CN108520895B - 显示面板 - Google Patents

Abstract

一种显示面板包括基底、像素阵列、复合绝缘层与封装层。基底具有显示区与外围区，像素阵列位于基底上且位于显示区内，像素阵列包括多个薄膜晶体管、多个电激发光元件与像素定义层。多个电激发光元件分别电性连接对应的薄膜晶体管的漏极，像素定义层位于薄膜晶体管上。复合绝缘层位于基底上且位于外围区，复合绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层，第二绝缘层位于第一绝缘层与基底之间，沟槽贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。封装层位于像素阵列与复合绝缘层上，封装层与沟槽重叠。

Description

显示面板

技术领域

本发明涉及一种具有电子元件的基板，且特别涉及一种显示面板。

背景技术

在现在的显示面板的制作程序中，基底会作为显示面板的底层。完成后的显示面板可划分为显示区与围绕着显示区的外围区，而由于基底是作为显示面板的底层，则基底也可划分为对应的显示区与外围区。在显示面板的制程中，多层的结构如金属线路、绝缘层与电子元件等，会在垂直于基底的垂直方向上依序成形在所述基底上，多层绝缘层位于外围区的部分会在所述垂直方向上被刀具加以切割，以去除多余的部分而形成所述显示面板。

发明内容

在现有显示面板的制作程序中，所述外围区会被刀具加以切割，然而，刀具在切割时所产生的应力可能会导致切割处产生裂痕，裂痕便因为显示面板的挠曲或形变而向显示区的方向延伸，裂痕延伸的愈长，就愈有可能延伸至金属线路或电子元件而造成其破损或断裂，从而降低显示面板的生产良率。现有显示面板的外围区的多层绝缘层，多半是采用无机材料，相较于有机材料，无机材料的机械性质较为硬且脆，因此一旦外围区的切割处产生裂痕，此裂痕很容易延伸到显示区中并破坏电性元件。

本发明的至少一实施例提出一种显示面板，以避免外围区在被切割时产生裂痕。

本发明的至少一实施例提出一种显示面板，即使外围区在被切割时产生了裂痕，也能阻止外围区的裂痕往显示区的方向延伸，以避免显示面板的电性元件被裂痕破坏。

本发明的至少一实施例提出一种显示面板包括基底、像素阵列、复合绝缘层与封装层。基底具有显示区与外围区，外围区实质上围绕显示区。像素阵列位于基底上且位于显示区内，像素阵列包括多个薄膜晶体管、多个电激发光元件与像素定义层。各薄膜晶体管包括主动层、闸绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极与漏极。闸绝缘层位于主动层上，栅极位于闸绝缘层上，层间绝缘层位于栅极上，源极与漏极位于层间绝缘层上且分别通过多个第一接触洞而电性连接主动层，所述第一接触洞贯穿层间绝缘层与闸绝缘层。多个电激发光元件分别电性连接对应的薄膜晶体管的漏极，像素定义层位于层间绝缘层上。复合绝缘层位于基底上且位于外围区，复合绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层。第一绝缘层与层间绝缘层由同一材料层形成且直接连接，第二绝缘层位于第一绝缘层与基底之间，第二绝缘层与闸绝缘层由同一材料层形成且直接连接，且其中至少一沟槽贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。封装层位于像素阵列与复合绝缘层上，封装层与至少一沟槽重叠。

综上所述，根据本发明所提出的显示面板的诸多实施例，其可降低外围区在被切割时产生裂痕的可能，且即使有裂痕产生，也可使裂痕无法延伸至显示区，从而可避免显示面板的电性元件因为裂痕而破损或断裂。

以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域技术人员了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所公开的内容、申请专利范围及附图，任何熟习相关技艺者可轻易地理解本发明相关的目的及优点。

