CN108519726A - 一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备，涉及显示面板制作领域，用于避免现有通过更换掩膜板的方式来减小彩膜基板曝光图案的TP设计值与实际值差异时成本较高的问题。补正方法包括：根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标；根据补偿设计坐标控制工作台相对于掩膜板移动。第一测量尺寸为形成曝光图案后测得的曝光图案的尺寸，第二测量尺寸为在形成曝光图案后、在衬底基板上形成其他图案后测得的曝光图案的尺寸，设计尺寸为曝光图案的设计尺寸。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板制作领域，尤其涉及一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备。
背景技术
TFT-LCD制程中，无论是TN型(Twisted Nematic Mode，扭曲向列)还是ADS型(Advanced-Super Dimension Switch Mode，高级超维场开关)产品均存在Touch Mura(在模组完成品表面施加一定外力，暗态画面下出现发白发亮的现象)问题。由于Touch Mura形成原理较为复杂，影响因素也较多，因此该不良一直是行业内的难题。根据Touch Mura机理研究，其影响因素一般概括为以下两种：
图1为一种TN型(TN Mode)液晶面板的结构图，其主要是由于彩膜基板(简称CF)和阵列基板(简称TFT基板或者Array基板)的表面不平坦，因此形成取向层时表面不平坦处会存在Rubbing Shadow区(也称为取向层弱区)。图1中的Q处为彩膜基板和阵列基板对盒时没有发生偏移的Rubbing Shadow区的示意。当彩膜基板和阵列基板相互之间发生偏移时，会导致Rubbing Shadow区偏大，使得局部液晶偏转受影响，从而引起Touch Mura。图2为一种ADS型(ADS Mode)液晶面板的结构图，其主要是由于彩膜基板和阵列基板相互之间发生偏移，彩膜基板中的BM(Black Matrix，黑矩阵)偏移，导致背光源提供的光线容易漏出，从而引起Touch Mura。因此对盒形成液晶面板时彩膜基板和阵列基板之间是否发生偏移，是Touch Mura发生的一个共性问题。
而彩膜基板和阵列基板之间是否发生偏移主要通过对TP(Total Pitch，关键尺寸，用于衡量形成图案(Pattern)在基板上的精度)来评估。通常TP设计版图(如图3)与实际最终TP(Final TP)版图(如图4)存在较大差异，这种差异会直接影响彩膜基板和对盒基板的对盒精度。
为了解决该问题，现有一般采取分别对制作阵列基板和彩膜基板时曝光图案的设计坐标进行补正。由于阵列基板的制作工艺较为复杂其曝光设备精度较高可以实现对曝光图案的单点补正，从而较为容易减小TP设计值与实际值的差异，以实现对阵列基板的FinalTP精度的管控；而彩膜基板由于其曝光机精度较差只能通过更换掩膜板(Mask)来实现对Final TP精度的管控，而更换掩膜板成本较高。
发明内容
本发明的实施例提供一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备，用于避免现有通过更换掩膜板的方式来减小彩膜基板曝光图案的TP设计值与实际值差异时成本较高的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明的第一方面，提供一种曝光图案的补正方法，包括：
根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标；所述工作台用于支撑所述衬底基板；根据所述补偿设计坐标控制所述工作台相对于所述掩膜板移动；其中，所述衬底基板上的曝光图案是所述工作台相对于所述掩膜板位于所述原设计坐标对应的位置处的情况下形成的，所述第一测量尺寸为形成所述曝光图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述第二测量尺寸为在形成所述曝光图案后、在所述衬底基板上形成其他图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述设计尺寸为所述曝光图案的设计尺寸。
可选的，所述根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标包括：根据所述衬底基板上的曝光图案的至少一个所述第一测量尺寸、相对应的所述第二测量尺寸、相对应的设计尺寸，确定第一变化率；根据所述第二测量尺寸和相对应的所述设计尺寸，确定第二变化率；根据相对应的所述第一变化率、所述第二变化率和所述阈值系数，确定所述曝光图案的综合变化率；根据所述综合变化率对所述工作台相对于所述掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标。
