CN108511502A - 一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法，其中，所述阵列基板包括：基板；形成在基板上的像素界定层；所述像素界定层在背离所述基板的方向上具有第一凹槽；形成在像素界定层及基板上的发光层；其中，覆盖在像素界定层上的发光层，在背离像素界定层的方向具有第二凹槽，所述第二凹槽在像素界定层上的正投影位于第一凹槽内；形成在第二凹槽内的辅助电极层。通过本发明实施例提供的阵列基板，在像素界定层上制备凹槽，使阵列基本的制备过程简单，提高了阵列基板制备的效率。进一步的，在凹槽内形成辅助电极层，提高了电极的导电率。
Description
技术领域
本发明涉及OLED技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法。
背景技术
顶发射OLED(有机发光二极管)器件，由于具有更高的开口率和利用微腔效应实现光取出优化等优点，成为目前研究的主要方向。但是这种结构要求OLED的顶电极必须具备良好的光透过率，而ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等透明度高的材料，其导电性能弱于金属。
现有技术中，将金属作为辅助电极，采用光刻的方法制作在BM覆盖的区域，主要需要经过BM(黑矩阵)工序、CF(彩膜)工序、辅助电极工序、PS(割垫物)工序、ITO(氧化铟锡)工序，而这些工序工艺过程复杂，均需在黄光环境中完成，成本较高，不适合量产。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法，以解决现有的辅助电极的制备方法复杂或辅助电极的导电效果不是很理想的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种阵列基板，包括：
基板；
形成在所述基板上的像素界定层；所述像素界定层在背离所述基板的方向上具有第一凹槽；
形成在所述像素界定层及所述基板上的发光层；其中，覆盖在所述像素界定层上的所述发光层，在背离所述像素界定层的方向具有第二凹槽，所述第二凹槽在所述像素界定层上的正投影位于所述第一凹槽内；
形成在所述第二凹槽内的辅助电极层。
其中，所述阵列基板，还包括：覆盖所述发光层和所述辅助电极层的第一导电层；其中，所述第一导电层与所述辅助电极层连接。
其中，在所述第二凹槽的槽底还形成有表面修饰层，所述辅助电极层形成在所述表面修饰层上；所述表面修饰层具有导电性和粘附性。
其中，所述表面修饰层为3,4-乙烯二氧噻吩的水溶液。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示面板，包含上述所述的阵列基板。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，包含上述所述的显示面板。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成像素界定层，所述像素界定层在背离所述基板的方向上具有第一凹槽；
形成发光层；其中，覆盖在所述像素界定层上的所述发光层，在背离所述像素界定层的方向具有第二凹槽，所述第二凹槽在所述像素界定层上的正投影位于所述第一凹槽内；
制作脱模板；所述脱模板具有多个凸起的辅助电极层；
将所述脱模板压合在所述发光层上，其中，所述辅助电极层与所述第二凹槽对位贴合；
移除所述脱模板，使所述辅助电极层嵌入并贴合在所述第二凹槽的内部。
其中，在所述将所述脱模板压合在所述发光层上之前，还包括：
在所述第二凹槽的槽底形成表面修饰层，所述表面修饰层具有导电性和粘附性。
其中，所述制作脱模板，包括：
制备表面具有多个凸起的脱模板基底；
在所述凸起背离所述脱模板基底的一面上形成抗粘连层；
在所述抗粘连层上形成所述辅助电极层。
其中，所述在所述凸起背离所述脱模板基底的一面上形成抗粘连层，包括：
在所述凸起背离所述脱模板基底的一面上旋涂四氟乙烯，形成抗粘连层；
或，
在所述凸起背离所述脱模板基底的一面用气相沉积法制备全氟辛基三氯硅烷形成抗粘连层。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
通过本发明实施例提供的阵列基板，在像素界定层上制备凹槽，使阵列基本的制备过程简单，提高了阵列基板制备的效率。
进一步的，在凹槽内形成辅助电极层，提高了电极的导电率。
附图说明
图1是本发明实施例一的一种阵列基板的结构示意图；
图2是示出了本发明实施例三的一种阵列基板的制备方法的步骤流程图；
图3是本发明实施例三的在基板上形成像素界定层后示意图；
图4是本发明实施例三的在像素界定层上覆盖有发光层后示意图；
图5是本发明实施例三的脱模板制备方法示意图；
图6是本发明实施例三的将脱模板压合在发光层后移除脱模板后的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参照图1，示出了本发明实施例一的一种阵列基板的结构示意图。
如图1所述，该阵列基板包括：基板101，形成在基板上的像素界定层102，像素界定层在背离基板的方向上具有第一凹槽103；形成在像素界定层及基板上的发光层104；覆盖在像素界定层上的发光层，在背离像素界定层的方向具有第二凹槽105，第二凹槽在所述像素界定层上的正投影位于所述第一凹槽内，形成在第二凹槽内的辅助电极层106，第二凹槽的槽底形成有表面修饰层107，第一导电层108。
在本发明实施例中，该阵列基板，还包括：覆盖所述发光层104和所述辅助电极层106的第一导电层108；其中，所述第一导电层108与所述辅助电极层106连接。
在本发明实施例中，基板101是指使用传统方法形成的TFT基板。像素界定层102是均匀的分布在基板101上的。每个像素界定层102上都具有一个第一凹槽103，第一凹槽的深度为600nm-900nm，第一凹槽103的宽带长度具体可根据像素界定层102的尺寸而设定。
在本发明实施例中，发光层104是均匀的覆盖在第一凹槽103的表面、像素界定层102上及像素界定层102之间的基板101上。在本发明实施例中，当发光层104覆盖在第一凹槽103的表面时，对应第一凹槽形103成第二凹槽105。
在本发明实施例中，在第二凹槽105的底部覆盖有表面修饰层107，对应在表面修饰层107上，且在第二凹槽105内具有辅助电极层106。其中，表面修饰层107的材料为3,4-乙烯二氧噻吩的水溶液，因其具有导电性和粘附性，并且与金属的粘附性高于金属与其他有机材料的粘附性，这样可以使辅助电极层106更容易粘连到第二凹槽105内部，不会发生周边粘连的现象。
在本发明实施例中，辅助电极层106的材料优选为铝或者银，铝或银能够保证良好的导电性，提高辅助电极层的导电性，辅助电极层106的厚度优选为400nm-800nm，主要是防止辅助电极层106太薄容易碎裂，影响辅助电极层的导电性。
在本发明实施例中，第一导电层108的材料为ITO或IZO等透明度高，且具有导电性的材料，第一导电层108的厚度在100nm-200nm之间，本发明实施例对此不加以限制。
通过本发明实施例提供的阵列基板，在像素界定层上制备凹槽，使阵列基本的制备过程简单，提高了阵列基板制备的效率。在凹槽内形成辅助电极层，提高了辅助电极的导电率。
实施例二
本发明实施例还公开了一种显示面板，包括阵列基板，该阵列基板包括：基板；形成在基板上的像素界定层；像素界定层在背离基板的方向上具有第一凹槽；形成在像素界定层及基板上的发光层；其中，覆盖在像素界定层上的发光层，在背离像素界定层的方向具有第二凹槽，第二凹槽在像素界定层上的正投影位于第一凹槽内；形成在第二凹槽内的辅助电极层。
在本发明实施例的一种优选实施例中，在第二凹槽的槽底还形成有表面修饰层，辅助电极层形成在表面修饰层上；表面修饰层具有导电性和粘附性。
在本发明实施例的一种优选实施例中，表面修饰层为3,4-乙烯二氧噻吩的水溶液。
本发明实施例还公开了一种显示装置，包括上述显示面板。
实施例三
参照图2，示出了本发明实施例三的一种阵列基板的制备方法的步骤流程图。
本发明实施例的阵列基板的制备方法包括以下步骤：
步骤201：提供基板。
在本发明实施例中，基板101为以传统工艺制作的TFT结构。
步骤202：在所述基板上形成像素界定层，所述像素界定层在背离所述基板的方向上具有第一凹槽。
如图3，在基板101上形成像素界定层102，在每个像素界定层102上，通过激光照射的方式形成第一凹槽103，在本发明实施例中，也可以通过其他方式形成第一凹槽103，本发明对此不加以限制。
在本发明实施例中，在基板101上形成像素界定层102之前，还需要形成第二导电层(图中未示出第二导电层)，所述第二导电层为断开的多个阳极，使像素界定层102的每个像素单元都对应一个阳极，阳极与基板101上TFT的漏极连接。
在本发明实施例中，可采取一步曝光的工艺形成像素界定层102，像素界定层102的材料可选用聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯类、有机硅烷等光刻胶材料。
在本发明实施例中，具体可以采用掩膜版通过激光照射形成所述第一凹槽103，也可以直接控制激光点照射到设定位置形成所述第一凹槽103。
步骤203：形成发光层；其中，覆盖在所述像素界定层上的所述发光层，在背离所述像素界定层的方向具有第二凹槽，所述第二凹槽在所述像素界定层上的正投影位于所述第一凹槽内。
如图4，在像素界定层上形成发光层104，其中，发光层103还覆盖在没有像素界定层的基板上，当形成发光层104时，在第一凹槽中形成第二凹槽105。
步骤204：制作脱模板；所述脱模板具有多个凸起的辅助电极层。
在本发明实施例中，参照图5，针对第二凹槽105制作图案化的脱模板。脱模板的制备过程具体包括以下步骤：
S21，制备表面具有多个凸起的脱模板基底。
在本发明实施例中，脱模板基地参照图5中的201。
S22，在所述凸起背离所述脱模板基底的一面上形成抗粘连层。
在本发明实施例中，抗粘连层参照图5中的202。
S23在所述抗粘连层上形成所述辅助电极层。
在本发明实施例中，在抗粘连层202上形成辅助电极层106。其中，凸起与第二凹槽105对应，用于形成辅助电极层。所述在所述凸起背离所述脱模板基底的一面上形成抗粘连层202，包括：在所述凸起背离所述脱模板基底的一面上旋涂四氟乙烯，形成抗粘连层；或，在所述凸起背离所述脱模板基底的一面用气相沉积法制备全氟辛基三氯硅烷，形成抗粘连层。
抗粘连层202的目的是避免辅助电极层106在后续落入第二凹槽105时无法落入，即防止辅助电极层106与凸起部分粘贴紧密。
步骤205：在所述第二凹槽的槽底形成表面修饰层，所述表面修饰层具有导电性和粘附性。
在本发明实施例中，主要是利用具有导电性和粘附性的有机溶液在第二凹槽105的槽底形成表面修饰层107，使脱模板上的辅助电极层106能够更容易的粘连在第二凹槽105内部，同时不影响辅助电极层106的导电性。在本发明中，可以选择PEDOT-PSS(3，4-乙烯二氧噻吩)作为表面修饰层107。
步骤206，将所述脱模板压合在所述发光层上，其中，所述辅助电极层与所述第二凹槽对位贴合。
如图3，在本发明实施例中，将上述制备好的脱模板压合在发光层103上，并施加一定的压力和温度，压力为20bar-40bar，温度为60摄氏度-90摄氏度，压合时间为50s-70s。具体的压力、温度和压合时间值，可根据辅助电极层106和第二凹槽105的深度进行调节。
步骤207，移除所述脱模板，使所述辅助电极层嵌入并贴合在所述第二凹槽的内部。
在本发明实施例中，当对脱模板施加一定的压力后，将其移除，则辅助电极层106便会贴合在第二凹槽105的内部，实现辅助电极的制备，参照图6。
在本发明实施例中，当实现辅助电极层的制备后，如图1，再形成IZO第一导电层108，其中第一导电层108的厚度为1200A-1800A，即完成阵列模板的制作。
通过本发明实施例提供的阵列基板，在像素界定层上制备凹槽，使阵列基本的制备过程简单，提高了阵列基板制备的效率。在凹槽内形成辅助电极层，提高了辅助电极的导电率。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的像素界定层；所述像素界定层在背离所述基板的方向上具有第一凹槽；
形成在所述像素界定层及所述基板上的发光层；其中，覆盖在所述像素界定层上的所述发光层，在背离所述像素界定层的方向具有第二凹槽，所述第二凹槽在所述像素界定层上的正投影位于所述第一凹槽内；
形成在所述第二凹槽内的辅助电极层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板，还包括：
覆盖所述发光层和所述辅助电极层的第一导电层；其中，所述第一导电层与所述辅助电极层连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二凹槽的槽底还形成有表面修饰层，所述辅助电极层形成在所述表面修饰层上；所述表面修饰层具有导电性和粘附性。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述表面修饰层为3,4-乙烯二氧噻吩的水溶液。
5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包含如权利要求1-4任一所述的阵列基板。
6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包含上述权利要求5所述的显示面板。
7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成像素界定层，所述像素界定层在背离所述基板的方向上具有第一凹槽；
形成发光层；其中，覆盖在所述像素界定层上的所述发光层，在背离所述像素界定层的方向具有第二凹槽，所述第二凹槽在所述像素界定层上的正投影位于所述第一凹槽内；
制作脱模板；所述脱模板具有多个凸起的辅助电极层；
将所述脱模板压合在所述发光层上，其中，所述辅助电极层与所述第二凹槽对位贴合；
移除所述脱模板，使所述辅助电极层嵌入并贴合在所述第二凹槽的内部。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述将所述脱模板压合在所述发光层上之前，还包括：
在所述第二凹槽的槽底形成表面修饰层，所述表面修饰层具有导电性和粘附性。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述制作脱模板，包括：
制备表面具有多个凸起的脱模板基底；
在所述凸起背离所述脱模板基底的一面上形成抗粘连层；
在所述抗粘连层上形成所述辅助电极层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述凸起背离所述脱模板基底的一面上形成抗粘连层，包括：
在所述凸起背离所述脱模板基底的一面上旋涂四氟乙烯，形成抗粘连层；
或，
在所述凸起背离所述脱模板基底的一面用气相沉积法制备全氟辛基三氯硅烷，形成抗粘连层。
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