KR20220019881A - 표시 장치의 제조장치, 마스크 조립체의 제조방법, 및 표시 장치의 제조방법 - Google Patents

표시 장치의 제조장치, 마스크 조립체의 제조방법, 및 표시 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 마스크 조립체;를 포함하는 표시 장치의 제조장치에 있어서, 상기 마스크 조립체는, 제1면 및 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하며, 상기 제1면 및 상기 제2면을 관통하는 제1개구부를 구비한 실리콘기판; 및 상기 제2면 상에 배치되며, 상기 제1개구부와 연결된 제2개구부를 구비한 지지기판;을 포함하고, 상기 제1면에서 상기 제1개구부의 폭은 상기 제2면에서 상기 제1개구부의 폭보다 작은, 표시 장치의 제조장치를 개시한다.

Description

표시 장치의 제조장치, 마스크 조립체의 제조방법, 및 표시 장치의 제조방법{Apparatus for manufacturing a display device, method for manufacturing a mask assembly and method for manufacturing a display device}
본 발명은 표시 장치의 제조장치, 마스크 조립체의 제조방법, 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시 장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기 영동 표시 장치(Electrophoretic Display Device: EPD) 등이 있다.
표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 대향전극과 화소전극 및 발광층으로 구비되는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 전극들 및 발광층은 마스크 조립체를 이용하여 형성할 수 있다.
마스크 조립체 중 개구부를 포함하는 마스크 시트는 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 및/또는 니켈-코발트 합금 등을 포함할 수 있으며, 상기 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 마스크 시트의 개구부는 습식 식각(wet etching) 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 또는 마스크 조립체는 마스크로서 실리콘기판을 포함할 수 있다. 이러한 실리콘기판은 개구부를 포함할 수 있고, 실리콘기판의 개구부는 건식 식각(dry etching) 공정 및/또는 습식 식각(wet etching) 공정을 이용하여 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 실리콘기판을 포함하는 마스크 조립체를 구비한 표시 장치의 제조장치, 실리콘기판을 포함하는 마스크 조립체의 제조방법, 및 표시 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 마스크 조립체;를 포함하는 표시 장치의 제조장치에 있어서, 상기 마스크 조립체는, 제1면 및 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하며, 상기 제1면 및 상기 제2면을 관통하는 제1개구부를 구비한 실리콘기판; 및 상기 제2면 상에 배치되며, 상기 제1개구부와 연결된 제2개구부를 구비한 지지기판;을 포함하고, 상기 제1면에서 상기 제1개구부의 폭은 상기 제2면에서 상기 제1개구부의 폭보다 작은, 표시 장치의 제조장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판의 두께는 상기 실리콘기판의 두께보다 두꺼울 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판은 상기 실리콘기판의 상기 제2면에 직접 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 실리콘기판 및 상기 지지기판은 각각 제1배열방향 및 상기 제1배열방향과 교차하는 제2배열방향을 따라 배열된 복수의 실리콘 원자들을 포함하고, 상기 복수의 실리콘원자들은 상기 복수의 실리콘원자들 중 최외곽에 배치되며 상기 제2면을 사이에 두고 서로 인접하는 제1외곽실리콘원자 및 제2외곽실리콘원자를 포함하며, 상기 제1외곽실리콘원자의 중심으로부터 상기 제2외곽실리콘원자의 중심으로의 제3배열방향은 상기 제1배열방향 및 상기 제2배열방향과 교차할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판은 제1배열방향 및 상기 제1배열방향과 교차하는 제2배열방향을 따라 배열된 복수의 제1실리콘원자들을 포함하고, 상기 실리콘기판은 상기 제1배열방향과, 상기 제1배열방향 및 상기 제2배열방향과 교차하는 제3배열방향을 따라 배열된 복수의 제2실리콘원자들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2면에 일산화이규소(Si2O)가 구비될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판 