可选的，所述根据相对应的所述第一变化率、所述第二变化率和所述阈值系数，确定所述曝光图案的综合变化率包括：按照C＝B+Δ×A，确定所述曝光图案的综合变化率C，其中A为所述第一变化量，B为所述第二变化率，△为所述阈值系数。
可选的，所述根据所述综合变化率对所述工作台相对于所述掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标包括：按照D＝D′×(1-C)，确定所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标D，其中D’为所述曝光图案的原设计坐标，C为所述曝光图案的综合变化率。
可选的，所述曝光图案为黑矩阵；所述衬底基板为彩膜基板的衬底基板，所述第二测量尺寸为在形成所述彩膜基板后测得的所述曝光图案的尺寸。
可选的，所述阈值系数的取值范围是1～1.3。
可选的，在根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标之前，所述补正方法还包括：获取所述衬底基板上的至少一个所述曝光图案的第一测量尺寸和相对应的第二测量尺寸。
本发明的第二方面，提供一种曝光图案的补正装置，其特征在于，包括确定模块和控制模块，其中：所述确定模块用于根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标；所述工作台用于支撑所述衬底基板；所述控制模块用于根据所述补偿设计坐标控制所述工作台相对于所述掩膜板移动；其中，所述衬底基板上的曝光图案是所述工作台相对于所述掩膜板位于所述原设计坐标对应的位置处的情况下形成的，所述第一测量尺寸为形成所述曝光图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述第二测量尺寸为在形成所述曝光图案后、在所述衬底基板上形成其他曝光图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述设计尺寸为所述曝光图案的设计尺寸。
可选的，所述补正装置还包括获取模块，所述获取模块用于获取所述衬底基板上的所述曝光图案的至少一个所述第一测量尺寸和相对应的所述第二测量尺寸。
本发明的第三方面，提供一种曝光设备，包括如第二方面所述的曝光图案的补正装置。
本发明实施例提供一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备，补正方法包括：根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标；根据上述补偿设计坐标控制工作台相对于掩膜板移动。这样一来，在工作台相对于掩膜板位于上述补偿设计坐标的情况下形成曝光图案时，放大了曝光图案的精度差异，同时通过形成其他图案的工艺抵消了这部分放大量，进而达到改善在衬底基板上形成的曝光图案的位置精度的目的。因此无需更换掩膜板来减小了形成的曝光图案与该曝光图案的设计位置的差异，降低了曝光图案的补偿成本。同时，在利用形成有该曝光图案的基板对盒形成显示面板时可以提高对盒精度，进而降低发生Touch Mura现象的几率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种TN型液晶面板发生Touch Mura的结构示意图；
图2为一种ADS型液晶面板发生Touch Mura的结构示意图；
图3为一种现有的TP设计版图；
图4为一种根据图3所示的TP设计版图制作的实际最终TP版图；
图5为本发明实施例提供的一种曝光图案的设计版图和补正后的设计版图；
图6为根据图5所示的曝光图案的补正后的设计版图制作的曝光图案的版图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种曝光图案的补正方法，可选的，补正方法包括：获取衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸和相对应的第二测量尺寸。以及：
步骤101、根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标；工作台用于支撑衬底基板。
其中，衬底基板上的曝光图案是工作台相对于掩膜板位于原设计坐标对应的位置处的情况下形成的，第一测量尺寸为形成该曝光图案后测得的该曝光图案的尺寸，第二测量尺寸为在形成该曝光图案后、在上述衬底基板上形成其他图案后测得的该曝光图案的尺寸，设计尺寸为曝光图案的设计尺寸。
需要说明的是，第一、曝光图案是指制作工艺包括曝光工艺的图案。本领域技术人员已知，在进行曝光工艺时，曝光设备根据原设计坐标控制工作台移动，以带动位于工作台上的衬底基板移动，使得工作台相对于掩膜板的位置为原设计坐标，并在该情况下形成上述曝光图案。通过在衬底基板上形成曝光图案时，将一次曝光形成的区域称为一个曝光区，也称SHOT区，上述曝光图案可以为位于一个SHOT区中的曝光图案。上述设计坐标可以为形成一个SHOT区时的设计坐标，也可以是各SHOT区的设计区域的整体设计坐标，本发明实施例对此不限定。
第二、本发明实施例中的工作台相对于掩膜板的原设计坐标，可以是在掩膜板位置不动的情况下，以掩膜板所在位置的坐标为参考确定的；也可以是以相对于掩膜板固定不动的坐标系确定的，本实施例对此不限定。
第三、上述与第一测量尺寸相对应的第二测量尺寸均为不同时刻测得的上述曝光图案相同位置处的尺寸，相对应的设计尺寸为该位置处的设计尺寸。可以获取多组该曝光图案在相同位置处的第一测量尺寸和第二测量尺寸，以提高得到上述补偿设计坐标的精确度，从而改善利用该补偿设计坐标形成的曝光图案的精度。
第四、上述阈值系数为在形成所述曝光图案的工艺后形成其他图案的工艺引起的该曝光图案的曝光图案的伸缩量系数，本发明实施例不限定其他图案的制作工艺。以形成彩膜基板为例，该曝光图案可以为黑矩阵为例，其他图案可以是彩色滤光图案、电极图案以及隔垫物等中的一种或几种。上述阈值系数与产品显示模式、膜层设计、产线、材料、工艺、玻璃厚度等有关，根据不同产品的这些参数，相近设计产品的系数相近，通过大量数据分析得来。
步骤102、根据上述补偿设计坐标控制工作台相对于掩膜板移动。
基于此，本发明提供一种曝光图案的补正方法，包括：首先，根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标；然后根据上述补偿设计坐标控制工作台相对于掩膜板移动。在此基础上，在工作台相对于掩膜板位于上述补偿设计坐标的情况下形成曝光图案时，放大了曝光图案的精度差异，同时通过形成其他图案的工艺抵消了这部分放大量，进而达到改善在衬底基板上形成的曝光图案的位置精度的目的。因此无需更换掩膜板来减小了形成的曝光图案与该曝光图案的设计位置的差异，降低了曝光图案的补偿成本。同时，在利用形成有该曝光图案的基板对盒形成显示面板时可以提高对盒精度，进而降低发生Touch Mura现象的几率。
在此基础上，可选的，步骤101包括：
步骤1011、根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸E、相对应的第二测量尺寸F、相对应的设计尺寸H，确定第一变化率A。根据衬底基板上的曝光图案的第二测量尺寸F和相对应的设计尺寸H，确定第二变化率B。其中，可选的，A＝(F-E)/H，B＝(F-H)/H。
步骤1012、根据相对应的第一变化率A、第二变化率B和阈值系数△，确定曝光图案的综合变化率C。其中，可选的，按照C＝B+Δ×A，确定曝光图案的综合变化率C。
在此情况下，可以计算出形成曝光图案后，以及形成其他图案之前和形成其他图案时该曝光图案的变化率。
步骤1013、根据综合变化率C对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标。可选的，按照D＝D′×(1-C)，确定工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标D，其中D’为曝光图案的原设计坐标。
这样一来，在利用上述补偿设计坐标形成曝光图案时，由于改变了工作台相对于掩膜板的坐标，从而可以改变该曝光图案的图案，提高该曝光图案的制作精度，进而改善形成有该图案的基板的精度。
图5中的实直线为上述原设计坐标下的设计版图，密虚线为根据本发明的补正方法得到的补偿设计坐标下的设计版图。图4为根据图5所示的原设计坐标下的设计版图制作的曝光图案的版图，可见各SHOT区变形严重，超规格点位(疏虚线为规格点位)较多；图6为根据图5所示的补偿设计坐标下的设计版图制作的曝光图案的版图，可见SHOT区形貌规整，基本均在规格点位内。
以下以上述曝光图案为黑矩阵，该衬底基板为彩膜基板的衬底基板为例，对本发明实施例提供的曝光图案的补正方法进行说明。在此情况下，可选的，第一测量尺寸为形成该黑矩阵后测得的该黑矩阵的尺寸，第二测量尺寸为在形成彩膜基板后测得的黑矩阵的尺寸。进一步的，上述阈值系数的取值范围是1～1.3。
具体的，首先可以从Touch Mura现象高发产品中获取至少一个第一测量尺寸E和相对应的第二测量尺寸F，并获取相对应的设计尺寸H。接下来，计算形成彩膜基板后测得的黑矩阵的尺寸相对于设计尺寸的第二变化率B，即B＝(F-H)/H；并计算在形成该黑矩阵后、形成彩膜基板前黑矩阵尺寸的第一变化率A，即A＝(F-E)/H。然后，根据第二变化率B和第一变化率A、以及阈值系数△计算曝光图案的综合变化率C，即C＝B+Δ×A。接下来，将该综合变化率C作为工作台相对于掩膜板的原设计坐标的补偿率计算工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标，即D＝D′×(1-C)。最后，根据该补偿设计坐标控制工作台相对于掩膜板移动，以得到补偿后的曝光图案。
在此情况下，通过计算上述黑矩阵的综合变化率C，并将其叠加于工作台相对于掩膜板的原设计坐标，从而认为放大了黑矩阵的精度差异，并通过形成黑矩阵后形成其他图案的工艺抵消了这部分放大了，从而达到改善黑矩阵制作精度的目的。在此基础上，本领域技术人员已知，制作彩膜基板时，形成彩色滤光图案、电极图案等其他图案均是以黑矩阵为基准进行制作，因此由于提高了黑矩阵的制作精度，从而可以间接改善形成彩膜基板的精度。这样一来，在利用该彩膜基板对位形成显示面板时，可以降低发生对位偏差的几率。
此外，本领域技术人员已知，一方面，开机Mura是由于对盒时黑矩阵发生偏移引起的，由于上述补正方法可以提高黑矩阵的制作精度，因此本发明实施例提供的补正方法也可以用于改善开机Mura。另一方面，当彩膜基板的制作精度较差时会导致像素对位偏移，进而会使隔垫物图案(简称PS)相对于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件有偏移(严重时PS没有顶到对应的TFT器件上)，导致PS支撑高度变低，液晶量填充偏多进而引发重力Mura。在此情况下，可以通过本发明实施例提供的补正方法改善PS的制作精度，从而降低发生重力Mura的几率。
本发明实施例提供一种曝光图案的补正装置，包括确定模块和控制模块，其中：
确定模块用于根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，来得到工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标；工作台用于支撑衬底基板。其中，衬底基板上的曝光图案是工作台相对于掩膜板位于原设计坐标对应的位置处的情况下形成的，第一测量尺寸为形成该曝光图案后测得的该曝光图案的尺寸，第二测量尺寸为在形成该曝光图案后、在上述衬底基板上形成其他图案后测得的该曝光图案的尺寸，设计尺寸为曝光图案的设计尺寸
控制模块用于根据上述补偿设计坐标控制工作台相对于掩膜板移动。
可选的，补正装置还包括获取模块，获取模块用于获取衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸和相对应的第二测量尺寸。
需要说明的是，上述涉及的各参数与前述实施例提供的补正方法中的各参数的含义相同，此处不再赘述。
基于此，本发明提供一种曝光图案的补正装置，确定模块根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标；控制模块用于根据上述补偿设计坐标控制工作台相对于掩膜板移动。在此基础上，在上述补正装置控制工作台相对于掩膜板位于上述补偿设计坐标的情况下形成曝光图案时，放大了曝光图案的精度差异，同时通过形成其他图案的工艺抵消了这部分放大量，进而达到改善在衬底基板上形成的曝光图案的位置精度的目的。因此无需更换掩膜板来减小了形成的曝光图案与该曝光图案的设计位置的差异，降低了曝光图案的补偿成本。同时，在利用形成有该曝光图案的基板对盒形成显示面板时可以提高对盒精度，进而降低发生Touch Mura现象的几率。
可选的，确定模块用于根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，来得到工作台相对于掩膜板的补偿设计坐标，包括：
确定模块用于根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的所述第二测量尺寸、相对应的设计尺寸，确定第一变化率；以及用于根据第二测量尺寸和相对应的所述设计尺寸，确定第二变化率。
确定模块还用于根据相对应的所述第一变化率、所述第二变化率和所述阈值系数，确定所述曝光图案的综合变化率。可选的，确定模块按照C＝B+Δ×A，确定所述曝光图案的综合变化率C，其中A为所述第一变化量，B为所述第二变化率，△为所述阈值系数。
确定模块还用于根据所述综合变化率对所述工作台相对于所述掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标。可选的，确定模块按照D＝D′×(1-C)，确定所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标D，其中D’为所述曝光图案的原设计坐标，C为所述曝光图案的综合变化率。
在此基础上，可选的，上述曝光图案为黑矩阵；所述衬底基板为彩膜基板的衬底基板，所述第二测量尺寸为在形成所述彩膜基板后测得的所述曝光图案的尺寸。进一步的，阈值系数的取值范围是1～1.3。
本发明实施例提供一种曝光设备，包括如上所述的曝光图案的补正装置，具有与前述补正装置相同的结构和有益效果，由于前述实施例已经对该补正装置的结构和有益效果进行了详细的说明，此处不再赘述。可选的，上述曝光设备为曝光机，曝光机可以包括用于支撑衬底基板的工作台以及曝光灯等。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种曝光图案的补正方法，其特征在于，包括：
根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标；所述工作台用于支撑所述衬底基板；
根据所述补偿设计坐标控制所述工作台相对于所述掩膜板移动；
其中，所述衬底基板上的曝光图案是所述工作台相对于所述掩膜板位于所述原设计坐标对应的位置处的情况下形成的，所述第一测量尺寸为形成所述曝光图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述第二测量尺寸为在形成所述曝光图案后、在所述衬底基板上形成其他图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述设计尺寸为所述曝光图案的设计尺寸。
2.根据权利要求1所述的补正方法，其特征在于，所述根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标包括：
根据所述衬底基板上的曝光图案的至少一个所述第一测量尺寸、相对应的所述第二测量尺寸、相对应的设计尺寸，确定第一变化率；根据所述第二测量尺寸和相对应的所述设计尺寸，确定第二变化率；
根据相对应的所述第一变化率、所述第二变化率和所述阈值系数，确定所述曝光图案的综合变化率；
根据所述综合变化率对所述工作台相对于所述掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标。
3.根据权利要求2所述的补正方法，其特征在于，所述根据相对应的所述第一变化率、所述第二变化率和所述阈值系数，确定所述曝光图案的综合变化率包括：
按照C＝B+Δ×A，确定所述曝光图案的综合变化率C，其中A为所述第一变化量，B为所述第二变化率，△为所述阈值系数。
4.根据权利要求2所述的补正方法，其特征在于，所述根据所述综合变化率对所述工作台相对于所述掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标包括：
按照D＝D′×(1-C)，确定所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标D，其中D’为所述曝光图案的原设计坐标，C为所述曝光图案的综合变化率。
5.根据权利要求1所述的补正方法，其特征在于，所述曝光图案为黑矩阵；所述衬底基板为彩膜基板的衬底基板，所述第二测量尺寸为在形成所述彩膜基板后测得的所述曝光图案的尺寸。
6.根据权利要求5所述的补正方法，其特征在于，所述阈值系数的取值范围是1～1.3。
7.根据权利要求1所述的补正方法，其特征在于，在根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标之前，所述补正方法还包括：
获取所述衬底基板上的至少一个所述曝光图案的第一测量尺寸和相对应的第二测量尺寸。
8.一种曝光图案的补正装置，其特征在于，包括确定模块和控制模块，其中：
所述确定模块用于根据衬底基板上的曝光图案的至少一个第一测量尺寸、相对应的第二测量尺寸、相对应的设计尺寸、阈值系数对工作台相对于掩膜板的原设计坐标进行补偿，以得到所述工作台相对于所述掩膜板的补偿设计坐标；所述工作台用于支撑所述衬底基板；
所述控制模块用于根据所述补偿设计坐标控制所述工作台相对于所述掩膜板移动；
其中，所述衬底基板上的曝光图案是所述工作台相对于所述掩膜板位于所述原设计坐标对应的位置处的情况下形成的，所述第一测量尺寸为形成所述曝光图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述第二测量尺寸为在形成所述曝光图案后、在所述衬底基板上形成其他曝光图案后测得的所述曝光图案的尺寸，所述设计尺寸为所述曝光图案的设计尺寸。
9.根据权利要求8所述的补正装置，其特征在于，所述补正装置还包括获取模块，所述获取模块用于获取所述衬底基板上的所述曝光图案的至少一个所述第一测量尺寸和相对应的所述第二测量尺寸。
10.一种曝光设备，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的曝光图案的补正装置。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN109814328A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 虚拟掩膜板、掩膜板及其制作方法 |
| CN111104773A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-05-05 | 北京华大九天软件有限公司 | 一种基于规则的曝光补偿方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0994378A3 (en) * | 1998-10-12 | 2004-07-07 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Proximity exposure method by oblique irradiation with light |
| US20150116678A1 (en) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and Method for Real-Time Overlay Error Reduction |
| CN106483770A (zh) * | 2015-08-31 | 2017-03-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套刻精度补偿方法 |
| CN106547171A (zh) * | 2015-09-17 | 2017-03-29 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻装置的套刻补偿系统及方法 |
| CN106569390A (zh) * | 2015-10-08 | 2017-04-19 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影曝光装置及方法 |
| US20170176873A1 (en) * | 2014-12-12 | 2017-06-22 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for exposure and development, system for controlling exposure and system for exposure and development |
| CN107067984A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲面显示面板的制作方法、曲面显示面板及曲面显示装置 |
| CN107290937A (zh) * | 2016-03-31 | 2017-10-24 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种投影曝光装置及方法 |
-
2018
- 2018-04-03 CN CN201810291281.9A patent/CN108519726B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0994378A3 (en) * | 1998-10-12 | 2004-07-07 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Proximity exposure method by oblique irradiation with light |
| US20150116678A1 (en) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and Method for Real-Time Overlay Error Reduction |
| US20170176873A1 (en) * | 2014-12-12 | 2017-06-22 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for exposure and development, system for controlling exposure and system for exposure and development |
| CN106483770A (zh) * | 2015-08-31 | 2017-03-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套刻精度补偿方法 |
| CN106547171A (zh) * | 2015-09-17 | 2017-03-29 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻装置的套刻补偿系统及方法 |
| CN106569390A (zh) * | 2015-10-08 | 2017-04-19 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影曝光装置及方法 |
| CN107290937A (zh) * | 2016-03-31 | 2017-10-24 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种投影曝光装置及方法 |
| CN107067984A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲面显示面板的制作方法、曲面显示面板及曲面显示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109814328A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 虚拟掩膜板、掩膜板及其制作方法 |
| CN109814328B (zh) * | 2019-03-28 | 2022-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 虚拟掩膜板、掩膜板及其制作方法 |
| CN111104773A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-05-05 | 北京华大九天软件有限公司 | 一种基于规则的曝光补偿方法 |
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