KR20240017786A - Cvd-반응기용 가스 유입 부재 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 CVD-반응기(1)용 가스 유입 부재(2)에 관한 것으로, 가스 배출 플레이트(gas outlet plate)(3)의 후방에 배치된 제1 가스 분배 볼륨(gas distribution volume)(6)을 포함하고, 상기 제1 가스 분배 볼륨의 전방으로부터, 상기 가스 배출 플레이트(3)로부터 돌출하는 단부 섹션들(end sections)(4’)을 포함하는 제1 파이프들(pipes)(4)이 생성되며, 상기 제1 파이프들은 상기 가스 배출 플레이트(3)에 대해 평행하게 뻗는 차폐 플레이트 어셈블리(shield plate assembly)(10, 11)의 제1 관통 개구들(5) 내로 돌출하고, 이때 상기 제1 관통 개구들(5)은 상기 가스 배출 플레이트(3)를 향해 있는, 상기 단부 섹션(4’)의 외경보다 더 큰 직경의 제1 섹션(5’)을 포함하고, 그리고 상기 가스 배출 플레이트(3)를 등지는 더 작은 직경의 제2 섹션(5’’)을 포함한다. 상기 관통 개구들(5)의 영역 내에서 온도 불균일성을 방지하기 위해, 상기 제2 섹션(5’’)의 직경은 상기 단부 섹션(4’)의 외경보다 더 작도록 제공되어 있다. 또한, 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)는 서로 겹쳐서 배치된 서로 다른 열 전도성의 두 개의 차폐 플레이트(10, 11)로 구성되도록 제공되어 있다.

Description

CVD-반응기용 가스 유입 부재
본 발명은 CVD-반응기용 가스 유입 부재에 관한 것으로, 가스 배출 플레이트(gas outlet plate)의 후방에 배치된 제1 가스 분배 볼륨(gas distribution volume)을 포함하고, 상기 제1 가스 분배 볼륨의 전방으로부터, 상기 가스 배출 플레이트로부터 돌출하는 단부 섹션들(end sections)을 포함하는 제1 파이프들(pipes)이 생성되며, 상기 제1 파이프들은 상기 가스 배출 플레이트에 대해 평행하게 뻗는 차폐 플레이트 어셈블리(shield plate assembly)의 제1 관통 개구들 내로 돌출하고, 이때 상기 제1 관통 개구들은 상기 가스 배출 플레이트를 향해 있는, 상기 단부 섹션의 외경(outside diameter)보다 더 큰 직경의 제1 섹션을 포함하고, 그리고 상기 가스 배출 플레이트를 등지는 더 작은 직경의 제2 섹션을 포함한다.
더 나아가 본 발명은 상기 유형의 가스 유입 부재의 차폐 플레이트 어셈블리에 관한 것이다.
더 나아가 본 발명은 가스 유입 부재를 구비한 CVD-반응기 및 CVD-반응기 내에서 기판들 상에 복수의 원소로 구성된 층들을 증착시키기 위한 방법에 관한 것이다.
DE 10 2011 056 589 A1호는 CVD-반응기의 가스 유입 부재를 기술한다. 상기 가스 유입 부재는 복수의 가스 분배 볼륨을 구비하고, 상기 가스 분배 볼륨들 내로 각각 가스 공급 라인(gas supply line)을 통해 캐리어 가스(carrier gas)에 의해 공정 가스가 공급될 수 있다. 공정 가스들로는 Ⅴ. 주족 원소의 수소화물 및 Ⅲ. 주족 원소의 금속 유기 화합물이 고려될 수 있다. 캐리어 가스로는 희가스(noble gas), 질소 또는 수소가 사용될 수 있다. 상기 가스 유입 부재는 냉각되어 있고, 이를 위해 냉각 볼륨을 구비하는데, 상기 냉각 볼륨을 통해 냉각제가 관류한다. 상기 가스 유입 부재는 가스 배출 플레이트의 넓은 측면인 가스 배출면을 포함한다. 상기 가스 분배 볼륨들 각각은 상기 넓은 측면에 걸쳐서 대체로 균일하게 분배되어 배치된 복수의 파이프에 의해 상기 가스 배출면과 차폐 플레이트 어셈블리 사이의 간극과 연결되어 있다. 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 제1 및 제2 관통 개구들을 구비한 차폐 플레이트로 구성되고, 상기 관통 개구들을 통해서는 상기 간극 내로 공급된 공급 가스가 상기 차폐 플레이트 어셈블리를 통해 관류할 수 있음으로써, 그 결과 상기 공정 가스는 공정 챔버(process chamber) 내로 도달하는데, 서셉터(susceptor)에 의해 형성되는 상기 공정 챔버의 바닥 상에는 층이 증착되는 기판들이 배치되어 있고, 이때 상기 층은 상기 공정 가스의 두 개의 원소로 구성된다. 이를 위해, 상기 서셉터는 가열 장치에 의해 공정 온도로 가열된다.
DE 10 2020 103 948 A1호로부터는 복수의 부분으로 이루어진 차폐 플레이트 어셈블리들이 공지되어 있다.
위에 언급된 파이프들은 차폐 플레이트 어셈블리의 관통 개구 내로 돌출하는 단부 섹션들을 형성한다. 상기 파이프들은 금속으로 구성되고 가스 유입 부재의 냉각 장치에 의해, 서셉터를 향해 있는 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 넓은 측면의 온도보다 더 낮은 온도로 냉각된다. 상기 서셉터를 향해 있는 넓은 측면 상의 이와 같은 저온 위치들은 국부적으로 상기 서셉터 상에서 층의 성장에 영향을 미친다.
또한, 선행기술에는 US 6,565,661 B1호, US 2007/0272154 A1호, US 2005/0217582 A1호, 계속해서 US 2005/0241579 A1호, US 2015/0007770 A1호 및 US 2005/0255257 A1호도 포함된다.
본 발명의 과제는 이와 같은 영향을 최소화하는 것이다. 본 발명의 과제는 특히 서셉터를 향해 있는 차폐 플레이트 어셈블리의 넓은 측면 상의 저온 위치들을 최소화하는 것이다.
상기 과제는 특허 청구항들 내에 제시된 본 발명에 의해 해결된다. 종속 청구항들은 독립 청구항들 내에 제시된 본 발명의 바람직한 개선예들을 제시할 뿐만 아니라, 상기 과제의 독립적인 해결책들도 제시한다.
