CN108417609B - 显示基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示基板及其制备方法和显示装置，包括：衬底基板，衬底基板上设置有像素界定层和有机发光二极管，有机发光二极管的顶电极背向衬底基板的一侧设置有导电图形，导电图形在像素界定层所处平面的正投影位于像素界定层所设置的区域内且与顶电极位于像素界定层上的部分连接，顶电极背向衬底基板的一侧设置有平坦化层，平坦化层背向衬底基板的一侧设置有辅助电极，辅助电极与导电图形连接。在本发明中，辅助电极的形成无须依靠封装盖板，因而可有效避免OLED显示装置盒厚的增大，有利于OLED显示装置的轻薄化；此外，本发明中可采用转印工艺来形成辅助电极，此时由于像素区域中已填充平坦化层，因而可防止转印过程中辅助电极遭到破坏。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)面板是近年来逐渐发展起来的显示照明技术，尤其在显示行业，由于其具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，被视为拥有广泛的应用前景。其中，顶发射型OLED结构，由于具有更高的开口率和利用微腔效应实现光取出优化等优点，成为研究的主要方向。
对于顶发射OLED结构，作为OLED出光面的顶电极(OLED的阴极)必须具备良好的光透过率。目前，顶发射OLED结构的顶电极多为薄金属或透明导电材料(例如ITO、IZO)，其中金属材料由于透过率较差，薄化后作为大面积电极使用容易造成电阻增大，不利于大尺寸器件的开发；ITO、IZO等透明导电材料，在低温制成下，其本身的导电性能弱于金属。
在现有技术中，将金属作为ITO、IZO的辅助电极，采用光刻的方法制作于背板的非发光区域，以提高顶电极的整体导电性，达到降低电阻的作用。但是这种光刻技术需要复杂的工艺，涉及多道掩膜板和曝光工序，而且由于其需要高温、光刻胶冲刷等工艺特点，会对OLED器件的发光层造成损害，不适合作为量产手段。作为另一种提高顶电极导电性的方式是在封装盖板上制作辅助电极，使用该种方式可以避免上述制作工艺中存在的问题，但是由于辅助电极依托于封装盖板，因而会导致最终成型的OLED显示装置盒厚增大，不利于OLED显示装置的轻薄化。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法和显示装置。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括：衬底基板，所述衬底基板上设置有像素界定层和若干个有机发光二极管，所述有机发光二极管的顶电极背向所述衬底基板的一侧设置有若干个导电图形，所述导电图形在所述像素界定层所处平面的正投影位于所述像素界定层所设置的区域内且与所述顶电极位于所述像素界定层上的部分连接，所述顶电极背向所述衬底基板的一侧设置有平坦化层，所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧设置有辅助电极，所述辅助电极与所述导电图形连接以与所述顶电极构成并联。
可选地，还包括：胶黏剂层，所述胶黏剂层位于所述平坦化层和所述辅助电极之间。
可选地，所述胶黏剂层背向所述衬底基板的一侧的表面与所述导电图形背向所述衬底基板的一侧的表面平齐。
可选地，还包括：薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述辅助电极背向所述衬底基板的一侧。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置，包括：如上述的显示基板。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板上形成像素界定层和若干个有机发光二极管；
在所述有机发光二极管的顶电极背向所述衬底基板的一侧形成若干个导电图形，所述导电图形在所述像素界定层所处平面的正投影位于所述像素界定层所设置的区域内；
在所述顶电极背向所述衬底基板的一侧形成平坦化层；
在所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧形成辅助电极，所述辅助电极与所述导电图形连接以与所述顶电极构成并联。
可选地，所述在所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧形成辅助电极的步骤包括：
通过溅射工艺在转印脱模设备上形成辅助电极；
通过转印工艺将所述辅助电极转印于所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧。
可选地，还包括：
在所述平坦化层和所述辅助电极之间形成胶黏剂层。
可选地，所述在所述平坦化层和所述辅助电极之间形成胶黏剂层的步骤包括：
在形成所述平坦化层之后，通过打印工艺在所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧形成可固化的胶黏剂材料；
在形成所述辅助电极之后，对所述胶黏剂材料进行固化处理以形成所述胶黏剂层。
可选地，还包括：
在所述辅助电极背向所述衬底基板的一侧形成薄膜封装层。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供了一种显示基板及其制备方法和显示装置，其中该显示基板包括：衬底基板，衬底基板上设置有像素界定层和若干个有机发光二极管，有机发光二极管的顶电极背向衬底基板的一侧设置有若干个导电图形，导电图形在像素界定层所处平面的正投影位于像素界定层所设置的区域内，顶电极背向衬底基板的一侧设置有平坦化层，平坦化层背向衬底基板的一侧设置有辅助电极，辅助电极与导电图形连接以与顶电极构成并联。该显示基板中辅助电极的形成无须依靠封装盖板，因而可有效避免OLED显示装置盒厚的增大，有利于OLED显示装置的轻薄化。此外，为避免光刻工艺损害已完成制备的OLED器件，本发明中可采用转印工艺来形成辅助电极，此时由于像素区域中已填充平坦化层，因而可防止转印过程中辅助电极遭到破坏。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的截面示意图；
图2为本发明实施例二提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
图3为本发明实施例三提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
图4a～图4f为采用图3所示制备方法制备显示基板的中间结构的截面示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种显示基板及其制备方法和显示装置进行详细描述。其中，显示基板具体为OLED显示基板。
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的截面示意图，如图1所示，该显示基板包括：衬底基板1，衬底基板1上设置有像素界定层2(Pixel Definition Layer，简称PDL)和若干个有机发光二极管；其中，像素界定层2限定出若干个像素区域，有机发光二极管位于像素区域内。有机发光二极管一般包括底电极(阳极，未示出)、发光层3和顶电极(阴极)4，全部有机发光二极管共用同一顶电极4(顶电极4可以为整层铺设的结构)；当然，为提升发光层3的发光效率，还可在发光层3和底/顶电极4之间设置其他功能膜层，例如电子/空穴传输层(未示出)、电子/空穴阻挡层(未示出)。
在本发明中，有机发光二极管的顶电极4背向衬底基板1的一侧设置有若干个导电图形5，导电图形5在像素界定层2所处平面的正投影位于像素界定层2所设置的区域内且与顶电极4位于像素界定层2上的部分连接，顶电极4背向衬底基板1的一侧设置有平坦化层6，平坦化层6背向衬底基板1的一侧设置有辅助电极8，辅助电极8与导电图形5连接，以与顶电极4构成并联。
需要说明的是，导电图形5的形状可以为柱状、台状等形状，本发明的技术方案对导电图形的形状不作限定。辅助电极8的材料可以为金属材料或者为透明导电材料；其中，当辅助电极8的材料为金属材料时，辅助电极8为网状电极且其在像素界定层2所处平面的正投影位于像素界定层2所设置的区域内；当辅助电极8的材料为透明导电材料时，辅助电极8可以为整层铺设的板状电极，此时电阻最小。
在本发明中，辅助电极8的形成无须依靠封装盖板，因而可有效避免OLED显示装置盒厚的增大，有利于OLED显示装置的轻薄化。此外，为避免光刻工艺损害已完成制备的OLED器件，本发明中可采用转印工艺来形成辅助电极8，此时由于像素区域中已填充平坦化层6，因而可防止转印过程中辅助电极8遭到破坏。
优选地，在平坦化层6和辅助电极8之间设置有胶黏剂层7，胶黏剂层7可使得平坦化层6与辅助电极8之间固定的更为牢固。
进一步优选地，胶黏剂层7背向衬底基板1的一侧的表面与导电图形5背向衬底基板1的一侧的表面平齐，有利于后续通过转印工艺形成辅助电极8的工序的顺利实施。
优选地，该显示基板还包括：薄膜封装层9，薄膜封装层9位于辅助电极8背向衬底基板1的一侧。在本发明中，薄膜封装层9可对下部结构进行固定，防止辅助电极8脱落。
本发明实施例一提供了一种显示基板，该显示基板中辅助电极的形成无须依靠封装盖板，因而可有效避免OLED显示装置盒厚的增大，有利于OLED显示装置的轻薄化。此外，为避免光刻工艺损害已完成制备的OLED器件，本发明中可采用转印工艺来形成辅助电极，此时由于像素区域中已填充平坦化层，因而可防止转印过程中辅助电极遭到破坏。
图2为本发明实施例二提供的一种显示基板的制备方法的流程图，如图2所示，该制备方法可制备上述实施例一中的显示基板，包括：
步骤S101、在衬底基板上形成像素界定层和若干个有机发光二极管。
步骤S102、在有机发光二极管的顶电极背向衬底基板的一侧形成若干个导电图形，导电图形在像素界定层所处平面的正投影位于像素界定层所设置的区域内且与顶电极位于像素界定层上的部分连接。
步骤S103、在顶电极背向衬底基板的一侧形成平坦化层。
步骤S104、在平坦化层背向衬底基板的一侧形成辅助电极，辅助电极与导电图形连接以与顶电极构成并联。
在本发明中，辅助电极的形成无须依靠封装盖板，因而可有效避免OLED显示装置盒厚的增大，有利于OLED显示装置的轻薄化。
图3为本发明实施例三提供的一种显示基板的制备方法的流程图，图4a～图4f为采用图3所示制备方法制备显示基板的中间结构的截面示意图，如图3至图4f所示，该制备方法为基于实施例二所提供制备方法的一种更为具体的优选实施方案，包括：
步骤S201、在衬底基板上形成像素界定层和若干个有机发光二极管。
参见图4a所示，步骤S201中在衬底基板1上形成像素界定层2和OLED的工艺可采用现有工艺，具体过程此处不进行详细描述。其中，OLED包括底电极(未示出)、发光层3和顶电极4。
步骤S202、在有机发光二极管的顶电极背向衬底基板的一侧形成若干个导电图形，导电图形在像素界定层所处平面的正投影位于像素界定层所设置的区域内。
参见图4b所示，在步骤S202中，导电图形5的材料为Mg、Ag、Al、Mo、Nd中的至少一种。可采用掩膜蒸镀、模造热压印等方式形成在顶电极4上且对应于像素界定层2的设置区域，导电图形5厚度为1μm～2μm。在本发明中，由于未使用光刻工艺来制备导电图形5，因而不会对已形成的OLED造成损害。
步骤S203、在顶电极背向衬底基板的一侧形成平坦化层。
参见图4c所示，在步骤S203中，平坦层6可以采用无机有机纳米复合材料；其中，无机材料可以为半径为1nm-10nm量子点、纳米线、纳米棒等；有机材料可以为聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯等聚合物。将上述无机材料和有机材料分散在甲醇、乙醇等溶液中，形成10wt％～30wt％的悬浊液，再通过打印工艺形成在像素区域内，最后进行干燥处理，以填充于像素内部空间。
步骤S204、通过打印工艺在平坦化层背向衬底基板的一侧形成可固化的胶黏剂材料。
参见图4d所示，其中，胶黏剂材料7a为在紫外光照射下可固化的材料，包括单体有机物主体(体积比大于95％)和添加剂，添加剂可以为聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚硅氧烷、聚硅氮烷中的至少一种。
优选地，在步骤S204中形成的胶黏剂材料7a的上表面与导电图形5的上表面平齐，有利于后续辅助电极转印工序的顺利进行。
步骤S205、在平坦化层背向衬底基板的一侧形成辅助电极，辅助电极与导电图形连接以与顶电极构成并联。
参见图4e所示，在步骤S205中，首先通过溅射工艺在转印脱模设备上形成厚度为100nm～300nm的辅助电极薄膜。其中，当辅助电极8的材料为不透明的金属材料时，辅助电极8薄膜为网状薄膜；当辅助电极8的材料为透明导电材料时，辅助电极8薄膜为整层铺设的板状薄膜；然后通过转印工艺将辅助电极8转印于平坦化层6背向衬底基板1的一侧，辅助电极8的部分区域与导电图形5接触，另一部分区域与胶黏剂材料7a接触。
步骤S206、对胶黏剂材料进行固化处理以形成胶黏剂层。
参见图4f所示，在步骤S206中，采用紫外光对胶黏剂材料7a进行照射，以使得胶黏剂材料7a固化，形成胶黏剂层7。
步骤S207、在辅助电极背向衬底基板的一侧形成薄膜封装层。
