CN108493195B - 柔性tft背板的制作方法及柔性tft背板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种柔性TFT背板的制作方法及柔性TFT背板。该柔性TFT背板的制作方法一方面在柔性衬底(2)上制作出顶栅型金属氧化物TFT(T)，相比现有的底栅型低温多晶硅TFT，顶栅型金属氧化物TFT的均匀度较好、电子迁移率更高、寄生电容更小；另一方面，该柔性TFT背板的制作方法所制作出的缓冲层(3)与柔性衬底(2)接触的最下层为氮化硅薄膜(31)，能够使缓冲层(3)与柔性衬底(2)之间的黏附性好，缓冲层(3)的最上层为氧化铝薄膜(33)，能够使所述缓冲层(3)具备较好的防水汽能力。

Description

柔性TFT背板的制作方法及柔性TFT背板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性TFT背板的制作方法及柔性TFT背板。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中，OLED显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
现有的柔性OLED显示器一般包括柔性TFT(Thin Film Transistor ArraySubstrate，薄膜晶体管)背板以及设于柔性TFT背板上的OLED器件。所述柔性TFT背板用于对OLED器件进行驱动；所述OLED器件包括阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为：在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
在现有技术中，制作柔性TFT背板的过程一般是先在柔性衬底上制备缓冲层，然后再在缓冲层上制备以低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)为半导体层的底栅型TFT，但一方面LTPS大面积制备时均匀度较差，限制了它在大尺寸柔性OLED显示器件上的应用；另一方面，柔性衬底上的缓冲层的制备一直是一项技术挑战，既需要所述缓冲层与柔性衬底之间的黏附性好，又需要所述缓冲层具备较好的防水汽能力，而现有的柔性TFT背板的制作方法所制作出的缓冲层不能满足这两项要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性TFT背板的制作方法，一方面能够使得TFT的均匀度好、电子迁移率高、寄生电容小，另一方面既能够使柔性衬底上的缓冲层与柔性衬底之间的黏附性好，又能够使所述缓冲层具备较好的防水汽能力。
本发明的另一目的在于提供一种柔性TFT背板，一方面其内TFT的均匀度好、电子迁移率高、寄生电容小，适用于大尺寸柔性OLED显示器件，另一方面其内柔性衬底上的缓冲层与柔性衬底之间的黏附性好，且所述缓冲层具备较好的防水汽能力。
为实现上述目的，本发明首先提供一种柔性TFT背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供玻璃基板，对所述玻璃基板进行清洗和预烘烤；
步骤S2、在所述玻璃基板上涂布柔性衬底；
步骤S3、先在所述柔性衬底上反复沉积氮化硅薄膜与层叠在所述氮化硅薄膜上的氧化硅薄膜数次，再沉积氧化铝薄膜，形成缓冲层；
步骤S4、在所述缓冲层上沉积遮光薄膜并进行图案化处理，形成遮光层；
步骤S5、在所述缓冲层与遮光层上沉积绝缘层；
步骤S6、在所述绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并对所述金属氧化物薄膜进行图案化处理，形成位于所述遮光层上方且被遮光层遮住的金属氧化物有源层；
步骤S7、在所述金属氧化物有源层与绝缘层上沉积绝缘薄膜；
步骤S8、先在所述绝缘薄膜上沉积第一金属薄膜并对所述第一金属薄膜进行图案化处理，形成位于所述金属氧化物有源层中部上方的栅极，再以所述栅极为自对准图形对所述绝缘薄膜进行蚀刻，仅保留被所述栅极遮盖的部分绝缘薄膜，形成栅极绝缘层；
步骤S9、以所述栅极与栅极绝缘层为遮蔽对所述金属氧化物有源层进行离子掺杂，使得所述金属氧化物有源层两端未被所述栅极与栅极绝缘层遮蔽的部分成为导体部，而所述金属氧化物有源层被所述栅极与栅极绝缘层遮蔽的部分成为导电沟道；