본 발명의 제1 양상에 따르면, 관통 개구가 적어도, 제1 가스 분배 볼륨과 연결되어 있는 제1 파이프를 위해, 서로 다른 직경을 갖는 두 개의 섹션을 포함하도록 제안된다. 상기 제1 파이프는 단부 섹션을 구비하고, 상기 단부 섹션은 상기 관통 개구의 제1 섹션 내로 돌출한다. 상기 관통 개구의 이와 같은 제1 섹션은 상기 제1 섹션 내로 돌출하는 상기 제1 파이프의 단부 섹션의 외경보다 더 큰 내경( inside diameter)을 갖는다. 상기 관통 개구의 제2 섹션은 더 작은 직경을 갖는다. 상기 제2 섹션의 직경은 특히 상기 단부 섹션의 외경보다 더 작다. 상기 관통 개구의 제2 섹션의 내경은 대략 상기 제1 파이프의 내경에 상응할 수 있다. 특히 차폐 플레이트 어셈블리는 단 하나의 차폐 플레이트에 의해 형성되도록 제공되어 있다. 이와 같은 차폐 플레이트는 복수의 단차 보어(step bore)를 포함할 수 있는데, 상기 단차 보어들은 상기 제1 관통 개구들을 형성한다. 상기 단차 보어들은 상기 차폐 플레이트의 넓은 측면에 걸쳐서 균일하게 분배되어 배치되어 있다. 상기 제1 관통 개구들 사이에는 제2 파이프들에 할당되어 있는 제2 관통 개구들이 배치될 수 있다. 상기 제2 파이프들도 마찬가지로 단부 섹션들을 포함할 수 있으며, 상기 제2 파이프들의 단부 섹션들은 상기 제2 관통 개구들의 직경 확대된 섹션들 내로 돌출한다. 그러나 상기 제2 파이프들은 가스 배출면과 동일 평면에서 맞물릴 수도 있다. 상기 제2 파이프들은 제2 가스 분배 볼륨과 연결되어 있는데, 상기 제2 가스 분배 볼륨 내로 제2 공정 가스가 공급될 수 있다. 특히 상기 제1 파이프들을 통해, 그리고 상기 제1 관통 개구들을 통해 Ⅲ. 주족 원소의 공정 가스가 관류하도록 제공되어 있다. 상기 제2 파이프들 및 상기 제2 관통 개구들을 통해서는 Ⅴ. 주족 원소의 공정 가스가 관류할 수 있다. 상기 제2 관통 개구들은 바람직하게 상기 제2 파이프들의 개구들과 동일 평면에서 통한다. 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 가스 배출 플레이트를 향해 있는 넓은 측면을 포함할 수 있는데, 상기 넓은 측면은 상기 가스 배출 플레이트로부터 간격을 두고 떨어져 있다. 이와 같은 간격은 관통 개구 내로 단부 섹션의 삽입 깊이보다 더 작을 수 있다. 상기 간격은 특히 상기 가스 배출 플레이트로부터 돌출하는 제1 및 제2 파이프의 단부 섹션의 축 방향 길이보다 더 작다. 상기 가스 배출 플레이트의 재료 두께는 3 내지 6㎜의 범위 내에 놓일 수 있다. 바람직한 재료 두께는 5.5㎜이다. 상기 가스 배출 플레이트는 냉각 볼륨에 인접할 수 있는데, 상기 냉각 볼륨을 통해 냉각제가 관류한다. 상기 냉각제는 50 내지 70℃의 범위 내 온도, 바람직하게 대략 60℃의 온도를 가질 수 있다. 상기 차폐 플레이트 어셈블리가 상기 가스 배출 플레이트로부터 떨어져 있는 상기 간격은 0.2 내지 2㎜의 범위 내에 놓일 수 있다. 바람직한 간격은 0.5㎜이다. 상기 관통 개구들의 두 개의 섹션은 원통형으로 형성될 수 있음으로써, 결과적으로 서로 다른 직경의 상기 두 개의 섹션의 경계 영역 내에서 단(step)이 형성된다. 상기 단은 관통 개구의 축 방향 중앙에 놓일 수 있다. 더 큰 직경을 갖는 섹션의 축 방향 길이는 2 내지 5㎜일 수 있다. 관통 개구의 큰 직경의 섹션의 바람직한 깊이는 3㎜ 또는 4.6㎜일 수 있다. 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 두께 및 특히 상기 차폐 플레이트 어셈블리를 형성하는 단일 차폐 플레이트의 두께는 4㎜ 내지 10㎜의 범위 내에 놓일 수 있다. 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 바람직한 두께는 6 또는 8㎜이다. 관통 개구 내로 돌출하는 파이프의 단부 섹션의 축 방향 길이는 2 내지 7㎜의 범위 내에 놓일 수 있다. 바람직한 길이는 3.5㎜ 또는 5㎜일 수 있다. 상기 차폐 플레이트는 SiC로 구성될 수 있다. 그러나 상기 차폐 플레이트 또는 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 복수의 플레이트가 흑연으로 구성되는 것이 바람직하며, 이때 상기 유형의 차폐 플레이트에 SiC가 코팅될 수 있다. 상기 가스 배출 플레이트로부터 상기 차폐 플레이트 또는 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 간격을 변경하기 위한 수단들이 제공될 수 있다. 특히 이와 같은 간격을 설정할 수 있는 리프팅 장치(lifting device)가 제공되어 있다. 상기 간격은 특히 공정 챔버를 향해 있는 상기 차폐 플레이트 또는 차폐 플레이트 어셈블리의 표면 온도가 대략 250℃가 되도록 설정된다. 관통 개구의 큰 직경의 섹션의 길이 및 단부 섹션의 길이 또는 상기 관통 개구의 큰 직경의 섹션 내로 상기 단부 섹션의 삽입 깊이는 바람직하게, 상기 차폐 플레이트의 표면 온도가 상기 공정 챔버 내에서 수행되는 공정에 따라, 100℃ 내지 300℃의 범위 내에 놓이도록 선택된다. 차폐 플레이트 어셈블리와 가스 배출 플레이트 사이의 간격이 확대되는 세정 공정 시 상기 표면 온도는 850℃에 도달할 수도 있다.
