CN108474101A - 蒸镀掩模及其制造方法、有机el显示装置的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩模及其制造方法、有机el显示装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供一种即使仅在表面具有凹凸的被蒸镀基板的底部的规定的位置上蒸镀蒸镀材料的情况下，蒸镀掩模与被蒸镀基板之间也没有间隙，且可以仅在所期望的位置进行蒸镀的蒸镀掩模及其制造方法。制作具有与被蒸镀基板的表面形状对应的凹凸的虚拟基板(S1)；通过在虚拟基板的凹凸面上涂布液状的树脂材料以形成树脂涂布膜(S2)；通过使树脂涂布膜的温度上升并锻烧树脂涂布膜来形成树脂锻烧膜(S3)。接着，通过在树脂锻烧膜上形成所期望的开口部的图案而形成具有所期望的开口部的树脂薄膜(S4)。之后，从所述虚拟基板剥离所述树脂薄膜而形成蒸镀掩模(S6)。

Description

蒸镀掩模及其制造方法、有机EL显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及在蒸镀有机EL显示装置的有机层时等使用的蒸镀掩模及其制造方法。更详细而言，涉及即使在表面有凹凸的基板的规定的位置上蒸镀蒸镀材料的情况下，在多余的场所也不覆盖蒸镀材料，在规定的场所能够正确蒸镀蒸镀材料的蒸镀掩模、其制造方法及使用该蒸镀掩模的有机EL显示装置的制造方法。
背景技术
在制造有机EL显示装置的情况下，例如在形成TFT等的开关元件的基板上对应每个像素而层叠有机层。因此，在基板上配置蒸镀掩模，经由该蒸镀掩模蒸镀有机材料，且仅在需要的像素上层叠需要的有机层。作为该蒸镀掩模，使用现有的金属掩模，但近年来，为了形成更精细的图案，有取代金属掩模而经常使用树脂薄膜的倾向。
此外，已知有如下方法：在被蒸镀基板上，设置例如PET、聚酰亚胺(polyamide)等的薄膜状掩模用部件，通过对该掩模用部件照射激光且设置开口，形成掩模，且经由该掩模的开口来蒸镀有机材料等，之后剥离该掩模(例如参照专利文件1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2013-20764号公开公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
如上所述，若试图使用由金属掩模或树脂薄膜构成的蒸镀掩模，在具有凹凸的表面的被蒸镀基板上进行蒸镀，由于蒸镀掩模仅接触被蒸镀基板的凸部表面，蒸镀材料也进入本来应被蒸镀掩模覆盖的蒸镀基板的凹部内的可能性很大。例如，在蒸镀有机EL显示装置的有机层的情况下，TFT等的凹凸，暂时被在其上设置的平坦化膜平坦化，但该平坦化膜上形成区分各像素的堤部(bank)。将蒸镀掩模放置于该堤部的上面并进行蒸镀。因此，蒸镀材料也覆盖在蒸镀掩模的下侧的堤部的侧壁。其结果，当使有机EL显示装置的各像素发光时，从堤部的侧壁上蒸镀的蒸镀材料往斜方向发射光，并与邻接的像素的光混合，因而有图像变得不鲜明的的问题。
此外，如上述专利文献1所示，例如，在蒸镀表面具有凹凸的TFT基板的有机材料的位置上，载置膜状掩模用部件，通过对该掩模用部件照射激光以形成开口，即使形成掩模，由于以膜的状态载置于凹凸的表面，因此不覆盖TFT基板的凹部。该方法，由于通过掩模用部件直接观察阳极电极的同时在掩模用部件中形成开口，因此预想掩模的开口部与TFT基板蒸镀的规定位置可以正确对准，但如上述的蒸镀掩模与TFT基板的蒸镀的位置之间蒸镀材料覆盖的问题不能解除。即，TFT基板的表面有凹凸时，掩模部件与TFT基板不能完全紧贴。例如制造有机EL显示装置时，即使在堤部上重叠蒸镀膜状的蒸镀掩模，堤部的侧壁上也覆盖有蒸镀材料，通过从堤部的侧壁往斜方向发射光，也会产生像素间的混色问题。
此外，如上所述，在TFT基板上直接形成掩模部件，当将有机材料等作为的蒸镀掩模维持原状地进行蒸镀时，在形成蒸镀掩模的开口时，必须要照射激光，也存在损害TFT的元件特性的问题。进一步地，例如RGB的子像素中，在空穴注入层、空穴输送层、电子输送层等中，即使在RGB的各子像素的2个以上使用共用的有机材料的情况下，也必须在每个RGB的子像素中全部形成有机材料的层叠膜。即，在RGB的各子像素中，即使在相同层结构的部分蒸镀相同的材料的情况下，也需要在各子像素中分别再次蒸镀相同的材料，不仅浪费材料，也有制造工时大幅增加的问题。进一步地，例如R的子像素的层叠结束后，必须去除蒸镀掩模而再次形成其他的G的子像素用的蒸镀掩模，也担心对已层叠的R的子像素的有机材料的不良影响。
本发明由于是为解决这样的问题而完成的，其目的在于提供一种蒸镀掩模及其制造方法，该蒸镀掩模即使在仅在表面有凹凸的被蒸镀基板的底部的规定的位置蒸镀蒸镀材料的情况下，蒸镀掩模和被蒸镀基板之间也没有间隙，能够在仅在所期望的位置进行蒸镀。
本发明的其他目的在于，提供一种蒸镀掩模及其制造方法，该蒸镀掩模在蒸镀蒸镀材料的情况下，可以不妨碍来自蒸镀源的蒸镀材料的飞散而在所期望的位置可靠地蒸镀蒸镀材料。
本发明的另一个目的在于，提供一种蒸镀掩模的制造方法，其中，蒸镀掩模的线膨胀率基于被蒸镀基板和蒸镀掩模之间的线膨胀系数的差被调整以使不产生图案偏移。
本发明的另一个目的在于，提供一种使用上述蒸镀掩膜制造的有机EL像是装置的制造方法，更详细而言，提供一种在制造时，不使蒸镀材料覆盖不需要的位置而进行蒸镀的方法。
解决问题的方案
本发明的蒸镀掩模，是在表面上具有凹凸的被蒸镀基板的表面的规定的位置上用于蒸镀层叠膜而形成的蒸镀掩模，其由树脂薄膜形成，一面是平坦面，另一面具有与所述被蒸镀基板的凹凸形状的反转形状对应的凹凸形状，并在与所述规定的位置对应的部分具有开口部。
所述开口部形成为从所述一面到所述另一面侧开口变小的锥形形状，通过使所述锥形形状的锥形角度形成为等于或小于从蒸镀材料源飞出的蒸镀材料的蒸镀角度，因此优选飞出的蒸镀材料不被蒸镀掩模阻止。
此处，锥形角度是指锥形形状的棱线与锥形形状的底边所形成的角度，例如图5A所示，是指开口部13的底边(与锥形形状的中心轴垂直的平面)与壁面所形成的角度α，即，形成开口部13的结果，留下的凸部12a的底边与壁面所形成的角度α，或虚拟堤部33的锥形部的底边与斜面所形成的角度β，蒸镀角度是指，如图5B～5D的θ所示，是根据蒸镀源的容器开口部的形状所决定的角度，是从蒸镀源发射的蒸镀材料(蒸镀颗粒)的发射角度(发射的蒸镀材料的发散角的最大角度)的1/2的余角，即，为蒸镀材料的最大发散角时的蒸镀颗粒的轨迹与水平面所形成的锐角。
本发明的蒸镀掩模的制造方法，是为了在表面上具有凹凸的被蒸镀基板的表面的规定的位置形成层叠膜，而用于在所述规定的位置蒸镀蒸镀材料的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，包括以下工序：制作具有与所述被蒸镀基板的表面形状对应的凹凸的虚拟基板；通过在所述虚拟基板的凹凸面上涂布液状的树脂材料直到表面大致变得平坦为止来形成树脂涂布膜；通过使所述树脂涂布膜的温度上升至所述树脂材料固化的温度并锻烧所述树脂涂布来形成树脂锻烧膜；通过将激光照射至附着于所述虚拟基板的所述树脂锻烧膜并进行加工，且通过在所述树脂锻烧膜上形成所期望的开口部的图案而形成具有所期望的开口部的树脂薄膜；通过从所述虚拟基板剥离所述树脂薄膜而形成蒸镀掩模。
在通过照射所述激光而形成所述开口部的图案时，通过在用于形成所述开口部的图案的激光掩模的开口的周缘，形成越行进到所述开口的端缘激光的透射率越下降的激光透射率的渐减区域，从而所述开口部的图案的各开口部在所述树脂薄膜的厚度方向形成锥形形状。
通过调整所述树脂材料的涂布厚度、所述锻烧时的锻烧温度、所述锻烧的时间、以及锻烧温度与锻烧时间的曲线轮廓中的至少一个的同时，进行所述树脂涂布膜的锻烧，并使通过锻烧而形成的所述树脂锻烧膜的线膨胀率与所述被蒸镀基板的线膨胀率间的差在3ppm/℃以下。
本发明的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：制作具有与层叠有机层的所述被蒸镀基板的表面形状对应的凹凸的虚拟基板；通过在所述虚拟基板的凹凸面上涂布液状的树脂材料直到表面大致变成平坦为止，并对锻烧的树脂锻烧膜照射激光来形成开口部的图案，从而形成树脂薄膜，并通过从所述虚拟基板剥离所述树脂薄膜来形成蒸镀掩模；通过将所述蒸镀掩模定位并重合在装置基板上形成TFT及第一电极、且形成区分各像素的堤部的蒸镀基板上，并蒸镀有机材料，从而在所述被蒸镀基板上层叠有机层；去除所述蒸镀掩模以形成第二电极。
所述堤部形成为截面形状为头尖的锥形形状，通过形成所述堤部以使所述堤部的锥形的角度成为从所述有机材料的蒸镀源飞出的蒸镀材料的蒸镀角度以下，从而不会妨碍来自蒸镀源的蒸镀材料的飞出，容易蒸镀在所期望的位置。另外，锥形角度及蒸镀角度与所述意义相同。
发明效果
本发明的蒸镀掩模，表面虽是平坦的，但因为背面具有与被蒸镀基板的凹凸形状的反转形状对应的凹凸形状，即使在将蒸镀掩模重合于表面上具有凹凸的蒸镀基板的情况下，也嵌合凹凸，且使蒸镀掩模与被蒸镀基板正确地对位。进一步地，由于嵌合至蒸镀基板的表面的凹凸，阶差部分也完全被覆盖。其结果，例如即使在使用作为有机EL显示装置的蒸镀掩模的情况下，由于堤部的侧壁也被蒸镀掩模覆盖，则去除蒸镀掩模后有机材料未覆盖在堤部的侧壁上。即，即使在表面有凹凸的被蒸镀基板上蒸镀蒸镀材料的情况下，也不会在不期望的位置覆盖有所有的蒸镀材料。
此外，蒸镀掩模上形成的开口形成为向蒸镀掩模的厚度方向变细成锥状(往内变细)，锥状的前端的小开口形成为蒸镀所期望的蒸镀材料的规定区域，进一步地，通过该锥形角度形成为在蒸镀源的蒸镀角度以下，由此从蒸镀源飞出的蒸镀材料不会被蒸镀掩模阻挡，并优选在所期望的蒸镀位置以所期望的厚度均匀蒸镀。
根据本发明的蒸镀掩模的制造方法，由于在具有与被蒸镀基板的表面凹凸相同的凹凸的虚拟基板上涂布液状的树脂材料以形成蒸镀掩模，因此容易地形成与蒸镀基板的凹凸嵌合的掩模。进一步地，由于规定的位置以外的部分被蒸镀掩模覆盖，因此蒸镀材料不会覆盖在不期望的位置。作为虚拟基板，可以将蒸镀原本的蒸镀材料的被蒸镀基板的1片作为虚拟基板，也可以通过金属板等形成模仿表面形状的基板。由于为了锻烧蒸镀掩模的树脂材料并固化，需要将温度提高至500℃左右，因此需要承受得住这种程度的温度的耐热性，但只要有耐热性，也可以使用其他的材料。此外，也可以不形成被不是实际上使用的被蒸镀基板，例如平坦化膜遮蔽的元件等，而仅形成在该平坦化膜上形成的例如堤部等。
根据本发明的有机EL显示装置的制造方法，由于有机材料不覆盖堤部的侧壁，因此不与其他的像素混色，此外，由于各像素都能够以从均匀的有机层发光的均匀光构成显示器，因此能获得显示质量非常优异的有机EL显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模的制造方法的流程图。
图2A是图1的S3的工序的平面的说明图。
图2B是图1的S4的工序的平面的说明图。
图2C是图1的S5的工序的平面的说明图。
图2D是图1的S6的工序的平面的说明图。
图3A是图1的S3的工序的截面的说明图。
图3B是图1的S4的工序的截面的说明图。
图3C是图1的S5的工序的截面的说明图。
图3D是图1的S6的工序的截面的说明图。
图4A是表示本发明的有机EL显示装置的制造方法的一个实施方式的制造工序的截面的说明图。
图4B是表示本发明的有机EL显示装置的制造方法的一个实施方式的制造工序的截面的说明图。
图4C是表示本发明的有机EL显示装置的制造方法的一个实施方式的制造工序的截面的说明图。
图4D是表示本发明的有机EL显示装置的制造方法的一个实施方式的制造工序的截面的说明图。
图5A是说明本发明的蒸镀掩模的开口部的锥形角度的图。
图5B是使用本发明的蒸镀掩模蒸镀蒸镀材料时的说明图。
图5C是说明蒸镀掩模的开口部的锥形角度大于蒸镀源的蒸镀角度时的问题的图。
图5D是说明TFT基板的掩模的锥形角度大于蒸镀掩模的开口部的锥形角度时的问题的图。
图6是说明形成图2A的树脂涂布膜的一个例子的图。
图7A是通过激光的照射形成蒸镀掩模的开口部时的说明图。
图7B是通过激光的照射形成蒸镀掩模的开口部时的说明图。
图7C是通过激光的照射形成蒸镀掩模的开口部时的说明图。
具体实施方式
接着，一边参照附图，一边以有机EL显示装置的制造方法为例说明本发明的蒸镀掩模及其制造方法。图1中表示本发明的一个实施方式的蒸镀掩模的制造方法的流程图，图2A～3D分别表示该图1的S3～S6的各工序中的平面及截面的说明图。
本实施例的蒸镀掩模，是用于在表面上具有凹凸的蒸镀基板的表面的规定的位置通过蒸镀形成层叠膜的蒸镀掩模10，如图3D中部分截面的说明图所示，具有由树脂薄膜11形成的、一个表面10a为平坦面，另一表面10b具有与被蒸镀基板20(参照图4A)的凹凸形状的反转的形状对应的凹凸形状部12，且在与规定的位置对应的部分具有开口部13。在图3D所示的例子中，形成树脂薄膜11的开口部13的结果，开口部13以头尖的锥形形状形成，以使剩余的凸部12a呈锥形形状。关于形成该锥形形状的理由及其锥形角度的详情将后述。
该树脂薄膜11如后所述，通过涂布液状的树脂材料并煅烧而形成。因此，即使是表面有凹凸的被蒸镀基板20(参照图4A)，也容易形成具有对应于该凹凸的反转的凹凸形状部12的蒸镀掩模10。作为材料，虽然将后述，但能使用具有耐热性的树脂。优选以能根据锻烧条件调整线膨胀率的聚酰亚胺(polyamide)膜构成。但是，并不限定于此。由于该聚酰亚胺(polyamide)在锻烧前的状态为液状，且黏度某种程度很小，因此被蒸镀基板20的表面的凹凸形状不被限定，可以对应于各种凹凸。例如在后述的例子中，说明了在形成TFT等的表面上形成平坦膜，该表面上区分各子像素的堤部23(参照图4A)形成的凹凸的例子，但在形成TFT等的凹凸表面上直接蒸镀有机材料的情况下，也能形成匹配该凹凸的蒸镀掩模10。
为了制造该蒸镀掩模10，图1中显示其流程图，如图2A～3D中分别示出图1的S3～S6的各工序的平面及其一部分截面的说明图，制作具有对应于被蒸镀基板20(参照图4A)的表面形状的凹凸的虚拟基板30(参照图3A)(S1)。然后，通过虚拟基板30的凹凸面上涂布液状的树脂材料11a(参照图6)，来形成树脂涂布膜11b(参照图6)(S2)。之后，使树脂涂布膜11b的温度上升至树脂材料固化的温度为止，通过锻烧树脂涂布膜11b，如第2A及3A图所示，形成树脂锻烧膜11c(S3)。此时，树脂锻烧膜11c与虚拟基板30之间形成短波长光吸收层11d。接着，如图7A所示，通过经由激光用掩模41将激光照射至附着于虚拟基板30的树脂锻烧膜11c上并进行加工，如图2B及3B所示，通过在树脂锻烧膜11c上形成所期望的开口部13的图案，来形成具有所期望的开口部13的图案的树脂薄膜11(S4)。之后，如图2C及3C所示，在树脂薄膜11的周缘安装框体14(S5)。之后，通过从虚拟基板30剥离树脂薄膜11，来形成蒸镀掩模10(S6)。
即，本发明中，由树脂薄膜制成的蒸镀掩模10，通过在虚拟基板30上涂布树脂材料11a并锻烧而形成。因此，被蒸镀基板20(参照图4A)的表面无需是平坦的，即使具有凹凸的被蒸镀基板20也具有沿着该凹凸形成蒸镀掩模10的特征。其结果，即使在具有凹凸的蒸镀基板上重叠蒸镀掩模的情况下，覆盖其凹凸全体，由于可以只露出所期望的位置，因此可以得到特别高性能的设备。例如，在制造有机EL显示装置的情况下，区分平坦化膜上形成的各子像素的堤部23上放置蒸镀掩模10(参照图4A)，但在平板状的蒸镀掩模中，在堤部23的上表面，和蒸镀蒸镀材料的堤部23的底侧部的子像素区域之间产生阶差，且堤部23的侧壁上覆盖有蒸镀材料。但是，本发明中，由于该侧壁部也被蒸镀掩模10覆盖，能消除蒸镀材料覆盖规定的位置以外的问题。
其次，该蒸镀掩模10的制造方法，根据具体例更详细地说明。首先，制作表面上具有与蒸镀蒸镀材料的被蒸镀基板20(参照图4A)的表面的凹凸对应的凹凸的虚拟基板30(参照第3A图)(图1的S1)。虚拟基板30设为用于涂布并煅烧树脂材料11a(参照图6)的基板的同时，形成与被蒸镀基板20相同的凹凸以使制造的树脂薄膜11的背面与被蒸镀基板20的表面凹凸咬合。即，在虚拟TFT基板31的表面，形成与被蒸镀基板20(参照图4A)的第一电极22及堤部23的表面凹凸对应的虚拟电极32及虚拟堤部33，且以能承受得住树脂材料11a的锻烧温度的材料形成。例如，在形成有机EL显示装置的蒸镀掩模的情况下，由于被蒸镀基板20不论多少片都统一制造，因此可以将其中的一片用作虚拟基板30。
但是，在被蒸镀基板20的堤部23以丙烯酸树脂等形成的情况下，由于承受不住树脂涂布膜11b锻烧时的温度，因此优选以SiOx或SiNy等的无机物来形成。此外，由于蒸镀掩模10优选比实际的被蒸镀基板20大一圈，因此优选在实际的被蒸镀基板20的周围形成突出部或在树脂薄膜11的周围的外侧形成框体。进一步地，只要表面形状相同即可，并且也可以省略在平坦化膜(虽未图示，但为TFT基板21的表面侧的层)的下侧形成的TFT等。这些TFT基板21由于形成相同的形状，因此即使将任意一片用作虚拟基板30制来造蒸镀掩模10，并在其他的TFT基板上用作蒸镀掩模10的情况下，也完全嵌合被蒸镀基板20的凹凸且不会产生间隙。进一步地，也可以以不同于TFT基板21的金属等其他材料来形成。但是，优选承受得住树脂材料11a的锻烧温度(50℃左右)，并且与实际的被蒸镀基板20的线膨胀率具有3ppm左右以下的线膨胀率差的材料。该理由如下。
即，在作为有机EL显示装置的有机层的蒸镀掩模而被使用的情况下，由于在形成有机层的被蒸镀基板上固定该蒸镀掩模，因此当与被蒸镀基板的线膨胀率的差变大时，有意作为被蒸镀基板的像素的蒸镀区域与蒸镀掩模的开口位置产生偏离。例如若设显示面板的一边的大小为100cm，开口(被蒸镀的有机层的每种颜色的子像素)的一边的大小为60μm见方，位置偏离容许值为9μm(相对于60μm为15％)，则所述线膨胀率差为3ppm时，以3℃的上升(蒸镀时的温度上升)产生9μm的位置偏离(容许值上限)。该子像素的大小是显示面板的一边的大小为100cm时的例子，但一般来说，显示面板的一边与子像素的一边，如果分辨率相同的话，大致成比例而改变，因此当试图在例如50cm的显示面板中为相同的分辨率(所述的例子为5.6k的分辨率)时，子像素的一边的长度为30μm。因此，对于50cm的长度，容许位置偏离的容许值为4.5μm(15％)。即，由于容许以3℃下4.5μm/50cm的膨胀，因此线膨胀率为3ppm/℃，对于任何大小的显示装置，该关系都成立。