步骤S10、在所述绝缘层、金属氧化物有源层、栅极绝缘层与栅极上沉积层间绝缘层，并对所述层间绝缘层进行图案化处理，形成贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与第二过孔，所述第一过孔与第二过孔分别暴露出所述金属氧化物有源层两端的导体部；
步骤S11、在所述层间绝缘层上沉积第二金属薄膜并对所述第二金属薄膜进行图案化处理，形成源极与漏极，所述源极与漏极分别经由所述第一过孔与第二过孔接触所述金属氧化物有源层两端的导体部；
所述金属氧化物有源层、栅极、源极与漏极构成顶栅型金属氧化物TFT。
所述柔性TFT背板的制作方法还包括：
步骤S12、在所述层间绝缘层、源极与漏极上沉积钝化层，并对所述钝化层进行图案化处理，形成贯穿所述钝化层的第三过孔，所述第三过孔暴露出所述漏极；
步骤S13、去除所述玻璃基板。
所述柔性衬底为黄色的聚酰亚胺薄膜或透明的聚酰亚胺薄膜。
所述步骤S3反复沉积氮化硅薄膜与层叠在所述氮化硅薄膜上的氧化硅薄膜的次数为2次～3次，所述氮化硅薄膜与氧化硅薄膜的叠层厚度为
Figure BDA0001612868320000031
Figure BDA0001612868320000032
所述步骤S3采用原子层沉积工艺沉积氧化铝薄膜，所述氧化铝薄膜的厚度为
Figure BDA0001612868320000033
所述步骤S4中遮光薄膜的材料为钼。
所述绝缘层的材料为氧化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000034
所述栅极绝缘层的材料为氧化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000035
所述层间绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000036
所述钝化层的材料为氧化硅或氮化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000037
所述第一金属薄膜与第二金属薄膜的材料均为钼、铝、铜、钛中的一种或多种的层叠组合，厚度均为
Figure BDA0001612868320000041
所述金属氧化物薄膜的材料为铟镓锌氧化物，厚度为
Figure BDA0001612868320000042
所述步骤S9对所述金属氧化物有源层进行N型离子重掺杂。
本发明还提供一种柔性TFT背板，包括：
柔性衬底；
覆盖所述柔性衬底的缓冲层；所述缓冲层自下至上包括数层相互层叠的氮化硅薄膜与氧化硅薄膜及位于最上层的氧化铝薄膜；
设于所述缓冲层上的遮光层；
覆盖所述缓冲层与遮光层的绝缘层；
于所述遮光层上方设于所述绝缘层上并被所述遮光层遮住的金属氧化物有源层；所述金属氧化物有源层包括位于其中部的导电沟道及位于其两端的导体部；
设于所述金属氧化物有源层中部上的栅极绝缘层；
设于所述栅极绝缘层上的栅极；
覆盖所述绝缘层、金属氧化物有源层、栅极绝缘层与栅极的层间绝缘层；所述层间绝缘层具有第一过孔与第二过孔，所述第一过孔与第二过孔分别暴露出所述金属氧化物有源层两端的导体部；
以及设于所述层间绝缘层上的源极与漏极；所述源极与漏极分别经由所述第一过孔与第二过孔接触所述金属氧化物有源层两端的导体部；
所述金属氧化物有源层、栅极、源极与漏极构成顶栅型金属氧化物TFT。
所述柔性TFT背板还包括覆盖所述层间绝缘层、源极与漏极的钝化层；所述钝化层具有第三过孔，所述第三过孔暴露出所述漏极。
本发明的有益效果：本发明提供的一种柔性TFT背板的制作方法，一方面在柔性衬底上制作出顶栅型金属氧化物TFT，相比现有的底栅型低温多晶硅TFT，顶栅型金属氧化物TFT的均匀度较好、电子迁移率更高、寄生电容更小；另一方面，本发明所提供的柔性TFT背板的制作方法所制作出的缓冲层与柔性衬底接触的最下层为氮化硅薄膜，能够使缓冲层与柔性衬底之间的黏附性好，缓冲层的最上层为氧化铝薄膜，能够使所述缓冲层具备较好的防水汽能力。本发明提供的柔性TFT背板，一方面通过在柔性衬底上设置顶栅型金属氧化物TFT，能够使得TFT的均匀度较好、电子迁移率更高、寄生电容更小，该柔性TFT背板适用于大尺寸柔性OLED显示器件；另一方面将缓冲层与柔性衬底接触的最下层设置为氮化硅薄膜，能够使缓冲层与柔性衬底之间的黏附性好，缓冲层的最上层设置为氧化铝薄膜，能够使所述缓冲层具备较好的防水汽能力。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的柔性TFT背板的制作方法的流程图；
