线间,且接收一指示一欲侦测发光二极管单元的坐标信号,该欲侦测发光二极管单元是该多个发光二极管单元的其中之一,该驱动模块根据该坐标信号产生一驱动信号至该欲侦测发光二极管单元,及
一判断模块,电连接每一发光二极管单元的输出端,且接收一指示哪一数据线的选择信号,该选择信号相关于该坐标信号,该判断模块根据该选择信号侦测来自该欲侦测发光二极管单元的输出端的一输出电压,该判断模块根据该输出电压的大小产生一指示该欲侦测发光二极管单元是否异常的状态信号;
其中,该坐标信号包括一指示该欲侦测发光二极管单元所对应的扫描线的扫描信号及一指示该欲侦测发光二极管单元所对应的数据线的数据信号,该驱动模块包括
一扫描单元,接收一驱动电压及该扫描信号,且电连接该多个扫描线,并根据该扫描信号以决定将该驱动电压传送到哪一扫描线上,及
一数据单元,接收一地电压及该数据信号,且电连接该多个数据线,且根据该数据信号以决定将该地电压传送到哪一数据线上;
该欲侦测的该发光二极管单元的该输入端所接收到的该驱动电压和该欲侦测的该发光二极管单元的该输出端所接收的该地电压共同组成该驱动信号,该驱动电压是一正电压,其中,该输入端为该发光二极管单元的一阳极,该输出端为该发光二极管单元的一阴极。
2.根据权利要求1所述的失效侦测系统,其特征在于,该失效侦测装置还包括一控制单元,该控制单元用于根据一相关于该欲侦测发光二极管单元的位置坐标产生该坐标信号及该选择信号,并电连接于该判断模块和该驱动模块间以接收来自该判断模块的该状态信号,该控制单元根据对应于该欲侦测发光二极管单元的该状态信号与该位置坐标,输出一判断结果。
3.根据权利要求2所述的失效侦测系统,其特征在于,还包含一显示器,该显示器电连接该控制单元以接收该判断结果,并显示该判断结果。
4.根据权利要求1所述的失效侦测系统,其特征在于,该判断模块包括一多工器、一减法器及一比较电路,
该多工器接收该选择信号,且电连接该多个数据线,以接收该多个数据线上的电压,并根据该选择信号选择该多个数据线上的电压的其中之一,作为该欲侦测发光二极管单元的输出端的该输出电压,
该减法器接收一相关于该驱动信号的预设电压,且电连接该多工器以接收该输出电压,并将该预设电压及该输出电压进行减法运算以产生一相关于该欲侦测发光二极管单元的电压差值,及
该比较电路接收一临界值,且电连接该减法器以接收该电压差值,并比较该电压差值与该临界值以产生该状态信号。
5.根据权利要求4所述的失效侦测系统,其特征在于,该临界值包括一指示一第一准位的第一参考电压,及一指示一第二准位的第二参考电压,该第一参考电压小于该第二参考电压,该比较电路包括一第一比较器、一第二比较器、一或闸,
该第一比较器具有一接收该第一参考电压的反向输入端、一接收该电压差值的非反向输入端,及一输出端,该第一比较器根据该第一参考电压和该电压差值进行比较,并在其输出端输出一具有一高准位及一低准位二者的其中之一的第一判断信号,
该第二比较器具有一接收该第二参考电压的反向输入端、一接收该电压差值的非反向输入端,及一输出端,该第二比较器根据该第二参考电压和该电压差值进行比较,并在其输出端输出一具有一高准位及一低准位二者的其中之一的第二判断信号,及
该或闸具有一电连接该第一比较器的该输出端以接收该第一判断信号的第一端、一电连接该第二比较器的该输出端以接收该第二判断信号的第二端,及一输出端,该或闸根据该第一判断信号和该第二判断信号进行逻辑运算,并在其输出端输出该状态信号,当该电压差值界于该第一参考电压与该第二参考电压间,则该状态信号指示没有异常,当该电压差值小于该第一参考电压或大于该第二参考电压,则该状态信号指示异常。
6.根据权利要求1所述的失效侦测系统,其特征在于,该选择信号包括一指示哪一扫描线的第一次选择信号,及一指示哪一数据线的第二次选择信号,该判断模块包括
一第一多工器,接收该第一次选择信号,且电连接该多个扫描线,以接收该多个扫描线上的电压,并根据该第一次选择信号选择该多个扫描线上的电压的其中之一,作为该欲侦测发光二极管单元的输入端的一输入电压,
一第二多工器,接收该第二次选择信号,且电连接该多个数据线,以接收该多个数据线上的电压,并根据该第二次选择信号选择该多个数据线上的电压的其中之一,作为该欲侦测发光二极管单元的输出端的该输出电压,
一减法器,电连接该第一多工器和该第二多工器以接收该输入电压和该输出电压,并将该输入电压及该输出电压进行减法运算以产生一相关于该欲侦测发光二极管单元的跨压,及
一比较电路,接收一临界值,且电连接该减法器以接收该跨压,并比较该跨压与该临界值以产生该状态信号。
7.根据权利要求1所述的失效侦测系统,其特征在于,
该扫描单元包括多个扫描开关,每一扫描开关具有一输入端、一输出端及一控制端,该多个扫描开关的输入端接收该驱动电压,该多个扫描开关的输出端分别电连接该多个扫描线,该多个扫描开关的控制端受该扫描信号控制,以切换于导通与不导通间,及
该数据单元包括多个数据开关,每一数据开关具有一输入端、一输出端及一控制端,该多个数据开关的输入端电连接该多个数据线,该多个数据开关的输出端接收该地电压,该多个数据开关的控制端受该数据信号控制,以切换于导通与不导通间。
8.一种失效侦测方法,由一失效侦测系统执行,该失效侦测系统包含一发光阵列,及一失效侦测装置,该发光阵列包括多个扫描线、多个数据线,及多个发光二极管单元,该多个扫描线各自沿一第一方向设置,该多个数据线各自沿一第二方向垂直设置于所述扫描线,该多个发光二极管单元分别对应地设置于由该多个扫描线与该多个数据线所界定的矩阵间,每一发光二极管单元具有一电连接所对应的该扫描线的输入端及一电连接所对应的该数据线的输出端,该失效侦测装置包括一驱动模块,及一判断模块,该驱动模块电连接该多个扫描线及该多个数据线间,该判断模块电连接每一发光二极管单元的输出端,其特征在于,该失效侦测方法包含以下步骤:
利用该驱动模块根据一指示哪一发光二极管单元的坐标信号产生一驱动信号至一欲侦测发光二极管单元,该欲侦测发光二极管单元是该多个发光二极管单元的其中之一;
利用该判断模块根据一选择信号侦测来自该欲侦测发光二极管单元的输出端的一输出电压,该选择信号相关于该坐标信号,并指示哪一数据线;及
利用该判断模块根据该输出电压的大小产生一指示该欲侦测发光二极管单元是否异常的状态信号;
其中,该坐标信号包括一指示该欲侦测发光二极管单元所对应的扫描线的扫描信号及一指示该欲侦测发光二极管单元所对应的数据线的数据信号,该驱动模块包括
一扫描单元,接收一驱动电压及该扫描信号,且电连接该多个扫描线,并根据该扫描信号以决定将该驱动电压传送到哪一扫描线上,及
一数据单元,接收一地电压及该数据信号,且电连接该多个数据线,且根据该数据信号以决定将该地电压传送到哪一数据线上;
该欲侦测的该发光二极管单元的该输入端所接收到的该驱动电压和该欲侦测的该发光二极管单元的该输出端所接收的该地电压共同组成该驱动信号,该驱动电压是一正电压,该输入端为该发光二极管单元的一阳极,该输出端为该发光二极管单元的一阴极。
9.根据权利要求8所述的失效侦测方法,其特征在于,该失效侦测装置还包括一控制单元,该控制单元电连接于该判断模块和该驱动模块间,该失效侦测方法还包含以下步骤:
利用该控制单元根据一相关于该欲侦测发光二极管单元的位置坐标产生该坐标信号及该选择信号,
利用该控制单元接收来自该判断模块的该状态信号,及
利用该控制单元根据对应于该欲侦测发光二极管单元的该状态信号与该位置坐标,输出一判断结果。
10.根据权利要求9所述的失效侦测方法,其特征在于,该失效侦测系统还包含一显示器,该显示器电连接该控制单元,该失效侦测方法还包含以下步骤:
利用该显示器接收该判断结果,及
利用该显示器显示该判断结果。
11.一种失效侦测装置,适用于一发光阵列,该发光阵列包括多个扫描线、多个数据线,及多个发光二极管单元,该多个扫描线各自沿一第一方向设置,该多个数据线各自沿一第二方向垂直设置于所述扫描线,该多个发光二极管单元分别对应地设置于由该多个扫描线与该多个数据线所界定的矩阵间,每一发光二极管单元具有一电连接所对应的该扫描线的输入端,及一电连接所对应的该数据线的输出端,其特征在于,该失效侦测装置包含:
一驱动模块,电连接该多个扫描线及该多个数据线间,且接收一指示一欲侦测发光二极管单元的坐标信号,该欲侦测发光二极管单元是该多个发光二极管单元的其中之一,该驱动模块根据该坐标信号产生一驱动信号至该欲侦测发光二极管单元,及
一判断模块,电连接每一发光二极管单元的输出端,且接收一指示哪一数据线的选择信号,该选择信号相关于该坐标信号,该判断模块根据该选择信号侦测来自该欲侦测发光二极管单元的输出端的一输出电压,该判断模块根据该输出电压的大小产生一指示该欲侦测发光二极管单元是否异常的状态信号;
其中,该坐标信号包括一指示该欲侦测发光二极管单元所对应的扫描线的扫描信号及一指示该欲侦测发光二极管单元所对应的数据线的数据信号,该驱动模块包括
一扫描单元,接收一驱动电压及该扫描信号,且电连接该多个扫描线,并根据该扫描信号以决定将该驱动电压传送到哪一扫描线上,及
一数据单元,接收一地电压及该数据信号,且电连接该多个数据线,且根据该数据信号以决定将该地电压传送到哪一数据线上;
该欲侦测的该发光二极管单元的该输入端所接收到的该驱动电压和该欲侦测的该发光二极管单元的该输出端所接收的该地电压共同组成该驱动信号,该驱动电压是一正电压,该输入端为该发光二极管单元的一阳极,该输出端为该发光二极管单元的一阴极。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10699631B2 (en) * 2018-09-12 2020-06-30 Prilit Optronics, Inc. LED sensing system and display panel sensing system
CN109870626B (zh) 2019-03-22 2020-11-06 北京集创北方科技股份有限公司 开路检测方法和led显示装置
CN111833781A (zh) * 2019-03-29 2020-10-27 光远科技股份有限公司 发光二极管电路与触碰侦测方法
CN111833799B (zh) * 2019-04-15 2022-04-05 杭州海康威视数字技术股份有限公司 一种led接收组件及接收卡切换方法
JP7354735B2 (ja) * 2019-09-30 2023-10-03 セイコーエプソン株式会社 駆動回路、表示モジュール、及び移動体
TWI748344B (zh) * 2020-02-14 2021-12-01 聚積科技股份有限公司 發光二極體調屏標準判定模型建立方法
CN113380163A (zh) * 2020-03-10 2021-09-10 鸿富锦精密电子(郑州)有限公司 显示状态侦测系统
TWI769721B (zh) * 2020-03-13 2022-07-01 聚積科技股份有限公司 驅動系統
US11151932B2 (en) * 2020-03-13 2021-10-19 Macroblock, Inc. Driving system
CN113450721B (zh) * 2020-03-26 2024-05-28 聚积科技股份有限公司 扫描式显示器及其驱动装置与驱动方法
CN111883049A (zh) * 2020-08-12 2020-11-03 北京集创北方科技股份有限公司 消影电位调整方法、行驱动电路及led显示设备
US11910499B2 (en) 2021-04-19 2024-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic apparatus and control method thereof
KR102403567B1 (ko) * 2021-10-26 2022-05-30 주식회사 레젠 다수 개의 led 모듈의 고장 검출 시스템
CN114863879B (zh) 2022-05-23 2023-05-02 惠科股份有限公司 有机发光二极管控制电路及显示面板
CN117593974A (zh) * 2023-11-27 2024-02-23 惠科股份有限公司 显示面板、显示面板的侦测方法和显示装置
CN118283874B (zh) * 2024-06-03 2024-07-30 杭州胜金微电子有限公司 一种led基板的总线控制方法、装置及led显示系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1691126A (zh) * 2004-04-20 2005-11-02 索尼株式会社 恒流驱动设备、背光光源设备和彩色液晶显示设备
TW200849173A (en) * 2007-06-08 2008-12-16 Macroblock Inc Light emitting diode (LED) driver for reporting channel-operating state in binary mode
DE102011106670A1 (de) * 2011-07-05 2013-01-10 Austriamicrosystems Ag Schaltungsanordnung zum Betreiben einer Diodenmatrix und Verfahren zur Fehlererkennung und Fehlerlokalisierung in der Diodenmatrix
DE102014112176A1 (de) * 2014-08-26 2015-03-12 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
CN106033661A (zh) * 2015-02-13 2016-10-19 明阳半导体股份有限公司 显示面板的驱动装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5418142Y2 (zh) * 1973-10-02 1979-07-10
JPS559146A (en) * 1978-07-06 1980-01-23 Pentel Kk Tablet testing device
JPS55130243U (zh) * 1978-08-14 1980-09-13
JPS5917578A (ja) * 1982-07-22 1984-01-28 株式会社東芝 発光ダイオ−ドマトリクス用試験装置
JPS5974591A (ja) * 1982-10-22 1984-04-27 株式会社日立製作所 障害検知機能を備えた表示器点灯回路
JPS59126967A (ja) * 1983-01-10 1984-07-21 Toshiba Corp Ledマトリクスデイスプレイの試験装置
JPH02105589A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Mitsubishi Electric Corp Led素子の駆動装置
JPH0569960U (ja) * 1991-03-19 1993-09-21 スタンレー電気株式会社 Led表示装置
US5809552A (en) * 1992-01-29 1998-09-15 Fujitsu Limited Data processing system, memory access device and method including selecting the number of pipeline stages based on pipeline conditions
JPH07266619A (ja) * 1994-03-14 1995-10-17 Xerox Corp 故障状態決定方法及びled プリントヘッド
JP4147594B2 (ja) * 1997-01-29 2008-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JPH1187774A (ja) * 1997-07-09 1999-03-30 Nichia Chem Ind Ltd Led表示装置及び半導体装置
JP2000033729A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ
IT1305051B1 (it) * 1998-12-04 2001-04-10 S E I Sistemi Energetici Integ Sistema di controllo di un impianto di illuminazione o segnalazioneluminosa avente una molteplicita' di punti luce a led o simili
JP2000347626A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Nippon Signal Co Ltd:The 表示装置、誤表示防止方法
JP2001042786A (ja) * 1999-07-27 2001-02-16 Matsushita Electric Works Ltd 画素異常検出回路組込み型表示装置
JP2004126082A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toshiba Lighting & Technology Corp Led標識灯監視システム
JP3882773B2 (ja) * 2003-04-03 2007-02-21 ソニー株式会社 画像表示装置、駆動回路装置および発光ダイオードの不良検出方法
JP2005141094A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Nippon Signal Co Ltd:The 表示装置
JP2005258128A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Tohoku Pioneer Corp 自発光表示モジュールおよび同モジュールを搭載した電子機器、ならびに同モジュールにおける欠陥状態の検証方法
JP2005274821A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Tohoku Pioneer Corp 自発光表示モジュールおよび同モジュールを搭載した電子機器、ならびに同モジュールにおける欠陥状態の検証方法
