CN111104773A - 一种基于规则的曝光补偿方法 - Google Patents

一种基于规则的曝光补偿方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111104773A
CN111104773A CN201911263816.2A CN201911263816A CN111104773A CN 111104773 A CN111104773 A CN 111104773A CN 201911263816 A CN201911263816 A CN 201911263816A CN 111104773 A CN111104773 A CN 111104773A
Authority
CN
China
Prior art keywords
compensation
rule
graph
layout
outline
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911263816.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111104773B (zh
Inventor
刘�东
杨祖声
刘伟平
陆涛涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huada Empyrean Software Co Ltd
Original Assignee
Huada Empyrean Software Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huada Empyrean Software Co Ltd filed Critical Huada Empyrean Software Co Ltd
Priority to CN201911263816.2A priority Critical patent/CN111104773B/zh
Publication of CN111104773A publication Critical patent/CN111104773A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111104773B publication Critical patent/CN111104773B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

一种基于规则的曝光补偿方法,包括以下步骤:1)确定需要曝光补偿的版图设计单元;2)确定版图设计单元中的工艺层;3)设定关键尺寸规则;4)设置补偿图形的bias值,并创建补偿图形;5)倒角处理。本发明将版图工程师进行曝光补偿的过程自动化,提供设计的准确度并极大提升版图绘制效率。

Description

一种基于规则的曝光补偿方法
技术领域
本发明涉及平板显示器版图设计技术领域,特别涉及一种对于版图数据的曝光补偿修正方法,具体涉及一种平板显示器版图设计中基于规则的曝光补偿方法。
背景技术
在版图设计完成后需要对局部图形宽度进行补偿。在生产中,曝光和刻蚀都会导致最终生产出来的某些图形的宽度比设计宽度要小,在图形间距大于最小工艺间距时,这种现象尤其严重,直接导致占空比小的地方图形的宽度小太多,影响良率。
在面板设计领域,由于窄边框面板的应用需求,面板设计中给COG台阶留下的宽度越来越小。因此,布线的宽度必须要突破曝光机最小线宽的限制。但是当CD值小于曝光机最小线宽时,在占空比较小的区域,布线宽度被侵蚀更严重,发生实际生产所得宽度比设计宽度小得多或者断线的问题,其原因在于:
1)在占空比较小的区域,曝光时由于曝光量过大,导致path(路径)宽度减小;
2)在占空比较小的区域,刻蚀时因path受到的刻蚀力度相对更大,导致path宽度进一步减小。
在液晶面板领域,当前面板版图设计工程师面对以上问题,主要采用人工矫正的方式对版图进行修正,效率低下,可复用性差。而在IC设计领域,存在一些OPC(光学临近矫正)软件应用于晶圆制造工艺,利用大量的光学实验数据或模拟工具提取复杂规则或建立模型,对掩模图形进行优化校正。但是面板设计领域往往无需如此高的设计规格和精度要求,采用这种OPC软件对于面板厂来说成本较高。
发明内容
为了解决现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种基于规则的曝光补偿方法,将版图工程师进行曝光补偿的过程自动化,提供设计的准确度并极大提升版图绘制效率。
为实现上述目的,本发明提供的基于规则的曝光补偿方法,包括以下步骤:
1)确定需要曝光补偿的版图设计单元;
2)确定版图设计单元中的工艺层;
3)设定关键尺寸规则;
4)设置补偿图形的bias值,并创建补偿图形;
5)对补偿图形进行倒角处理;
6)将倒角处理后的补偿图形与原图形轮廓合并。
进一步地,所述步骤1)通过指定需要曝光补偿的设计单元名称来确定需要曝光补偿的版图设计单元,其中所述设计单元名称包括库名、单元名和视图名。
进一步地,需要进行曝光补偿的图形存在于所述步骤2)确定的所述工艺层中。
进一步地,在所述步骤3)中设定关键尺寸规则时,需设定关键尺寸,包括最小间距和最小宽度,其中,
最小间距指的是轮廓图形间的最小距离;
最小宽度指的是轮廓图形的最小宽度。
进一步地,所述步骤3)进一步包括以下步骤:
判断版图中的图形与相邻图形轮廓之间的距离与最小间距的关系,如果版图中的图形与相邻图形轮廓之间的距离大于最小间距时,则需判断版图中的图形的轮廓上的宽度是否大于最小宽度,如果版图中的图形的轮廓上的宽度小于最小宽度,则需补偿这部分轮廓;如果版图中的图形的轮廓上的宽度大于或等于最小宽度,则不进行补偿操作;
如果版图中的图形与相邻图形轮廓之间的距离小于或等于最小间距时,则无需补偿。
进一步地,所述步骤4)中设置补偿的bias值,用于指定补偿后相对原图形增加的宽度。
进一步地,所述步骤4)进一步包括,以需要补偿的轮廓为中线,创建一个宽度为2×bias的路径图形,其中所述路径图形与原图形使用同一个工艺层。
更进一步地,在所述步骤5)中设置倒角参数,其为角度值,并在补偿图形的端部进行倒角处理。
为实现上述目的,本发明还提供一种基于规则进行曝光补偿的装置,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的程序,所述处理器运行所述程序时执行上述的基于规则的曝光补偿方法的步骤。
为实现上述目的,本发明还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,所述计算机指令运行时执行上述的基于规则的曝光补偿方法的步骤。
技术效果
本发明提供了一种基于规则的曝光补偿方法,应用在面板版图设计领域,基于版图工程师人工修正版图过程中的规则依据,可以完全模拟人工对版图图形的修正过程,同时具有高度可复用、操作简便、可保证结果正确性等优点。
本发明还可用于液晶显示器面板版图设计领域。这个领域相较于IC设计领域,工艺要求相对低,因此本方法可以替代IC领域中的OPC软件,并且可以满足设计需求,极大降低设计成本和周期。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,并与本发明的实施例一起,用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为根据本发明的基于规则的曝光补偿方法的流程图;
图2为根据本发明的实施方式的基于Space和Width补偿规则示意图;
图3为根据本发明的实施方式的bias参数意义示意图;
图4为根据本发明的实施方式的倒角参数示意图;
图5为根据本发明的实施方式的整体补偿效果示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
图1为根据本发明的基于规则的曝光补偿方法的流程图,下面将参考图1,对本发明的基于规则的曝光补偿方法进行详细描述。
在步骤101,确定需要曝光补偿的版图设计单元。
在该步骤中,指定需要曝光补偿的版图设计单元名称,包括库名,单元名和视图名。因为通常的EDA软件工具,使用库名(lib)、单元名(cell)和视图名(view)来指定一个版图设计。这个被指定的单元名将作为本方法的实施对象,这种基于规则的曝光补偿方法只作用于指定的这个版图设计单元。
在步骤102,确定版图设计单元中的工艺层。
该步骤作为步骤101的补充,在指定了版图设计单元的前提下,可以再指定一个工艺层(layer),用于限定在指定的版图设计中,只有用此图层(layer)的图形才会作为本方法的实施对象,也就是才会被补偿。
在步骤103,设定关键尺寸规则。
在该步骤中,设置一些关键尺寸规则作为判断需要曝光补偿区域的标准。
本发明的实施例中,关键尺寸,包括, 图形的轮廓之间距离的最小值(spacing)和图形轮廓的宽度(width)。设定一个spacing数值,这个数值的意义在于限定一个补偿的条件。对于版图中在前两步设定下选定的每一个图形,其轮廓上如果哪一部分与其相邻的图形的轮廓距离大于设定的这个spacing数值,那么将对这部分轮廓进行补偿处理。
设定一个width数值,这个数值的意义在于限定一个补偿的条件。对于版图中在前两步设定下选定的每一个图形,其轮廓上如果哪一部分的宽度大于设定的这个width数值,那么即使这部分轮廓满足上一步的spacing的条件,仍不会对其做补偿操作。
spacing和width设置项对于是否需要补偿的定义可以参考图2。
在步骤104,设置补偿图形的bias值并创建补偿图形。
本发明的实施例中,bias值指补偿后相对于补偿前图形轮廓宽度的增大值。
在该步骤中,设定一个补偿图形的bias数值,并基于此数值创建补偿图形。这种基于规则的曝光补偿方法,并不对原版图图形进行修改,而是以需要补偿的轮廓为中线,创建一个宽度为2*bias的Path图形(EDA软件工具里常用的一种图形类型,一般是等宽度的长条形形状),这个补偿图形与原图形使用同一个工艺层,这就相当于对于原图形轮廓做了值为bias的宽度补偿。这一步描述的bias的意义和补偿方法如图3所示。
在步骤105,倒角处理。
在该步骤中,设置倒角参数,使补偿图形与原版图中图形更圆滑的融合。设定的切角值是一个角度值。在步骤104中,创建的补偿图形是一个等宽度的Path图形,这个补偿图形与原图形轮廓做合并之后的新轮廓上会产生一个较为尖锐的角度,将无法通过电气规则检查。所以,需要进一步地使用设定的这个倒角值对创建的补偿图形的端部进行倒角处理,使最终的补偿后轮廓更为圆滑。这一步的效果如图4所示。
值得注意的是,倒角效果发生在补偿图形的端部,经过倒角处理的补偿图形与原图形轮廓合并之后,就不会发生近似直角的轮廓。
在步骤106,将倒角处理后的补偿图形与原图形轮廓合并。
在该步骤中,将倒角处理后的补偿图形与原图形轮廓合并,生成最终的版图图形的轮廓。
本发明根据生成的补偿图形使用与原图形相同的工艺层layer。这样最终的版图图形的轮廓就是原图形与补偿图形合并后的新轮廓,实现了补偿修正。这种基于规则的曝光补偿方法的最终效果如图5所示。
本发明的一种基于规则的曝光补偿方法,用于面板显示器版图工程师在绘制版图时,基于实际曝光效果的考虑,对版图中的部分图形,特别是布线部分的图形,进行一定的轮廓修正,主要是通过增加宽度的方式进行一定程度的宽度补偿。这种补偿的过程基于一定的规则,比如占空比较低的地方,由于曝光量比较大,光刻的程度也会较大,就需要对这种地方的图形轮廓进行补偿处理。
本发明的一种基于规则的曝光补偿方法,将版图工程师进行曝光补偿的过程自动化,首先将需要曝光补偿的规则提取成为图形宽度和图形间距等常见电气规则参数,然后自动化提取需要补偿的轮廓并完成补偿,可以提供设计的准确度,以及极大提升版图绘制效率。
本发明还提供一种基于规则进行曝光补偿的装置,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的程序,所述处理器运行所述程序时执行上述的基于规则的曝光补偿方法的步骤。
本发明还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,所述计算机指令运行时执行上述的基于规则的曝光补偿方法的步骤,所述基于规则的曝光补偿方法参见前述部分的介绍,不再赘述。
本领域普通技术人员可以理解:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种基于规则的曝光补偿方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)确定需要曝光补偿的版图设计单元;
2)确定版图设计单元中的工艺层;
3)设定关键尺寸规则;
4)设置补偿图形的bias值,并创建补偿图形;
5)对补偿图形进行倒角处理;
6)将倒角处理后的补偿图形与原图形轮廓合并。
2.根据权利要求1所述的基于规则的曝光补偿方法,其特征在于,所述步骤1)进一步包括,通过指定需要曝光补偿的设计单元名称来确定需要曝光补偿的版图设计单元;其中,所述设计单元名称包括库名、单元名和视图名。
3.根据权利要求1所述的基于规则的曝光补偿方法,其特征在于,在所述步骤3)中设定关键尺寸规则时,需设定关键尺寸,包括最小间距和最小宽度,其中,
最小间距指的是轮廓图形间的最小距离;
最小宽度指的是轮廓图形的最小宽度。
4.根据权利要求3所述的基于规则的曝光补偿方法,其特征在于,所述步骤3)进一步包括以下步骤:
判断版图中的图形与相邻图形轮廓之间的距离与最小间距的关系,如果版图中的图形与相邻图形轮廓之间的距离大于最小间距时,则需判断版图中的图形的轮廓上的宽度是否大于最小宽度,如果版图中的图形的轮廓上的宽度小于最小宽度,则需补偿这部分轮廓;如果版图中的图形的轮廓上的宽度大于或等于最小宽度,则不进行补偿操作;
如果版图中的图形与相邻图形轮廓之间的距离小于或等于最小间距时,则无需补偿。
5.根据权利要求1所述的基于规则的曝光补偿方法,其特征在于,所述步骤4)中设置补偿的bias值,用于指定补偿后相对原图形增加的宽度。
6.根据权利要求5所述的基于规则的曝光补偿方法,其特征在于,所述步骤4)进一步包括,以需要补偿的轮廓为中线,创建一个宽度为2×bias的路径图形,其中所述路径图形与原图形使用同一个工艺层。
7.根据权利要求1所述的基于规则的曝光补偿方法,其特征在于,在所述步骤5),包括,设置倒角参数,其为角度值,并在补偿图形的端部进行倒角处理。
8.一种基于规则进行曝光补偿的装置,其特征在于,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的程序,所述处理器运行所述程序时执行权利要求1-7任一项所述的基于规则的曝光补偿方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,其特征在于,所述计算机指令运行时执行权利要求1-7任一项所述的基于规则的曝光补偿方法的步骤。
CN201911263816.2A 2019-12-11 2019-12-11 一种基于规则的曝光补偿方法 Active CN111104773B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911263816.2A CN111104773B (zh) 2019-12-11 2019-12-11 一种基于规则的曝光补偿方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911263816.2A CN111104773B (zh) 2019-12-11 2019-12-11 一种基于规则的曝光补偿方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111104773A true CN111104773A (zh) 2020-05-05
CN111104773B CN111104773B (zh) 2022-05-24

Family

ID=70421563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911263816.2A Active CN111104773B (zh) 2019-12-11 2019-12-11 一种基于规则的曝光补偿方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111104773B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112861467A (zh) * 2021-02-03 2021-05-28 深圳华大九天科技有限公司 线宽补偿方法及装置、服务器和存储介质

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005234261A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Sony Corp 露光用マスクの設計装置および露光用マスクの設計方法
TW201316119A (zh) * 2011-10-04 2013-04-16 Pklt Co Ltd 光罩的選擇性線寬補償
CN103310037A (zh) * 2013-04-28 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 版图设计规则检测文件验证图形库及其建立方法
CN106094422A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 上海华力微电子有限公司 一种简化opc后掩模版图形的方法
US20180181699A1 (en) * 2004-04-21 2018-06-28 Iym Technologies Llc Integrated circuits having in-situ constraints
CN108519726A (zh) * 2018-04-03 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备
US20190131290A1 (en) * 2017-10-30 2019-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Layout modification method for exposure manufacturing process

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005234261A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Sony Corp 露光用マスクの設計装置および露光用マスクの設計方法
US20180181699A1 (en) * 2004-04-21 2018-06-28 Iym Technologies Llc Integrated circuits having in-situ constraints
TW201316119A (zh) * 2011-10-04 2013-04-16 Pklt Co Ltd 光罩的選擇性線寬補償
CN103310037A (zh) * 2013-04-28 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 版图设计规则检测文件验证图形库及其建立方法
CN106094422A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 上海华力微电子有限公司 一种简化opc后掩模版图形的方法
US20190131290A1 (en) * 2017-10-30 2019-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Layout modification method for exposure manufacturing process
CN108519726A (zh) * 2018-04-03 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光图案的补正方法和装置、曝光设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112861467A (zh) * 2021-02-03 2021-05-28 深圳华大九天科技有限公司 线宽补偿方法及装置、服务器和存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN111104773B (zh) 2022-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7784020B2 (en) Semiconductor circuit pattern design method for manufacturing semiconductor device or liquid crystal display device
US7797656B2 (en) Method of checking and correcting mask pattern
US7010775B2 (en) Method for creating mask pattern for circuit fabrication and method for verifying mask pattern for circuit fabrication
US6996797B1 (en) Method for verification of resolution enhancement techniques and optical proximity correction in lithography
CN103149792A (zh) 一种光学邻近修正方法
CN103365071B (zh) 掩膜板的光学邻近校正方法
CN106773544A (zh) 一种控制辅助图形信号误报率的opc建模方法
CN102117010B (zh) 一种光学邻近修正方法
CN111104773B (zh) 一种基于规则的曝光补偿方法
US7673270B1 (en) Method and apparatus for compensating an integrated circuit layout for mechanical stress effects
CN102156382B (zh) 光学邻近修正的判断方法
CN113392617B (zh) 一种半导体集成电路设计方法及装置
US8782572B1 (en) Method of optical proximity correction
JP2004302263A (ja) マスクパターン補正方法およびフォトマスク
CN111505898B (zh) 一种结合图形匹配的opc修正方法
TWI588595B (zh) 光學鄰近修正方法
CN117389114A (zh) 掩模设计版图模糊检测方法、存储介质及图形修复设备
US7974457B2 (en) Method and program for correcting and testing mask pattern for optical proximity effect
JP2009014790A (ja) フォトマスクパターン検証方法、フォトマスクパターン検証装置、半導体集積回路の製造方法、フォトマスクパターン検証制御プログラムおよび可読記憶媒体
US7275225B2 (en) Correcting design data for manufacture
US8627242B1 (en) Method for making photomask layout
US10083833B1 (en) Integration fill technique
CN113050365B (zh) 光学邻近修正方法及系统、掩模版、设备与介质
CN105892223B (zh) 一种优化opc验证的方法
CN115308987A (zh) 曝光辅助图形的优化方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 100102 floor 2, block a, No.2, lizezhong 2nd Road, Chaoyang District, Beijing

Applicant after: Beijing Huada Jiutian Technology Co.,Ltd.

Address before: 100102 floor 2, block a, No.2, lizezhong 2nd Road, Chaoyang District, Beijing

Applicant before: HUADA EMPYREAN SOFTWARE Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant