JP3325587B2 - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JP3325587B2 JP3325587B2 JP51606899A JP51606899A JP3325587B2 JP 3325587 B2 JP3325587 B2 JP 3325587B2 JP 51606899 A JP51606899 A JP 51606899A JP 51606899 A JP51606899 A JP 51606899A JP 3325587 B2 JP3325587 B2 JP 3325587B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mandrel
- ring
- substrate
- chamber
- gasket
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/16—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Road Signs Or Road Markings (AREA)
Description
状の金属カルボニルを析出させるための装置に関する。
ルテトラカルボニル−Ni(CO)4−は約150〜315℃の温
度範囲内で純金属ニッケル(Ni)および一酸化炭素(C
O)に容易に分解する。ニッケルの基板上への析出を促
進させることによって、純ニッケルからなる目的物を製
造することができる。
ル上にニッケルを析出することにより固体のニッケル品
を製造する方法である。マンドレルは十分加熱され、そ
のためニッケルカルボニルプロセスガスがマンドレル表
面に接触すると熱分解する。分解により生成された一酸
化炭素および残りのニッケルカルボニルガスが排気され
る。ニッケルはマンドレル上で均一な厚さに析出し、下
側のマンドレルの全ての表面きめおよび形状を正確に複
製する。最後にニッケル成形品は完成ニッケル製品とし
てマンドレルから剥がされる。
なければならない。オイルおよびグリース(有機物)の
ような汚染物は、少量でもニッケルの析出を抑制する。
わちチャンバに分割された反応シリンダ内で製造されて
いる。上側チャンバおよび下側チャンバは中央に開口を
有する大きなシリコンガスケットによって分離されてい
る。
ボニルガスが充満している。下部チャンバはマンドレル
を支持し且つ適切な熱伝達流体のタンクとして作用す
る。この熱伝達流体は、適切な温度で維持され、内部孔
および通路を経由したマンドレルを経て循環され、マン
ドレルを加熱する。
過し直接マンドレルに入る。流体はマンドレルから底部
チャンバへ排出される。流体はポンプにより液体だめか
ら抜出されて、加熱器を通過してマンドレルに戻る。
ている。マンドレルとこのマンドレルの側面にボルト締
めされている支持板との間でシリコンガスケットを圧縮
することによって、マンドレルおよび開口の周りにメカ
ニカルシールが施される。さらに上部チャンバおよび下
部チャンバに取り付けられているフランジの間でガスケ
ットの外側縁を圧縮することによって、シリコンガスケ
ットの外側縁にメカニカルシールが施される。端板が円
筒形チャンバの2つの半体の端部に溶接され、装置全体
を密閉する。
ドを堆積させることによって、マンドレル/ガスケット
界面も密閉される。
つシールが完全に行われることが肝要である。
ガスを発散しマンドレルを汚染する。従って、ガスケッ
トがNVD工程に適合可能となるには、大きなシリコンガ
スケットを作動温度で長時間にわたり二次硬化(ガス抜
き)させなければならない。さらに、シリコンガスケッ
トは高価で且つマンドレルを分解する際に損傷し易い。
殆どの場合、ガスケットは再使用できない。
または接着することにより示されるが、十分な漏れ止め
が行われるわけではない。前記流体の蒸気はマンドレル
/ガスケット間のシールを通過し上部チャンバに入りマ
ンドレルを汚染する。
らチャンバ壁を介して流体をパイプ輸送し下部チャンバ
から流体を除去することが試みられた。しかしながら、
マンドレルを分解する毎に下部チャンバからこぼれた流
体を除去するにはかなりの労働時間が必要である。
間のシールから漏れて下部チャンバに入り、マンドレル
の下側および補助マンドレル工具上に析出する。底部チ
ャンバのパージに使用した不活性ガス中で酸素とのカル
ボニル反応が起こるため、酸化ニッケル粉末が下部チャ
ンバ内に形成される。下部チャンバの内面はすべて上記
粉末で覆われ、堆積物を広い範囲にわたって清浄する必
要がある。
監視しなければならない。わずかな圧力差によってガス
ケットが膨張する。マンドレル/ガスケット間にシール
にかなりの張力が加わると、シールまたはガスケットが
破裂する。
提供される。
リングを支持している。熱伝達流体は直接マンドレルリ
ングおよびマンドレルを通過して、マンドレルを加熱す
る。上部チャンバが基板に取り付けられている。マンド
レルと基板との間にこれらの間を隔離する中間基板リン
グが設けられており、このためマンドレルリングの交換
を迅速に行うことができる。シールは簡単なOリングを
使用することにより成し遂げられる。
図である。
る。
る。
いる。この装置10は基板12を含み、この基板12はボルト
16により取り外し可能に取り付けられているカバー14で
覆われている。カバー14は基板12とともにチャンバ20を
形成している。高温弾性Oリング(即ちシリコン)18は
基板12の溝(図示せず)とカバーとの間隙界面をシール
している。カルボニルガス源22はガスをチャンバ20に供
給する。
いる。対応する基板リング26が切除部24内に嵌合してい
る。マンドレルリング28は基板リング26上に設けられ且
つ部分的にチャンバ20内へ延びている。
するため基板12/基板リング26/マンドレルリング28の組
合せをシールしている。マンドレル36はマンドレルリン
グ28に取り付けられている。弾性Oリング74はマンドレ
ル36および基板12をシールしている。
よび出口流路34を含み、これら流路はマンドレル36内で
対応するマニホールド(図示せず)に直接連通してい
る。一連の弾性Oリング38はマンドレルリング28と共に
マンドレル36をシールしている。
数のボルト62で基板12にボルト締めされている。同様
に、マンドレルリング28は多数のボルト76で基板リング
26にボルト締めされている。
面が損傷した場合に基板リング26を取り替えることがで
きるように、基板リング26は好適な位置にボルト止めす
ることが好ましい。しかしながら、マンドレルリング28
は基板12から取り外せるように設計されている。マンド
レルリング28は最初にジャックボルト固定具68を介して
マンドレル36にボルト締めされる。次に組み合わされた
マンドレル36およびマンドレルリング28は基板12内の適
切な位置に落し込まれる。ステンレス鋼はこれらの主要
部品に対して選択される材料である。
流体源44に接続している。流体は従来の組成、即ちパラ
フィンまたは鉱油ベースから成る(Calflow(商
標))。
へ流体を輸送し、マンドレル36を通過させて次に出口流
路34から排出する。加熱器48は熱伝達流体を加熱し、マ
ンドレル36を十分な温度に維持してカルボニルガスを分
解する。
要がある場合は、対策としてシリコンマスク72をマンド
レル36の周りに設けてもよい。
リング18は板12の溝内に設けられている。ガスケット30
により囲まれている複数の切欠き24は、経済的な操作の
ため板12内に設けられることが好ましい。開口60はボル
ト62を収容している。
れているコネクタ54に取り付けられている。基板12内の
パージ流路50はマンドレル36と基板12との間に形成され
ている間隙70をパージするように設計されている。図1
も参照のこと。パージガスは1つのフランジ54を通過し
て流路50のオリフィス80を介してマンドレル36の下の間
隙70に流入する。最後にパージガスは間隙70から反対の
流路50を通過し、そして対応するコネクタ54を介してプ
ラント通気ヘッダに排気される。
リフィス80を有し、これらオリフィス80は、各マンドレ
ルリング28が2つのオリフィス80を有し、2つのオリフ
ィス80が互いに平行な流路50の各々に対応して、パージ
およびガス抜き(通気)を行うように設けられている。
この設計によって中間のオリフィス対80を中心とする小
さなマンドレル36、または基板12のより大きな表面積を
覆う大きなマンドレル36のパージが可能である。
ージ/通気オリフィス80には、パージガスが反応室20に
入らないように、および/またはカルボニルガス基板パ
ージ/通気流路50に入らないように、析出反応中に栓が
差し込まれる。
れ空気が除去され、析出反応中には一酸化炭素でパージ
される。
る。同様に、チャンバ20を清浄にするための通気ガスも
通気孔52から排出することができる。通常の状況では、
流路50により導入されたパージガスは通気孔52を介して
装置10から排出することはない。
断面図を各々描いている。入口および出口流路32、34が
リング28を貫通している。一連の溝はOリング38を収容
している。カップリング40(図3および4に図示せず)
は流路32および34に取り付けられている。スロット56は
リング28を横断し温度プローブを収容している。
グ26において対応する開口64を通過しているボルト76を
受容している(図5参照)。
に接続しているジャックボルト固定具68を収容してい
る。これら固定具68はピストンとして作用し、反応が完
了すると被覆されたマンドレル体をリング26から押し出
す。
ボルト孔58に整合してボルト76を収容している。かくし
ねじボルト穴82は基板12の開口60に一致して、ボルト62
を受容している。
板リング26、マンドレルリング28およびOリングガスケ
ット30をリークを防止するように一体的に固定してい
る。
ドレルリング28は基板12の適切な位置に落し込まれ、且
つ基板リング28のボルト孔64およびマンドレルリング28
のめくらボルト孔58にボルト76で固定される。マンドレ
ル36およびマンドレルリング28を基板リング26にボルト
締めする時、マンドレル36のボルト68は基板リング26で
覆われる。ボルト62により組立が完了する。
でもよい。例としては台所の流しの形状および浴室の浴
槽の形状が挙げられる。迅速且つ適切に伝達するため
に、複合材またはアルミニウムのマンドレル36が最も満
足できるものであることが分かった。
36と基板12との間に絶縁用の間隙70を形成することが有
利であると分かった。理解されるように、熱伝達流体は
マンドレルリング28およびマンドレル36のみを直接通過
する。伝導熱を低減することによって、装置10の部品に
析出する金属が少量となる傾向にある。
テムと比べて、次の利点が実現可能である。
除される。
となる。
なる。
り、即ち上下のチャンバの圧力差制御、底部チャンバの
パージ、底部チャンバの洗浄、底部チャンバの隔離/隔
離解除が不必要となる。装置組立および分解が速くな
る。
体例を例証且つ説明したが、当業者が理解するように、
請求の範囲に記載されている発明の形式において変更が
可能であり、またときには本発明の幾つかの特徴は他の
特徴を使用することなしに有利に利用できる。
Claims (3)
- 【請求項1】気体状金属カルボニルを分解するための装
置であって、 少なくとも1つの開口を有する基板と、 前記基板上に設けられ、前記基板とともにチャンバを形
成するカバーと、 前記基板の開口内に設けられた基板リングと、 前記基板リング内にはめ込まれるとともにその内部に少
なくとも1の流体導管が設けられた、マンドレルを受け
止めるマンドレルリングと、 気体状金属カルボニルを前記チャンバに導入するための
手段と、を備えたことを特徴とする、装置。 - 【請求項2】熱伝達流体源が流動可能に前記流体導管に
接続されていることを特徴とする、請求項1記載の装
置。 - 【請求項3】前記マンドレルが前記マンドレルリングに
取り付けられていることを特徴とする、請求項1記載の
装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/922,036 US6007634A (en) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | Vapor deposition apparatus |
US08/922,036 | 1997-09-02 | ||
PCT/CA1998/000476 WO1999011838A1 (en) | 1997-09-02 | 1998-05-11 | Vapor deposition apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000510534A JP2000510534A (ja) | 2000-08-15 |
JP3325587B2 true JP3325587B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=25446395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51606899A Expired - Fee Related JP3325587B2 (ja) | 1997-09-02 | 1998-05-11 | 蒸着装置 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6007634A (ja) |
EP (1) | EP1015658B1 (ja) |
JP (1) | JP3325587B2 (ja) |
KR (1) | KR20000070623A (ja) |
AT (1) | ATE221141T1 (ja) |
AU (1) | AU731555B2 (ja) |
CA (1) | CA2276000C (ja) |
DE (1) | DE69806776T2 (ja) |
ES (1) | ES2179491T3 (ja) |
RU (1) | RU2188252C2 (ja) |
TW (1) | TW475001B (ja) |
WO (1) | WO1999011838A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6185370B1 (en) * | 1998-09-09 | 2001-02-06 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus for heating an object to be processed |
US6461434B1 (en) * | 1999-09-27 | 2002-10-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Quick-change flange |
US6616870B1 (en) * | 2000-08-07 | 2003-09-09 | Shipley Company, L.L.C. | Method of producing high aspect ratio domes by vapor deposition |
US6571821B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-06-03 | Varian, Inc. | Energy conserving gate valve |
CA2430546A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-11-30 | Sig Ryka Inc. | Hollow nickel mold members for use in blow molding |
CA2437343A1 (en) * | 2003-08-08 | 2005-02-08 | Reinhart Weber | Hollow nickel shapes by vapour deposition |
US20080232424A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Honeywell International Inc. | Hearth plate including side walls defining a processing volume |
KR20090057729A (ko) * | 2007-12-03 | 2009-06-08 | 에이피시스템 주식회사 | 급속열처리장치의 히터블록 |
JP5699425B2 (ja) * | 2008-08-05 | 2015-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び成膜装置 |
US10454114B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-10-22 | The Research Foundation For The State University Of New York | Method of producing stable, active and mass-producible Pt3Ni catalysts through preferential co etching |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2496054A (en) * | 1945-07-27 | 1950-01-31 | Rca Corp | Bell-jar vacuum evaporator |
US4496609A (en) * | 1969-10-15 | 1985-01-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor |
GB9014430D0 (en) * | 1990-06-28 | 1990-08-22 | Weber Reinhart | Method of producing nickel shell molds |
CA2076578A1 (en) * | 1992-08-21 | 1994-02-22 | Miroslav Milinkovic | Mandrel for use in nickel vapour deposition processes and nickel molds made therefrom |
GB9309249D0 (en) * | 1993-05-05 | 1993-06-16 | Weber Manufacturing Limited | Method of producing nickel shell moulds |
GB9402471D0 (en) * | 1994-02-09 | 1994-03-30 | Weber Manufacturing Limited | Nickel shell molds |
-
1997
- 1997-09-02 US US08/922,036 patent/US6007634A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-11 JP JP51606899A patent/JP3325587B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-11 DE DE69806776T patent/DE69806776T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-11 WO PCT/CA1998/000476 patent/WO1999011838A1/en active IP Right Grant
- 1998-05-11 AU AU74214/98A patent/AU731555B2/en not_active Ceased
- 1998-05-11 KR KR1019997006871A patent/KR20000070623A/ko active IP Right Grant
- 1998-05-11 AT AT98921302T patent/ATE221141T1/de active
- 1998-05-11 RU RU2000108491/02A patent/RU2188252C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-05-11 EP EP98921302A patent/EP1015658B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-11 ES ES98921302T patent/ES2179491T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-11 CA CA002276000A patent/CA2276000C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-09 TW TW087111104A patent/TW475001B/zh not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
T.W.Black,et.al,TOOLMAKING WITHOUT MACHINING,THE TOOL ENGINEER,1960年 6月,Vol.44,No.6,p.101−104 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE221141T1 (de) | 2002-08-15 |
DE69806776T2 (de) | 2003-02-27 |
EP1015658B1 (en) | 2002-07-24 |
US6007634A (en) | 1999-12-28 |
AU7421498A (en) | 1999-03-22 |
WO1999011838A1 (en) | 1999-03-11 |
TW475001B (en) | 2002-02-01 |
KR20000070623A (ko) | 2000-11-25 |
ES2179491T3 (es) | 2003-01-16 |
RU2188252C2 (ru) | 2002-08-27 |
JP2000510534A (ja) | 2000-08-15 |
AU731555B2 (en) | 2001-04-05 |
CA2276000C (en) | 2005-12-27 |
DE69806776D1 (de) | 2002-08-29 |
CA2276000A1 (en) | 1999-03-11 |
EP1015658A1 (en) | 2000-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6955725B2 (en) | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces | |
JP3325587B2 (ja) | 蒸着装置 | |
JP6746730B2 (ja) | 冷却された真空閉じ込め容器を備えるホットウォールリアクタ | |
US5968276A (en) | Heat exchange passage connection | |
US8668775B2 (en) | Machine CVD shower head | |
US6846514B2 (en) | Gas port sealing for CVD/CVI furnace hearth plates | |
US20020072164A1 (en) | Processing chamber with multi-layer brazed lid | |
CA2402040C (en) | Chemical vapor deposition apparatus and method | |
US7875119B2 (en) | Apparatus and method for coating an article | |
KR20110124935A (ko) | 샤워헤드 및 이를 포함하는 반도체 기판 가공 장치 | |
US20220282377A1 (en) | Thermally controlled chandelier showerhead | |
JP3663400B2 (ja) | 成膜装置 | |
US6019255A (en) | Modular adhesive sealant heating system | |
CN100529202C (zh) | 用于纺制长丝的装置 | |
KR100205541B1 (ko) | 화학기상증착장비의 가스 유입구 구조 | |
MXPA99008185A (en) | Vapor deposition apparatus | |
TWM464459U (zh) | 金屬有機化學氣相沉積反應器的氣體分佈裝置及反應器 | |
EP0586651A1 (en) | Treatment chamber | |
KR20240017786A (ko) | Cvd-반응기용 가스 유입 부재 | |
JP2000262841A (ja) | トラップ装置及び半導体製造装置 | |
CN117380663A (zh) | 载片舟清洗装置 | |
KR20060086601A (ko) | 반도체 제조설비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100705 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120705 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130705 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |