CN108624865B - 应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置 - Google Patents
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- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 186
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 75
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 description 1
- 230000008844 regulatory mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Abstract
一种应用于半导体设备之可拆卸式喷气装置,其包含顶盖件、中空套件、顶座壳体及气体输出单元。顶盖件包含凸部与第一至第三进气通道分别用以输入第一至三反应气体。中空套件套接凸部,且连接于顶盖件的下底面,以形成第一传输通道于中空套件的内侧壁与凸部的外侧壁之间,并且连通第一进气通道。顶座壳体具有中心孔,用以容置中空套件,并且顶盖件的顶盖壁设置于顶座壳体的顶面上,以形成第二传输通道于中空套件的外侧壁与中心孔的内侧壁之间,并且连通第二进气通道。气体输出单元则连接中空套件的底面,其中气体输出单元包含第一及第二分隔板,用以形成第一至第三气体输出层,进而分别用以对应垂直输出第二、第一及第三反应气体。
Description
技术领域
本发明是有关一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,特别是关于一种应用于化学气相沉积(CVD)系统的具有气体分层传送分布机制的可拆卸式喷气装置。
背景技术
于目前常见半导体制程且具气体分散输出机制的化学气相沉积(CVD)系统设备中,其喷气装置一般皆通过多个具有凹槽孔洞的连接板件,形成连通管道,并借由管道孔径以调整气体流动分布及其均匀度。
然而,该些连接板件通常采金属焊接的固定方式,而无法拆卸以进行清洗其制程中所残留的沉积物等,同时亦无法根据不同制程的条件需求而更有弹性地更换局部元件,以调整其气体传输流动分布。因此,目前传统的喷气装置,由于连接板件与连通管道的复杂性,其整体成本不仅高昂,且后续清洁更是费时费力。
故,亟需发展出一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,使其不仅可将制程反应气体分层独立地导流传输,并且可更弹性地拆卸组装以进行构成部件的清洁与更换。
发明内容
鉴于上述,本发明实施例的目的之一在于提出一种应用于半导体制程的化学气相沉积(CVD)系统的可拆卸式喷气装置,其可将制程反应气体分层独立地导流传输,以控制其流场分布均匀度而在予以喷射至制程反应区,进而提升在晶圆上形成薄膜沉积的品质良率。
本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
根据本发明的一个实施例,一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其包含顶盖件、中空套件、顶座壳体及气体输出单元。顶盖件包含凸部与第一进气通道、第二进气通道及第三进气通道,分别用以输入第一反应气体、第二反应气体及第三反应气体,其中凸部设置于顶盖件的下底面,并具第三进气通道延伸设置于凸部内。中空套件套接凸部,且中空套件的顶面连接于顶盖件的下底面,以形成第一传输通道于中空套件的内侧壁与凸部的外侧壁之间,并且连通第一进气通道。顶座壳体具有中心孔,用以容置中空套件,并且顶盖件的顶盖壁设置于顶座壳体的顶面上,以形成第二传输通道于中空套件的外侧壁与中心孔的内侧壁之间,并且连通第二进气通道。气体输出单元则连接中空套件的底面,其中气体输出单元包含第一分隔板及第二分隔板,用以形成第一气体输出层、第二气体输出层及第三气体输出层,进而分别用以对应垂直输出第二反应气体、第一反应气体及第三反应气体。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该第一传输通道与该第二传输通道分别包含第一导流板及第二导流板,并且该第一导流板及该第二导流板分别具有多个第一导流孔及第二导流孔,均匀分布配置于该第一传输通道与该第二传输通道的横截面。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该顶座壳体包含冷却单元,用以循环传输冷却液体于该中心孔周围。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该第一分隔板连接于该中空套件的底面,且该中空套件的底面突出于该顶座壳体的底面,其中该第一气体输出层形成于该第一分隔板的顶面与该顶座壳体的底面之间。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该第二分隔板连接于该顶盖件的该凸部,且该凸部的底面突出于该中空套件的底面,其中该第二气体输出层形成于该第二分隔板的顶面与该第一分隔板的底面之间。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该第一分隔板与该第二分隔板至少其中之一具有多个导流块或导流隔板,均匀间隔环设于该第一分隔板或/与该第二分隔板的中心区域,以形成多个导流通道。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该气体输出单元更包含导流盖件,设置连接该第三进气通道的输出口,并且该导流盖件的顶面连接该第二分隔板的底面,用以导流该第三反应气体。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该导流盖件嵌设于均热板,并且该第三气体输出层形成于该第二分隔板的底面与该均热板的顶面之间。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该导流盖件具有多个导流槽道,用以均匀传输该第三反应气体至该第三气体输出层。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该气体输出单元更包含插销塞件,设置连接该第三进气通道的输出口,并且该插销塞件底部具有孔洞,用以提供将该第三进气通道抽真空。
本发明解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
根据本发明的另一个实施例,一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,包含顶盖件、第一中空套件、第二中空套件、顶座壳体及气体输出单元。其中顶盖件包含凸部与第一进气通道、第二进气通道及第三进气通道,分别用以输入第一反应气体、第二反应气体及第三反应气体,其中该凸部设置于该顶盖件的下底面,并具该第三进气通道系延伸设置于该凸部内。第一中空套件套接该凸部,且该第一中空套件的顶面连接于该顶盖件的下底面,以形成第一传输通道于该第一中空套件的内侧壁与该凸部的外侧壁之间,并且连通该第一进气通道。第二中空套件套接该第一中空套件,且该第二中空套件的顶面连接于该顶盖件的下底面,以形成第二传输通道于该第二中空套件的内侧壁与该第一中空套件的外侧壁之间,并且连通该第二进气通道。顶座壳体具有中心孔,用以容置该第二中空套件,并且该顶盖件的顶盖壁设置于该顶座壳体的顶面上。及气体输出单元连接该第一中空套件与该第二中空套件的底面,其中该气体输出单元包含第一分隔板及第二分隔板,以形成第一气体输出层、第二气体输出层及第三气体输出层,且分别用以对应垂直输出该第二反应气体、该第一反应气体及该第三反应气体。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该第一传输通道与该第二传输通道分别包含第一导流板及第二导流板,并且该第一导流板及该第二导流板分别具有多个第一导流孔及第二导流孔,均匀分布配置于该第一传输通道与该第二传输通道的横截面。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该顶座壳体包含冷却单元,用以循环传输冷却液体于该中心孔周围。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该第一分隔板连接于该第一中空套件的底面,且该第一中空套件的底面突出于该顶座壳体的底面,而该第二中空套件的底面与该顶座壳体的底面共面,其中该第一气体输出层形成于该第一分隔板的顶面与该第二中空套件的底面及该顶座壳体的底面的共面之间。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该第二分隔板连接于该顶盖件的该凸部,且该凸部的底面突出于该第一中空套件的底面,其中该第二气体输出层形成于该第二分隔板的顶面与该第一分隔板的底面之间。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该第一分隔板与该第二分隔板至少其中之一具有多个导流块或导流隔板,均匀间隔环设于该第一分隔板或/与该第二分隔板的中心区域,以形成多个导流通道。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该气体输出单元更包含导流盖件,设置连接该第三进气通道的输出口,并且该导流盖件的顶面连接该第二分隔板的底面,用以导流该第三反应气体。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该导流盖件系嵌设于一均热板,并且该第三气体输出层系形成于该第二分隔板之底面与该均热板之顶面之间。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该导流盖件具有多个导流槽道,用以均匀传输该第三反应气体至该第三气体输出层。
所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其中该气体输出单元更包含插销塞件,设置连接该第三进气通道的输出口,并且该插销塞件底部具有孔洞,用以提供将该第三进气通道抽真空。
附图说明
图1A显示本发明一实施例的一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置的组合结构部分剖面图。
图1B显示本发明一实施例的一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置的分解图。
图1C显示本发明一实施例的一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置的气体流动示意图。
图1D绘示根据本发明另一实施例的第一分隔板的示意图。
图1E绘示根据本发明另一实施例的第一分隔板的示意图。
图1F绘示根据本发明另一实施例的导流盖件的示意图。
图1G绘示根据本发明另一实施例的插销塞件的示意图。
图2A显示本发明一实施例的一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置的组合结构部分剖面图。
图2B显示本发明一实施例的一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置的分解图。
图2C显示本发明一实施例的一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置的气体流动示意图。
【主要元件符号说明】
100:喷气装置 110:顶盖件
112:凸部 114A-C:第一至第三进气通道
120:中空套件 120A:第一中空套件
120B:第二中空套件 130:顶座壳体
132:中心孔 134:冷却单元
136:冷却液体 140:气体输出单元
141:第一分隔板 141A:导流块
141B:导流隔板 141C:导流通道
142:第二分隔板 143A-C:第一至第三气体输出层
144:导流盖件 144A:导流槽道
145:插销塞件 145A:穿孔
144A:导流槽道 150A-C:第一至第三反应气体
160A-B:第一至第二传输通道 162A-B:第一至第二导流板
164A-B:第一至第二导流孔 170:均热板
具体实施方式
请参考图1A、图1B及图1C,其分别显示本发明一实施例的之一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置的组合结构部分剖面图、分解图及其气体流动示意图。如图所示,一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置100,其包含顶盖件110、中空套件120、顶座壳体130及气体输出单元140。顶盖件110包含凸部112与第一进气通道114A、第二进气通道114B及第三进气通道114C,分别用以输入第一反应气体150A、第二反应气体150B及第三反应气体150C,其中凸部112设置于顶盖件110的下底面,并具第三进气通道114C延伸设置于凸部112内。中空套件120套接凸部112,且中空套件120的顶面连接于顶盖件110的下底面,以形成第一传输通道160A于中空套件120的内侧壁与凸部112的外侧壁之间,并且连通第一进气通道114A。顶座壳体130具有中心孔132,用以容置中空套件120,并且顶盖件110的顶盖壁设置于顶座壳体130的顶面上,以形成第二传输通道160B于中空套件120的外侧壁与中心孔132的内侧壁之间,并且连通第二进气通道114B。气体输出单元140则连接中空套件120的底面,其中气体输出单元140包含第一分隔板141及第二分隔板142,用以形成第一气体输出层143A、第二气体输出层143B及第三气体输出层143C,进而分别用以对应垂直输出第二反应气体150B、第一反应气体150A及第三反应气体150C。
于本实施例中,顶盖件110、中空套件120、顶座壳体130及气体输出单元140相互组装锁接,因此使用者可依据实际需求而予以相互拆卸分解更换或清洗后,再进行组接拼装。此外,本发明不以此为限,上述元件亦可采扣接、拴接或其他适切的密封连接固定方式。
再者,第一传输通道160A与第二传输通道160B分别包含第一导流板162A及第二导流板162B,并且第一导流板162A及第二导流板162B分别具有多个第一导流孔164A及第二导流孔164B,均匀分布配置于第一传输通道160A与第二传输通道160B的横截面中。如此一来,当第一反应气体150A与第二分应气体150B自第一进气通道114A及第二进气通道114B,导入传输至第一传输通道160A与第二传输通道160B时,将可以借由第一导流板162A及第二导流板162B上的第一导流孔164A及第二导流孔164B,而予以均匀扩散传输分布于第一进气通道114A及第二进气通道114B中。
再者,于本发明的一实施例中,顶座壳体130可包含冷却单元134,用以循环传输冷却液体136于中心孔132周围,进而有效调节顶盖件110、中空套件120与顶座壳体130及其周遭的温度,从而提供对应有效的温度调控机制。
请继续参照图1C,如图所示的气体输出单元140,其中第一分隔板141连接于中空套件120的底面,且中空套件120的底面突出于顶座壳体130的底面,其中第一气体输出层143A形成于第一分隔板141的顶面与顶座壳体130的底面之间。
另一方面,第二分隔板142则可连接于顶盖件110的凸部112,且凸部112的底面突出于中空套件120的底面,其中第二气体输出层143B形成于第二分隔板142的顶面与第一分隔板141的底面之间。
接着,请继续参照图1D,其绘示根据本发明另一实施例的第一分隔板的示意图。如图所示,第一分隔板141可具有多个导流块141A,均匀间隔环设于第一分隔板的中心区域,以形成多个导流通道141C,借以将第二反应气体150B均匀地传输喷射之。
然而本发明不以此为限,请继续参照图1E,其绘示根据本发明另一实施例的第一分隔板的示意图。第一分隔板141亦可依据实际制程需求而设计具有多个导流隔板141B,使其均匀间隔环设于第一分隔板141的中心区域,以形成多个导流通道141C,借以将第二反应气体150B均匀地传输喷射之。此外,虽然上述仅以第一分隔板141作为说明示意,惟第二分隔板142亦可与第一分隔板141具有相似特征,容此不再赘述之。
请再参照图1B与图1C,如图所示,气体输出单元140可更包含导流盖件144,设置连接该第三进气通道114C的输出口,并且导流盖件144的顶面连接第二分隔板142的底面,用以导流第三反应气体150C。更进一步地说,导流盖件144嵌设于均热板170,并且第三气体输出层143C形成于第二分隔板142的底面与均热板170的顶面之间。
于本实施例中,气体输出单元140中的第一分隔板141、第二分隔板142及导流盖件144可相互组装锁接,因此使用者则可依据实际需求而予以相互拆卸分解更换或清洗后,再进行组接拼装。此外,本发明不以此为限,上述元件亦可采扣接、拴接或其他适切的密封连接固定方式。
请继续参照图1F,其绘示根据本发明另一实施例的导流盖件的示意图。如图所示,导流盖件144具有多个导流槽道144A,使得第三反应气体150C得以均匀传输至第三气体输出层143C,进而有效地均匀传输喷射于反应室中。
再者,请继续参照图1G,其绘示根据本发明另一实施例的插销塞件的示意图。气体输出单元140更包含插销塞件145,设置连接第三进气通道114C的输出口,并且插销塞件145具有穿孔145A,用以提供将第三进气通道114C抽真空,以防止通道内的残余气体渗透至其他通道中。如此一来,使用者可通过置换配置插销塞件145及导流盖件144,以决定输入不同反应气体的种类数量。
请参考图2A、图2B及图2C,其分别显示本发明另一实施例的一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置的组合结构部分剖面图、分解图及其气体流动示意图。如图所示,一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置100,其包含顶盖件110、第一中空套件120A、第二中空套件120B、顶座壳体130及气体输出单元140。顶盖件110包含凸部112与第一进气通道114A、第二进气通道114B及第三进气通道114C,分别用以输入第一反应气体150A、第二反应气体150B及第三反应气体150C,其中凸部112设置于顶盖件110的下底面,并具第三进气通道114C延伸设置于凸部112内。第一中空套件120A套接凸部112,且第一中空套件120A的顶面连接于顶盖件110的下底面,以形成第一传输通道160A于第一中空套件120A的内侧壁与凸部112的外侧壁之间,并且连通第一进气通道114A。第二中空套件120B套接第一中空套件120A,且第二中空套件120B的顶面连接于顶盖件110的下底面,以形成第二传输通道160B于第二中空套件120B的内侧壁与第一中空套件120A的外侧壁之间,并且连通第二进气通道114B。顶座壳体130具有中心孔132,用以容置第二中空套件120B,并且顶盖件110的顶盖壁设置于顶座壳体130的顶面上。气体输出单元140则连接第一中空套件120A与第二中空套件120B的底面,其中气体输出单元140包含第一分隔板141及第二分隔板142,用以形成第一气体输出层143A、第二气体输出层143B及第三气体输出层143C,进而分别用以对应垂直输出第二反应气体150B、第一反应气体150A及第三反应气体150C。
更进一步地说,于本实施例中,气体输出单元140中的第一分隔板141连接于第一中空套件120A的底面,且第一中空套件120A的底面突出于顶座壳体130的底面,而第二中空套件120B的底面与顶座壳体130的底面共面,因此第一气体输出层143A形成于第一分隔板141的顶面与第二中空套件120B的底面及顶座壳体130的底面的共面之间。
另一方面,第二分隔板142则可连接于顶盖件110的凸部112,且凸部112的底面突出于第一中空套件120A放入底面,其中第二气体输出层143B形成于第二分隔板142的顶面与第一分隔板141的底面之间。此外,由于本实施例所揭示的可拆卸式喷气装置100的其他技术特征与前述实施例的可拆卸式喷气装置100的揭示技术特征相似,故容此不再赘述之。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (20)
1.一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,包含:
顶盖件,包含凸部与第一进气通道、第二进气通道及第三进气通道,分别用以输入第一反应气体、第二反应气体及第三反应气体,其中该凸部设置于该顶盖件的下底面,并具该第三进气通道延伸设置于该凸部内;
中空套件,套接该凸部,且该中空套件的顶面连接于该顶盖件的下底面,以形成第一传输通道于该中空套件的内侧壁与该凸部的外侧壁之间,并且连通该第一进气通道;
顶座壳体,具有中心孔,用以容置该中空套件,并且该顶盖件的顶盖壁设置于该顶座壳体的顶面上,以形成第二传输通道于该中空套件的外侧壁与该中心孔的内侧壁之间,并且连通该第二进气通道;及
气体输出单元,连接该中空套件的底面,其中该气体输出单元包含第一分隔板及第二分隔板,以形成第一气体输出层、第二气体输出层及第三气体输出层,分别用以对应垂直输出该第二反应气体、该第一反应气体及该第三反应气体。
2.如权利要求1所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该第一传输通道与该第二传输通道分别包含第一导流板及第二导流板,并且该第一导流板及该第二导流板分别具有多个第一导流孔及第二导流孔,均匀分布配置于该第一传输通道与该第二传输通道的横截面。
3.如权利要求1所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该顶座壳体包含冷却单元,用以循环传输冷却液体于该中心孔周围。
4.如权利要求1所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该第一分隔板连接于该中空套件的底面,且该中空套件的底面突出于该顶座壳体的底面,其中该第一气体输出层形成于该第一分隔板的顶面与该顶座壳体的底面之间。
5.如权利要求1所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该第二分隔板连接于该顶盖件的该凸部,且该凸部的底面突出于该中空套件的底面,其中该第二气体输出层形成于该第二分隔板的顶面与该第一分隔板的底面之间。
6.如权利要求1所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该第一分隔板与该第二分隔板至少其中之一具有多个导流块或导流隔板,均匀间隔环设于该第一分隔板或/与该第二分隔板的中心区域,以形成多个导流通道。
7.如权利要求1所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该气体输出单元更包含导流盖件,设置连接该第三进气通道的输出口,并且该导流盖件的顶面连接该第二分隔板的底面,用以导流该第三反应气体。
8.如权利要求7所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该导流盖件嵌设于均热板,并且该第三气体输出层形成于该第二分隔板的底面与该均热板的顶面之间。
9.如权利要求7所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该导流盖件具有多个导流槽道,用以均匀传输该第三反应气体至该第三气体输出层。
10.如权利要求1所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该气体输出单元更包含插销塞件,设置连接该第三进气通道的输出口,并且该插销塞件底部具有孔洞,用以提供将该第三进气通道抽真空。
11.一种应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,包含:
顶盖件,包含凸部与第一进气通道、第二进气通道及第三进气通道,分别用以输入第一反应气体、第二反应气体及第三反应气体,其中该凸部设置于该顶盖件的下底面,并具该第三进气通道系延伸设置于该凸部内;
第一中空套件,套接该凸部,且该第一中空套件的顶面连接于该顶盖件的下底面,以形成第一传输通道于该第一中空套件的内侧壁与该凸部的外侧壁之间,并且连通该第一进气通道;
第二中空套件,套接该第一中空套件,且该第二中空套件的顶面连接于该顶盖件的下底面,以形成第二传输通道于该第二中空套件的内侧壁与该第一中空套件的外侧壁之间,并且连通该第二进气通道;
顶座壳体,具有中心孔,用以容置该第二中空套件,并且该顶盖件的顶盖壁设置于该顶座壳体的顶面上;及
气体输出单元,连接该第一中空套件与该第二中空套件的底面,其中该气体输出单元包含第一分隔板及第二分隔板,以形成第一气体输出层、第二气体输出层及第三气体输出层,且分别用以对应垂直输出该第二反应气体、该第一反应气体及该第三反应气体。
12.如权利要求11所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该第一传输通道与该第二传输通道分别包含第一导流板及第二导流板,并且该第一导流板及该第二导流板分别具有多个第一导流孔及第二导流孔,均匀分布配置于该第一传输通道与该第二传输通道的横截面。
13.如权利要求11所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该顶座壳体包含冷却单元,用以循环传输冷却液体于该中心孔周围。
14.如权利要求11所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该第一分隔板连接于该第一中空套件的底面,且该第一中空套件的底面突出于该顶座壳体的底面,而该第二中空套件的底面与该顶座壳体的底面共面,其中该第一气体输出层形成于该第一分隔板的顶面与该第二中空套件的底面及该顶座壳体的底面的共面之间。
15.如权利要求11所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该第二分隔板连接于该顶盖件的该凸部,且该凸部的底面突出于该第一中空套件的底面,其中该第二气体输出层形成于该第二分隔板的顶面与该第一分隔板的底面之间。
