CN102732853B - 腔室装置和具有它的基片处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种腔室装置，包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室；和第一热电冷却部件，所述第一热电冷却部件的冷端邻近所述腔室本体的至少一部分外表面而设置以冷却所述腔室本体，且所述第一热电冷却部件的热端远离所述腔室本体的至少一部分外表面而设置。本发明还提供了一种具有上述腔室装置的基片处理设备。本发明采用热电冷却部件对腔室本体进行冷却，设计加工简单，冷却效果好，改善了安全性和可维护性。

Description

腔室装置和具有它的基片处理设备

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备。

背景技术

CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。CVD制作过程是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前驱物下，在一定工艺温度下，在基底表面发生化学反应和/或化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中伴随地产生不同的副产品大多会会随着气流被带着，不会留在腔室中。

根据不同的分类方法，CVD可以分为多种类型。例如，以压力分类，CVD包括低压CVD(Low-pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、常压CVD(Atmospheric pressurechemical vapor deposition，APCVD)和超高真空CVD(Ultra-high vacuum chemical vapordeposition，UHVCVD)；以电浆技术分类，CVD包括微波电浆辅助化学气相沉积(MicrowavePlasma Chemical Vapor Deposition，MPCVD)和等离子体辅助化学气相沉积(Plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)；此外，CVD还包括原子层化学气相沉积(Atomic Layer Chemical Vapor deposition ALCVD)、热丝化学气相沉积(HotWire Chemical Vapour Deposition，HWCVD)、有机金属化学气相沉积(Metal-organicChemical vapor deposition，MOCVD)、快速热化学气相沉积等(Rapid Thermal ProcessingChemical Vapor Deposition，RTCVD)、气相磊晶(Vapor Phase Epitaxy，VPE)等。

温度控制是CVD技术中的关键步骤，尤其是CVD腔室系统的温度控制。温度控制包括加热系统、冷却系统和温度控制系统。冷却系统采用水冷、油冷、空气冷却方式，针对腔室内不同的零部件，可采用不同的冷却方式。例如，对腔室上盖、外壁和基座的冷却采用水冷或油冷方式。为了实现快速降温，对腔室内部的冷却则采取冷空气吹扫的方式。

传统的沉积晶体材料的CVD腔室可以采用喷嘴作为进气系统。利用形成在喷嘴上的水冷通道实现对喷嘴和工艺气体的冷却。腔室顶盖则采用形成于顶盖上的水冷通道实现对顶盖的冷却，从而使得顶盖在工艺过程中保持在较低温度。在上述的水冷通道中可以通冷却水或冷却油。

但是采用水冷或油冷的方式需要通过在被冷却零部件表面或内部设计水或油可以流经的管道，通过水或油的循环流动来达到冷却效果。由于进气系统的喷嘴的结构复杂，在其上设计通道就更为复杂，不易加工实现。而且，采用水冷或油冷的方式，一旦出现冷却水泄露，将对腔室造成很大的破坏，难以维护。

发明内容

本发明旨在至少解决上述技术问题之一。为此，本发明的第一个目的在于提出一种结构简单、安全性高且易于维护的腔室装置。

本发明的第二个目的在于提出一种具有上述腔室装置的基片处理设备。

为此，本发明第一方面的实施例提供了一种腔室装置，包括腔室本体和进气部件，所述腔室本体内限定有腔室，所述进气部件设在所述腔室本体上用于向所述腔室内供气，其中，还包括第一热电冷却部件，所述第一热电冷却部件的冷端邻近所述腔室本体的至少一部分外表面而设置以冷却所述腔室本体，且所述第一热电冷却部件的热端远离所述腔室本体的至少一部分外表面而设置。

根据本发明实施例的腔室装置，采用热电冷却部件对腔室本体进行冷却，包括对腔室内的各个部位以及零部件进行冷却，设计加工简单，而且不必为了冷却而在腔室内引入液体，从而不会出现液体泄漏的问题，提高了腔室装置的安全性和可维护性。

在本发明的一个实施例中，所述第一热电冷却部件的冷端贴置在所述腔室本体的整个外表面上。

由此，通过在腔室本体的整个外表面贴置第一热电冷却部件，可以提高对腔室本体的冷却效率。

在本发明的一个实施例中，所述第一热电冷却部件的冷端通过蓄冷片贴置在所述腔室本体的外表面上。

由此，通过在冷端和腔室本体的外表面之间贴置蓄冷片，可以提高对腔室本体的冷却效果。

在本发明的一个实施例中，所述第一热电部件包括设在所述腔室本体的顶壁的外表面上的顶壁热电冷却部件和设在所述腔室本体的周壁的外表面上的周壁热电冷却部件。

在本发明的一个实施例中，所述腔室本体的顶壁内形成有进气通道和将所述进气通道与所述腔室连通的进气孔以便所述进气部件由所述顶壁构成。

在本发明的一个实施例中，腔室装置还包括第二热电冷却部件，所述第二热电冷却部件的冷端设在所述进气孔内并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连，所述第二热电冷却部件的热端与所述顶壁热电冷却部件的热端为同一热端。

由此，第二热电冷却部件可以对进气通道进行冷却，并且第二热电冷却部件与顶壁热电冷却部件的热端为同一热端，从而减小了腔室装置的体积。

在本发明的一个实施例中，所述进气孔为多个，所述多个进气孔沿竖直方向延伸且均匀分布在所述顶壁上。

在本发明的一个实施例中，所述进气部件包括内管和套设在所述内管外面的外管，所述外管与所述内管之间限定出外进气通道且所述内管限定出内进气通道，所述内管和所述外管的下端穿过所述腔室本体的所述顶壁向下延伸到所述腔室内。

在本发明的一个实施例中，腔室装置还包括第三热电冷却部件和第四热电冷却部件，所述第三热电冷却部件的冷端设在所述内管的外表面上并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连，所述第四热电冷却部件的冷端设在所述外管的外表面上并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连，且所述第三热电冷却部件和第四热电冷却部件的热端与所述顶壁热电冷却部件的热端为同一热端。

由此，第三和第四热电冷却部件可以对进气通道进行冷却，并且第三和第四热电冷却部件与顶壁热电冷却部件的热端为同一热端，从而减小了腔室装置的体积。

在本发明的一个实施例中，所述腔室本体的底壁内设有冷却介质通道以通过水冷或油冷的方式对所述腔室本体的底壁冷却。

本发明第二方面的实施例提供了一种基片处理设备，包括本发明第一方面的实施例提供的腔室装置和托盘。

根据本发明实施例的基片处理设备对腔室的冷却效率高，设计加工简单，而且不必为了冷却而在腔室内引入液体，从而不会出现液体泄漏的问题，提高了腔室装置的安全性和可维护性。

在本发明的一个实施例中，所述托盘为多层托盘，且所述多层托盘沿所述腔室的轴线等间隔排列。

在本发明的一个实施例中，所述多层托盘沿所述腔室的轴线呈竖直方向等间隔排列。

在本发明的一个实施例中，所述腔室装置的所述进气部件包括进气本体和至少一个气体喷口件，所述进气本体内限定有进气通道，所述进气通道中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入隔离气体的隔离气体管道，所述气体喷口件设置在所述进气本体上，且每个所述气体喷口件包括沿所述进气通道的横截面方向排气的多层气孔，其中，所述多层气孔中的顶层气孔与所述隔离气体管道连通，所述多层气孔中所述顶层气孔以下的各层气孔匹配地与所述反应气体管道组中的各管道连通；及所述进气本体穿过所述多层托盘的中心孔，且每层托盘与至少一个所述气体喷口件对应。

由此，每个气体喷口件包括沿进气通道的横截面方向向外排气的多层气孔，使气体能够更加均匀地向四周喷射，多层气孔的最上层气孔与隔离气体管道连通，其它层气孔通入各反应气体，保证各反应气体在隔离气体下方发生化学反应，从而防止处在隔离气体上方的反应腔顶盖或托盘底部在各反应气体的作用下表面形成沉积薄膜，进而防止沉积薄膜脱落造成颗粒污染。

在本发明的一个实施例中，所述基片处理设备为有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为根据本发明一个实施例的腔室装置的示意图；

图2为由单个PN结构成的热电冷却部件的工作示意图；

图3为多个PN结构成的热电冷却部件的工作示意图；

图4为根据本发明另一个实施例的腔室装置的示意图；

图5为沿图4中的M-M方向俯视图；

图6为根据本发明又一个实施例的腔室装置的示意图；和

图7为根据本发明一个实施例的基片处理设备的示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面参考附图描述根据本发明实施例的腔室装置100。根据本发明实施例的腔室装置100可以为CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)腔室装置，例如，LPCVD(Low-pres ure chemical vapor deposition，低压化学汽相淀积)腔室装置、APCVD(Atmospheric pressure chemical vapor deposition，常压CVD)腔室装置、UHVCVD(Ultra-high vacuum chemical vapor deposition，超高真空CVD)腔室装置、ALCVD(AtomicLayer Chemical Vapor deposition，原子层化学气相沉积)腔室装置、MOCVD(Metal-organicChemical vapor deposition，有机金属化学气相沉积)腔室装置、PECVD(Plasma-enhancedchemical vapor deposition，等离子体辅助化学气相沉积)腔室装置。

如图1所示，根据本发明实施例的腔室装置100包括：腔室本体、进气部件和第一热电冷却部件。

所述腔室本体内限定腔室，且所述腔室本体上设有排气口209。具体地，所述腔室本体包括顶壁205、底壁(未示出)，和设置顶壁205和底壁之间的周壁211，所述腔室由顶壁205、周壁211和底壁限定出。

在本发明的一个示例中，顶壁205、底壁和周壁211分体形成，例如顶壁205可以为腔室本体的顶盖，底壁可以为腔室本体的基座，周壁211为设在顶盖和基座之间的筒体。所述进气部件设在所述腔室本体上用于向所述腔室内供气。

第一热电冷却部件的冷端邻近腔室本体的至少一部分外表面而设置，且第一热电冷却部件的热端远离腔室本体的至少一部分外表面而设置，用于冷却腔室本体。如图1所示，例如，在使用中，设在腔室内的可旋转支撑座206上的加热系统207会加热腔室本体的顶壁205、周壁211，因此通过设置第一热电冷却部件可以对腔室本体进行冷却，从而控制腔室内的温度。

在本发明的一个实施例中，在第一热电冷却部件的冷端与所述腔室本体的外表面之间可以贴置蓄冷片(未示出)，即，第一热电冷却部件的冷端通过蓄冷片与所述腔室本体的外表面接触。由此可以提高第一热电冷却部件对腔室本体的冷却效率，改善冷却效果。

为了提高冷却效率，第一热电冷却部件也可以贴置在所述腔室本体的整个外表面上。

在本发明的一个实施例中，第一热电冷却部件可以由多个PN结制成，利用金属电极将P型热电半导体元件和N型热电半导体元件串联连接以形成PN结。

下面参考图2和图3简单描述热电冷却部件的构成和原理。

图2示出了单个PN结的冷却原理。如图2所示，在PN结中通入电流，从而发生在接合部的一侧吸热XR，而在接合部的另一侧放热FR的帕耳效应，进而对靠近吸热一侧的部件进行冷却。吸热一侧的导电连接片D为第一热电冷却部件的冷端LD(图2中的上端)，放热的一侧的导电连接片D为第一热电冷却部件的热端RD(图2中的下端)。

为了实现大热负荷的热电冷却效果，可以根据实际热负荷情况采用图3所示的多个PN结制成的第一热电冷却部件。如图3所示，将数十个至数百个PN结对通过金属导体JS串联连接，然后将它们夹持排列于表面具备金属电极的两块基板JU之间，从而制成第一热电冷却部件。在PN结中通入电流，例如对PN结施加直流电源，从而发生在接合部的一侧的冷端LD吸热，而在接合部的另一侧的热端RD放热的帕耳效应，从而达到对靠近冷端一侧的部件进行冷却的目的。基板JU可以由绝缘陶瓷片制成。第一热电冷却部件的热端RD可以采用金属热沉制成。热沉(heat sink)在工业上是指微型散热片，可以用来冷却半导体装置。金属热沉为由金属材料制成的热沉。其中，作为热沉的金属可以为铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、铁(Fe)、铅(Pb)等及其合金。

在本发明的一个实施例中，如图1所示，在顶壁205内形成有进气通道208和将进气通道208与所述腔室连通的进气孔212，以便顶壁205构成所述进气部件。在图1所示的示例中，进气孔212为多个，气体通过均匀分布在顶壁205上的多个进气孔212输送到腔室内。多个进气孔212沿竖直方向延伸且均匀分布在顶壁205上以将进气通道208和腔室连通。

在本发明的一个实施例中，进气部件可以与腔室本体分体形成。具体而言，进气部件可以为独立的部件，用于向腔室内输送气体。例如，进气部件可以为喷淋式进气系统，喷淋式进气系统对于本领域的技术人员而言是已知的，这里不再详细描述。

气体通过进气孔212喷淋到旋转的支撑座206的表面上。基座加热系统207对支撑座206进行加热。基座加热系统207可以通过电阻加热、感应加热或者灯管加热等方式进行加热。在支撑座206的下方设置有旋转轴213，旋转轴213可以带动支撑座206以一定的速度旋转。腔室内的气体通过排气口209排出腔室。

在使用中，腔室本体的顶壁205、周壁211以及顶壁205中的进气部件被加热系统207加热到较高温度。如图1所示，为了实现对顶壁205和周壁211的冷却，第一热电冷却部件包括设置在腔室本体的顶壁205的外表面上的顶壁热电冷却部件和设置腔室本体的周壁211的外表面上的周壁热电冷却部件。顶壁热电冷却部件包括顶壁热端201、顶壁冷端202和位于顶壁热端201和顶壁冷端202之间的顶壁PN结对202a，其中顶壁冷端202贴置在顶壁205的外表面上，顶壁热端201设置在远离顶壁205的外侧(图1中的上侧)。顶壁PN结对202a为图3所示的方式，由多组PN结对排列制成。顶壁PN结对202可以以金属焊接的方式与顶壁热端201连接，并且对顶壁热端201通以直流电。顶壁热电冷却部件对顶壁205进行冷却。

周壁热电冷却部件包括周壁热端204、周壁冷端203和周壁PN结对203a，其中周壁冷端203贴置在邻近周壁211的内侧，周壁热端204设置在远离周壁211的外侧。周壁PN结对203a采用图3所示的方式，由多组PN结对排列制成。周壁PN结对203a以金属焊接的方式与周壁热端204热端连接，周壁热端204热端通以直流电，周壁热电冷却部件对周壁211进行冷却。

在本发明的一个实施例中，顶壁热端201和周壁热端204均可以采用金属热沉制成。

当然本领域技术人员可以理解的是，顶壁冷端202和周壁冷端203可以通过蓄冷片分别与顶壁205和周壁211以铆接或者螺接等方式连接。由此，可以提高第一热电冷却部件对腔室本体的冷却效率，冷却效果好。

在本发明的一些实施例中，腔室装置100还包括可以对所述进气部件冷却的第二热电冷却部件。如图4和图5所示，第二热电冷却部件的冷端304分别设在进气孔212的内壁上，并且与顶壁热电冷却部件的顶壁冷端202相连，第二热电冷却部件的热端与第一热电冷却部件的顶壁热电冷却部件的顶壁热端201为同一热端。在第二热电冷却部件的冷端304和顶壁热端201之间为顶壁PN结对202a。图5为沿图4中的线M-M方向的剖视图。如图5所示，第二冷却部件的冷端304与顶壁冷端202相连，换言之，每个进气孔212内的冷端均与顶壁冷端202相连，从而顶壁热端201也用作第二热电冷却部件的热端。在本发明的实施例中，第二冷却部件的冷端304与顶壁冷端202可以一体形成。

在本发明的一些实施例中，如图6所示，所述进气部件包括内管和套设在内管外面的外管。在外管和内管之间限定出外进气通道410，内管限定出内进气通道417，内管和外管的下端穿过腔室本体的顶壁205向下延伸到腔室内。气体可以通过外进气通道410和内进气通道417进入腔室内。

在本发明的一些实施例中，腔室装置100还包括第三热电冷却部件和第四热电冷却部件。第三热电冷却部件的冷端418设置所述内管的外表面上并与顶壁热电冷却部件的顶壁冷端202相连，第三热电冷却部件的热端与顶壁热电冷却部件的热端201为同一热端。第三热电冷却部件的冷端418和热端201之间为内管PN结对405。内管PN结对405采用图3所示的方式，由多组PN结对排列制成。第三热电冷却部件可以对内管进行冷却。

第四热电冷却部件的冷端419设置所述外管的外表面上并与顶壁热电冷却部件的顶壁冷端202相连，第四热电冷却部件的热端与顶壁热电冷却部件的热端201为同一热端。在第四热电冷却部件的冷端419和热端201之间为内管PN结对407。内管PN结对407采用图3所示的方式，由多组PN结对排列制成。第四热电冷却部件可以对外管进行冷却。

在本发明的一个实施例中，腔室装置100还可以包括第五热电冷却部件，第五热电冷却部件设在支撑座206上，用于对支撑座206进行冷却。

根据本发明实施例的腔室装置，热电冷却方式可以与其他冷却方式结合使用，例如，在腔室本体的底壁内可以设有冷却介质通道，从而将冷却介质注入冷却介质通道，冷却介质可以为冷却水或冷却油。

根据本发明实施例的腔室装置，采用热电冷却部件对腔室本体进行冷却，因此设计加工简单，无需在需要冷却的部件中加工冷却通道，并且不必为了冷却引入液体，从而不会出现泄漏问题，提高了腔室装置的安全性和可维护性。

下面结合图7描述根据本发明实施例的基片处理设备。

如图7所示，根据本发明实施例的基片处理设备包括本发明上述实施例提供的腔室装置100和托盘310。可以理解的是，在腔室装置100的腔室本体外设有用于加热的感应线圈330。

托盘310为多层托盘，位于腔室装置100的腔室内。可以理解的是，托盘310也可以为单层托盘。

多层托盘310沿腔室的轴线等间隔排列。如图7所示，腔室的轴线沿竖向定位时，多层托盘310沿腔室的轴线呈竖直方向(图7中的上下方向)等间隔排列。可以理解的是，腔室的轴线沿横向定位时，多层托盘310沿腔室的轴线呈水平方向等间隔排列。

进气部件包括进气本体210和至少一个气体喷口件220。当托盘310为多层托盘时，进气部件包括多个气体喷口件220，且每层托盘与至少一个所述气体喷口件对应。当托盘310为单层托盘时，进气部件包括一个气体喷口件220，且所述单层托盘与该气体喷口件220对应。

进气本体210穿过多层托盘310的中心孔312。在本发明的一个实施例中，在进气本体210内限定有进气通道208。在进气通道208中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入隔离气体的隔离气体管道。例如，在本发明的一个实施例中，隔离气体可以为H2或N2气体。当然，本发明的实施例并不限于此，例如隔离气体还可以为其它密度小于各反应气体且不与各反应气体发生反应的其它气体。

一个或多个气体喷口件220设置在进气本体210上，且每个气体喷口件220包括沿进气通道208的横截面方向排气的多层气孔。其中多层气孔中的顶层气孔221与隔离气体管道连通。多层气孔中的顶层气孔221以下的各层气孔匹配地与反应气体管道组中的各管道连通。在图7所示的实施例，多层气孔包括第一层气孔221、第二层气孔222、第三层气孔223和第四层气孔224，并且具体地从上至下依次为第一层气孔221至第四层气孔224。

在本发明的一个实施例中，所述多层气孔沿进气通道208的横截面方向向外排气，该横截面方向可以是垂直于进气通道208的横截面方向，当然也可以具有一定的角度。如图7所示的第二层气孔222、第三层气孔223和第四层气孔224分别与反应气体管道组连通。可以理解的是，气体管道组至少包括两个管道分别用于传输两种不同的反应气体，以保证不同的反应气体经气体喷口件220喷射后发生反应。优选地，例如多层气孔相互平行，使各反应气体能够更充分的融合，提高各反应气体利用率，并防止各反应气体直接喷射到隔离气体上方，从而防止各反应气体在腔室装置100的顶盖341和托盘310的底部表面311反应。当然，本发明的实施例并不限于此，例如多层气孔可以不平行，只要保证各反应气体不能喷射到隔离气体上方即可。

当隔离气体管道通入隔离气体，例如通入H2或N2气体，V族元素气体管道通入V族元素气体，III族元素气体管道通入III族元素气体时，第一层气孔221将向腔室装置100内喷射H2或N2气体，第二层气孔222和第四层气孔224向腔室装置100内喷射V族元素气体，第三层气孔223向反应腔室340内喷射III族元素气体，进而H2或N2气体隔离V族元素气体和III族元素气体在腔室装置100的顶盖341上形成薄膜，提高气体利用率，同时避免薄膜脱落对腔室装置100造成颗粒污染，进而提高MOCVD的工艺性能。

在本发明的一个实施例中，每层托盘310与至少一个气体喷口件220对应。换言之，至少有一个气体喷口件220向一层托盘310及其周边排放隔离气体。因此，不仅隔离III族元素气体、V族元素气体与反应腔室340的顶盖341反应形成薄膜，还能够隔离每个托盘310的底部表面311与III族元素气体、V族元素气体发生反应使底部表面311形成薄膜，进一步提高气体的利用率，另外，避免由于顶盖341和底部表面311的薄膜脱落对反应腔室340内造成颗粒污染，保证反应腔室340达到MOCVD的工艺要求。另外，本发明实施例的基片处理设备结构简单，易于实现。

根据本发明实施例的基片处理设备可以为CVD，例如LPCVD，APCVD，UHVCVD，ALCVD，MOCVD，或PECVD。根据本发明实施例的基片处理设备的其他构成和操作对于本领域的普通技术人员而言都是已知的这里不再详细描述。根据本发明实施例的基片处理设备，腔室的冷却效率高，设计加工简单，可以不在需要冷却的部件内加工冷却通道，从而不会出现液体泄漏的问题，提高了腔室装置的安全性和可维护性。并且，本发明实施例提供的基片处理设备的每个气体喷口包括沿进气通道的横截面方向向外排气的多层气孔，使气体能够更加均匀地向四周喷射，多层气孔的最上层气孔与隔离气体管道连通，其它层气孔通入各反应气体，保证各反应气体在隔离气体下方发生化学反应，从而防止处在隔离气体上方的反应腔顶盖或托盘底部在各反应气体的作用下表面形成沉积薄膜，进而防止沉积薄膜脱落造成颗粒污染。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (15)

1.一种腔室装置，包括腔室本体、进气部件和冷却部件，其特征在于，实现无需在冷却部件内部加工冷却通道，进而避免冷却液体泄漏，其中：

所述腔室本体内限定有腔室，所述进气部件设在所述腔室本体上用于向所述腔室内供气；

所述冷却部件采用第一热电冷却部件；

所述第一热电冷却部件的冷端邻近所述腔室本体的至少一部分外表面而设置以冷却所述腔室本体，且所述第一热电冷却部件的热端远离所述腔室本体的至少一部分外表面而设置。

2.根据权利1所述的腔室装置，其特征在于，所述第一热电冷却部件的冷端贴置在所述腔室本体的整个外表面上。

3.根据权利1所述的腔室装置，其特征在于，所述第一热电冷却部件的冷端通过蓄冷片贴置在所述腔室本体的外表面上。

4.根据权利1所述的腔室装置，其特征在于，所述第一热电冷却部件包括设在所述腔室本体的顶壁外表面上的顶壁热电冷却部件和设在所述腔室本体的周壁外表面上的周壁热电冷却部件。

5.根据权利4所述的腔室装置，其特征在于，所述腔室本体的顶壁内形成有进气通道和将所述进气通道与所述腔室连通的进气孔以使所述进气部件由所述顶壁构成。

6.根据权利5所述的腔室装置，其特征在于，还包括第二热电冷却部件，所述第二热电冷却部件的冷端设在所述进气孔内并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连，所述第二热电冷却部件的热端与所述顶壁热电冷却部件的热端为同一热端。

7.根据权利5所述的腔室装置，其特征在于，所述进气孔为多个，所述多个进气孔沿竖直方向延伸且均匀分布在所述顶壁上。

8.根据权利4所述的腔室装置，其特征在于，所述进气部件包括内管和套设在所述内管外面的外管，所述外管与所述内管之间限定出外进气通道且所述内管限定出内进气通道，所述内管和所述外管的下端穿过所述腔室本体的所述顶壁向下延伸到所述腔室内。

9.根据权利8所述的腔室装置，其特征在于，还包括第三热电冷却部件和第四热电冷却部件，所述第三热电冷却部件的冷端设在所述内管的外表面上并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连，所述第四热电冷却部件的冷端设在所述外管的外表面上并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连，且所述第三热电冷却部件和第四热电冷却部件的热端与所述顶壁热电冷却部件的热端为同一热端。

10.根据权利4所述的腔室装置，其特征在于，所述腔室本体的底壁内设有冷却介质通道以通过水冷或油冷的方式对所述腔室本体的底壁冷却。

11.一种基片处理设备，其特征在于，包括托盘和权利要求1-10中任一项所述的腔室装置。

12.根据权利11所述的基片处理设备，其特征在于，所述托盘为多层托盘，且所述多层托盘沿所述腔室的轴线等间隔排列。

13.根据权利12所述的基片处理设备，其特征在于，所述多层托盘沿所述腔室的轴线呈竖直方向等间隔排列。

14.根据权利12所述的基片处理设备，其特征在于，所述腔室装置的进气部件包括进气本体和至少一个气体喷口件，所述进气本体内限定有进气通道，所述进气通道中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入隔离气体的隔离气体管道，所述气体喷口件设置在所述进气本体上，且每个所述气体喷口件包括沿所述进气通道的横截面方向排气的多层气孔，其中，所述多层气孔中的顶层气孔与所述隔离气体管道连通，所述多层气孔中所述顶层气孔以下的各层气孔匹配地与所述反应气体管道组中的各管道连通；及

所述进气本体穿过所述多层托盘的中心孔，且每层托盘与至少一个所述气体喷口件对应。

15.根据权利11至14任一所述的基片处理设备，其特征在于，所述基片处理设备为有机金属化学气相沉积设备。