附图说明

图1为本发明第一实施例的显示面板的上视图；

图2为图1的显示面板于线段2-2处的剖视图；

图3为本发明第二实施例的显示面板的剖视图；

图4为本发明第三实施例的显示面板的剖视图；

图5为图4的显示面板的上视图；

图6为本发明第四实施例的显示面板的上视图；

图7为本发明第五实施例的显示面板的剖视图；

图8为本发明第六实施例的显示面板的剖视图；

图9为本发明第七实施例的显示面板的剖视图；

图10为本发明第八实施例的显示面板的剖视图；

图11为本发明第九实施例的显示面板的剖视图；

图12为本发明第十实施例的显示面板的剖视图；

图13为本发明第十一实施例的显示面板的剖视图；

图14为本发明第十二实施例的显示面板的剖视图；

图15为本发明第十三实施例的显示面板的剖视图；

图16为本发明第十四实施例的显示面板的剖视图；

图17为本发明第十五实施例的显示面板的剖视图；

图18为本发明第十六实施例的显示面板的剖视图；

图19为本发明第十七实施例的显示面板的剖视图；

图20为本发明第十八实施例的显示面板的剖视图；以及

图21为本发明第十九实施例的显示面板的剖视图。

其中，附图标记说明如下：

10、10a～10k、10m～10s 显示面板

100 基底

110 显示区

120 外围区

130 电路区

200 像素阵列

201 第一接触洞

202 第二接触洞

210 薄膜晶体管

211 主动层

212 闸绝缘层

213 栅极

214 层间绝缘层

215 源极

216 漏极

220 电激发光元件

221 下电极

222 上电极

223 发光层

230 像素定义层

231 开口

240 缓冲层

250 平坦层

300 复合绝缘层

310 第一绝缘层

320 第二绝缘层

330 第三绝缘层

340 有机绝缘填料

400 封装层

410 第一无机薄膜封装层

420 第二无机薄膜封装层

430 有机薄膜封装层

500、500a、500b、500c 沟槽

501 第一沟槽

5011 第一间隔

502 第二沟槽

5021 第二间隔

600 挡墙

700 栅极驱动电路

Dc 周向方向

Dr 径向方向

Dv 垂直方向

具体实施方式

请参照图1与图2，图1为本发明第一实施例的显示面板10的上视图，图2为图1的显示面板10于线段2-2处的剖视图。在本实施例中，显示面板10是一种自发光显示面板，但不限于此。显示面板10包括基底100、像素阵列200、复合绝缘层300与封装层400。基底100具有显示区110与外围区120，外围区120实质上围绕显示区110。图1的显示面板10省略示出封装层400及部分元件，以方便显示封装层400下的元件与结构。

如图1所示，显示面板10对应于基底100的显示区110与外围区120而区分为两个部分，显示面板10在对应于显示区110的部分可用来产生影像，而在对应于外围区120的部分则无法产生影像。如图2所示，像素阵列200位于基底100上且位于显示区110内。像素阵列200包括多个薄膜晶体管210、多个电激发光元件220与像素定义层230。封装层400位于像素阵列200与复合绝缘层300上，且实质上覆盖像素阵列200与复合绝缘层300。

如图2所示，在本实施例中，各薄膜晶体管210包括主动层211、闸绝缘层212、栅极213、层间绝缘层214、源极215与漏极216。闸绝缘层212位于主动层211上，栅极213位于闸绝缘层212上，层间绝缘层214位于栅极213上，源极215与漏极216位于层间绝缘层214上。多个第一接触洞201举例是贯穿层间绝缘层214与闸绝缘层212，导电材料填充于第一接触洞201中，源极215与漏极216可分别通过对应的第一接触洞201而电性连接对应的主动层211。

多个电激发光元件220分别电性连接对应的薄膜晶体管210的漏极216，且像素定义层230位于层间绝缘层214上。像素定义层230可用来分隔这些电激发光元件220，使这些电激发光元件220于空间上可各自独立，以分别形成独立的像素。在本实施例中，像素定义层230与电激发光元件22共同位于平坦层250上；在其他实施例中，电激发光元件220可位于像素定义层230之上。在本实施例中，电激发光元件220为有机发光二极管(OLED)；在其他实施中，电激发光元件220可以是任何一种适当的发光元件。在本实施例中，像素定义层230为有机材料，但不限于此；在其他实施例中，像素定义层230为无机材料。

复合绝缘层300位于基底100上且位于外围区120，复合绝缘层300包括第一绝缘层310与第二绝缘层320，第二绝缘层320位于第一绝缘层310与基底100之间。在本实施例中，第一绝缘层310与层间绝缘层214由同一材料层形成且直接连接，而第二绝缘层320与闸绝缘层212由同一材料层形成且直接连接，但不限于此。在显示面板10的制程中，第二绝缘层320与闸绝缘层212会先在同一制程步骤中以同一材料同时成形，而第一绝缘层310与层间绝缘层214则会在第二绝缘层320与闸绝缘层212成形的后的另一制程步骤中以同一材料同时成形。

如图1与图2所示，在本实施例中，显示面板10还包括至少一沟槽500。沟槽500位于外围区120的复合绝缘层300，且封装层400与沟槽500重叠。如图1与图2所示，封装层400是在垂直于基底100的垂直方向Dv上与沟槽500重叠，封装层400是位于显示面板10在垂直方向Dv上的顶层，且封装层400会完全覆盖沟槽500。

在本实施例中，沟槽500在垂直于基底100的垂直方向Dv上朝基底100延伸。换言之，沟槽500贯穿复合绝缘层300的至少一层。在本实施例中，如图2所示，沟槽500贯穿第一绝缘层310与第二绝缘层320。

借此当显示面板10的外侧边缘(即外围区120远离显示区110的一侧)被刀具切割时，刀具所施加的应力至少会有部分被沟槽500吸收，如此可减低产生裂痕的机会。即使显示面板10的外侧边缘因为切割或挠曲而产生裂痕，此裂痕也会被沟槽500阻挡，而不会延伸至显示区110中。

请参照图1，沟槽500实质上环绕显示区110，例如沟槽500以环形方式连续不中断地环绕显示区110一周，但不限于此；在其他实施例中，沟槽500也可以分段地环绕显示区110，容后详述。

如图2所示，在本实施例中，像素阵列200还包括缓冲层240，缓冲层240位于基底100与主动层211之间。复合绝缘层300还包括第三绝缘层330，第三绝缘层330位于基底100与第二绝缘层320之间。在一些实施例中，第三绝缘层330与缓冲层240由同一材料层形成。举例来说，在显示面板10的制程中，第三绝缘层330与缓冲层240会在同一制程步骤中以同一材料同时成形，且第三绝缘层330与缓冲层240的制程步骤会先于第二绝缘层320与闸绝缘层212的制程步骤。

如图1与图2所示，在本实施例中，基底100更具有电路区130，电路区130位于显示区110与外围区120之间，缓冲层240、闸绝缘层212与层间绝缘层214均可从显示区110延伸至电路区130。显示面板10还包括栅极驱动电路700，栅极驱动电路700位于基底100上且位于电路区130内，栅极驱动电路700电性连接像素阵列200。例如，栅极驱动电路700可通过显示面板10中的对应线路(图未示)连接像素阵列200中的薄膜晶体管210。像素定义层230也会从显示区110延伸至电路区130，与门极驱动电路700可被像素定义层230覆盖。在本实施例中，栅极驱动电路700为栅极阵列(Gate on Array，GOA)，但不限于此。

如图1与图2所示，在本实施例中，封装层400包括第一无机薄膜封装层410、第二无机薄膜封装层420与有机薄膜封装层430。第一无机薄膜封装层410位于像素阵列200与复合绝缘层300上且覆盖沟槽500，而有机薄膜封装层430位于第一无机薄膜封装层410与第二无机薄膜封装层420之间。在本实施例中，第一无机薄膜封装层410会先成形，接着有机薄膜封装层430成形在第一无机薄膜封装层410上，最后第二无机薄膜封装层420成形在有机薄膜封装层430上，且第二无机薄膜封装层420与第一无机薄膜封装层410会共同包住有机薄膜封装层430，但不以此为限。

如图2所示，在本实施例中，复合绝缘层300还包括有机绝缘填料340，有机绝缘填料340位于沟槽500内。有机绝缘填料340举例是与像素定义层230由同一材料层形成，换句话说，在显示面板10的制程中，有机绝缘填料340与像素定义层230会在同一制程步骤中以同一材料同时成形。在本实施例中，当有机绝缘填料340、像素定义层230与电激发光元件220成形之后，封装层400会成形于像素阵列200与复合绝缘层300之上，且封装层400的第一无机薄膜封装层410会覆盖沟槽500与有机绝缘填料340。因沟槽500中的有机绝缘填料340具有更佳的柔韧性，因此有机绝缘填料340可吸收应力，以减少裂痕的产生或阻挡裂痕的延伸。

如图2所示，在本实施例中，各电激发光元件220包括下电极221、上电极222与发光层223。下电极221位于层间绝缘层214与像素定义层230之间，上电极222可位于像素定义层230与封装层400之间，而发光层223位于下电极221以及上电极222之间。并且，像素定义层230具有多个开口231，而发光层223分别位于这些开口231中。在本实施例中，上电极222举例是为全面性地设置于像素定义层230上，上电极222的材料举例为金属。

如图2所示，在本实施例中，像素阵列200还包括平坦层250，且平坦层250位于层间绝缘层214与像素定义层230之间。平坦层250具有多个第二接触洞202，第二接触洞202的中具有导电材料。这些电激发光元件220的下电极221可分别通过对应的第二接触洞202电性连接至对应的薄膜晶体管210的漏极216。在本实施例中，像素定义层230与平坦层250可从显示区110延伸至电路区130，与门极驱动电路700可被像素定义层230以及平坦层250覆盖。

请参照图3，图3为本发明第二实施例的显示面板10a的剖视图，其中图3的实施例沿用图1与图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图3所示，在第二实施例中，沟槽500a更贯穿第三绝缘层330。在本实施例中，沟槽500a贯穿第一绝缘层310、第二绝缘层320与第三绝缘层330，沟槽500a举例是暴露出基底100的上表面，有机绝缘填料340可与基底100接触，相较于第一实施例，沟槽500a在垂直方向Dv上比沟槽500更深，且有机绝缘填料340在垂直方向Dv上亦更深入复合绝缘层300中，因此，沟槽500a与其中的有机绝缘填料340能吸收更多的应力且具有更大的阻挡面积，故能更有效地避免裂痕的产生与阻止裂痕的延伸。

请参照图4与图5，图4为本发明第三实施例的显示面板10b的剖视图，图5为图4的显示面板10b的上视图，其中图4与图5的实施例沿用图1与图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。图5的显示面板10b省略示出封装层400及部分元件，以方便显示封装层400下的元件与结构。

如图4与图5所示，在第三实施例中，沟槽500b的数量是为两个，其为第一沟槽501与第二沟槽502。第一沟槽501与第二沟槽502举例可相隔一距离且不连接，但不以此为限。第二沟槽502位在第一沟槽501与像素阵列200之间。如图5所示，在本实施例中，第一沟槽501与第二沟槽502在显示面板10b的径向方向Dr上彼此分隔，第二沟槽502环绕显示区110，而第一沟槽501环绕第二沟槽502。此外，有机绝缘填料340分别位于第一沟槽501与第二沟槽502中。相较于第一实施例，沟槽500b的数量比沟槽500多，因此，第一沟槽501、第二沟槽502与其中的有机绝缘填料340能吸收更多的应力，并且即使在裂痕穿过第一沟槽501的情况下，仍有第二沟槽502可以阻挡裂痕的延伸，进而减少裂痕延伸至显示区110的风险。

如图4所示，在本实施例中，第一沟槽501与第二沟槽502分别贯穿第一绝缘层310、第二绝缘层320与第三绝缘层330；在一些实施例中，第一沟槽501与第二沟槽502可以仅贯穿第一绝缘层310与第二绝缘层320；在一些实施例中，第一沟槽501与第二沟槽502的其中一个仅贯穿第一绝缘层310与第二绝缘层320，而其中的另一个则贯穿第一绝缘层310、第二绝缘层320与第三绝缘层330。

请参照图6，图6为本发明第四实施例的显示面板10c的上视图，其中图6的实施例沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图6所示，在第四实施例中，沟槽500c的数量是为多个，其为多个第一沟槽501与多个第二沟槽502，第二沟槽502位在第一沟槽501与像素阵列200之间。多个第二沟槽502沿着显示面板10c的周向方向Dc排列并环绕显示区110，且多个第二沟槽502在周向方向Dc上彼此举例为等距间隔。多个第一沟槽501沿着显示面板10c的周向方向Dc排列并环绕这些第二沟槽502，且多个第一沟槽501在周向方向Dc上彼此举例为等距间隔。并且，第一沟槽501与第二沟槽502在显示面板10c的径向方向Dr上彼此分隔。此外，有机绝缘填料340分别位于多个第一沟槽501与多个第二沟槽502中。

在本实施例中，多个第一沟槽501与多个第二沟槽502是交错排列的。举例来说，每两个相邻的第一沟槽501之间会在周向方向Dc上相距有第一间隔5011，且每两个相邻的第二沟槽502之间会在周向方向Dc上相距有第二间隔5021。在径向方向Dr上，第一间隔5011与第二间隔5021会彼此错开而不会彼此重叠，换句话说，任一第二间隔5021会在径向方向Dr上与对应的第一沟槽501重叠，且任一第二沟槽502会在径向方向Dr上与对应的第一间隔5011重叠。借此设置，即使裂痕穿过第一沟槽501之间的第一间隔5011而往显示区110方向延伸，与此第一间隔5011在径向方向Dr上重叠的第二沟槽502仍可以阻挡裂痕的延伸。

在本实施例中，通过设置多个第一沟槽501与多个第二沟槽502在控制裂痕的发生及延伸问题上可更有弹性，举例来说，若在切割制程中，位于显示面板10c的短边处的较易发生裂痕或较易产生较大的裂痕，则可在显示面板10c的短边处设置长度较长的第一沟槽501及/或第二沟槽502，及/或宽度较大的第一沟槽501及/或第二沟槽502，且显示面板10c的短边处的第一沟槽501及/或第二沟槽502的数量可少于显示面板10c的长边处的第一沟槽501及/或第二沟槽502的数量，借此可更弹性地控制裂痕的发生几率及阻挡裂痕的延伸区域。

请参照图7，图7为本发明第五实施例的显示面板10d的剖视图，其中图7的实施例沿用图1与图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图7所示，显示面板10d还包括至少一挡墙600。挡墙600位于外围区120并位于第一绝缘层310上，挡墙600可环绕显示区110，且沟槽500位于挡墙600以及像素阵列200之间，而封装层400则接触并覆盖于挡墙600上。在本实施例中，挡墙600与像素定义层230可由同一材料层形成，换句话说，在显示面板10d的制程中，挡墙600与像素定义层230会在同一制程步骤中以同一材料同时成形。除此之外，在本实施例中，有机绝缘填料340与像素定义层230可由同一材料层形成，因此在显示面板10d的制程中，挡墙600、有机绝缘填料340与像素定义层230可在同一制程步骤中以同一材料同时成形。

如图7所示，在本实施例中，在显示面板10d的制程中，在挡墙600、有机绝缘填料340、像素定义层230与电激发光元件220成形之后，封装层400会再成形于像素阵列200、复合绝缘层300与挡墙600之上，且封装层400的第一无机薄膜封装层410覆盖沟槽500、有机绝缘填料340、第一绝缘层310与挡墙600。并且，在封装层400的成形过程中，有机薄膜封装层430会因为挡墙600的关是而被限制在挡墙600所围绕的范围内，使得有机薄膜封装层430不容易溢出，从而有效定义有机薄膜封装层430所在的区域并确保材料不会浪费。

在一些实施例中，第一无机薄膜封装层410可位在挡墙600之内并覆盖沟槽500、有机绝缘填料340与挡墙600之内的第一绝缘层310，而第二无机薄膜封装层420则可覆盖挡墙600与挡墙600之外的第一绝缘层310；在一些实施例中，第一无机薄膜封装层410及第二无机薄膜封装层420可共同覆盖挡墙600，例如第一无机薄膜封装层410可覆盖沟槽500、有机绝缘填料340、挡墙600之内的第一绝缘层310与挡墙600靠近显示区110的半边，而第二无机薄膜封装层420可覆盖挡墙600远离显示区110的半边与挡墙600之外的第一绝缘层310。

请参照图8，图8为本发明第六实施例的显示面板10e的剖视图，其中图8的实施例沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图8所示，在第六实施例中，显示面板10e还包括挡墙600，挡墙600位于外围区120并位于第一绝缘层310上，且沟槽500a位于挡墙600以及像素阵列200之间，而封装层400则接触并覆盖于沟槽500a、有机绝缘填料340与挡墙600上。在本实施例中，挡墙600的功能及设置方式可参考图7的实施例，在此不赘述。

请参照图9，图9为本发明第七实施例的显示面板10f的剖视图，其中图9的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图9所示，在第七实施例中，显示面板10f还包括挡墙600，挡墙600位于外围区120并位于第一绝缘层310上，且沟槽500b位于挡墙600以及像素阵列200之间，而封装层400则接触并覆盖于沟槽500b、有机绝缘填料340与挡墙600上。在本实施例中，挡墙600的功能及设置方式可参考图7的实施例，在此不赘述。

请参照图10，图10为本发明第八实施例的显示面板10g的剖视图，其中图10的实施例沿用图1与图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图10所示，在第八实施例中，沟槽500贯穿第一绝缘层310与第二绝缘层320，而第一无机薄膜封装层410的一部分与有机薄膜封装层430的一部分填入沟槽500内。具体而言，在封装层400成形并覆盖于像素阵列200与复合绝缘层300上的制程步骤之前，沟槽500中没有填入有机绝缘填料340或任何填料，而在封装层400的第一无机薄膜封装层410成形时，其除了覆盖像素阵列200与复合绝缘层300之外，还会流入沟槽500中，并在沟槽500的内表面形成一层第一无机薄膜封装层410，接着在封装层400的有机薄膜封装层430的成形过程中，有机薄膜封装层430会流入沟槽500且覆盖在沟槽500中的第一无机薄膜封装层410上，并填入沟槽500。本实施例与图1与图2的实施例不同的处在于沟槽500中并非填入有机绝缘填料340，而是填入第一无机薄膜封装层410的一部分与有机薄膜封装层430的一部分，此外，在有机薄膜封装层430的成形过程中，沟槽500可让过多的有机薄膜封装层430流入，故除了图1与图2的实施例所提到的优点外，本实施例的沟槽500亦有防止有机薄膜封装层430溢流的功能。