EP1777533A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-25 ALCATEL Transport Solution Deutschland GmbH Monitoring device for an array of electrical units
JP4963471B2 (ja) * 2006-01-13 2012-06-27 シャープ株式会社 照明装置および液晶表示装置
US7948468B2 (en) * 2007-02-23 2011-05-24 The Regents Of The University Of Colorado Systems and methods for driving multiple solid-state light sources
US20110025230A1 (en) * 2007-05-11 2011-02-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Driver device for leds
JP4780159B2 (ja) * 2008-08-27 2011-09-28 ソニー株式会社 表示装置とその駆動方法
JP2010123273A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Ccs Inc Led照明装置
JP2010287601A (ja) * 2009-06-09 2010-12-24 Panasonic Corp 発光素子駆動装置
JP5056921B2 (ja) * 2010-08-24 2012-10-24 カシオ計算機株式会社 半導体光源装置、半導体光源制御方法及び投影装置
US8558463B2 (en) * 2011-01-11 2013-10-15 Panasonic Corporation LED matrix open/short detection apparatus and method
EP2487998A1 (en) * 2011-02-09 2012-08-15 National Semiconductor Corporation Technique for identifying at least one faulty light emitting diode in a string of light emitting diodes
JP5829067B2 (ja) * 2011-07-11 2015-12-09 ローム株式会社 Led駆動装置、照明装置、液晶表示装置
DE102012107766B4 (de) * 2011-08-30 2019-01-31 Infineon Technologies Ag Fehlererkennung für eine Serienschaltung elektrischer Lasten
DE102011056708A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9253850B2 (en) * 2012-05-22 2016-02-02 Texas Instruments Incorporated LED bypass and control circuit for fault tolerant LED systems
TWI459351B (zh) 2012-05-23 2014-11-01 Macroblock Inc 點矩陣發光二極體顯示裝置之驅動系統與驅動方法
JP5841906B2 (ja) * 2012-07-03 2016-01-13 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 故障検知装置、故障検知システム、及び故障検知方法
TWI496501B (zh) * 2012-08-22 2015-08-11 Macroblock Inc 片段線性驅動的光源裝置
EP2717653B1 (en) * 2012-10-04 2016-09-14 Nxp B.V. A method of detecting a LED failure, a controller therefor, a lighting unit and lighting system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1691126A (zh) * 2004-04-20 2005-11-02 索尼株式会社 恒流驱动设备、背光光源设备和彩色液晶显示设备
TW200849173A (en) * 2007-06-08 2008-12-16 Macroblock Inc Light emitting diode (LED) driver for reporting channel-operating state in binary mode
DE102011106670A1 (de) * 2011-07-05 2013-01-10 Austriamicrosystems Ag Schaltungsanordnung zum Betreiben einer Diodenmatrix und Verfahren zur Fehlererkennung und Fehlerlokalisierung in der Diodenmatrix
DE102014112176A1 (de) * 2014-08-26 2015-03-12 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
CN106033661A (zh) * 2015-02-13 2016-10-19 明阳半导体股份有限公司 显示面板的驱动装置

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