CN108565449B - 一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用 - Google Patents

一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用 Download PDF

Info

Publication number
CN108565449B
CN108565449B CN201810163146.6A CN201810163146A CN108565449B CN 108565449 B CN108565449 B CN 108565449B CN 201810163146 A CN201810163146 A CN 201810163146A CN 108565449 B CN108565449 B CN 108565449B
Authority
CN
China
Prior art keywords
unidirectional
preparation
nanorod
copper
filler metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810163146.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108565449A (zh
Inventor
操慧珺
张志昊
张业
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen City University (xiamen Radio & Television University)
Shenzhen Research Institute of Xiamen University
Original Assignee
Xiamen City University (xiamen Radio & Television University)
Shenzhen Research Institute of Xiamen University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen City University (xiamen Radio & Television University), Shenzhen Research Institute of Xiamen University filed Critical Xiamen City University (xiamen Radio & Television University)
Priority to CN201810163146.6A priority Critical patent/CN108565449B/zh
Publication of CN108565449A publication Critical patent/CN108565449A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108565449B publication Critical patent/CN108565449B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
    • H01M4/387—Tin or alloys based on tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/52—Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052—Li-accumulators
    • H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用，涉及材料技术领域。其制备方法为：在保护气体下，将锡基钎料加热至完全熔化，并保温。然后将铜基薄片浸入到液态钎料中，反应一定时间后取出，冷却后，去除铜基薄片表面残余的钎料。将反应后的铜基薄片在20～60℃下等温时效10～30天，以使铜基薄片表面获得致密排列的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列。制得的Cu6Sn5纳米棒具有与Cu基电极结合强度高、导电性能优异、比表面积大、制备成本低、制备流程简单、可实现批量制备的优点。尤其是此种纳米棒在与Li的合金化和脱合金化过程中不易粉化脱落，为高性能Li离子电池负极材料的制备提供了一种可行路线。

Description

一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用
技术领域
本发明涉及材料技术领域，且特别涉及一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用。
背景技术
锡基合金由于高理论容量，较好的导电性能，成为最为关注的锂电池负极材料。但是，锂与锡形成合金的过程中，体积变化巨大，反复充电后，会由于应力导致材料的粉末化而失效。
Cu6Sn5金属间化合物是一种具有银白色金属光泽的各向异性金属晶体，其熔点为688.15K，密度为8.270～8.448g·cm-3，弹性模量为85～125GPa，硬度为4.5～6.5GPa，电导率为2.38～5.71×104S·cm，热导率为 0.341W·cm-1·K-1，热膨胀系数为12.2～16.3×10-6K-1。在锡基负极材料中引入惰性材料铜，能够在很大程度上缓解锡与锂合金化过程中的体积膨胀，具有较好的循环稳定性，能够有效提高材料的循环性能。Cu6Sn5锂离子电池负极材料的理论蓄电容量高达1900mA·h·cm-3，将Cu6Sn5对锂电池阴极材料的革新具有重要意义在很大。
现有技术中，Cu6Sn5锂离子电池负极材料主要是通过电化学法合成的多孔多晶结构，例如专利CN102664249A公开了一种锂离子电池材料，通过电化学沉积的方式，在模板中沉积Cu6Sn5合金，制备方法复杂，且多晶结构容易发生晶界疏松的危险。
发明内容
本发明的目的在于提供一种单向性Cu6Sn5纳米棒，此单向性Cu6Sn5纳米棒导电性能优异，比表面积大。
本发明的另一目的在于提供一种单向性Cu6Sn5纳米棒的制备方法，通过外延生长的方法在铜基薄片上生长出纳米棒，制备方法简单，各项参数容易控制，适用于工业化大规模生产。
本发明的第三个目的在于提供上述的单向性Cu6Sn5纳米棒在制备锂离子电池阴极材料中的应用，其在与Li的合金化和脱合金化过程中不易粉化脱落，能够有效提高锂离子电池的性能。
本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
本发明提出一种单向性Cu6Sn5纳米棒的制备方法，包括以下步骤：
S1，在保护气体下，将锡基钎料加热至完全熔化，得到液态钎料；
S2，保持所述锡基钎料的熔化状态，将铜基薄片浸入到所述液态钎料中，反应一定时间后取出，冷却得到反应物；
S3，去除所述反应物表面残余的所述锡基钎料；
S4，将步骤S3得到的所述反应物在20～60℃下等温时效10～30天，以使所述铜基薄片表面获得致密排列的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列。
本发明提出一种单向性Cu6Sn5纳米棒，其通过上述的制备方法制得，单向性Cu6Sn5纳米棒的直径为200～500nm，长度大于10～20μm。
本发明提出上述的单向性Cu6Sn5纳米棒在制备锂离子电池阴极材料中的应用。
本发明实施例的单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用的有益效果是：
本发明实施例将铜基薄片浸入到熔化状态的锡基钎料中进行反应，在铜基薄片上形成预制金属间化合物Cu6Sn5，然后通过外延生长的方法制得单向性的Cu6Sn5纳米棒。该纳米棒具有六方棒状形貌，与Cu基板结合强度高、导电性能优异、比表面积大。相比于现有的电化学方法，制备成本低、制备流程简单、各项参数容易控制，可实现批量制备。尤其是此种纳米棒在与Li的合金化和脱合金化过程中不易粉化脱落，为高性能Li离子电池负极材料的制备提供了一种可行路线。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1a为本发明实施例1中室温时效1day后的Cu基薄片表面形貌扫描电镜图；
图1b为本发明实施例1中室温时效10day后的Cu基薄片表面形貌扫描电镜图；
图1c为本发明实施例1中室温时效30day后的Cu基薄片表面形貌扫描电镜图；
图2为本发明实施例2中Cu基薄片表面原位X射线衍射图，其中，a 曲线为原始Cu基薄片、b曲线为时效1day、c曲线为时效10day、d曲线为时效20day；
图3a为本发明实施例3中单向性Cu6Sn5纳米棒聚束离子束切割截面图；
图3b为本发明实施例3中单向性Cu6Sn5纳米棒聚束离子束切割顶视图；
图3c为本发明实施例3中单向性Cu6Sn5纳米棒截面图；
图3d为本发明实施例3中单向性Cu6Sn5纳米棒局部高分辨图；
图3e为本发明实施例3中单向性Cu6Sn5纳米棒选区衍射图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本发明实施例的单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用进行具体说明。
本发明实施例提供的一种单向性Cu6Sn5纳米棒的制备方法，其包括以下步骤：
S1，在保护气体下，将锡基钎料加热至完全熔化，得到液态钎料；
S2，保持锡基钎料的熔化状态，将铜基薄片浸入到液态钎料中，反应一定时间后取出，冷却得到反应物；
S3，去除反应物表面残余的锡基钎料；
S4，将步骤S3得到的反应物在20～60℃下等温时效10～30天，以使铜基薄片表面获得致密排列的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列。
进一步地，在本发明较佳实施例中，步骤S1中，基钎料选自Sn、SnCu、 SnAg、SnBi、SnIn、SnPb、SnAgCu、SnInCu、SnBiCu、SnPbCu钎料中的一种或多种。
进一步地，在本发明较佳实施例中，步骤S1中，保护气体为N2、Ar 等惰性气体，保证加热锡基钎料处于无氧环境中。
进一步地，在本发明较佳实施例中，步骤S1中，将锡基钎料加热至200～300℃，并在此状态下保温。更为优选地，加热到250～280℃。保持在上述加热温度下，使得Cu基薄片和液态钎料发生反应，在两相表面形成更为稳定的金属间化合物Cu6Sn5。
进一步地，在本发明较佳实施例中，Cu基薄片在使用前还经过预处理步骤，包括：对Cu基薄片进行抛光、清洗、干燥，然后在Cu基薄片表面涂覆助焊剂。进行预处理能够有效提高产品的质量和性能。
进一步地，将切割成10mm×10mm×5mm的Cu基薄片双面抛光。然后进行清洗、干燥，清洗、干燥过程为：将Cu基薄片置于体积分数为1～10％的稀硫酸或稀盐酸腐蚀溶液中超声清洗30～60s，去除表面氧化层和杂质，然后置于乙醇或丙酮溶液中超声清洗30～60s去除残留的酸腐蚀液，冷风干燥后备用。
进一步地，在清洗后的Cu基薄片表面涂覆助焊剂，优选地，涂覆免清洗助焊剂，例如选用Alpha grillo RF-12A助焊剂、NC316助焊剂、NCF系列助焊剂(中蓝晨光化工研究设计院有限公司生产)中的一种或多种。
进一步地，在本发明较佳实施例中，步骤S2中，Cu基薄片在液态钎料中的反应时间为8～20h。对反应时间和温度进行调控，有利于得到适宜的 Cu6Sn5金属间化合物。
进一步地，在本发明较佳实施例中，步骤S2中，将反应后的Cu基薄片自液态钎料中取出，拂去表面残余钎料，然后进行快速冷却得到反应物。快速冷却可以在冰水浴或液氮中进行。
进一步，在本发明较佳实施例中，步骤S3中，去除反应物表面残余的锡基钎料的步骤包括：将反应物置于温度为60～80℃的腐蚀液中处理 10～15min，以去除表面残余钎料，然后再进行清洗、吹干。
进一步地，腐蚀液的配置方法为：在去离子水中加入质量分数为5～10％的氢氧化钠和质量分数为3～5％邻硝基酚。采用该腐蚀液能够有效去除残余钎料，避免对后续纳米棒的外延生长造成影响，有效提高产品性能。
进一步地，步骤S3中，Cu基薄片在20～30℃下等温时效20～30day。调控等温时效的温度和时间，可以对Cu6Sn5纳米棒的直径和长度进行有效调控。
本发明实施例提供一种单向性Cu6Sn5纳米棒，其根据上述的制备方法制得。制得的单向性Cu6Sn5纳米棒的直径为200～500nm，长度大于10～20μm 长径比大，具有极高的比表面积，导电性能优异，且与Cu基电极的结合强度高，能够应用于制备锂离子电池的阴极材料，制得的阴极材料在与Li的合金化过程中不易粉化脱落。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供的一种单向性Cu6Sn5纳米棒，根据以下步骤制得：
(1)将1公斤的纯Sn钎料在N2气体保护环境下加热至250℃并在此状态下保温。
(2)将切割成10mm×10mm×5mm的Cu基薄片双面抛光，放入5％的稀盐酸中超声清洗30s，而后置于乙醇溶液中超声清洗30s，冷风干燥后备用。
(3)将清洗后的Cu基薄片表面涂覆适量NC316助焊剂；
(4)将涂覆后的Cu基薄片浸入250℃的液态纯Sn钎料中保持10h。
(5)将反应后的Cu基薄片取出，拂去表面残余钎料，并置于冰水浴中快速冷却至室温。
(6)在去离子水中加入质量比为5％的氢氧化钠和3.5％的邻硝基酚配制腐蚀液。
(7)将反应后的Cu基薄片置于60℃的热腐蚀液中保持15min，取出 Cu基薄片置于去离子水中超声清洗3min，冷风吹干备用；
(8)将获得的Cu基薄片在25℃下等温时效30day，即可于Cu基薄片表面获得致密排列的直径300～500纳米、长度大于20微米的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列。
其中，Cu基薄片表面形貌随时间的演化如图1a-c所示。由图可知 1-10day内，Cu6Sn5纳米棒的生长缓慢，而在10-30day内Cu6Sn5纳米棒快速伸长，且其直径未有显著增加。
实施例2
本实施例提供的一种单向性Cu6Sn5纳米棒，根据以下步骤制得：
(1)将1公斤的纯Sn钎料在Ar气体保护环境下加热至280℃并在此状态下保温。
(2)将切割成10mm×10mm×5mm的Cu基薄片双面抛光，放入5％的稀硫酸中超声清洗30s，而后置于乙醇溶液中超声清洗30s，冷风干燥后备用。
(3)将清洗后的Cu基薄片表面涂覆适量NC316助焊剂；
(4)将涂覆后的Cu基薄片浸入280℃的液态纯Sn钎料中保持8h。
(5)将反应后的Cu基薄片取出，拂去表面残余钎料，并置于冰水浴中快速冷却至室温。
(6)在去离子水中加入质量比为6％的氢氧化钠和3％的邻硝基酚配制腐蚀液。
(7)将反应后的Cu基薄片置于80℃的热腐蚀液中保持15min，取出 Cu基薄片置于去离子水中超声清洗3min，冷风吹干备用；