본 발명의 제2 양상에 따르면, 차폐 플레이트 어셈블리는 두 개의 섹션을 포함한다. 이를 위해, 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 두 개의 단일 차폐 플레이트로 구성될 수 있으며, 상기 단일 차폐 플레이트들은 서로 향해 있는 넓은 측면들에서 접촉하며 나란히 놓이거나, 또는 서로 약간 간격을 두고 떨어져 있다. 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 하나의 섹션이 낮은 열 전도성을 갖는 것, 다시 말해 단열체(heat insulator)로서 작용하는 것이 중요하고, 그리고 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 다른 하나의 섹션은 높은 열 전도성을 갖는 것, 다시 말해 열 전도체(heat conductor)로서 작용하는 것이 중요하다. 본 발명의 바람직한 하나의 설계예에 따르면, 가스 배출 플레이트에 직접 인접하거나, 또는 간극 형성하에 인접하는 차폐 플레이트는 단열 재료, 예를 들어 석영으로 구성된다. 반면 공정 챔버를 향해 있는 차폐 플레이트는 우수한 열 전도 재료, 예를 들어 흑연 또는 코팅된 흑연에 의해 형성될 수 있다. 서로 다른 열 전도 특성을 갖는 상기 두 개의 섹션을 포함하는 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 본 발명의 제1 양상의 특징들도 가질 수 있는데, 다시 말해 특히 서로 다른 직경의 섹션들을 구비한 공정 가스용 관통 개구들을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 가스 배출 플레이트를 향해 있는 상부 차폐 플레이트가 큰 직경의 섹션들을 포함하고, 그리고 상기 공정 챔버를 향해 있는 다른 하나의 차폐 플레이트는 더 작은 직경의 관통 개구들의 섹션들을 포함하도록 제공될 수 있다. 그러나 상기 큰 직경의 섹션들은 하부 차폐 플레이트 내부까지 뻗을 수 있음으로써, 결과적으로 파이프들의 단부 섹션들은 상기 상부 차폐 플레이트의 관통 개구들을 관통하여 상기 하부 차폐 플레이트의 관통 개구들의 더 굵은 섹션들 내부까지 도달한다. 또한, 상기 상부 차폐 플레이트가 서로 다른 직경의 관통 개구들을 교대로 포함하도록 제공될 수도 있다. 큰 직경의 관통 개구들 내로는 제1 파이프들이 돌출한다. 제2 공정 가스용 제2 파이프들은 상기 가스 배출 플레이트의 하부 넓은 측면에서 맞물린다.
더 나아가 본 발명에 따른 차폐 플레이트 어셈블리 또는 본 발명에 따른 CVD-반응기 또는 본 발명에 따른 가스 유입 부재는 다음 특징들을 가질 수도 있다: 가스 배출면의 단면은 원형이다. 차폐 플레이트 어셈블리의 단면은 원형 영역이다. 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 중앙 영역을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역은 가장자리 영역에 의해 둘러싸일 수 있다. 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 서로 겹쳐서 배치된 하나 또는 복수의 차폐 플레이트로부터 형성될 수 있다. 상기 중앙 영역 내에서는 상기 단부 섹션들이 상기 가장자리 영역 내에서보다 더 긴 길이를 가질 수 있다. 상기 가장자리 영역 내에서는 상기 단부 섹션들이 상기 중앙 영역 내에서보다 더 긴 길이를 가질 수 있다. 제1 또는 제2 관통 개구들의 제1 섹션들은 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 전체 면적에 걸쳐서 동일한 직경 및 동일한 축 방향 깊이를 가질 수 있다. 그러나 상기 제1 또는 제2 관통 개구들의 제1 섹션들이 상기 중앙 영역 내에서 상기 가장자리 영역 내에서와 다른 깊이를 갖도록 제공될 수도 있다. 상기 제1 및/또는 제2 관통 개구들의 제1 및/또는 제2 섹션들은 각각 자체 전체 축 방향 길이에 걸쳐서 동일하게 설계되도록 제공될 수 있다. 상기 섹션들은 특히 원통형일 수 있다. 상기 제1 및/또는 제2 관통 보어들의 제1 및 제2 섹션들의 단면은 원형일 수 있다. 또한, 상기 제1 또는 제2 관통 보어들은 각각 넓은 측면 쪽으로 깔때기형(funnel-shaped)으로 확장되도록 제공될 수 있다.
더 나아가 본 발명은 기판들 상에 복수의 성분을 포함하는 층들을 증착시키기 위한 방법에 관한 것으로, 이때 상기 성분들은 특히 서로 다른 원소들, 특히 Ⅲ. 및 Ⅴ. 주족 원소들이다. 상기 방법은 앞에서 기술된 것과 같은 가스 유입 부재 또는 차폐 플레이트 어셈블리 또는 CVD-반응기가 사용되는 것을 특징으로 하고, 이때 일정한 열 전도성을 갖는 경우, 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 하나의 차폐 플레이트에 의해 재료 일정하게 형성될 수 있고, 그리고 이때 서로 다른 열 전도성의 섹션들을 포함하는 경우, 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 두 개의 차폐 플레이트로 구성될 수 있다. 특히, Ⅲ. 주족 원소, 특히 Ⅲ. 주족 금속 유기 화합물을 포함하는 공정 가스가 관류하는 파이프들은 차폐 플레이트의 단차 보어들 내로 돌출하는 단부 섹션들을 포함하도록 제공되어 있고, 이때 단차 보어는 파이프의 단부 섹션의 외경보다 더 작은 직경을 갖는 섹션을 포함한다. 또한, Ⅴ. 주족 원소, 특히 Ⅴ. 주족 원소의 수소화물을 포함하는 공정 가스가 관류하는 파이프들은 상기 차폐 플레이트의 보어들 내로 돌출하는 단부 섹션들을 포함하지 않도록 제공될 수 있다. 그러나 이와 같은 제2 파이프들도 마찬가지로 단차 보어들 내로 돌출하는 단부 섹션들을 포함하도록 제공될 수도 있다. 앞에서 언급된 특징들 또는 적어도 소수의 이와 같은 특징들에 의해 공정 챔버를 향해 있는 차폐 플레이트 어셈블리의 측면 상의 온도 불균일성은 개선된다. 제2 섹션의 직경은 본 발명에 따라 단부 섹션의 정면의 직경보다 더 작음으로써, 결과적으로 상기 단부 섹션은 제1 섹션 내로 최대 제1 관통 개구의 제1 섹션의 바닥까지 삽입될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 다음에서 첨부된 도면들에 의해 설명된다.