图2为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S1的示意图；
图3为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S2的示意图；
图4为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S3的示意图；
图5为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S4的示意图；
图6为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S5的示意图；
图7为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S6的示意图；
图8为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S7的示意图；
图9与图10为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S8的示意图；
图11为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S9的示意图；
图12为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S10的示意图；
图13为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S11的示意图；
图14为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S12的示意图；
图15为本发明的柔性TFT背板的制作方法的步骤S13的示意图暨本发明的柔性TFT背板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明首先提供一种柔性TFT背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、如图2所示，提供玻璃基板1，对所述玻璃基板1进行清洗和预烘烤。
步骤S2、如图3所示，在所述玻璃基板1上涂布柔性衬底2。
具体地，该步骤S2所涂布的柔性衬底2为黄色的聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜或透明的PI薄膜。黄色的PI薄膜比透明的PI薄膜的耐热性更好。
步骤S3、如图4所示，先在所述柔性衬底2上反复沉积氮化硅(SiNx)薄膜31与层叠在所述氮化硅薄膜31上的氧化硅(SiOx)薄膜32数次，再采用原子层沉积工艺(AtomicLayer Deposition，ALD)沉积氧化铝(Al2O3)薄膜33，形成缓冲层3。
具体地，该步骤S3反复沉积氮化硅薄膜31与层叠在所述氮化硅薄膜31上的氧化硅薄膜32的次数优选为2次～3次以增加所述缓冲层3的防水性能，最终所述氮化硅薄膜31与氧化硅薄膜32的叠层厚度为
Figure BDA0001612868320000061
Figure BDA0001612868320000062
由于所述缓冲层3与柔性衬底2接触的最下层为氮化硅薄膜31，氮化硅薄膜31的附着性强，不易剥落，能够使得所述缓冲层3与柔性衬底2之间具有良好的黏附性。
所述氧化铝薄膜33的厚度为
Figure BDA0001612868320000063
由于所述氧化铝薄膜33的质地致密，覆盖缺陷的能力很强，阻挡水汽的效果显著，能够使所述缓冲层3具备较好的防水汽能力。
步骤S4、如图5所示，在所述缓冲层3上沉积遮光薄膜并以光罩(Mask)为工具进行图案化处理，形成遮光层4。
具体地，所述遮光薄膜的材料为钼(Mo)等不透光的金属。
步骤S5、如图6所示，在所述缓冲层3与遮光层4上沉积绝缘层5。
具体地，所述绝缘层5的材料为氧化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000064
步骤S6、如图7所示，在所述绝缘层5上沉积金属氧化物薄膜并以光罩为工具对所述金属氧化物薄膜进行图案化处理，形成位于所述遮光层4上方且被遮光层4遮住的金属氧化物有源层6。