(8)将获得的Cu基薄片在20℃下等温时效20day，即可于Cu基薄片表面获得致密排列的直径200～400纳米、长度大于10微米的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列。
其中，Cu基薄片表面原位X射线衍射曲线随时间的演化如图2所示。由图可知，初始Cu基薄片表面晶面取向为(111)、(100)、(110)；经与280℃液态钎料反应8h后，Cu基薄片表面衍射峰明显下降，在30.3°、43.6°等处产生新衍射峰，新衍射峰对应η相Cu6Sn5；经10天等温时效后，在37.2°、 39.8°等处产生新衍射峰，新衍射峰对应η'相Cu6Sn5,且原η相Cu6Sn5衍射峰发生不同程度的左移；经20天等温时效后，所有衍射峰均与η'相Cu6Sn5的衍射峰匹配，且在43°产生强衍射峰，此峰对应晶面取向为(1 3 2)的η'相Cu6Sn5，说明此时单向性Cu6Sn5纳米棒已形成且经谢乐公式计算其晶粒直径介于200～400纳米。
实施例3
本实施例提供的一种单向性Cu6Sn5纳米棒，根据以下步骤制得：
(1)将1公斤的纯Sn钎料在Ar气体保护环境下加热至260℃并在此状态下保温。
(2)将切割成10mm×10mm×5mm的Cu基薄片双面抛光，放入5％的稀硫酸中超声清洗30s，而后置于乙醇溶液中超声清洗30s，冷风干燥后备用。
(3)将清洗后的Cu基薄片表面涂覆适量Alpha grillo RF-12A助焊剂；
(4)将涂覆后的Cu基薄片浸入260℃的液态纯Sn钎料中保持20h。
(5)将反应后的Cu基薄片取出，拂去表面残余钎料，并置于冰水浴中快速冷却至室温。
(6)在去离子水中加入质量比为6％的氢氧化钠和4％的邻硝基酚配制腐蚀液。
(7)将反应后的Cu基薄片置于80℃的热腐蚀液中保持15min，取出 Cu基薄片置于去离子水中超声清洗3min，冷风吹干备用；
(8)将获得的Cu基薄片在30℃下等温时效30day，即可于Cu基薄片表面获得致密排列的直径200～500纳米、长度大于25微米的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列。
图3a～e为Cu基薄片表面得到的单向性Cu6Sn5纳米棒透射电镜图。其中，图3a、图3b为Cu基薄片表面获得的一个Cu6Sn5纳米棒通过聚束离子束依截面切开的局部照片。该Cu6Sn5纳米棒的直径约为320～400纳米，长度约为26微米，如图3c所示。另外根据局部高分辨及选区衍射图，如图 3d和图3e所示，证明Cu6Sn5纳米棒的长轴方向为[-2 0 1]。
以上所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

Claims (7)

1.一种单向性Cu6Sn5纳米棒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在保护气体下，将锡基钎料加热至完全熔化，得到液态钎料，所述锡基钎料选自Sn、SnCu、SnAg、SnBi、SnIn、SnPb、SnAgCu、SnInCu、SnBiCu、SnPbCu钎料中的一种或多种；
S2，保持所述锡基钎料的熔化状态，将铜基薄片浸入到所述液态钎料中，反应8～20h后取出，冷却得到反应物；
S3，去除所述反应物表面残余的所述锡基钎料；
S4，将步骤S3得到的反应物在20～30℃下等温时效20～30天，以使所述铜基薄片表面获得致密排列的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列；所述单向性Cu6Sn5纳米棒阵列为η'-Cu6Sn5相。
2.根据权利要求1所述的单向性Cu6Sn5纳米棒的制备方法，其特征在于，去除所述反应物表面残余的所述锡基钎料的步骤包括：
将所述反应物置于温度为60～80℃的腐蚀液中处理10～15min。
3.根据权利要求2所述的单向性Cu6Sn5纳米棒的制备方法，其特征在于，所述腐蚀液中含有质量比为5～10:3～5的氢氧化钠和邻硝基酚。
4.根据权利要求1所述的单向性Cu6Sn5纳米棒的制备方法，其特征在于，所述铜基薄片在使用前还经过预处理步骤，包括：对所述铜基薄片进行抛光、清洗、干燥，然后在所述铜基薄片表面涂覆助焊剂。
5.根据权利要求4所述的单向性Cu6Sn5纳米棒的制备方法，其特征在于，所述助焊剂选自Alpha grillo RF-12A助焊剂、NC316助焊剂、NCF系列助焊剂中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的单向性Cu6Sn5纳米棒的制备方法，其特征在于，步骤S1中，将所述锡基钎料加热至200～300℃，并在此状态下保温。
7.一种单向性Cu6Sn5纳米棒，其特征在于，根据权利要求1～6任意一项所述的制备方法制得，所述单向性Cu6Sn5纳米棒的直径为200～500nm，长度大于10～20μm。
CN201810163146.6A 2018-02-26 2018-02-26 一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用 Active CN108565449B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810163146.6A CN108565449B (zh) 2018-02-26 2018-02-26 一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810163146.6A CN108565449B (zh) 2018-02-26 2018-02-26 一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108565449A CN108565449A (zh) 2018-09-21
CN108565449B true CN108565449B (zh) 2020-07-31

Family

ID=63532204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810163146.6A Active CN108565449B (zh) 2018-02-26 2018-02-26 一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108565449B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114583118A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 松山湖材料实验室 碳包覆锡纳米线阵列负极材料及其制备方法和应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102013488A (zh) * 2010-10-30 2011-04-13 株洲永盛电池材料有限公司 一种用于锂离子电池的锡/铜泡沫合金负极材料及其制备方法
CN103066252A (zh) * 2012-12-21 2013-04-24 湘潭大学 一种碳-Cu6Sn5合金负极材料及其制备方法
CN103390565A (zh) * 2012-05-10 2013-11-13 财团法人交大思源基金会 包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法
CN105040106A (zh) * 2015-06-10 2015-11-11 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种Cu6Sn5金属间化合物单晶种籽的制备方法
CN106876688A (zh) * 2015-12-10 2017-06-20 中国科学院大连化学物理研究所 一种锂离子电池锡基合金负极材料及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102013488A (zh) * 2010-10-30 2011-04-13 株洲永盛电池材料有限公司 一种用于锂离子电池的锡/铜泡沫合金负极材料及其制备方法
CN103390565A (zh) * 2012-05-10 2013-11-13 财团法人交大思源基金会 包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法
CN103066252A (zh) * 2012-12-21 2013-04-24 湘潭大学 一种碳-Cu6Sn5合金负极材料及其制备方法
CN105040106A (zh) * 2015-06-10 2015-11-11 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种Cu6Sn5金属间化合物单晶种籽的制备方法
CN106876688A (zh) * 2015-12-10 2017-06-20 中国科学院大连化学物理研究所 一种锂离子电池锡基合金负极材料及其制备方法

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Epitaxial growth of Cu6Sn5 formed at Sn-based lead-free solder/non-textured polycrystalline Cu plate interface";Hideaki Tsukamoto et al;《Materials Letters》;20091231;第2687-2690页 *
"Epitaxial growth of intermetallic compounds formed at eutectic Sn37Pb/polycrystalline Cu interface during solid-state aging";Ming Yang et al;《第14届电子封装技术国际会议》;20140306;第830-834页 *