도 1은 CVD-반응기를 개략적으로 보여주고,
도 2는 도 1에 도시된 CVD-반응기의 제1 실시예의 가스 유입 부재(2)의 하나의 섹션을 보여주는데, 이때 차폐 플레이트(10)는 가스 배출 플레이트(3)에 대해 작은 간격(D)을 가지며,
도 3은 도 2에 따른 도면을 보여주는데, 이때 상기 간격(D)은 확대되어 있고,
도 4는 도 2에 도시된 가스 유입 부재의 하나의 섹션을 추가로 더 확대하여 보여주며,
도 5는 제2 실시예의 도 2에 따른 도면을 보여주고,
도 6은 제3 실시예의 도 2에 따른 도면을 보여주며,
도 7은 제4 실시예의 도 2에 따른 도면을 보여주고,
도 8은 제5 실시예의 도 2에 따른 도면을 보여주며,
도 9는 제6 실시예의 도 2에 따른 도면을 보여주고,
도 10은 제7 실시예의 도 2에 따른 도면을 보여준다.
도 1은 기판들 상에 Ⅲ-Ⅴ-층들을 증착시키기 위한 CVD-반응기를 개략적으로 보여준다. 상기 CVD-반응기(1)의 반응기 하우징 내에는 서셉터(14)가 위치하는데, 상기 서셉터는 코팅된 흑연으로 구성될 수 있고 가열 장치(15)에 의해 850 내지 1200℃의 공정 온도들로 가열될 수 있다. 상기 가열 장치(15)는 적외선 가열기, RF-가열기 또는 저항 가열기일 수 있다. 상기 가열 장치(15)를 등지는 상기 서셉터(14)의 넓은 측면은 기판들을 지지하기 위해 이용되는데, 상기 기판들은 공정 챔버(13) 내에서 코팅된다. 아래쪽으로 상기 서셉터(14)에 의해 제한된 상기 공정 챔버(13)는 위쪽으로 가스 유입 부재(2)에 의해 제한된다. 상기 공정 챔버(13)의 높이(S)는 7 내지 15㎜의 범위 내에 놓일 수 있다. 바람직한 높이(S)는 대략 11㎜이다. 상기 가스 유입 부재(2)는 특히 금속으로 구성되는 상부 섹션으로 구성되는데, 상기 상부 섹션 내에는 가스 분배 볼륨들(6, 7)이 배치되어 있다. 상기 가스 분배 볼륨들(6, 7) 내로 가스 공급 라인들(16)에 의해 외부로부터 공정 가스가 공급될 수 있다. 상기 가스 분배 볼륨들(6, 7) 각각에 바람직하게 두 개의 공정 가스 중 하나의 공정 가스가 공급되고, 이때 개별적인 공정 가스는 반응성 가스, 예를 들어 Ⅲ. 주족 원소의 금속 유기 화합물 또는 Ⅴ. 주족 원소의 수소화물 및 수소로 구성될 수 있다.
도 2는 가스 유입 부재(2)의 제1 실시예를 보여주는데, 상기 제1 실시예에서는, 그 내부로 예를 들어 Ⅲ-성분이 공급될 수 있는 제1 가스 분배 볼륨(6)이 제1 파이프들(4)에 의해 공정 챔버(13)와 유체가 흐를 수 있도록 연결되어 있다. 제2 가스 분배 볼륨(7)은 제2 파이프들(8)에 의해 마찬가지로 상기 공정 챔버(13)와 유체가 흐를 수 있도록 연결되어 있다. 두 가지 파이프들(4, 8)은, 그 내부로 공급 라인(17)에 의해 냉각제가 공급될 수 있는 냉각 볼륨(12)을 통해 뻗는데, 상기 냉각제는 배출 라인(17’)을 통해 상기 냉각 볼륨(12)을 재차 벗어난다. 이와 같이 형성된 냉각 장치에 의해, 상기 공정 챔버(13)를 향해 있는 자체 측면에 가스 배출면(3’)을 형성하는 가스 배출 플레이트(3)가 냉각된다.
서셉터(14)와 상기 가스 배출면(3’) 사이에는 차폐 플레이트 어셈블리가 뻗는데, 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 도 2 및 도 3에 도시된 제1 실시예에서 흑연으로 구성된 단 하나의 차폐 플레이트(10)에 의해 형성되어 있다. 상기 차폐 플레이트(10)는 SiC에 의해 코팅되어 있다. 상기 차폐 플레이트(10)는 상기 가스 배출면(3’)으로부터 간격(D)만큼 떨어져 있는 넓은 측면(10’’)을 구비한다. 상기 간격은 0.5㎜일 수 있다.
도 2는 가스 유입 부재(2)의 제1 실시예를 보여주는데, 상기 제1 실시예에서는, 그 내부로 예를 들어 Ⅲ-성분이 공급될 수 있는 제1 가스 분배 볼륨(6)이 제1 파이프들(4)에 의해 공정 챔버(13)와 유체가 흐를 수 있도록 연결되어 있다. 제2 가스 분배 볼륨(7)은 제2 파이프들(8)에 의해 마찬가지로 상기 공정 챔버(13)와 유체가 흐를 수 있도록 연결되어 있다. 두 가지 파이프들(4, 8)은, 그 내부로 공급 라인(17)에 의해 냉각제가 공급될 수 있는 냉각 볼륨(12)을 통해 뻗는데, 상기 냉각제는 배출 라인(17’)을 통해 상기 냉각 볼륨(12)을 재차 벗어난다. 이와 같이 형성된 냉각 장치에 의해, 상기 공정 챔버(13)를 향해 있는 자체 측면에 가스 배출면(3’)을 형성하는 가스 배출 플레이트(3)가 냉각된다.
서셉터(14)와 상기 가스 배출면(3’) 사이에는 차폐 플레이트 어셈블리가 뻗는데, 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 도 2 및 도 3에 도시된 제1 실시예에서 흑연으로 구성된 단 하나의 차폐 플레이트(10)에 의해 형성되어 있다. 상기 차폐 플레이트(10)는 SiC에 의해 코팅되어 있다. 상기 차폐 플레이트(10)는 상기 가스 배출면(3’)으로부터 간격(D)만큼 떨어져 있는 넓은 측면(10’’)을 구비한다. 상기 간격은 0.5㎜일 수 있다.