因此，需要蒸镀掩模10与使用该掩模的基板(被蒸镀基板20)的线膨胀率的差为3ppm/℃以下。另一方面，由该树脂材料形成的树脂薄膜11与虚拟基板30之间的线膨胀率的差大时，由激光加工形成微细图案的树脂薄膜11在室温下从虚拟基板30剥离后，因热变形的影响树脂薄膜11容易卷曲。由于锻烧树脂涂布膜11b时的温度在400℃以上500℃以下时为相当高的温度，因此因锻烧时的热膨胀引起的尺寸差变大，但由激光加工的微细图案的形成由于在室温下进行，不会产生图案的位置偏离问题。但是，如果在激光加工时，照射为飞(femto)秒程度的非常小的脉冲宽度的激光，则局部加热下的树脂薄膜的膨胀几乎不成问题，但通常的μsec(微秒)程度的脉冲宽度的激光时，估计会有数℃左右的温度上升。因此，该树脂薄膜11与虚拟基板30之间的线膨胀率的差也优选为3ppm/℃以下程度。即，作为蒸镀掩模使用时的基板的线膨胀率、和该虚拟基板30的线膨胀率之间的差，考虑±3ppm/℃，为6ppm/℃以下，更优选为3ppm/℃。
其次，通过在虚拟基板30上涂布液状的树脂材料11a(参照图6)来形成树脂涂布膜11b(参照图6)(图1的S2)。该液状的树脂材料11a的涂布，只要可以控制膜厚的方法即可，例如如所述图6所示，能够使用狭缝式涂布(Slit Coat)的方法来涂布。即，一边对狭缝模头5供给树脂材料11a的同时，一边从狭缝模头5的前端部带状地吐出液状树脂材料11a，同时通过使狭缝模头5依序移动来涂布。在液状树脂材料11a的吐出量不完全均匀的情况下等，有时在被涂布的状态下不完全平坦，表面上有起伏。这是因为为了形成厚度为数μm到数十μm程度的涂布膜，将材料的粘度提高到某程度。不过，即使表面上有起伏，也大致呈平坦状态，在之后的锻烧工序中通过加热，使粘度暂时下降而平坦化。因此，最终成为平坦面。然后，在虚拟基板30的凸面上，形成3μm以上10μm以下程度的树脂涂布膜11b，表面大致平坦化。另外，通过涂布液状树脂材料11a，即使卷入气泡，由于树脂涂布膜11b的厚的地方(虚拟基板30的凹部的地方)也在20μm左右以下，因此100nm(毫微米)以上的气泡完全没有，遍及形成开口部13的整个微细图案形成区域，形成紧贴于虚拟基板30的树脂涂布膜11b。另外，该树脂材料11a的涂布，也可以不是狭缝式涂布，而是例如以旋转涂布等其他的方法来涂布。在形成大的树脂薄膜的情况下，旋转涂布在材料的使用效率方面不适合，但能得到紧贴于虚拟基板30且表面平坦的树脂涂布膜11b。
作为树脂材料11a，是能够锻烧的材料，而且只要是吸收激光加工的激光的材料即可。不过，如上所述，在使用树脂薄膜11作为蒸镀掩模10的情况下，优选放置蒸镀掩模10的被蒸镀基板20及形成树脂涂布膜11b的虚拟基板30之间的线膨胀率的差小的材料。因为一般而言使用玻璃板作为有机EL显示装置的基板，从该观点来看，优选聚酰亚胺(polyamide)。聚酰亚胺是包含酰亚胺(imide)结合的高分子树脂的总称，通过加热、锻烧为前驱体的聚酰亚胺酸(常温下为液体)来促进酰亚胺化反应，从而能够成为膜状的聚酰亚胺。此外，由于可以根据锻烧时的条件调整线膨胀率，因此容易配合上述有机EL显示装置的被蒸镀基板20或虚拟基板30的线膨胀率，所以特别优选。一般的聚酰亚胺的线膨胀率位20ppm/℃以上60ppm/℃以下程度，但根据锻烧条件，也能够接近玻璃的线膨胀率4ppm/℃。例如，通过进行更高温、长时间的锻烧，可以缩小线膨胀率。作为装置基板，有时也使用树脂薄膜等其他的基板材料而不是玻璃板，且配合该基板材料的线膨胀率选择树脂材料，除了聚酰亚胺以外也能使用透明聚酰亚胺、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、COP(环烯烃聚合物)、COC(环烯烃类共聚物)、PC(聚碳酸酯)等。
接着，如第2A及3A图所示，通过使树脂涂布膜11b的温度上升至树脂材料11a固化的温度例如450℃左右来锻烧树脂涂布膜11b以形成树脂锻烧膜11c(图1的S3)。在该锻烧时，树脂锻烧膜11c与虚拟基板30之间的界面如第3A图所示，形成短波长光吸收层11d。短波长光吸收层11d，在锻烧树脂涂布膜11b锻烧时，由于与虚拟基板30(例如ITO(氧化铟锡)或氮化硅膜)的树脂材料不同的材料相接，因此通过树脂材料11a的接触面变质而形成。其结果，紫外线等的短波长的光变得比树脂材料11a更容易吸收。作为短波长光吸收层11d的厚度，为5nm以上100nm以下程度。为了形成特别容易吸收该短波长光的层，在该锻烧前，在虚拟基板30上以极薄层涂布硅烷耦合(silane coupling)剂等的密合性改善、表面改质剂之后，优选形成树脂涂布膜11b。通过该锻烧，得到经由短波长光吸收层11d紧贴于虚拟基板30的树脂锻烧膜11c。此外，本发明中，虽然树脂涂布膜11b与虚拟基板30之间紧贴，树脂涂布膜11b与虚拟基板30之间不可能形成浮起，但如果形成气泡时，该浮起部分不形成短波长光吸收层11d，并且在树脂锻烧膜11c与虚拟基板30之间形成空隙部。因此，同样地，剥离是容易的。
该锻烧，例如通过在炉内整体加热而不是虚拟基板30的加热来进行。但是，也可以从虚拟基板30的背面侧加热。该加热时的温度曲线轮廓，能够根据目的而改变。
即，第一，当在树脂锻烧膜11c的背面形成气泡等时，在形成下一个开口部13时，容易产生毛刺(burr)等。因此，在煅烧该树脂涂布膜11b时，期望能可靠地阻止卷入气泡。如上所述，树脂涂布膜11b由于通过涂布液状的树脂材料11a而形成，因此气泡不怎么卷入。但是，虚拟基板30的表面有凹凸，在虚拟基板30上涂布液状的树脂材料11a时可能会卷入气泡。因此，锻烧的初期优选为100℃以下的温度，且维持约10分钟以上60分钟以下。在低温中的长时间的加热，由于树脂涂布膜11b中卷入的气泡从树脂涂布膜11b的表面放出，所以是优选的。如果为100℃以下，固化不会产生，反而流动性增加，由于卷入的气泡也膨胀，因此气泡容易从10μm以上20μm以下程度的树脂涂布膜11b的表面逸出。此外，由于锻烧，在温度上升时，温度并不限于在整个表面均匀地上升。从这点来看，通过在温度上升初期确保充分的时间，也有树脂涂布膜11b的温度容易变均匀的效果。
第二，在作为树脂材料11a而使用聚酰亚胺时，如上所述，根据其锻烧条件，线膨胀率变化。因此，根据该锻烧条件，如上所述，树脂薄膜11能够在与被蒸镀基板20、虚拟基板30的线膨胀率接近的条件下锻烧。例如，虽在为聚酰亚胺的情况下以450℃左右锻烧，但在进一步使温度上升至接近500℃，且放置约10分钟以上60分钟以下时，可以减小线膨胀率。此外，在以450℃左右锻烧后，通过进一步维持其温度30分钟以上，也可以减小树脂薄膜11的线膨胀率。相反地，通过以大台阶(step，大幅提高温度，且长时间维持该温度的台阶)的曲线轮廓(profile)使温度上升并进行煅烧，可以增大树脂薄膜11的线膨胀率。根据这些观点，优选使树脂涂布膜11b的锻烧每5分钟以上120分钟以下以10℃以上200℃以下的温度阶段性上升，直至上升至锻烧温度。该范围可以根据作为目的的树脂薄膜的特性、树脂材料等来确定。
接着，如图2B及3B所示，通过将激光照射至附着于虚拟基板30的状态下的树脂锻烧膜11c并进行加工，从而在树脂锻烧膜11c上形成具有所期望的开口部13的树脂薄膜11(S4)。
该激光的照射，例如，如图7A所示，通过从其表面侧经由具有所期望的开口部41a的图案的激光用掩模41与光学镜片42照射激光，从而缩小并转印激光用掩模41的开口部41a的图案。该激光照射装置利用步进机移动，通过在大的锻烧膜11c上依次形成开口部13的图案，由此形成树脂薄膜11(因为开口部13全部形成以形成树脂薄膜11，因此未图示)。光学镜片42不是必需的，但在取得加工面的照射能量密度时有效。在这种情况下，光学镜片42配置于与激光用掩模41相比在激光的进行方向的更下游侧(树脂锻烧膜11c侧)，并使激光聚集。例如，在使用10倍的光学镜片42的情况下，能量密度变为100倍，但激光用掩模41的转印图案变为刻度的10分之1。经由该激光的照射，透过激光用掩模41的开口部41a的激光使树脂锻烧膜11c的一部分被烧掉。其结果，根据照射激光的激光用掩模41的开口部41a的图案，在树脂锻烧膜11c上形成与该图案相同或是被缩小的开口部13的微细图案。由此，在虚拟基板30上形成具有微细图案的树脂薄膜11。
激光照射的条件，根据加工的树脂锻烧膜11c的材料、厚度、加工的开口部13的大小或形状等而不同，但一般而言，激光的脉冲频率为1Hz以上60Hz以下，脉冲宽度为1纳秒(nsec)以上15纳秒以下，每1脉冲的照射面中的激光的能量密度在0.01J/cm2以上1J/cm2以下的条件下进行。
为了形成蒸镀有机EL显示装置的有机层时的蒸镀掩模10，例如在60μm见方的开口以60μm左右的间隔形成矩阵状的情况下，在60Hz的脉冲频率、脉冲宽度为7nsec、照射面上的激光的能量密度为每一脉冲0.36J/cm2、发射数量(照射的脉冲数量)为100的条件下，波长355nm(YAG激光的3倍波)的激光对由聚酰亚胺构成的5μm厚的树脂锻烧膜11c照射。
然而，照射的激光，并不限定于YAG激光。只要是能吸收树脂材料的波长的激光即可。因此，也可以使用准分子激光(Excimerlaser)、He-Cd(氦-镉)激光等其他的激光。当然，若激光源改变，或树脂材料改变，则照射条件改变，这是不言而喻的。在上述示例中，为了形成开口部的图案，进行了100次的照射，但在5μm厚的聚酰亚胺膜上以大约50次打开贯通孔。
该开口部13如图5A所示(图5A中，仅在虚拟堤部33的两侧各记载了开口部13的一半)，从蒸镀掩模10(参照图3D)的一面10a到另一面10b侧开口变小，即，优选形成头尖的锥形。更具体而言，开口部13的锥形角度α，即形成开口部13的结果，剩下的凸部12a的锥形角度α(锥形的底面与斜面形成的角度)，优选与从蒸镀源60(参照图5B)发射的蒸镀材料的蒸镀光束的蒸镀角度θ(蒸镀材料的发射角度的1/2的余角)相同或更小。如果该蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α为与蒸镀源60的蒸镀角度θ相等，或是更小的角度α1的话，则在蒸镀时，如图5B所示，即使从蒸镀源60发射的蒸镀光束的侧缘的蒸镀颗粒也不会被蒸镀掩模10遮挡，而是覆盖在开口部13的底面露出的第一电极22的端部上。另一方面，如图5C所示，当该开口部13的锥形角度α为比蒸镀角度θ大的角度α2时，发射的蒸镀材料被蒸镀掩模10的凸部12a遮挡，且在开口部13的底面的端部不沉积蒸镀材料。
具有锥形的开口部13的蒸镀掩模是例如通过以越往周端部激光的透射率越下降的方式形成上述的激光用掩模41(参照图7A)的开口部41a的周缘部而得到的。上述的激光用掩模41，例如如下形成。即，如图7B所示，在透射石英玻璃板等的激光的透明基板上形成铬等的遮光薄膜41b，之后，通过该遮光薄膜41b的图案化形成开口部41a。因此，该遮光薄膜41b例如能通过图7C中概念性示出的、点式形成而形成。图7C中，为了方便起见，将开口部41a划分为第1部分41a1、第2部分41a2、第3部分41a3，但也可以不进行这样的区分。由此，该第1部分41a1因为完全不形成遮光薄膜41b，所以100％透射。第2部分41a2中，稀疏地形成遮光薄膜41b，且其面积形成为20％左右。其结果，该第2部分41a2的透射率为80％。进一步地，第3部分41a3，以遮光薄膜41b的量在面积上为50％左右的方式形成。其结果，该第3部分41a3的透射率为50％左右。通过形成激光用掩模41以使朝向该周端缘的透射率急剧变化，由此开口部13的锥形角度α变大，通过形成地使透射率的变化变得缓慢，由此开口部13的锥形角度α变小。
该例中，为了使说明容易理解，分割说明第1部分41a1、第2部分41a2、第3部分41a3，且成为分散遮光薄膜41b而形成的图，但实际上，因为激光的转印分辨率为2μm，例如2μm见方被等分为5个垂直部分和水平部分，在全部25个部分(segment)的一部分上形成遮光薄膜41b，以使能够调整激光的透射率。通过使该透射率越连续地向周围行进则越变小，由此可以形成锥状的开口部13。
当激光的透射率以这种方式慢慢降低时，入射至树脂锻烧膜11c的激光变弱，并且使树脂锻烧膜11c挥发的的力变弱。其结果，从表面侧去除的量在周围变弱，形成锥状的开口部13。
接着，如图2C及3C所示，将框体14贴附至形成有开口部13的树脂锻烧膜11c的周围(S5)。该框体14的贴附，是在将树脂锻烧膜11c从虚拟基板30剥离而形成蒸镀掩模10后，用于使树脂薄膜11不破损而容易处理。在框体14贴附至树脂薄膜11的周围的情况下，优选使用在后续的蒸镀时不会产生不需要的气体释放的粘接剂，例如像环氧树脂的完全固化型的粘接剂。
现有的制造方法中，由于需要对树脂薄膜11施加张力的同时将其贴附至框体14，因此要求框体14具有能承受得住其张力的刚性，而使用厚度为25mm以上50mm以下的金属板。将此为伸展工序。但是本发明的实施例中，由于在树脂锻烧膜11c与虚拟基板30接合的状态下贴附框体14，因此可以省略伸展工序。因此，框体14不是必需的，没有也没关系。因此，该框体14，只要有某程度的机械强度即可，例如可以使用1mm以上20mm以左右的厚度的金属板或塑料板等。但是，若考虑蒸镀时的固定，由于磁性金属板可以用磁铁固定，所以优选使用磁性金属板作为框架14。如上所述，由于蒸镀掩模10优选比被蒸镀基板20更大，因此在虚拟基板30的大小与实际的蒸镀大小相同的情况下，优选框体14贴附至其外围。
之后，如图2D及3D所示，通过从虚拟基板30剥离树脂薄膜11，从而得到蒸镀掩模10(S6)。通过从虚拟基板30剥离树脂薄膜11，在树脂薄膜11的另一面(背面)10b侧形成凹部12b。为了从虚拟基板30剥离该树脂薄膜11，通过利用激光的照射使短波长光吸收层11d进一步变质来进行。即，形成上述的开口部13时的激光照射，仅通过在形成有开口部13的部分照射容易被树脂薄膜11吸收的激光来进行，该部分的短波长光吸收层11d也消失，但在该工序中，将几乎不被树脂膜11吸收的激光照射整个表面。因此，树脂锻烧膜11c自身照射为不变质程度的弱激光。从这个观点来看，也可以不是激光，只要为发射波长短的光的光源即可，如氙(Xenon)灯，高压汞灯，紫外LED等。
通过用这种光照射整个表面，树脂薄膜11中没有变化，短波长光吸收层11d进一步变质，有凹凸的虚拟基板30与树脂薄膜11之间的结合力失去，树脂薄膜11容易从虚拟基板30分离。因此，即使如现有的平板状的膜，也不需要使用浸入油中并分离的麻烦方法，此外，也没有机会使不期望的水分附着于有几层，而且，不会损坏开口部13的图案，而简单地从虚拟基板30分离树脂薄膜11。结果，得到蒸镀掩模10。另外，根据需要，通过在形成树脂涂布膜10b前在虚拟基板30的表面先涂布脱模剂，能够更容易地剥离。
接着，说明使用由这样制造的树脂薄膜构成的蒸镀掩模10制造有机EL显示装置的方法。蒸镀掩模10以外的制造方法，由于以众所周知的方法执行，因此仅说明关于使用蒸镀掩模10的有积层的层叠方法。
本发明的有机EL显示装置的制造方法中，首先，根据上述方法形成蒸镀掩模10。即，制作具有与层叠有机层的被蒸镀基板20(参照图4A)的表面对应的凹凸的虚拟基板30。通过在该虚拟基板30的凹凸面上涂布树脂材料11a直至表面大致平坦为止，并对锻烧的树脂锻烧膜11c照射激光，而形成开口部13的图案，由此形成树脂薄膜11，通过从虚拟基板30剥离树脂薄膜11，形成蒸镀掩模10。在形成该蒸镀掩模10时，如果在RGB的各子像素中蒸镀相同的有机材料的情况下的蒸镀掩模的话，如上述图3D所示，只要在各子像素全部形成开口的蒸镀掩模10即可，但在RGB的各子像素中蒸镀不同的有机材料的情况下，预先形成只有子像素R开口的蒸镀掩模10R，只有子像素G开口的蒸镀掩模10G，只有子像素B口的蒸镀掩模10B。在R及G的子像素以相同的有机材料蒸镀，只有B的子像素不同的情况下，预先形成R及G的子像素开口而B的子像素不开口的蒸镀掩模10RG(未图示)等各种组合的蒸镀掩模10。
由此，如图4A所示，蒸镀掩模10(10R等)定位并重合在形成有在基板上形成TFT、平坦化膜等的TFT基板21、第一电极22及区分各像素的堤部23的被蒸镀基板20上，通过蒸镀有机材料而在被蒸镀基板20上层叠有机层25(25R)。由于虚拟基板30的表面凹凸形状形成为与该被蒸镀基板20的表面大致相同的形状，因此该蒸镀掩模10R紧密嵌合且堤部23的侧壁也被覆盖。图4A～4C中，为了使蒸镀掩模10与被蒸镀基板20的边界明确，在该边界部描绘出空隙，因此侧壁部的蒸镀掩模10拉开，成为不自然的图，但实际上没有空隙，侧壁上仅覆盖薄的蒸镀掩模10，有机层25也形成到堤部23的侧壁的基部。
虽未图示，但TFT基板21在例如玻璃板等的各像素的每个RGB子像素形成TFT等的开关元件，连接该开关元件的第一电极(例如阳极)22及配线在平坦化膜上，以Ag或APC等的金属膜与ITO膜的组合而形成。如图4A所示，子像素之间形成有由遮挡子像素间的SiO2等构成的绝缘堤部23。在这样的TFT基板21的堤部23上，进行上述蒸镀掩模10的定位并固定。另外，蒸镀掩模10的开口部13，形成如上所述的锥形形状。
在该状态下，在蒸镀装置内蒸镀有机材料24，仅在蒸镀掩模10的开口部13中蒸镀有机材料24，在所期望的子像素的第一电极22上形成有机层25(25R)。该蒸镀通过沿附图的左右方向扫描由例如线状(沿附图的正反面(垂直)方向延伸)的坩埚等构成的蒸镀源60，蒸镀在形成多个被蒸镀基板20的大尺寸的整个表面上。如上所述，蒸镀源60中，蒸镀材料在从由其发射口的形状决定的蒸镀角度θ到中心轴侧的范围内发射。因此，例如当蒸镀掩模10的开口部13接近直角时，蒸镀材料难以到达蒸镀掩模10的开口部13的底面(第一电极22的露出面)的周缘，因而无法得到均匀的层叠膜。但是，如果蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α(参照图5A)在蒸镀角度θ以下，则如图5B所示，即使在底面的周缘也以均匀的膜厚进行有机层25的层叠。
有机层25中，发光层中沉积与RGB的各种颜色对应的材料的有机层。此外，空穴传输层、电子输送层等若重视发光性能，则优选以适合发光层的材料分别沉积。然而，考虑到材料成本方面，有时RGB的2种颜色或3种颜色共同以相同的材料来层叠。在以2种颜色以上的子像素层叠共同的材料的情况下，在共同的子像素上形成形成开口部13的蒸镀掩模。在各个子像素中蒸镀层不同的情况下，例如在R的子像素中使用1个蒸镀掩模10R，可以连续蒸镀各有机层，并且以RGB沉积共同的有机层的情况下，直到其共同层的下侧为止，进行各子像素的有机层的蒸镀，在共同的有机层的位置，在RGB中使用形成开口的蒸镀掩模10一起进行所有像素的有机层的蒸镀。
图4A中示出仅在R的子像素中层叠有机层的示例，但在仅在G的子像素中层叠有机层的情况下，如图4B所示，仅G的子像素形成开口部13，且使用覆盖其他的R及B的子像素的蒸镀掩模10G。在这种情况下，R的子像素由于已经形成有机层25R，因此虽期望蒸镀掩模10G是使其逃逸的掩模，但有机层25即使蒸镀所有的有机层，由于为500nm左右，即使忽视也不会成为太多问题。
之后，如图4C所示，将蒸镀掩模10换成B用的蒸镀掩模10B，且与上述示例相同地，仅在B的子像素蒸镀蒸镀材料。另外，在该示例中，虽说明了在RGB各自的子像素中蒸镀有机层，但在RGB中为共同的有机材料的情况下，将这些像素归纳在一起并蒸镀相同的材料。
在图4A～4C中，有机层25简单地以1层来表示，但实际上，有机层25是由不同的材料构成的多层的层叠膜形成的。例如，作为与阳极(第一电极)22相连接的层，有时设置由使空穴的注入性提高的离子化能量的一致性良好的材料构成的空穴注入层。在该空穴注入层上，使空穴的稳定传输提高的同时，例如由胺(amine)类材料形成可以限制(能量障壁)到发光层的电子的空穴传输层。进一步地，在其上根据发光波长选择的发光层，是例如针对红色或绿色，在Alq3内掺杂红色或绿色的有机荧光材料来形成的。此外，作为蓝色系的材料，使用DSA系的有机材料。在发光层上，由Alq3等形成使电子的注入性进一步提高，并且稳定地传输电子的电子输送层。通过将这些层的每一层层叠数十nm左右来形成有机层25。另外，该有机层25与金属电极之间有时也设置使LiF或Liq等的电子注入性提高的电子注入层。
由此，当所有的有机层25及LiF层等的电子注入层的形成结束后，去除蒸镀掩模10，并在整个表面上形成第二电极(例如阴极)26。图4D所示的示例由于是顶部发光(TOPEMISSION)型，且为从上侧发光的方式，因此第二电极26由透光性的材料，例如薄膜的Mg-Ag共晶膜形成。另外，可以使用Al等。另外，在从TFT基板21侧发射光的底部发光型的情况下，第一电极22使用ITO、In3O4等，作为第二电极26，可以使用功函数小的金属，例如Mg、K、Li、Al等。该第二电极26的表面上例如形成有由Si3N4等构成的保护膜27。另外，该全体，由未图示的玻璃、树脂薄膜等构成的密封层密封，且构成为有机层25或第二电极26不吸收水分或氧气等。此外，也可以使有机层25尽可能通用化，并在其表面侧形成设置滤色器的结构。
上述的堤部23形成为截面形状呈头尖的锥形形状，该锥形的角度β(参照图5A)，优选形成为与从上述有机材料的蒸镀源60发射的蒸镀材料的蒸镀角度θ相等或更小的角度β1(参照图5B)。原因是当堤部23的锥形角度β比蒸镀角度θ更大时，与上述蒸镀掩模10的开口部13的锥形形状相同，在从蒸镀源60发射的蒸镀光束的侧缘发射的蒸镀颗粒被堤部23阻断，第一电极22的堤部23侧的端部未被蒸镀材料充分覆盖。此外，堤部23的锥形角度β，优选比蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α更小。若堤部23的锥形角度β为比蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α更大的角度β2，则堤部23变为不被蒸镀掩模10的凸部12a覆盖。其结果，如图5D所示，从蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α1为蒸镀源60的蒸镀角度θ以下而形成的蒸镀掩模10中露出堤部23，在堤部23的肩部或侧壁上覆盖有蒸镀材料25m。其结果，在蒸镀的情况下，光也从堤部23的侧壁向斜方向发射，且有机材料与邻接的像素之间发生串扰，从而显示质量下降。因此，为了层叠有机EL显示装置的均匀的有机层25，被蒸镀基板20侧的堤部23的形状需要也形成具有为蒸镀角度θ以下的锥形角度，更优选为蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α以下的锥形角度的形状。为形成具有这样的锥形角度的堤部23，可以以如下的方法来进行。
即，例如，在堤部23由SiO2、Si3N4等的无机物形成的情况下，在使用干蚀刻或湿蚀刻进行该形成时，通过使抗蚀膜的材料间的贴合力的调整或膜厚的调整等的抗蚀膜的形成条件及蚀刻剂的选定合理化，而能够调整锥形角度
此外，在堤部23由有机物构成的情况下，该有机物由光敏树脂构成时，通过调整离焦等的曝光条件、显影液和温度等的显影条件、及预烤温度或固化温度等的锻烧温度的条件，能够得到所期望的锥形角度。在堤部23为非光敏树脂的情况下，通过与由上述无机物构成的情况同样地进行，由此能够获得所期望的锥形角度。
如从图5A清楚可见，该堤部23的锥形角度β期望与蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α相同或更小。即使减小蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α以防止蒸镀材料的遮挡，若堤部23的锥形角度大时遮挡也变得没有意义，这是因为如图5D所示，在堤部23的肩部及侧壁上覆盖有蒸镀材料25m。即，期望α≧β。另一方面，如上所述，蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α，期望在蒸镀源60的蒸镀角度θ以下。其结果，蒸镀角度θ、蒸镀掩模10的开口部13的锥形角度α及堤部23(虚拟堤部33)的锥形角度β之间，期望为θ≧α≧β的关系。
附图标记说明
10 蒸镀掩模
10a 第1面
10b 第2面
11 树脂薄膜
11a 树脂材料
11b 树脂涂布膜
11c 树脂锻烧膜
11d 短波长吸收层
12 凹凸形状部
12a 凸部
12b 凹部
13 开口部
14 框体
20 被蒸镀基板
21 TFT基板
22 第一电极
23 堤部
24 有机材料
26 第二电极
37 保护膜
30 虚拟基板
41 激光用掩模
41a 开口部
41b 遮光薄膜
42 光学镜片

Claims (14)

1.一种蒸镀掩模，是在表面上具有凹凸的被蒸镀基板的表面的规定的位置上用于蒸镀层叠膜而形成的蒸镀掩模，其特征在于，
由树脂薄膜形成，一面是平坦面，另一面具有与所述被蒸镀基板的凹凸形状的反转形状对应的凹凸形状，在与所述规定的位置对应的部分具有开口部。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，
所述开口部形成为从所述一面到所述另一面侧开口变小的锥形形状，所述锥形形状的锥形角度形成为等于或小于从蒸镀材料源飞出的蒸镀材料的蒸镀角度。
3.根据权利要求1或2所述的蒸镀掩模，其中，
所述树脂薄膜由聚酰亚胺形成，以使所述树脂薄膜的线膨胀率与所述被蒸镀基板的线膨胀率之间的差为3ppm/℃以下。
4.一种蒸镀掩模的制造方法，是为了在表面上具有凹凸的被蒸镀基板的表面的规定的位置形成层叠膜，而用于在所述规定的位置蒸镀蒸镀材料的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
制作具有与所述被蒸镀基板的表面形状对应的凹凸的虚拟基板；
通过在所述虚拟基板的凹凸面上涂布液状的树脂材料直到表面大致变得平坦为止来形成树脂涂布膜；
通过使所述树脂涂布膜的温度上升至所述树脂材料固化的温度并锻烧所述树脂涂布膜来形成树脂锻烧膜；
通过将激光照射至附着于所述虚拟基板的所述树脂锻烧膜并进行加工，且通过在所述树脂锻烧膜上形成所期望的开口部的图案而形成具有所期望的开口部的树脂薄膜；
通过从所述虚拟基板剥离所述树脂薄膜而形成蒸镀掩模。
5.根据权利要求4所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
在通过照射所述激光而形成所述开口部的图案时，通过在用于形成所述开口部的图案的激光掩模的开口的周缘，形成越行进到所述开口的端缘激光的透射率越下降的激光透射率的渐减区域，从而所述开口部的图案的各开口部在所述树脂薄膜的厚度方向形成锥形形状。
6.根据权利要求4或5所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过调整所述树脂材料的涂布厚度、所述锻烧时的锻烧温度、所述锻烧的时间、以及锻烧温度与锻烧时间的曲线轮廓中的至少一个的同时，进行所述树脂涂布膜的锻烧，并使通过锻烧而形成的所述树脂锻烧膜的线膨胀率与所述被蒸镀基板的线膨胀率间的差在3ppm/℃以下。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过调整所述树脂材料的涂布厚度、所述锻烧时的锻烧温度、所述锻烧的时间、以及锻烧温度与锻烧时间的曲线轮廓中的至少一个的同时，进行所述树脂涂布膜的锻烧，从而选定所述虚拟基板的材料以使通过锻烧而形成的所述树脂锻烧膜的线膨胀率与所述虚拟基板的线膨胀率间的差在3ppm/℃以下。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过每5分钟以上120分钟以下以10℃以上200℃以下的温度阶段性上升的同时上升至锻烧温度为止，来进行所述树脂材料的锻烧。
9.根据权利要求4至8中任一项所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
通过所述激光照射的加工，是用于在被蒸镀基板上的每个像素形成蒸镀有机材料的蒸镀掩模的加工。
10.根据权利要求4至9中任一项所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
所述激光为脉冲激光。
11.根据权利要求4至10中任一项所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
在从所述虚拟基板剥离所述树脂薄膜之前，在所述树脂薄膜的周缘形成框体。
12.根据权利要求4至11中任一项所述的树脂薄膜的制造方法，其中，
当从所述虚拟基板剥离所述树脂薄膜时，通过照射聚焦在所述树脂薄膜与所述虚拟基板之间的界面的短波长光，从而减弱所述树脂薄膜与所述虚拟基板之间的贴合力，再进行剥离。
13.一种有机EL显示装置的制造方法，是制造在被蒸镀基板上层叠有机层的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
制作具有与层叠有机层的所述被蒸镀基板的表面形状对应的凹凸的虚拟基板；
通过在所述虚拟基板的凹凸面上涂布液状的树脂材料直到表面大致变成平坦为止，并对锻烧的树脂锻烧膜照射激光来形成开口部的图案，从而形成树脂薄膜，并通过从所述虚拟基板剥离所述树脂薄膜来形成蒸镀掩模；
通过将所述蒸镀掩模定位并重合在装置基板上形成TFT及第一电极、且形成区分各像素的堤部的蒸镀基板上，并蒸镀有机材料，从而在所述被蒸镀基板上层叠有机层；
去除所述蒸镀掩模以形成第二电极。
14.根据权利要求13所述的有机EL显示装置的制造方法，其中，
所述堤部形成为截面形状为头尖的锥形形状，形成所述堤部以使所述堤部的锥形的角度成为从所述有机材料的蒸镀源飞出的蒸镀材料的蒸镀角度以下。
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