"Formation mechanism and reliability of Cu6Sn5 textures formed in-between liquid Sn and （111）/（001）Cu single crystals";Shun Yao et al;《第18届电子封装技术国际会议》;20170921;全文 *
"Inherent growth habit of Cu6Sn5 phase at the liquid Sn0.7wt%Cu solder（111）Cu joint interface";Huijun Cao et al;《第17届国际电子封装技术会议》;20161006;第352-355页 *
"Morphologies，orientation relationships and evolution of Cu6Sn5 grains formed between molten Sn an Cu single crystals";H.F. Zou et al;《Acta Materialia》;20080314;全文 *
"Morphology，kinetics and service reliability of Cu6Sn5 texture formed on Sn/Cu interface";Zhihao Zhang et al;《第15届电子封装技术国际会议》;20141016;全文 *
"Orientation relationships，interfaces，and microstructure of η-Cu6Sn5 formed in the early-stage reaction between Cu and Molten Sn";Kuang-Kuo Wang et al;《Thin Solid Films》;20101201;全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN108565449A (zh) 2018-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108140813B (zh) 三维多孔阳极电极的制造
JP5903842B2 (ja) 銅合金、銅合金塑性加工材及び銅合金塑性加工材の製造方法
JP5567210B2 (ja) 二次電池負極集電体用圧延銅箔およびその製造方法
JP4932974B2 (ja) 金属テープ材料、及び太陽電池集電用インターコネクター
JP4799701B1 (ja) 電子材料用Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金条及びその製造方法
CN105612277A (zh) 用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法以及使用所述硅纳米线和/或纳米带的锂电池和阳极
JP5480444B2 (ja) 二次電池集電体用圧延銅箔およびその製造方法
CN104831197B (zh) 一种纳米多孔铜银的制备方法
JP2008182171A (ja) 太陽電池用はんだめっき線及びその製造方法並びに太陽電池
JP2010525156A (ja) 金属箔
WO2019188451A1 (ja) アルミニウム合金材ならびにこれを用いた導電部材、電池用部材、締結部品、バネ用部品および構造用部品
US10562270B2 (en) Three-dimensional porous composite structure
CN110273176B (zh) 一种制备大面积铜Cu（111）单晶的方法
JP6190574B2 (ja) 二次電池集電体用圧延銅箔およびその製造方法
CN108565449B (zh) 一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用
CN110438417B (zh) 一种选择性腐蚀Zr-Ti-Cu合金制备纳米多孔材料及其制备方法
CN102367527A (zh) 一种高度有序的单片铜基多孔材料及其制备方法
JP5074375B2 (ja) 再結晶立方体集合組織を有するニッケルベースの半製品の製造方法および使用方法
JP2022515736A (ja) 電極としての使用のための階層構造を有する大面積銅ナノフォーム
JP2010073445A (ja) 電気導体及びその製造方法並びに集電用インターコネクター
CN113710825B (zh) 钛板、钛轧卷和铜箔制造滚筒
CN109338150B (zh) 一种多孔铜合金及其制备方法
CN111254308A (zh) 一种提高金属孪晶高温稳定性的方法
CN101250705B (zh) 一种强取向双轴织构的镍-铜金属基带层的制备方法
JP6146963B2 (ja) 二次電池集電体用銅合金圧延箔およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant