CN108505121A - 一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,具体包括如下步骤:1)碱制绒:将原始金刚线切割多晶硅片放入加有时创添加剂的氢氧化钠碱溶液中进行碱抛;碱溶液中氢氧化钠的质量分数为0.8‑1.2%,时创添加剂的质量分数为0.9‑1.1%,余量为水,硅片在58‑62℃下碱抛5‑7min;2)酸制绒:待步骤1)结束后,将硅片放入加有合德丰添加剂的氢氟酸和硝酸的混合溶液中,进行酸制绒后,产生制绒后的金刚线切割多晶硅片;酸溶液中氢氟酸的质量分数为17‑19%,硝酸的质量分数为58‑62%,合德丰添加剂的质量分数为0.5‑0.7%,硅片在9‑12℃下酸制绒175‑185S。本发明将同向腐蚀的酸制绒技术和异向腐蚀的碱制绒技术相结合,达到较高的出绒率和较低的反射率,进而提升电池片的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及硅片制绒技术领域,具体是一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法。
背景技术
目前,因具有经济环保、切割效率高、所切割的硅片在后续电池工艺制作中碎片率低等优点,金刚石线切割技术已逐步替代传统砂浆多线切割技术,并成为硅片切割的主流技术。然而,金刚石线切割技术作为一种新型的晶体硅片切割技术,同样也存在一定的技术难题有待于进一步研究解决。由于与现有切割技术不同,金刚石线切割多晶硅片表面损伤少,并且多晶硅片表面产生撕裂形线痕,导致在制绒过程中,使用现有基于硅片表面损伤的择优各向同性腐蚀的酸制绒技术难以获得理想的绒面,以至于影响电池的光电转换效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,包括如下步骤:
1)碱制绒:将原始金刚线切割多晶硅片放入加有时创添加剂的氢氧化钠碱溶液中进行碱抛;
2)酸制绒:待步骤1)结束后,将硅片放入加有合德丰添加剂的氢氟酸和硝酸的混合溶液中,进行酸制绒后,产生制绒后的金刚线切割多晶硅片。
作为本发明进一步的方案:所述硅片采用电阻率为0.5-3Ω·CM、尺寸为156.75*156.75mm规格的P型多晶硅片。
作为本发明进一步的方案:所述步骤1)中碱制绒设备采用48所槽式制绒机。
作为本发明进一步的方案:所述步骤2)中酸制绒设备采用Schmid链式制绒机。
作为本发明进一步的方案:所述步骤1)的碱溶液中氢氧化钠的质量分数为0.8-1.2%,时创添加剂的质量分数为0.9-1.1%,余量为水,硅片在58-62℃下碱抛5-7min。
作为本发明进一步的方案:所述硅片碱抛的减重控制在0.03-0.06g。
作为本发明进一步的方案:所述步骤2)的酸溶液中氢氟酸的质量分数为17-19%,硝酸的质量分数为58-62%,合德丰添加剂的质量分数为0.5-0.7%,硅片在9-12℃下酸制绒175-185S。
作为本发明进一步的方案:所述硅片酸制绒的减重控制在0.24-0.26g。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:将同向腐蚀的酸制绒技术和异向腐蚀的碱制绒技术相结合,达到较高的出绒率和较低的或者与现有的酸制绒持平的反射率(反射率越高,晶界越明显,成品外观越差),进而提升电池片的光电转换效率。采用本发明的制绒方法出绒率有明显的改善;光电转换效率整体提升0.02%。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,包括如下步骤:
1)碱制绒:将原始金刚线切割多晶硅片放入加有时创添加剂的氢氧化钠碱溶液中进行碱抛;
2)酸制绒:待步骤1)结束后,将硅片放入加有合德丰添加剂的氢氟酸和硝酸的混合溶液中,进行酸制绒后,产生制绒后的金刚线切割多晶硅片。
其中,所述步骤1)中碱制绒设备采用48所槽式制绒机,所述步骤2)中酸制绒设备采用Schmid链式制绒机。
进一步的,所述硅片采用电阻率为0.5-3Ω·CM、尺寸为156.75*156.75mm规格的P型多晶硅片。
进一步的,所述步骤1)的碱溶液中氢氧化钠的质量分数为0.8-1.2%,时创添加剂的质量分数为0.9-1.1%,余量为水,硅片在58-62℃下碱抛5-7min。
所述硅片碱抛的减重控制在0.03-0.06g。
进一步的,所述步骤2)的酸溶液中氢氟酸的质量分数为17-19%,硝酸的质量分数为58-62%,合德丰添加剂的质量分数为0.5-0.7%,硅片在9-12℃下酸制绒175-185S。
所述硅片酸制绒的减重控制在0.24-0.26g。
实施例1:
一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,所述硅片采用电阻率为0.5-3Ω·CM、尺寸为156.75*156.75mm规格的P型多晶硅片,具体包括如下步骤:
1)碱制绒:将原始金刚线切割多晶硅片放入加有时创添加剂的氢氧化钠碱溶液中进行碱抛;碱溶液中氢氧化钠的质量分数为0.8-1.2%,时创添加剂的质量分数为0.9-1.1%,余量为水,硅片在58-62℃下碱抛5-7min,所述硅片碱抛的减重控制在0.03-0.06g,测试反射率达到29%。