및 상기 실리콘기판 사이에 배치된 중간접착부재;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 마스크 조립체는, 개구영역을 구비한 마스크 프레임; 및 상기 마스크 프레임 상에 배치되며, 상면 및 상기 상면과 반대되는 하면을 포함하고, 상기 상면 및 상기 하면을 관통하는 마스크개구부를 구비한 마스크 시트;를 더 포함하고, 상기 마스크 시트 상에 상기 지지기판이 배치되고, 상기 실리콘기판의 상기 제2면은 상기 마스크 시트의 상기 상면과 대향할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 마스크 시트 및 상기 지지기판 중 하나는 상기 마스크 시트 및 상기 지지기판 중 다른 하나에 대향하는 오목부를 포함하고, 상기 오목부에 배치되는 접착부재;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 마스크 조립체가 내부에 배치되는 챔버; 및 상기 챔버 내부에 배치되며, 증착 물질을 공급하는 소스부;를 더 포함하고, 상기 실리콘기판의 상기 제2면은 상기 소스부와 대향할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 제1층, 제2층, 및 제3층을 포함하는 마스크기판을 준비하는 단계; 상기 제1층에 제1개구부를 형성하는 단계; 상기 제1개구부와 연결되는 제2개구부를 구비한 지지기판을 상기 제1층 상에 배치하는 단계; 상기 제3층을 제거하는 단계; 및 상기 제2층을 제거하는 단계;를 포함하는, 마스크 조립체의 제조방법을 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1층 및 상기 제3층은 실리콘을 포함하며, 상기 제2층은 실리콘산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1개구부를 형성하는 단계는, 상기 제1층을 건식 식각(Dry etching)하는 단계; 및 상기 제2층과 마주보는 상기 제1층의 제1면에서의 상기 제1개구부의 폭은 상기 제1면과 반대되는 제2면에서의 상기 제1개구부의 폭보다 작게 형성되는 단계;를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판을 배치하는 단계는, 상기 제1층 및 상기 지지기판을 직접 연결시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1개구부는 상기 제1층에 복수개로 형성되며, 상기 지지기판을 배치하는 단계는, 상기 제2개구부가 상기 복수의 제1개구부들과 연결되는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 마스크기판 및 상기 지지기판의 표면에 실리콘산화막을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 실리콘산화막을 제거하는 단계;를 더 포함하고, 상기 제2층을 제거하는 단계는 상기 실리콘산화막을 제거하는 단계와 동시에 진행될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3층을 제거하는 단계는, 상기 제3층을 연마하는 단계 및 상기 제3층을 습식 식각(Wet etching) 또는 건식 식각(dry etching)하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판을 배치하는 단계는, 상기 지지기판을 상기 제1층과 중간접착부재로 접착하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판 상에 마스크개구부를 구비한 마스크 시트 및 개구영역을 구비한 마스크 프레임을 배치하는 단계;를 더 포함하고, 상기 제1층은 상기 제2층과 마주보는 제1면 및 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고, 상기 제1층의 상기 제2면은 상기 마스크 시트와 대향할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 챔버 내에 디스플레이 기판이 배치되는 단계; 상기 챔버 내부에 배치되는 소스부에 의해 증착 물질이 공급되는 단계; 및 상기 증착 물질이 상기 소스부에 대향하도록 배치된 마스크 조립체를 통과하여 상기 디스플레이 기판 상에 증착되는 단계;를 포함하고, 상기 마스크 조립체는, 제1면 및 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하며, 상기 제1면 및 상기 제2면을 관통하는 제1개구부를 구비한 실리콘기판; 및 상기 제2면 상에 배치되며, 상기 제1개구부와 연결된 제2개구부를 구비한 지지기판;을 포함하고, 상기 제1면은 상기 디스플레이 기판과 대향하고, 상기 제2면은 상기 소스부와 대향하며, 상기 제1면에서 상기 제1개구부의 폭은 상기 제2면에서 상기 제1개구부의 폭보다 작은, 표시 장치의 제조방법을 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판의 두께는 상기 실리콘기판의 두께보다 두꺼울 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판은 