请参照图11，图11为本发明第九实施例的显示面板10h的剖视图，其中图11的实施例沿用图3与图10的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图11所示，在第九实施例中，沟槽500a更贯穿第三绝缘层330。并且，由于沟槽500a贯穿第一绝缘层310、第二绝缘层320与第三绝缘层330，因此第一无机薄膜封装层410与有机薄膜封装层430会延伸到第一绝缘层310、第二绝缘层320与第三绝缘层330。相较于第八实施例，沟槽500a在垂直方向Dv上比沟槽500更深，且有机薄膜封装层430在垂直方向Dv上亦更深入复合绝缘层300中，因此，沟槽500a与其中的有机薄膜封装层430能吸收更多的应力，并能更有效地避免裂痕的产生与阻止裂痕的延伸。

请参照图12，图12为本发明第十实施例的显示面板10i的剖视图，其中图12的实施例沿用图4与图11的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图12所示，在第十实施例中，第二沟槽502位在第一沟槽501与像素阵列200之间。第一无机薄膜封装层410与有机薄膜封装层430会分别延伸到第一沟槽501与第二沟槽502中。第一沟槽501、第二沟槽502与其中的有机薄膜封装层430能吸收更多的应力，并且即使在裂痕穿过第一沟槽501的情况下，仍有第二沟槽502可以阻挡裂痕的延伸，进而减少裂痕延伸至显示区110的风险。

请参照图13，图13为本发明第十一实施例的显示面板10j的剖视图，其中图13的实施例沿用图7与图10的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图13所示，在第十一实施例中，沟槽500贯穿第一绝缘层310与第二绝缘层320，而显示面板10j还包括至少一挡墙600，且第一无机薄膜封装层410与有机薄膜封装层430会延伸到沟槽500中。并且，在有机薄膜封装层430的成形过程中，有机薄膜封装层430会受到挡墙600的限制而不易溢流出去，且沟槽500也可让过多的有机薄膜封装层430流入，因而挡墙600与沟槽500互相配合可更有效地防止有机薄膜封装层430溢流。

请参照图14，图14为本发明第十二实施例的显示面板10k的剖视图，其中图14的实施例沿用图8与图11的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图14所示，在第十二实施例中，沟槽500a贯穿第一绝缘层310、第二绝缘层320与第三绝缘层330，而第一无机薄膜封装层410与有机薄膜封装层430会延伸到沟槽500a中。并且，显示面板10k包括挡墙600，挡墙600位于外围区120并位于第一绝缘层310上，且沟槽500a位于挡墙600以及像素阵列200之间，而封装层400则接触并覆盖于挡墙600上，且第一无机薄膜封装层410与有机薄膜封装层430的一部分会填入沟槽500a中。

请参照图15，图15为本发明第十三实施例的显示面板10m的剖视图，其中图15的实施例沿用图4与14的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图15所示，在第十三实施例中，第二沟槽502位在第一沟槽501与像素阵列200之间，而第一无机薄膜封装层410与有机薄膜封装层430会分别延伸到第一沟槽501与第二沟槽502中。并且，显示面板10m包括挡墙600，挡墙600位于外围区120并位于第一绝缘层310上，且沟槽500b(第一沟槽501与第二沟槽502)位于挡墙600以及像素阵列200之间，而封装层400则接触并覆盖于挡墙600上，且第一无机薄膜封装层410与有机薄膜封装层430的一部分会分别填入第一沟槽501与第二沟槽502中。

请参照图16，图16为本发明第十四实施例的显示面板10n的剖视图，其中图16的实施例沿用图1及图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图16所示，在第十四实施例中，沟槽500贯穿第一绝缘层310与第二绝缘层320，而有机薄膜封装层430会延伸到沟槽500中，第一无机薄膜封装层410和第二无机薄膜封装层420并不延伸到沟槽500中。在本实施例中，沟槽500中没有填入有机绝缘填料340，而在封装层400的第一无机薄膜封装层410成形时，会覆盖像素阵列200与复合绝缘层300，但不会覆盖沟槽500，因而在第一无机薄膜封装层410成形之后，沟槽500中并不存在第一无机薄膜封装层410的一部分。接着在封装层400的有机薄膜封装层430的成形过程中，有机薄膜封装层430会流入沟槽500，并填入沟槽500。换言之，沟槽500中仅具有有机薄膜封装层430。此外，在有机薄膜封装层430的成形过程中，沟槽500可让过多的有机薄膜封装层430流入，因而沟槽500亦有防止有机薄膜封装层430溢流的功能。并且，相较于一般无机绝缘材料，沟槽500中的有机薄膜封装层430会具有更佳的柔韧性，因此沟槽500中的有机薄膜封装层430可吸收应力，以减少裂痕的产生或阻挡裂痕的延伸。

请参照图17，图17为本发明第十五实施例的显示面板10o的剖视图，其中图17的实施例沿用图3与图16的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图17所示，在第十五实施例中，沟槽500a更贯穿第三绝缘层330。并且，由于沟槽500a贯穿第一绝缘层310、第二绝缘层320与第三绝缘层330，因此有机薄膜封装层430会延伸到第一绝缘层310、第二绝缘层320与第三绝缘层330。沟槽500a在垂直方向Dv上比沟槽500更深，且有机薄膜封装层430在垂直方向Dv上亦更深入复合绝缘层300中，因此，沟槽500a与其中的有机薄膜封装层430能吸收更多的应力，并能更有效地避免裂痕的产生与阻止裂痕的延伸。

请参照图18，图18为本发明第十六实施例的显示面板10p的剖视图，其中图18的实施例沿用图9与图17的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图18所示，在第十六实施例中，第二沟槽502位在第一沟槽501与像素阵列200之间。有机薄膜封装层430会分别延伸到第一沟槽501与第二沟槽502中。第一沟槽501、第二沟槽502与其中的有机薄膜封装层430能吸收更多的应力，并且即使在裂痕穿过第一沟槽501的情况下，仍有第二沟槽502可以阻挡裂痕的延伸，进而减少裂痕延伸至显示区110的风险。

请参照图19，图19为本发明第十七实施例的显示面板10q的剖视图，其中图19的实施例沿用图7与图16的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图19所示，在第十七实施例中，沟槽500贯穿第一绝缘层310与第二绝缘层320，而显示面板10q还包括至少一挡墙600，且有机薄膜封装层430会延伸到沟槽500中。并且，在有机薄膜封装层430的成形过程中，有机薄膜封装层430会受到挡墙600的限制而不易溢流出去，且沟槽500也可让过多的有机薄膜封装层430流入，因而挡墙600与沟槽500互相配合可更有效地防止有机薄膜封装层430溢流。

请参照图20，图20为本发明第十八实施例的显示面板10r的剖视图，其中图20的实施例沿用图17与图19的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图20所示，在第十八实施例中，沟槽500a贯穿第一绝缘层310、第二绝缘层320与第三绝缘层330，而有机薄膜封装层430会延伸到沟槽500a中。并且，显示面板10r还包括挡墙600，挡墙600位于外围区120并位于第一绝缘层310上，且沟槽500a位于挡墙600以及像素阵列200之间。封装层400接触并覆盖于挡墙600上，且有机薄膜封装层430的一部分会填入沟槽500a中。

请参照图21，图21为本发明第十九实施例的显示面板10s的剖视图，其中图21的实施例沿用图18与图20的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

如图21所示，在第十九实施例中，第二沟槽502位在第一沟槽501与像素阵列200之间，而有机薄膜封装层430会分别延伸到第一沟槽501与第二沟槽502中。并且，显示面板10s还包括挡墙600，挡墙600位于外围区120并位于第一绝缘层310上，封装层400接触并覆盖于挡墙600上，举例来说，第二无机薄膜封装层420接触并覆盖于挡墙600上，且有机薄膜封装层430的一部分会分别填入第一沟槽501与第二沟槽502中。

综上所述，根据本发明所提出的显示面板的诸多实施例，在显示面板的外围区设置有沟槽，且沟槽中还填有填料，通过沟槽与填料来吸收应力并形成缓冲，从而可降低外围区在被切割时产生裂痕的可能，且即使有裂痕产生，裂痕也会被沟槽与填料阻止而无法往显示区的方向延伸。如此一来，可避免显示面板的电性元件因为裂痕而破损或断裂，确保显示面板的品质。

虽然本发明的技术内容已经以优选实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的构思所作些许的变动与润饰，皆应涵盖于本发明的范围内，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (18)

1.一种显示面板，包括：

一基底，具有一显示区与一外围区，该外围区实质上围绕该显示区；

一像素阵列，位于该基底上且位于该显示区内，该像素阵列包括：

多个薄膜晶体管，各该薄膜晶体管包括：

一主动层；

一闸绝缘层，位于该主动层上；

一栅极，位于该闸绝缘层上；

一层间绝缘层，位于该栅极上；以及

一源极与一漏极，位于该层间绝缘层上且分别通过多个第一接触洞而电性连接该主动层，所述第一接触洞贯穿该层间绝缘层与该闸绝缘层；

多个电激发光元件，分别电性连接对应的该薄膜晶体管的该漏极；以及

一像素定义层，位于该层间绝缘层上；

一复合绝缘层，位于该基底上且位于该外围区，该复合绝缘层包括：

一第一绝缘层，与该层间绝缘层由同一材料层形成；以及

一第二绝缘层，位于该第一绝缘层与该基底之间，该第二绝缘层与该闸绝缘层由同一材料层形成，其中至少一沟槽贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层；

一封装层，位于该像素阵列与该复合绝缘层上，该封装层与该至少一沟槽重叠，其中，该封装层包括一第一无机薄膜封装层、一有机薄膜封装层与一第二无机薄膜封装层，该第一无机薄膜封装层位于该像素阵列与该复合绝缘层上，该有机薄膜封装层位于该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层之间，且该有机薄膜封装层延伸到该至少一沟槽中而该第一无机薄膜封装层与该第二无机薄膜封装层并不延伸到该至少一沟槽中；以及

至少一挡墙，位于该第一绝缘层上，其中，该至少一沟槽位于该至少一挡墙以及该像素阵列之间，其中该封装层接触该至少一挡墙，该至少一挡墙位于该至少一沟槽以及该像素阵列的外侧。

2.如权利要求1所述的显示面板，其中，该像素阵列还包括一缓冲层位于该基底与该主动层之间，该复合绝缘层还包括一第三绝缘层位于该基底与该第二绝缘层之间，该第三绝缘层与该缓冲层由同一材料层形成。

3.如权利要求2所述的显示面板，其中，该至少一沟槽更贯穿该第三绝缘层。

4.如权利要求3所述的显示面板，其中，该至少一沟槽包括一第一沟槽与一第二沟槽，该第二沟槽位在该第一沟槽与该像素阵列之间。

5.如权利要求2所述的显示面板，其中，该至少一沟槽包括一第一沟槽与一第二沟槽，该第二沟槽位在该第一沟槽与该像素阵列之间。

6.如权利要求1至5中任一所述的显示面板，其中，各该电激发光元件包括：

一下电极，位于该层间绝缘层与该像素定义层之间；

一上电极；以及

一发光层，位于贯穿该像素定义层的一开口中且位于该下电极以及该上电极之间，

其中，该像素阵列还包括一平坦层位于该层间绝缘层与该像素定义层之间，该平坦层具有多个第二接触洞，

其中，所述电激发光元件的该下电极分别通过所述第二接触洞电性连接至对应的该薄膜晶体管的该漏极。

7.如权利要求1所述的显示面板，其中，该至少一挡墙与该像素定义层由同一材料层形成，其中，(1)该第一无机薄膜封装层覆盖该至少一挡墙；或(2)该第二无机薄膜封装层覆盖该至少一挡墙；或(3)该第一无机薄膜封装层及该第二无机薄膜封装层共同覆盖该至少一挡墙；其中该有机薄膜封装层位于该至少一挡墙的内侧而不接触该至少一挡墙且不延伸至该至少一挡墙的外侧。

8.如权利要求1所述的显示面板，其中，该复合绝缘层还包括一有机绝缘填料，该有机绝缘填料位于该至少一沟槽内。

9.如权利要求8所述的显示面板，其中，该有机绝缘填料与该像素定义层由同一材料层形成。

10.如权利要求1所述的显示面板，其中，该有机薄膜封装层的一部分填入该至少一沟槽内。

11.如权利要求1所述的显示面板，其中，该第一无机薄膜封装层的一部分与该有机薄膜封装层的一部分填入该至少一沟槽内。

12.如权利要求6所述的显示面板，其中，该基底更具有一电路区，该电路区位于该显示区与该外围区之间，该显示面板还包括一栅极驱动电路位于该基底上且位于该电路区内，该栅极驱动电路电性连接该像素阵列，其中，该像素定义层以及该平坦层是从该显示区延伸至该电路区，该栅极驱动电路是被该像素定义层以及该平坦层覆盖。

13.如权利要求6所述的显示面板，其中，该复合绝缘层还包括一有机绝缘填料，该有机绝缘填料位于该至少一沟槽内。

14.如权利要求13所述的显示面板，其中，该有机绝缘填料与该像素定义层由同一材料层形成。

15.如权利要求6所述的显示面板，其中，该有机薄膜封装层的一部分填入该至少一沟槽内。

16.如权利要求1所述的显示面板，其中，该基底更具有一电路区，该电路区位于该显示区与该外围区之间，该显示面板还包括一栅极驱动电路位于该基底上且位于该电路区内，该栅极驱动电路电性连接该像素阵列，其中该像素定义层是从该显示区延伸至该电路区，该栅极驱动电路是被该像素定义层覆盖。

17.如权利要求1所述的显示面板，其中，该第一绝缘层与该层间绝缘层直接连接。

18.如权利要求1所述的显示面板，其中，该第二绝缘层与该闸绝缘层直接连接。

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