상기 차폐 플레이트(10)는 제1 및 제2 관통 개구들(5, 9)을 구비하고, 상기 관통 개구들은 상기 차폐 플레이트(10)의 전체 면적에 걸쳐서 균일하게 분배되어 배치되어 있다. 상기 제1 관통 개구들(5)은 제1 섹션(5’)을 구비하는데, 상기 제1 섹션은 큰 직경을 갖고 원통형 내부 공간을 포함한다. 단 형성하에 상기 제1 섹션(5’)에 제2 섹션(5’’)이 연결되는데, 상기 제2 섹션은 더 작은 직경을 갖는다. 이와 같은 제2 섹션도 원통형 내부 공간을 포함할 수 있다. 상기 제1 섹션(5’)이 가스 배출 플레이트(3)의 방향으로 맞물리는 반면, 상기 제2 섹션(5’’)은 상기 가스 배출 플레이트(3)를 등지는 상기 차폐 플레이트(10)의 넓은 측면(10’)에서 맞물린다.
상기 제2 관통 개구들(9)은 자체 전체 길이에 걸쳐서 동일하게 유지되는 원형 횡단면 및 대략 상기 제2 섹션(5’’)의 직경에 상응하는 직경을 갖는다.
도 4가 보여주는 것처럼, 제1 파이프들(4)은 각각 단부 섹션(4’)을 구비하고, 상기 단부 섹션은 가스 배출면(3’) 위로 돌출한다. 상기 단부 섹션(4’)이 상기 가스 배출면(3’) 위로 돌출하는 길이(L)는 본 실시예에서 바람직하게 대략 3.5㎜이다. 관통 개구(5)의 제1 섹션(5’)의 깊이(P)는 3㎜일 수 있다. 차폐 플레이트(10)의 재료 두께(B)는 6㎜일 수 있다.
상기 단부 섹션(4’)의 정면은 상기 제1 섹션(5’)의 바닥으로부터 간격을 두고 떨어질 수 있다. 그러나 본 실시예에서는 상기 단부 섹션(4’)의 정면이 상기 제1 섹션(5’)의 바닥(’’’)을 접촉한다. 삽입 깊이(T)는 본 실시예에서 상기 제1 섹션(5’)의 깊이(P)에 상응한다. 상기 단부 섹션(4’)의 정면이 상기 제1 섹션(5’)의 바닥으로부터 간격을 두고 떨어져 있는 경우, 상기 삽입 깊이(T)는 상기 제1 섹션(5’)의 깊이(P)보다 더 작다. 제2 섹션(5’’)의 직경은 상기 단부 섹션(4’)의 외경보다 더 작고, 대략 상기 제1 파이프(4)의 내경에 상응할 수 있다. 상기 제2 섹션의 직경은 상기 제1 파이프(4)의 내경보다 약간 더 작거나, 또는 상기 제1 파이프(4)의 내경보다 약간 더 클 수 있다.
제2 파이프들(8)의 개구들은 제2 관통 개구들의 개구들로부터 간격을 두고 떨어져 있다.
도 1에서 도면 부호 18에 의해 표시된 리프팅 장치에 의해 상기 간격(D)은 확대될 수 있다. 그럼으로써 상기 차폐 플레이트(10) 상으로 냉각 볼륨(12)의 냉각 장치의 냉각 작용이 감소하며, 그 결과 예를 들어 상기 차폐 플레이트(10)의 넓은 측면(10’)이 세정되는 에칭 단계(etching step)를 실시하기 위해, 상기 차폐 플레이트는 도 2에 도시된 위치로부터 도 3에 도시된 작동 위치로 하강할 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 작동 위치에서 상기 넓은 측면(10’’)의 표면 온도가 대략 250℃인 반면, 도 3에 도시된 작동 위치에서 상기 넓은 측면(10’’)의 표면 온도는 800℃를 초과 달성할 수 있다.
도 5에 도시된 실시예는 실질적으로 단지, 제2 파이프들도 위에 기술된 방식으로 제2 관통 개구들(9)의 직경 확대된 제1 섹션들(9’’) 내로 돌출함으로써, 도 2 내지 도 4에 도시된 제1 실시예와 구분된다. 본 실시예에서도 상기 제2 파이프들의 정면들이 상기 제2 관통 개구들의 바닥들에 인접하거나, 또는 상기 제2 관통 개구들(9)의 바닥들로부터 간격을 두고 떨어질 수 있다. 상기 제2 관통 개구들의 제2 섹션들(9’’)의 직경은 본 실시예에서도, 상기 제2 관통 개구들(9)의 제1 섹션들(9’) 내로 돌출하는 상기 제2 파이프들의 단부 섹션들(8’)의 외경보다 더 작다.
도 6에 도시된 실시예에서는 단부 섹션들(4’)이 대체로 원판형의 차폐 플레이트(10)의 중앙 영역(Z) 내에서, 상기 중앙 영역(Z)을 둘러싸는 가장자리 영역(R) 내에서보다 제1 관통 개구들(5) 내로 더 작은 관입 깊이를 갖는다.
도 7에 도시된 실시예에서는 단부 섹션들(4’)이 대체로 원판형의 차폐 플레이트(10)의 중앙 영역(Z) 내에서, 상기 중앙 영역(Z)을 둘러싸는 가장자리 영역(R) 내에서보다 제1 관통 개구들(5) 내로 더 큰 관입 깊이를 갖는다.
도 8에 도시된 실시예는 실질적으로, 제1 및/또는 제2 관통 개구들(5, 9)이 차폐 플레이트(10)의 넓은 측면(10’’) 또는 넓은 측면(10’)으로 깔때기형으로 확장됨으로써, 앞에서 기술된 실시예들과 구분된다. 관통 개구들(5)의 제2 섹션들(5’’)은 바닥(5’’’)뿐만 아니라 상기 넓은 측면(10’)으로도 깔때기형으로 확장될 수 있다.
도 8에는 도면에 깔때기형 확장부를 가질 수 있는 관통 개구들(5, 9)의 다양한 조합들이 도시되어 있다. 실시예에서는 제1 관통 개구들(5) 각각, 제2 관통 개구들(9) 각각이 서로 동일한 형상을 갖는다.
도 9 및 도 10에 도시된 실시예들은 우선, 단 하나의 차폐 플레이트(10)로만 이루어진 재료 일정한 차폐 플레이트 어셈블리 대신에, 차폐 플레이트 어셈블리가 두 개의 차폐 플레이트(10, 11)를 포함함으로써, 앞에서 기술된 실시예들과 구분된다. 가스 배출 플레이트(3)를 향해 있는 상부 차폐 플레이트(10)는 우수하지 않은 열 전도 재료, 예를 들어 석영으로 제조될 수 있으며, 그에 따라 단열체를 형성한다. 상기 가스 배출 플레이트(3)를 등지고 공정 챔버(13)를 향해 있으며, 특히 상기 공정 챔버(13)에 인접하는 하부 차폐 플레이트(11)는 우수한 열 전도 재료, 예를 들어 흑연으로 구성될 수 있다. 상기 하부 차폐 플레이트(11)는 특히 상기 상부 차폐 플레이트(10)보다 5배, 10배, 20배만큼 더 큰 비열 전도성(specific thermal conductivity)을 갖는다. 상기 두 개의 차폐 플레이트(10, 11)는 서로 접촉하며 나란히 놓일 수 있다. 그러나 상기 차폐 플레이트들은 서로 간격을 가질 수도 있다. 상기 두 개의 차폐 플레이트(10, 11)는 각각 관통 개구들(5, 9)을 구비하고, 이때 상기 상부 차폐 플레이트(10)는 관통 개구(5, 9)의 상부 섹션(5’, 9’)을 형성하고, 그리고 상기 하부 차폐 플레이트(11)는 각각 관통 개구(5, 9)의 하부 섹션(5’’, 9’’)을 형성한다.
도 9에 도시된 실시예에서는 상기 상부 섹션들(5’, 9’)이 각각 자체 할당된 하부 섹션들(5’’, 9’’)과 동일한 횡단면을 갖는다. 제1 파이프들(4) 및 제2 파이프들(8)은 이와 같은 실시예에서 가스 배출면(3’)에서 맞물린다.
도 10에 도시된 실시예에서는, 위에서 도 2 내지 도 8에 도시된 실시예들의 인용하에 기술되었던 것처럼, 제1 파이프들(4)의 단부 섹션들(4’)이 제1 관통 개구들(5)의 상부 섹션들(5’) 내로 돌출한다. 이와 같은 실시예에서는 상기 큰 직경의 섹션들(5’)이 상기 상부 차폐 플레이트(10)에 의해 형성되고, 그리고 상기 작은 직경의 섹션들(5’’)은 상기 하부 차폐 플레이트(11)에 의해 형성된다. 상기 차폐 플레이트들(10, 11)은 서로 동일한 두께를 가질 수 있다. 그러나 상기 차폐 플레이트들은 서로 다른 재료 두께를 가질 수도 있다. 본 실시예에서도 상기 단부 섹션들(4’)의 정면들이 상기 하부 차폐 플레이트(11)의 넓은 측면(11’)에 접촉하며 인접하도록 제공될 수 있거나, 또는 - 도 10에 도시된 것처럼 - 상기 단부 섹션들의 정면들이 상기 하부 차폐 플레이트의 넓은 측면으로부터 간격을 두고 떨어질 수 있다.
전술된 실시예들은 본 출원서에 의해 전체적으로 기술된 발명들을 설명하기 위해 이용되는데, 상기 발명들은 적어도 다음 특징 조합들에 의해 선행기술을 각각 독립적으로도 개선하며, 이때 두 개, 복수의, 또는 모든 이와 같은 특징 조합들은 서로 조합될 수도 있다:
제2 섹션(5’’)의 직경은 단부 섹션(4’)의 외경보다 더 작은 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
차폐 플레이트 어셈블리는 가스 배출 플레이트(3)를 향해 있는 낮은 열 전도성의 제1 섹션(10) 및 상기 제1 섹션에 인접하는, 상기 가스 배출 플레이트(3)를 등지는 높은 열 전도성의 제2 섹션(11)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
제1 파이프들(4)의 단부 섹션들(4’)은 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 제1 섹션(10)의 제1 관통 개구들(5’) 내로 돌출하고, 그리고/또는 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 서로 다른 열 전도성의 두 개의 차폐 플레이트(10, 11)를 포함하고, 상기 차폐 플레이트들은 서로 인접하는, 서로 접촉하거나, 또는 간극에 의해 서로 간격을 두고 떨어져 있는 넓은 측면들(10’, 11’)을 포함하며, 그리고/또는 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 제1 섹션(10)은 석영으로 구성되고, 그리고 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 제2 섹션(11)은 흑연 또는 코팅된 흑연으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
상기 가스 배출 플레이트(3)를 향해 있는 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 상부 넓은 측면(10’’)은 상기 가스 배출 플레이트(3)의 하부 넓은 측면(3’)에 대해 간격(D)을 갖고, 그리고/또는 상기 간격(D)은 제1 관통 개구(5) 내로 상기 단부 섹션(4’)의 삽입 깊이(T)보다 더 작은 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
상기 가스 유입 부재의 제2 가스 분배 볼륨(7)은 제2 파이프들(8)과 유체가 흐르도록 연결되어 있고, 상기 제2 가스 분배 볼륨(7)을 등지는 상기 제2 파이프들의 개구들은 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 제2 관통 개구들(9)로 향해 있으며, 그리고/또는 상기 가스 배출 플레이트(3)는 냉각 장치(12)에 의해 냉각될 수 있고, 그리고/또는 상기 가스 배출 플레이트(3)에 냉각 볼륨(12)이 인접하고, 상기 냉각 볼륨을 통해 냉각제가 관류할 수 있는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
상기 제2 파이프들(8)의 단부 섹션들(8’)은 상기 제2 관통 개구들(9)의 큰 직경의 제1 섹션들(9’’) 내로 돌출하고, 상기 제2 관통 개구들(9)의 제2 섹션들(9’)은 상기 제2 파이프들(8)의 단부 섹션들(8’)의 외경보다 더 작은 직경을 갖는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)는 중앙 영역(Z)을 포함하고, 이때 상기 제1 및/또는 제2 파이프들(4, 8)의 단부 섹션들(4’, 8’)은 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 중앙 영역(Z) 내에서, 상기 중앙 영역(Z)을 둘러싸는 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 가장자리 영역(R) 내에서보다 상기 제1 또는 제2 관통 개구들(5, 9) 내로 더 깊게, 또는 덜 깊게 삽입되는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
상기 제1 및/또는 제2 관통 개구들(9)은 상기 가스 배출 플레이트(3)를 향해 있는 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 넓은 측면(10’’)으로 깔때기형으로 확장되거나, 또는 상기 가스 배출 플레이트(3)를 등지는 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 넓은 측면(10’)으로 깔때기형으로 확장되고, 그리고/또는 상기 제1 및/또는 제2 관통 개구(5, 9)의 제1 섹션의 원통형 영역(5’, 9’)은 단 형성하에 상기 제1 및/또는 제2 관통 개구(5, 9)의 제2 섹션의 원통형 영역(5’’, 9’’)에 인접하는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 제1 넓은 측면(10’’)은 낮은 열 전도성의 섹션에 의해 형성되고, 그리고 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 제2 넓은 측면(11’’)은 높은 열 전도성의 섹션에 의해 형성되며, 그리고/또는 상기 관통 개구들(5, 9)은 서로 다른 직경의 섹션들(5’, 5’’, 9’, 9’’)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 차폐 플레이트 어셈블리.
상기 가스 유입 부재(2)는 전술된 청구항들 중 어느 한 항에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는, CVD-반응기.
상기 가스 유입 부재(2)는 전술된 청구항들 중 어느 한 항에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는, 방법.
상기 제1 파이프들(4) 내로 Ⅲ. 주족 원소의 반응성 가스가 공급되고, 그리고 상기 제2 파이프들(8) 내로 Ⅴ. 주족 원소의 반응성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는, 방법.
공개된 모든 특징들은 (그 자체로, 그러나 서로 조합된 상태로도) 본 발명에서 중요하다. 그에 따라, 우선권 서류들의 특징들을 본 출원서의 청구항들 내에 함께 포함시킬 목적으로도, 본 출원서의 공개 내용에는 관련된/첨부된 우선권 서류들(예비 출원서의 사본)의 공개 내용도 전체적으로 함께 포함한다. 특히 종속 청구항들에 기초하여 분할 출원을 실시하기 위해, 종속 청구항들은 인용 청구항의 특징들 없이 자체 특징들만으로도 선행기술의 독립적이고도 진보적인 개선예들을 특징짓는다. 각각의 청구항에 제시된 본 발명은 추가로, 전술된 설명에서, 특히 도면 부호들이 제공되고, 그리고/또는 도면 부호 목록에 제시된 하나 또는 복수의 특징을 포함할 수 있다. 특히 특징들이 개별적인 사용 목적을 위해 명백히 불필요하거나, 또는 기술적으로 동일하게 작용하는 다른 수단에 의해 대체될 수 있는 경우에 한해, 본 발명은 전술된 설명에 언급된 개별적인 특징들이 구현되어 있지 않은 설계 형태들과도 관련이 있다.
1 CVD-반응기
2 가스 유입 부재
3 가스 배출 플레이트
3’ 가스 배출면
4 제1 파이프
4’ 단부 섹션
5 제1 관통 개구
5’ 큰 직경의 섹션
5’’ 작은 직경의 섹션
5’’’ 바닥
6 제1 가스 분배 볼륨
7 제2 가스 분배 볼륨
8 제2 파이프
8’ 단부 섹션
9 제2 관통 개구
9’ 큰 직경의 섹션
9’’ 작은 직경의 섹션
10 차폐 플레이트
10’ 넓은 측면
10’’ 넓은 측면
11 차폐 플레이트
11’ 넓은 측면
12 냉각 볼륨
13 공정 챔버
14 서셉터
15 가열 장치
16 가스 공급 라인
17 냉각제 공급 라인
17’ 냉각제 배출 라인
18 리프팅 장치

Claims (18)

  1. CVD-반응기(1)용 가스 유입 부재(2)로서,
    가스 배출 플레이트(gas outlet plate)(3)의 후방에 배치된 제1 가스 분배 볼륨(gas distribution volume)(6)을 포함하고, 상기 제1 가스 분배 볼륨의 전방으로부터, 상기 가스 배출 플레이트(3)로부터 돌출하는 단부 섹션들(end sections)(4’)을 포함하는 제1 파이프들(pipes)(4)이 생성되며, 상기 제1 파이프들은 상기 가스 배출 플레이트(3)에 대해 평행하게 뻗는 차폐 플레이트 어셈블리(shield plate assembly)(10, 11)의 제1 관통 개구들(5) 내로 돌출하고, 상기 제1 관통 개구들(5)은 상기 가스 배출 플레이트(3)를 향해 있는, 상기 단부 섹션(4’)의 외경(outside diameter)보다 더 큰 직경의 제1 섹션(5’)을 포함하고, 그리고 상기 가스 배출 플레이트(3)를 등지는 더 작은 직경의 제2 섹션(5’’)을 포함하며,
    상기 제2 섹션(5’’)의 직경은 상기 단부 섹션(4’)의 정면의 외경보다 더 작고, 상기 단부 섹션의 정면은 상기 제1 섹션(5’)의 바닥에 인접하거나, 또는 상기 제1 섹션의 바닥으로부터 간격을 두고 떨어져 있음으로써, 결과적으로 상기 제1 섹션(5’) 내로 상기 단부 섹션(4’)의 삽입 깊이(T)는 상기 제1 섹션(5’)의 깊이(P)보다 더 작은 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
  2. CVD-반응기(1)용 가스 유입 부재(2)로서,
    가스 배출 플레이트(3)의 후방에 배치된 제1 가스 분배 볼륨(6)을 포함하고, 상기 제1 가스 분배 볼륨의 전방으로부터, 상기 가스 배출 플레이트(3)로부터 돌출하는 단부 섹션들(4’)을 포함하는 제1 파이프들(4)이 생성되며, 전방에서 상기 가스 배출 플레이트(3)에 대해 평행하게 뻗는, 하나 이상의 차폐 플레이트를 포함하는 하나 이상의 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)를 포함하고, 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 제1 관통 개구들(5)을 포함하며,
    상기 차폐 플레이트 어셈블리는 상기 가스 배출 플레이트(3)를 향해 있는 낮은 열 전도성의 제1 섹션(10) 및 상기 제1 섹션에 인접하는, 상기 가스 배출 플레이트(3)를 등지는 높은 열 전도성의 제2 섹션(11)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 파이프들(4)의 단부 섹션들(4’)은 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 제1 섹션(10)의 제1 관통 개구들(5’) 내로 돌출하고, 그리고/또는 상기 차폐 플레이트 어셈블리는 서로 다른 열 전도성의 두 개의 차폐 플레이트(10, 11)를 포함하고, 상기 차폐 플레이트들은 서로 인접하는, 서로 접촉하거나, 또는 간극에 의해 서로 간격을 두고 떨어져 있는 넓은 측면들(10’, 11’)을 포함하며, 그리고/또는 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 제1 섹션(10)은 석영으로 구성되고, 그리고 상기 차폐 플레이트 어셈블리의 제2 섹션(11)은 흑연 또는 코팅된 흑연으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 배출 플레이트(3)를 향해 있는 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 상부 넓은 측면(10’’)은 상기 가스 배출 플레이트(3)의 하부 넓은 측면(3’)에 대해 간격(D)을 갖는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  5. 제4항에 있어서,
    상기 간격(D)은 제1 관통 개구(5) 내로 상기 단부 섹션(4’)의 삽입 깊이(T)보다 더 작은 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 유입 부재의 제2 가스 분배 볼륨(7)은 제2 파이프들(8)과 유체가 흐르도록 연결되어 있고, 상기 제2 가스 분배 볼륨(7)을 등지는 상기 제2 파이프들의 개구들은 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 제2 관통 개구들(9)로 향해 있는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 배출 플레이트(3)는 냉각 장치(12)에 의해 냉각될 수 있는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항 또는 복수의 항에 있어서,
    상기 가스 배출 플레이트(3)에 냉각 볼륨(12)이 인접하고, 상기 냉각 볼륨을 통해 냉각제가 관류할 수 있는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 파이프들(8)의 단부 섹션들(8’)은 상기 제2 관통 개구들(9)의 큰 직경의 제1 섹션들(9’’) 내로 돌출하고, 상기 제2 관통 개구들(9)의 제2 섹션들(9’)은 상기 제2 파이프들(8)의 단부 섹션들(8’)의 외경보다 더 작은 직경을 갖는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)는 중앙 영역(Z)을 포함하고, 상기 제1 및/또는 제2 파이프들(4, 8)의 단부 섹션들(4’, 8’)은 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 중앙 영역(Z) 내에서, 상기 중앙 영역(Z)을 둘러싸는 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 가장자리 영역(R) 내에서보다 상기 제1 또는 제2 관통 개구들(5, 9) 내로 더 깊게, 또는 덜 깊게 삽입되는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및/또는 제2 관통 개구들(9)은 상기 가스 배출 플레이트(3)를 향해 있는 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 넓은 측면(10’’)으로 깔때기형(funnel-shaped)으로 확장되거나, 또는 상기 가스 배출 플레이트(3)를 등지는 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 넓은 측면(10’)으로 깔때기형으로 확장되는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및/또는 제2 관통 개구(5, 9)의 제1 섹션의 원통형 영역(5’, 9’)은 단(step) 형성하에 상기 제1 및/또는 제2 관통 개구(5, 9)의 제2 섹션의 원통형 영역(5’’, 9’’)에 인접하는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재(2).
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 가스 유입 부재(2)의 차폐 플레이트 어셈블리로서,
    서로 평행하게 진행하는 두 개의 넓은 측면(10’’, 11’’) 및 상기 넓은 측면들(10’’, 11’’) 사이에서 뻗는, 상기 넓은 측면들(10’’, 11’’)에 걸쳐서 균일하게 분배된 관통 개구들(5, 9)을 포함하고,
    상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 제1 넓은 측면(10’’)은 낮은 열 전도성의 섹션에 의해 형성되고, 그리고 상기 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)의 제2 넓은 측면(11’’)은 높은 열 전도성의 섹션에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, 차폐 플레이트 어셈블리.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 관통 개구들(5, 9)은 서로 다른 직경의 섹션들(5’, 5’’, 9’, 9’’)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 차폐 플레이트 어셈블리.
  15. 가스 유입 부재(2)를 구비한 CVD-반응기(1)로서,
    상기 가스 유입 부재는 하나 또는 복수의 가스 분배 볼륨(6, 7)을 포함하고, 공정 챔버(process chamber)(13) 내로 공정 가스를 공급하기 위해, 상기 가스 분배 볼륨들은 가스 배출 플레이트(3)에서 맞물리는 파이프들(8)에 의해, 그리고/또는 가스 배출 플레이트(3)로부터 돌출하는 파이프들(4)에 의해 연결되어 있으며, 상기 공정 챔버는 상기 가스 배출 플레이트(3)를 덮는, 관통 개구들(5, 9)을 포함하는 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)와 서셉터(susceptor)(14) 사이에 위치하고, 상기 서셉터(14)는 상기 공정 챔버(13) 내에서 코팅될 기판들의 캐리어(carrier)이고 가열 장치(15)에 의해 가열될 수 있으며,
    상기 가스 유입 부재(2)는 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는, CVD-반응기.
  16. 기판들 상에 복수의 성분을 포함하는 층들을 증착시키기 위한 방법으로서,
    상기 기판들은 CVD-반응기(1)의 가열된 서셉터(14)에 의해 지지되고, 상기 서셉터(14) 및 차폐 플레이트 어셈블리(10, 11)에 의해 제한된 공정 챔버(13) 내로 두 개 이상의 성분을 포함하는 공정 가스를 공급함으로써 상기 방법을 실시하며,
    상기 공정 가스를 공급하기 위해, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 가스 유입 부재(2)가 사용되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    제1 파이프들(4) 내로 Ⅲ. 주족 원소의 반응성 가스가 공급되고, 그리고 제2 파이프들(8) 내로 Ⅴ. 주족 원소의 반응성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 하나 또는 복수의 특징을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스 유입 부재, 차폐 플레이트 어셈블리, CVD-반응기 또는 방법.
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