具体地，所述金属氧化物薄膜的材料优选为铟镓锌氧化物(Indium Gallium ZincOxide，IGZO)，厚度为
Figure BDA0001612868320000071
步骤S7、如图8所示，在所述金属氧化物有源层6与绝缘层5上沉积绝缘薄膜7’。
具体地，所述绝缘薄膜7’的材料为氧化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000072
步骤S8、如图9与图10所示，先在所述绝缘薄膜7’上沉积第一金属薄膜并以光罩为工具对所述第一金属薄膜进行图案化处理，形成位于所述金属氧化物有源层6中部上方的栅极8，再以所述栅极8为自对准图形对所述绝缘薄膜7’进行蚀刻，仅保留被所述栅极8遮盖的部分绝缘薄膜7’，形成栅极绝缘层7。
具体地，所述第一金属薄膜的材料可以是钼、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)中的一种或多种的层叠组合，厚度为
Figure BDA0001612868320000073
步骤S9、如图11所示，以所述栅极8与栅极绝缘层7为遮蔽对所述金属氧化物有源层6进行离子掺杂，使得所述金属氧化物有源层6两端未被所述栅极8与栅极绝缘层7遮蔽的部分的电阻明显降低成为导体部61，而所述金属氧化物有源层6被所述栅极8与栅极绝缘层7遮蔽的部分保持半导体特性成为导电沟道62。
具体地，该步骤S9对所述金属氧化物有源层6所做的掺杂是N型离子(例如磷离子)重掺杂。
步骤S10、如图12所示，在所述绝缘层5、金属氧化物有源层6、栅极绝缘层7与栅极8上沉积层间绝缘层9，并以光罩为工具对所述层间绝缘层9进行图案化处理，形成贯穿所述层间绝缘层9的第一过孔91与第二过孔92，所述第一过孔91与第二过孔92分别暴露出所述金属氧化物有源层6两端的导体部61。
具体地，所述层间绝缘层9的材料为氧化硅或氮化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000074
Figure BDA0001612868320000075
步骤S11、如图13所示，在所述层间绝缘层9上沉积第二金属薄膜并以光罩为工具对所述第二金属薄膜进行图案化处理，形成源极101与漏极102，所述源极101与漏极102分别经由所述第一过孔91与第二过孔92接触所述金属氧化物有源层6两端的导体部61。
具体地，所述第二金属薄膜的材料可以是钼、铝、铜、钛中的一种或多种的层叠组合，厚度为
Figure BDA0001612868320000081
完成该步骤S11后，所述金属氧化物有源层6、栅极8、源极101与漏极102构成顶栅型金属氧化物TFT T。
步骤S12、如图14所示，在所述层间绝缘层9、源极101与漏极102上沉积钝化层11，并以光罩为工具对所述钝化层11进行图案化处理，形成贯穿所述钝化层11的第三过孔111，所述第三过孔111暴露出所述漏极102。
具体地，所述钝化层11的材料为氧化硅或氮化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000082
Figure BDA0001612868320000083
所述第三过孔111用于为后续要制作的OLED器件连接所述漏极102提供路径。
步骤S13、如图15所示，去除所述玻璃基板1。
至此完成柔性TFT背板的制作。
本发明的柔性TFT背板的制作方法，一方面在柔性衬底2上制作出顶栅型金属氧化物TFT T，相比现有的底栅型低温多晶硅TFT，所述顶栅型金属氧化物TFT T的均匀度较好、电子迁移率更高、寄生电容更小，所以经该柔性TFT背板的制作方法所制作出的柔性TFT背板适用于大尺寸柔性OLED显示器件；另一方面，本发明的柔性TFT背板的制作方法所制作出的缓冲层3与柔性衬底2接触的最下层为氮化硅薄膜31，能够使缓冲层3与柔性衬底2之间的黏附性好，缓冲层3的最上层为氧化铝薄膜33，能够使所述缓冲层3具备较好的防水汽能力。
请参阅图15，本发明还提供一种经上述柔性TFT背板的制作方法所制作出的柔性TFT背板，包括：
柔性衬底2；
覆盖所述柔性衬底2的缓冲层3；所述缓冲层3自下至上包括数层相互层叠的氮化硅薄膜31与氧化硅薄膜32及位于最上层的氧化铝薄膜33；
设于所述缓冲层3上的遮光层4；
覆盖所述缓冲层3与遮光层4的绝缘层5；
于所述遮光层4上方设于所述绝缘层5上并被所述遮光层4遮住的金属氧化物有源层6；所述金属氧化物有源层6包括位于其中部的导电沟道62及位于其两端的导体部61；
设于所述金属氧化物有源层6中部上的栅极绝缘层7；
设于所述栅极绝缘层7上的栅极8；
覆盖所述绝缘层5、金属氧化物有源层6、栅极绝缘层7与栅极8的层间绝缘层9；所述层间绝缘层9具有第一过孔91与第二过孔92，所述第一过孔91与第二过孔92分别暴露出所述金属氧化物有源层6两端的导体部61；
设于所述层间绝缘层9上的源极101与漏极102；所述源极101与漏极102分别经由所述第一过孔91与第二过孔92接触所述金属氧化物有源层6两端的导体部61；
以及覆盖所述层间绝缘层9、源极101与漏极102的钝化层11；所述钝化层11具有第三过孔111，所述第三过孔111暴露出所述漏极102；
所述金属氧化物有源层6、栅极8、源极101与漏极102构成顶栅型金属氧化物TFTT。
具体地：
所述柔性衬底2为黄色的PI薄膜或透明的PI薄膜；
在所述缓冲层3中：所述氮化硅薄膜31与氧化硅薄膜32的叠层厚度为
Figure BDA0001612868320000091
由于所述缓冲层3与柔性衬底2接触的最下层为氮化硅薄膜31，氮化硅薄膜31的附着性强，不易剥落，能够使得所述缓冲层3与柔性衬底2之间具有良好的黏附性；所述氧化铝薄膜33的厚度为
Figure BDA0001612868320000092
Figure BDA0001612868320000093
由于所述氧化铝薄膜33的质地致密，覆盖缺陷的能力很强，阻挡水汽的效果显著，能够使所述缓冲层3具备较好的防水汽能力；
所述遮光层4的材料为钼等不透光的金属；
所述绝缘层5的材料为氧化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000094
所述金属氧化物有源层6的材料优选为IGZO，厚度为
Figure BDA0001612868320000095
所述金属氧化物有源层6的导体部61内掺杂有N型离子(例如磷离子)；
所述栅极绝缘层7的材料为氧化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000096
所述栅极8的材料可以是钼、铝、铜、钛中的一种或多种的层叠组合，厚度为
Figure BDA0001612868320000097
所述层间绝缘层9的材料为氧化硅或氮化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000098
所述源极101与漏极102的材料可以是钼、铝、铜、钛中的一种或多种的层叠组合，厚度为
Figure BDA0001612868320000099
所述钝化层11的材料为氧化硅或氮化硅，厚度为
Figure BDA0001612868320000101
综上所述，本发明的柔性TFT背板的制作方法，一方面在柔性衬底上制作出顶栅型金属氧化物TFT，相比现有的底栅型低温多晶硅TFT，顶栅型金属氧化物TFT的均匀度较好、电子迁移率更高、寄生电容更小；另一方面，本发明的柔性TFT背板的制作方法所制作出的缓冲层与柔性衬底接触的最下层为氮化硅薄膜，能够使缓冲层与柔性衬底之间的黏附性好，缓冲层的最上层为氧化铝薄膜，能够使所述缓冲层具备较好的防水汽能力。本发明的柔性TFT背板，一方面通过在柔性衬底上设置顶栅型金属氧化物TFT，能够使得TFT的均匀度较好、电子迁移率更高、寄生电容更小，该柔性TFT背板适用于大尺寸柔性OLED显示器件；另一方面将缓冲层与柔性衬底接触的最下层设置为氮化硅薄膜，能够使缓冲层与柔性衬底之间的黏附性好，缓冲层的最上层设置为氧化铝薄膜，能够使所述缓冲层具备较好的防水汽能力。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种柔性TFT背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供玻璃基板(1)，对所述玻璃基板(1)进行清洗和预烘烤；
步骤S2、在所述玻璃基板(1)上涂布柔性衬底(2)；
步骤S3、先在所述柔性衬底(2)上反复沉积氮化硅薄膜(31)与层叠在所述氮化硅薄膜(31)上的氧化硅薄膜(32)数次，再沉积氧化铝薄膜(33)，形成缓冲层(3)；
步骤S4、在所述缓冲层(3)上沉积遮光薄膜并进行图案化处理，形成遮光层(4)；