2)酸制绒:待步骤1)结束后,将硅片放入加有合德丰添加剂的氢氟酸和硝酸的混合溶液中,进行酸制绒后,产生制绒后的金刚线切割多晶硅片;酸溶液中氢氟酸的质量分数为17-19%,硝酸的质量分数为58-62%,合德丰添加剂的质量分数为0.5-0.7%,硅片在9-12℃下酸制绒175-185S,所述硅片酸制绒的减重控制在0.24-0.26g,测试反射率达到24%。
其中,所述步骤1)中碱制绒设备采用48所槽式制绒机,所述步骤2)中酸制绒设备采用Schmid链式制绒机。
实施例2:
一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,所述硅片采用电阻率为0.5-3Ω·CM、尺寸为156.75*156.75mm规格的P型多晶硅片,具体包括如下步骤:
1)碱制绒:将原始金刚线切割多晶硅片放入加有时创添加剂的氢氧化钠碱溶液中进行碱抛;碱溶液中氢氧化钠的质量分数为0.8-1.2%,时创添加剂的质量分数为0.9-1.1%,余量为水,硅片在58-62℃下碱抛5-7min,所述硅片碱抛的减重控制在0.03-0.06g,测试反射率达到29%。
2)酸制绒:待步骤1)结束后,将硅片放入加有合德丰添加剂的氢氟酸和硝酸的混合溶液中,进行酸制绒后,产生制绒后的金刚线切割多晶硅片;酸溶液中氢氟酸的质量分数为17-19%,硝酸的质量分数为58-62%,合德丰添加剂的质量分数为0.5-0.7%,硅片在9-12℃下酸制绒175-185S,所述硅片酸制绒的减重控制在0.24-0.26g,测试反射率达到24%。
其中,所述步骤1)中碱制绒设备采用48所槽式制绒机,所述步骤2)中酸制绒设备采用Schmid链式制绒机
实施例3:
一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,所述硅片采用电阻率为0.5-3Ω·CM、尺寸为156.75*156.75mm规格的P型多晶硅片,具体包括如下步骤:
1)碱制绒:将原始金刚线切割多晶硅片放入加有时创添加剂的氢氧化钠碱溶液中进行碱抛;碱溶液中氢氧化钠的质量分数为0.8-1.2%,时创添加剂的质量分数为0.9-1.1%,余量为水,硅片在58-62℃下碱抛5-7min,所述硅片碱抛的减重控制在0.03-0.06g,测试反射率达到29%。
2)酸制绒:待步骤1)结束后,将硅片放入加有合德丰添加剂的氢氟酸和硝酸的混合溶液中,进行酸制绒后,产生制绒后的金刚线切割多晶硅片;酸溶液中氢氟酸的质量分数为17-19%,硝酸的质量分数为58-62%,合德丰添加剂的质量分数为0.5-0.7%,硅片在9-12℃下酸制绒175-185S,所述硅片酸制绒的减重控制在0.24-0.26g,测试反射率达到24%。
其中,所述步骤1)中碱制绒设备采用48所槽式制绒机,所述步骤2)中酸制绒设备采用Schmid链式制绒机。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
Claims (8)
1.一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)碱制绒:将原始金刚线切割多晶硅片放入加有时创添加剂的氢氧化钠碱溶液中进行碱抛;
2)酸制绒:待步骤1)结束后,将硅片放入加有合德丰添加剂的氢氟酸和硝酸的混合溶液中,进行酸制绒后,产生制绒后的金刚线切割多晶硅片。
2.根据权利要求1所述的一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,其特征在于,所述硅片采用电阻率为0.5-3Ω·CM、尺寸为156.75*156.75mm规格的P型多晶硅片。
3.根据权利要求1所述的一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,其特征在于,所述步骤1)中碱制绒设备采用48所槽式制绒机。
4.根据权利要求1所述的一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,其特征在于,所述步骤2)中酸制绒设备采用Schmid链式制绒机。
5.根据权利要求1所述的一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,其特征在于,所述步骤1)的碱溶液中氢氧化钠的质量分数为0.8-1.2%,时创添加剂的质量分数为0.9-1.1%,余量为水,硅片在58-62℃下碱抛5-7min。
6.根据权利要求5所述的一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,其特征在于,所述硅片碱抛的减重控制在0.03-0.06g。
7.根据权利要求1所述的一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,其特征在于,所述步骤2)的酸溶液中氢氟酸的质量分数为17-19%,硝酸的质量分数为58-62%,合德丰添加剂的质量分数为0.5-0.7%,硅片在9-12℃下酸制绒175-185S。
8.根据权利要求5所述的一种改善多晶硅片出绒率的制绒方法,其特征在于,所述硅片酸制绒的减重控制在0.24-0.26g。
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