상기 실리콘기판의 상기 제2면에 직접 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 실리콘기판 및 상기 지지기판은 각각 제1배열방향 및 상기 제1배열방향과 교차하는 제2배열방향을 따라 배열된 복수의 실리콘원자들을 포함하고, 상기 복수의 실리콘원자들은 상기 복수의 실리콘원자들 중 최외곽에 배치되며 상기 제2면을 사이에 두고 서로 인접하는 제1외곽실리콘원자 및 제2외곽실리콘원자를 포함하며, 상기 제1외곽실리콘원자의 중심으로부터 상기 제2외곽실리콘원자의 중심으로의 제3배열방향은 상기 제1배열방향 및 상기 제2배열방향과 교차할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판은 제1배열방향 및 상기 제1배열방향과 교차하는 제2배열방향을 따라 배열된 복수의 제1실리콘원자들을 포함하고, 상기 실리콘기판은 상기 제1배열방향과, 상기 제1배열방향 및 상기 제2배열방향과 교차하는 제3배열방향을 따라 배열된 복수의 제2실리콘원자들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2면에 일산화이규소(Si2O)가 구비될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 지지기판 및 상기 실리콘기판 사이에 배치된 중간접착부재;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1개구부는 복수개로 구비되며, 상기 제2개구부는 상기 복수의 제1개구부들과 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 마스크 조립체는, 개구영역을 구비한 마스크 프레임; 및 상기 마스크 프레임 상에 배치되며, 상면 및 상기 상면과 반대되는 하면을 포함하고, 상기 상면 및 상기 하면을 관통하는 마스크개구부를 구비한 마스크 시트;를 더 포함하고, 상기 마스크 시트 상에 상기 지지기판이 배치되고, 상기 실리콘기판의 상기 제2면은 상기 마스크 시트의 상기 상면과 대향할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 마스크 시트 및 상기 지지기판 중 하나는 상기 마스크 시트 및 상기 지지기판 중 다른 하나에 대향하는 오목부를 포함하고, 상기 오목부에 배치되는 접착부재;를 더 포함할 수 있다.
상기한 바에 따르면, 본 발명의 실시예들은 마스크 조립체가 실리콘기판 및 지지기판을 포함하고 있어 신뢰성이 향상되고, 증착 효율이 향상된 표시 장치의 제조장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 지지기판을 제1층 상에 배치하여 신뢰성이 향상되고, 증착효율이 향상된 마스크 조립체의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 마스크 조립체가 실리콘기판 및 지지기판을 포함하고 있어 증착효율이 향상된 표시 장치의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV'선에 따른 마스크 조립체의 단면도이다.
도 5a는 일 실시예에 따른 도 4의 마스크 조립체에서 A 부분의 확대도이다.
도 5b는 다른 실시예에 따른 도 4의 마스크 조립체에서 A 부분의 확대도이다.
도 5c는 도 5a 및 도 5b의 실시예와 비교하기 위한 비교예에 따른 도 4의 A 부분의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 조립체를 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 조립체를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 도 7의 VIII-VIII'선에 따른 마스크 조립체의 단면도이다.
도 9a 내지 도 9j는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 조립체의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치(1000)를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체(1500)를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체(1500)를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 4는 도 3의 IV-IV'선에 따른 마스크 조립체(1500)의 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 표시 장치의 제조장치(1000)는 챔버(1100), 기판지지부(1200), 마스크지지부(1300), 소스부(1400), 마스크 조립체(1500), 전자기력부(1600), 비젼부(1700), 및 압력조절부(1800)를 포함할 수 있다.
챔버(1100)는 내부에 공간이 형성될 수 있으며, 일측이 개구되도록 형성되어 디스플레이 기판(D)이 인출되거나 수납될 수 있다. 이 때, 개구된 챔버(1100) 부분에는 게이트 밸브 등을 포함하는 차폐부(1110)가 배치되어 선택적으로 개폐할 수 있다.