步骤S5、在所述缓冲层(3)与遮光层(4)上沉积绝缘层(5)；
步骤S6、在所述绝缘层(5)上沉积金属氧化物薄膜并对所述金属氧化物薄膜进行图案化处理，形成位于所述遮光层(4)上方且被遮光层(4)遮住的金属氧化物有源层(6)；
步骤S7、在所述金属氧化物有源层(6)与绝缘层(5)上沉积绝缘薄膜(7’)；
步骤S8、先在所述绝缘薄膜(7’)上沉积第一金属薄膜并对所述第一金属薄膜进行图案化处理，形成位于所述金属氧化物有源层(6)中部上方的栅极(8)，再以所述栅极(8)为自对准图形对所述绝缘薄膜(7’)进行蚀刻，仅保留被所述栅极(8)遮盖的部分绝缘薄膜(7’)，形成栅极绝缘层(7)；
步骤S9、以所述栅极(8)与栅极绝缘层(7)为遮蔽对所述金属氧化物有源层(6)进行离子掺杂，使得所述金属氧化物有源层(6)两端未被所述栅极(8)与栅极绝缘层(7)遮蔽的部分成为导体部(61)，而所述金属氧化物有源层(6)被所述栅极(8)与栅极绝缘层(7)遮蔽的部分成为导电沟道(62)；
步骤S10、在所述绝缘层(5)、金属氧化物有源层(6)、栅极绝缘层(7)与栅极(8)上沉积层间绝缘层(9)，并对所述层间绝缘层(9)进行图案化处理，形成贯穿所述层间绝缘层(9)的第一过孔(91)与第二过孔(92)，所述第一过孔(91)与第二过孔(92)分别暴露出所述金属氧化物有源层(6)两端的导体部(61)；
步骤S11、在所述层间绝缘层(9)上沉积第二金属薄膜并对所述第二金属薄膜进行图案化处理，形成源极(101)与漏极(102)，所述源极(101)与漏极(102)分别经由所述第一过孔(91)与第二过孔(92)接触所述金属氧化物有源层(6)两端的导体部(61)；
所述金属氧化物有源层(6)、栅极(8)、源极(101)与漏极(102)构成顶栅型金属氧化物TFT(T)。
2.如权利要求1所述的柔性TFT背板的制作方法，其特征在于，还包括：
步骤S12、在所述层间绝缘层(9)、源极(101)与漏极(102)上沉积钝化层(11)，并对所述钝化层(11)进行图案化处理，形成贯穿所述钝化层(11)的第三过孔(111)，所述第三过孔(111)暴露出所述漏极(102)；
步骤S13、去除所述玻璃基板(1)。
3.如权利要求1所述的柔性TFT背板的制作方法，其特征在于，所述柔性衬底(2)为黄色的聚酰亚胺薄膜或透明的聚酰亚胺薄膜。
4.如权利要求1所述的柔性TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3反复沉积氮化硅薄膜(31)与层叠在所述氮化硅薄膜(31)上的氧化硅薄膜(32)的次数为2次～3次，所述氮化硅薄膜(31)与氧化硅薄膜(32)的叠层厚度为
Figure FDA0002416514410000021
5.如权利要求1所述的柔性TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3采用原子层沉积工艺沉积氧化铝薄膜(33)，所述氧化铝薄膜(33)的厚度为
Figure FDA0002416514410000022
6.如权利要求1所述的柔性TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中遮光薄膜的材料为钼。
7.如权利要求2所述的柔性TFT背板的制作方法，其特征在于，所述绝缘层(5)的材料为氧化硅，厚度为
Figure FDA0002416514410000023
所述栅极绝缘层(7)的材料为氧化硅，厚度为
Figure FDA0002416514410000024
所述层间绝缘层(9)的材料为氧化硅或氮化硅，厚度为
Figure FDA0002416514410000025
所述钝化层(11)的材料为氧化硅或氮化硅，厚度为
Figure FDA0002416514410000026
所述第一金属薄膜与第二金属薄膜的材料均为钼、铝、铜、钛中的一种或多种的层叠组合，厚度均为
Figure FDA0002416514410000031
8.如权利要求1所述的柔性TFT背板的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的材料为铟镓锌氧化物，厚度为
Figure FDA0002416514410000032
所述步骤S9对所述金属氧化物有源层(6)进行N型离子重掺杂。
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