参见图1所示，在步骤S207中，薄膜封装层9包括至少一层无机或有机封装薄膜；其中，无机封装薄膜材料可以为SiNx、SiO2、SiC、Al2O3、ZnS、ZnO(具有阻隔水氧作用的材料)中的至少一种，可采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)、溅射、原子力沉积(Atomic Layer Depositio，简称ALD)等工艺形成0.05μm～2.5μm的薄膜；有机封装薄膜材料可以为聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚硅氧烷、聚硅氮烷中的至少一种，可采用喷涂、打印、印刷等方式成膜，厚度为0.5μm～20μm。
通过上述内容可见，本实施例中，在未使用光刻工艺的情况下，形成导电图形5、平坦化层6、胶黏剂层7、辅助电极8、薄膜封装层9，因而不会对已形成的OLED造成损害，有效保证了良品率。
本发明实施例四提供了一种显示装置，该显示装置包括显示基板，该显示基板采用上述实施例一中提供的显示基板，并可采用上述实施例二或实施例三提供的制备方法进行制备。具体内容可参见前述各实施例中的内容，此处不再赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种显示基板，包括：衬底基板，所述衬底基板上设置有像素界定层和若干个有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管的顶电极背向所述衬底基板的一侧设置有若干个导电图形，所述导电图形在所述像素界定层所处平面的正投影位于所述像素界定层所设置的区域内且与所述顶电极位于所述像素界定层上的部分连接，所述顶电极背向所述衬底基板的一侧设置有平坦化层，所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧设置有辅助电极，所述辅助电极与所述导电图形连接；
还包括：胶黏剂层，所述胶黏剂层位于所述平坦化层和所述辅助电极之间；
所述胶黏剂层背向所述衬底基板的一侧的表面与所述导电图形背向所述衬底基板的一侧的表面平齐；
其中，所述辅助电极通过转印工艺设置在胶黏剂层背离所述平坦化层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述辅助电极背向所述衬底基板的一侧。
3.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求1-2中任一所述的显示基板。
4.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成像素界定层和若干个有机发光二极管；
在所述有机发光二极管的顶电极背向所述衬底基板的一侧形成若干个导电图形，所述导电图形在所述像素界定层所处平面的正投影位于所述像素界定层所设置的区域内且与所述顶电极位于所述像素界定层上的部分连接；
在所述顶电极背向所述衬底基板的一侧形成平坦化层；
在所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧形成辅助电极，所述辅助电极与所述导电图形连接以与所述顶电极构成并联；
在所述平坦化层和所述辅助电极之间形成胶黏剂层；
所述在所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧形成辅助电极的步骤包括：
通过溅射工艺在转印脱模设备上形成辅助电极；
通过转印工艺将所述辅助电极转印于所述胶黏剂层背向所述平坦化层的一侧。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述平坦化层和所述辅助电极之间形成胶黏剂层。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述平坦化层和所述辅助电极之间形成胶黏剂层的步骤包括：
在形成所述平坦化层之后，通过打印工艺在所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧形成可固化的胶黏剂材料；
在形成所述辅助电极之后，对所述胶黏剂材料进行固化处理以形成所述胶黏剂层。
7.根据权利要求4-6中任一所述的显示基板的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述辅助电极背向所述衬底基板的一侧形成薄膜封装层。
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