JP2018157202A - 半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トップカバー部材110と、中空部材120と、トップハウジング130と、ガス出力ユニット140とを備える。トップカバー部材は凸部112を含み、第一反応ガス乃至第三反応ガスをそれぞれ入力させるために用いられる。凸部はトップカバー部材の下底面に設置される。中空部材は凸部に被装され、中空部材の内側壁と凸部の外側壁との間に第一伝達経路が形成される。トップハウジングは中心穴を有し、中空部材の収容に用いられる。中空部材の外側壁と中心穴の内側壁との間に第二伝達経路が形成されると共に第二吸気通路に連通される。ガス出力ユニットは中空部材の底面に連結され、第一仕切板141及び第二仕切板142を具備し、それぞれ対応させる第二反応ガス、第一反応ガス、及び第三反応ガスを垂直出力させるために用いられる。
【選択図】図1C
Description
つまり、プロセス反応ガスが階層的に独立して導流されて伝送されることにより、その流場での分布の均等度が制御されてプロセス反応区画に噴射され、ウェハー上に形成される薄膜成長の品質及び歩留まりが向上する。
中空部材120は凸部112に被装され、且つ中空部材120の上面はトップカバー部材110の下底面に連結され、中空部材120の内側壁と凸部112の外側壁との間に第一伝達経路160Aが形成されると共に第一吸気通路114Aに連通される。トップハウジング130は中心穴132を有し、中空部材120の収容に用いられ、且つトップカバー部材110の上蓋壁はトップハウジング130の上面に設置され、中空部材120の外側壁と中心穴132の内側壁との間に第二伝達経路160Bが形成されると共に第二吸気通路114Bに連通される。
ガス出力ユニット140は中空部材120の底面に連結され、ガス出力ユニット140は第一仕切板141及び第二仕切板142を具備し、第二反応ガス150Bを垂直出力させるために用いられる第一ガス出力層143Aと、第一反応ガス150Aを垂直出力させるために用いられる第二ガス出力層143Bと、第三反応ガス150Cを垂直出力させるために用いられる第三ガス出力層143Cとが形成される。
第一反応ガス150A及び第二反応ガス150Bが第一吸気通路114A及び第二吸気通路114Bから第一伝達経路160A及び第二伝達経路160Bに伝送されて導入されると、第一フローガイドプレート162A及び第二フローガイドプレート162Bの第一フローガイド穴164A及び第二フローガイド穴164Bにより均一に拡散されて第一吸気通路114A及び第二吸気通路114Bに分布するように伝送される。
第一仕切板141は実際のプロセスの需要に応じて複数のフローガイド仕切板141Bを有する設計とし、第一仕切板141の中心領域に等間隔で周設され、複数のフローガイド通路141Cが形成され、これにより第二反応ガス150Bが均一に伝送されて噴射されてもよい。また、上述では第一仕切板141を例に説明するが、第二仕切板142も第一仕切板141と相似する特徴を有してもよく、ここではその再述は省く。
第一中空部材120Aは凸部112に被装され、且つ第一中空部材120Aの上面はトップカバー部材110の下底面に連結され、第一中空部材120Aの内側壁と凸部112の外側壁との間に第一伝達経路160Aが形成されると共に第一吸気通路114Aに連通される。第二中空部材120Bは第一中空部材120Aに被装され、且つ第二中空部材120Bの上面はトップカバー部材110の下底面に連結され、第二中空部材120Bの内側壁と第一中空部材120Aの外側壁との間に第二伝達経路160Bが形成されると共に第二吸気通路114Bに連通される。
トップハウジング130は中心穴132を有し、第二中空部材120Bの収容に用いられ、且つトップカバー部材110の上蓋壁はトップハウジング130の上面に設置される。ガス出力ユニット140は第一中空部材120A及び第二中空部材120Bの底面に連結され、ガス出力ユニット140は第一仕切板141及び第二仕切板142を具備し、第二反応ガス150Bを垂直出力させるために用いられる第一ガス出力層143Aと、第一反応ガス150Aを垂直出力させるために用いられる第二ガス出力層143Bと、第三反応ガス150Cを垂直出力させるために用いられる第三ガス出力層143Cとが形成される。
110 トップカバー部材
112 凸部
114A 第一吸気通路
114B 第二吸気通路
114C 第三吸気通路
120 中空部材
120A 第一中空部材
120B 第二中空部材
130 トップハウジング
132 中心穴
134 冷却ユニット
136 冷却液
140 ガス出力ユニット
141 第一仕切板
141A フローガイドブロック
141B フローガイド仕切板
141C フローガイド通路
142 第二仕切板
143A 第一ガス出力層
143B 第二ガス出力層
143C 第三ガス出力層
144 フローガイドカバー
144A フローガイド溝
145 ボルト部材
145A スルーホール
150A 第一反応ガス
150B 第二反応ガス
150C 第三反応ガス
160A 第一伝達経路
160B 第二伝達経路
162A 第一フローガイドプレート
162B 第二フローガイドプレート
164A 第一フローガイド穴
164B 第二フローガイド穴
170 ヒートスプレッダ
Claims (20)
- 凸部と、第一反応ガスを入力するために用いられる第一吸気通路と、第二反応ガスを入力するために用いられる第二吸気通路と、第三反応ガスを入力するために用いられる第三吸気通路とを含むトップカバー部材であって、前記凸部は前記トップカバー部材の下底面に設置され、且つ前記第三吸気通路は前記凸部内に延設されるトップカバー部材と、
前記凸部に被装される中空部材であって、且つ前記中空部材の上面は前記トップカバー部材の下底面に連結され、前記中空部材の内側壁と前記凸部の外側壁との間に第一伝達経路が形成され、且つ前記第一吸気通路に連通される中空部材と、
中心穴を有し、前記中空部材を収容するために用いられるトップハウジングであって、且つ前記トップカバー部材の上蓋壁が前記トップハウジングの上面に設置され、前記中空部材の外側壁と前記中心穴の内側壁との間に第二伝達経路が形成され、且つ前記第二吸気通路に連通されるトップハウジングと、
前記中空部材の底面に連結され、第一仕切板及び第二仕切板を含み、前記第二反応ガスを垂直出力させるために用いられる第一ガス出力層と、前記第一反応ガスを垂直出力させるために用いられる第二ガス出力層と、前記第三反応ガスを垂直出力させるために用いられる第三ガス出力層とが形成されるガス出力ユニットとを備えることを特徴とする、
半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。 - 前記第一伝達経路及び前記第二伝達経路は第一フローガイドプレート及び第二フローガイドプレートをそれぞれ備え、且つ前記第一フローガイドプレート及び前記第二フローガイドプレートは複数の第一フローガイド穴及び第二フローガイド穴をそれぞれ有し、前記第一伝達経路及び前記第二伝達経路の横断面に均一に分布するように配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記トップハウジングは、冷却液を前記中心穴の周囲に伝送させて循環させるために用いられる冷却ユニットを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記第一仕切板は前記中空部材の底面に連結され、且つ前記中空部材の底面は前記トップハウジングの底面に突出され、前記第一ガス出力層は前記第一仕切板の上面と前記トップハウジングの底面との間に形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記第二仕切板は前記トップカバー部材の前記凸部に連結され、且つ前記凸部の底面は前記中空部材の底面に突出され、前記第二ガス出力層は前記第二仕切板の上面と前記第一仕切板の底面との間に形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記第一仕切板及び前記第二仕切板の内の少なくとも1つは複数のフローガイドブロックまたはフローガイド仕切板を有し、前記第一仕切板或いは/及び前記第二仕切板の中心領域に等間隔で周設され、複数のフローガイド通路が形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記ガス出力ユニットは前記第三吸気通路に連結される出力口が設けられるフローガイドカバーを更に備え、且つ前記フローガイドカバーの上面は前記第二仕切板の底面に連結され、前記第三反応ガスの導流に用いられることを特徴とする請求項1に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記フローガイドカバーはヒートスプレッダに嵌設され、且つ前記第三ガス出力層は前記第二仕切板の底面と前記ヒートスプレッダの上面との間に形成されることを特徴とする請求項7に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記フローガイドカバーは前記第三反応ガスを前記第三ガス出力層に均等に伝送させるために用いられる複数のフローガイド溝を有することを特徴とする請求項7に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記ガス出力ユニットは前記第三吸気通路に連結されるための出力口が設けられるボルト部材を更に備え、且つ前記ボルト部材の底部には、前記第三吸気通路を真空にするために使用される穴を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 凸部及と、第一反応ガスを入力するために用いられる第一吸気通路と、第二反応ガスを入力するために用いられる第二吸気通路と、第三反応ガスを入力するために用いられる第三吸気通路とを含むトップカバー部材であって、前記凸部は前記トップカバー部材の下底面に設置され、且つ前記第三吸気通路は前記凸部内に延設されるトップカバー部材と、
前記凸部に被装される第一中空部材であって、且つ前記第一中空部材の上面は前記トップカバー部材の下底面に連結され、前記第一中空部材の内側壁と前記凸部の外側壁との間に第一伝達経路が形成されると共に前記第一吸気通路に連通される第一中空部材と、
前記第一中空部材に被装される第二中空部材であって、且つ前記第二中空部材の上面は前記トップカバー部材の下底面に連結され、前記第二中空部材の内側壁と前記第一中空部材の外側壁との間に第二伝達経路が形成されると共に前記第二吸気通路に連通される第二中空部材と、
中心穴を有し、前記第二中空部材を収容するために用いられるトップハウジングであって、且つ前記トップカバー部材の上蓋壁が前記トップハウジングの上面に設置されるトップハウジングと、
前記第一中空部材及び前記第二中空部材の底面に連結され、第一仕切板及び第二仕切板を含み、前記第二反応ガスを垂直出力させるために用いられる第一ガス出力層と、前記第一反応ガスを垂直出力させるために用いられる第二ガス出力層と、前記第三反応ガスを垂直出力させるために用いられる第三ガス出力層とが形成されるガス出力ユニットとを備えることを特徴とする、
半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。 - 前記第一伝達経路及び前記第二伝達経路は第一フローガイドプレート及び第二フローガイドプレートをそれぞれ備え、且つ前記第一フローガイドプレート及び前記第二フローガイドプレートは複数の第一フローガイド穴及び第二フローガイド穴をそれぞれ有し、前記第一伝達経路及び前記第二伝達経路の横断面に均一に分布するように配置されることを特徴とする請求項11に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記トップハウジングは、冷却液を前記中心穴の周囲に伝送させて循環させるために用いられる冷却ユニットを備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記第一仕切板は前記第一中空部材の底面に連結され、且つ前記第一中空部材の底面は前記トップハウジングの底面に突出され、前記第二中空部材の底面は前記トップハウジングの底面と共面であり、前記第一ガス出力層は前記第一仕切板の上面と前記第二中空部材の底面及び前記トップハウジングの底面の共面との間に形成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記第二仕切板は前記トップカバー部材の前記凸部に連結され、且つ前記凸部の底面は前記第一中空部材の底面に突出され、前記第二ガス出力層は前記第二仕切板の上面と前記第一仕切板の底面との間に形成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記第一仕切板及び前記第二仕切板の内の少なくとも1つは複数のフローガイドブロックまたはフローガイド仕切板を有し、前記第一仕切板或いは/及び前記第二仕切板の中心領域に等間隔で周設され、複数のフローガイド通路が形成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記ガス出力ユニットは前記第三吸気通路に連結される出力口が設けられるフローガイドカバーを更に備え、且つ前記フローガイドカバーの上面は前記第二仕切板の底面に連結され、前記第三反応ガスの導流に用いられることを特徴とする請求項11に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記フローガイドカバーはヒートスプレッダに嵌設され、且つ前記第三ガス出力層は前記第二仕切板の底面と前記ヒートスプレッダの上面との間に形成されることを特徴とする請求項17に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記フローガイドカバーは、前記第三反応ガスを前記第三ガス出力層に均等に伝送させるために使用される複数のフローガイド溝を有することを特徴とする請求項17に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
- 前記ガス出力ユニットは前記第三吸気通路に連結されるための出力口が設けられるボルト部材を更に備え、且つ前記ボルト部材の底部には穴を有し、前記第三吸気通路を真空にするために使用されることを特徴とする請求項11に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。
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