16.如权利要求11所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该第一分隔板与该第二分隔板至少其中之一具有多个导流块或导流隔板,均匀间隔环设于该第一分隔板或/与该第二分隔板的中心区域,以形成多个导流通道。
17.如权利要求11所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该气体输出单元更包含导流盖件,设置连接该第三进气通道的输出口,并且该导流盖件的顶面连接该第二分隔板的底面,用以导流该第三反应气体。
18.如权利要求17所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该导流盖件系嵌设于一均热板,并且该第三气体输出层系形成于该第二分隔板之底面与该均热板之顶面之间。
19.如权利要求17所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该导流盖件具有多个导流槽道,用以均匀传输该第三反应气体至该第三气体输出层。
20.如权利要求11所述的应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置,其特征在于,其中该气体输出单元更包含插销塞件,设置连接该第三进气通道的输出口,并且该插销塞件底部具有孔洞,用以提供将该第三进气通道抽真空。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106108613A TWI649446B (zh) | 2017-03-15 | 2017-03-15 | 應用於半導體設備之可拆卸式噴氣裝置 |
TW106108613 | 2017-03-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108624865A CN108624865A (zh) | 2018-10-09 |
CN108624865B true CN108624865B (zh) | 2020-06-23 |
Family
ID=63520221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810162013.7A Active CN108624865B (zh) | 2017-03-15 | 2018-02-27 | 应用于半导体设备的可拆卸式喷气装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10651016B2 (zh) |
JP (1) | JP7048360B2 (zh) |
KR (1) | KR20200067984A (zh) |
CN (1) | CN108624865B (zh) |
TW (1) | TWI649446B (zh) |
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CN104178747A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 理想晶延半导体设备(上海)有限公司 | 分体式气体喷淋组件及金属有机化学气相沉积装置 |
CN103436861A (zh) * | 2013-09-05 | 2013-12-11 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | 分离式喷淋头装置 |
CN103540910A (zh) * | 2013-10-28 | 2014-01-29 | 光垒光电科技(上海)有限公司 | 喷淋头及反应腔室 |
CN105762095A (zh) * | 2014-12-18 | 2016-07-13 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室及半导体加工设备 |
CN106282969A (zh) * | 2015-06-02 | 2017-01-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 化学气相沉积装置及其沉积方法 |
CN106337169A (zh) * | 2015-07-07 | 2017-01-18 | Asm知识产权私人控股有限公司 | 薄膜沉积装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018157202A (ja) | 2018-10-04 |
US10651016B2 (en) | 2020-05-12 |
CN108624865A (zh) | 2018-10-09 |
KR20200067984A (ko) | 2020-06-15 |
TWI649446B (zh) | 2019-02-01 |
JP7048360B2 (ja) | 2022-04-05 |
TW201835376A (zh) | 2018-10-01 |
US20180269036A1 (en) | 2018-09-20 |
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PB01 | Publication | ||
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