기판지지부(1200)는 디스플레이 기판(D)을 안착하여 지지할 수 있다. 이 때, 기판지지부(1200)는 디스플레이 기판(D)이 안착하여 디스플레이 기판(D)을 지지하거나, 디스플레이 기판(D)의 일면을 흡착하거나 부착하여 지지할 수 있다. 일 실시예에서, 기판지지부(1200)는 챔버(1100) 내부에 고정된 브라켓 형태일 수 있다. 다른 실시예에서, 기판지지부(1200)는 디스플레이 기판(D)이 안착되며, 챔버(1100) 내부에서 선형 운동이 가능한 셔틀 형태일 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 기판지지부(1200)는 챔버(1100) 내부에 고정되는 브라켓 형태인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
마스크지지부(1300)에는 마스크 조립체(1500)가 안착될 수 있다. 이 때, 마스크지지부(1300)는 챔버(1100)의 내부에 배치될 수 있다. 마스크지지부(1300)는 챔버(1100) 내부에 고정된 브라켓 형태일 수 있다. 일 실시예에서, 마스크지지부(1300)는 마스크 조립체(1500)의 위치를 미세 조정 가능할 수 있다. 이 경우, 마스크지지부(1300)는 마스크 조립체(1500)를 서로 상이한 방향으로 이동 가능하도록 별도의 구동부 내지는 얼라인 유닛 등을 구비할 수 있다.
소스부(1400)는 마스크 조립체(1500)와 대향하도록 배치될 수 있다. 이 때, 소스부(1400)는 증착 물질이 수납될 수 있으며, 증착 물질에 열을 가함으로써 증착 물질을 증발시키거나 승화시킬 수 있다. 따라서, 소스부(1400)는 증착 물질을 공급할 수 있다.
마스크 조립체(1500)는 마스크지지부(1300)에 의해 지지될 수 있다. 마스크 조립체(1500)는 실리콘기판(100), 지지기판(200), 마스크 시트(300), 마스크 프레임(400), 및 접착부재(500)를 포함할 수 있다.
실리콘기판(100)은 지지기판(200) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 실리콘기판(100)은 지지기판(200)보다 디스플레이 기판(D) 및/또는 전자기력부(1600)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 실리콘기판(100)은 지지기판(200)보다 소스부(1400)에 더 멀게 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 실리콘기판(100)은 지지기판(200)과 직접 연결될 수 있다. 다른 실시예에서, 실리콘기판(100)은 지지기판(200)과 중간접착부재를 통해 연결될 수 있다. 이하에서는, 실리콘기판(100)이 지지기판(200)에 직접 연결된 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
실리콘기판(100)은 하나의 마스크 시트(300) 상에 복수개로 구비될 수 있다. 일 실시예에서, 실리콘기판(100)은 하나의 마스크 시트(300) 상에서 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 실리콘기판(100)들은 하나의 마스크 시트(300) 상에서 제1방향(예를 들어, X 방향 또는 -X 방향) 및/또는 제2방향(예를 들어, Y 방향 또는 -Y 방향)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 실리콘기판(100)들 중 적어도 일부는 하나의 마스크 시트(300) 상에서 일체로 구비될 수 있다.
실리콘기판(100)은 마스크 시트(300)의 마스크개구부(300OP)에 대응하여 배치될 수 있다. 즉, 실리콘기판(100)은 마스크 시트(300)의 마스크개구부(300OP)에 중첩될 수 있다. 일 실시예에서, 실리콘기판(100)은 하나의 마스크 시트(300) 상에 복수개로 구비될 수 있다. 또한, 마스크 시트(300)는 복수개의 마스크개구부(300OP)를 구비할 수 있다. 이러한 경우, 복수의 실리콘기판(100)들은 복수의 마스크개구부(300OP)들에 각각 대응하여 배치될 수 있다. 즉, 복수의 실리콘기판(100)들은 복수의 마스크개구부(300OP)들에 각각 중첩할 수 있다.
실리콘기판(100)은 제1면(S1) 및 제1면(S1)과 반대되는 제2면(S2)을 포함할 수 있다. 이 때, 제1면(S1)은 전자기력부(1600) 및/또는 디스플레이 기판(D)을 대향하도록 배치될 수 있다. 제2면(S2)은 소스부(1400)를 대향하도록 배치될 수 있다. 또한, 제2면(S2)은 마스크 시트(300)의 상면(US)과 대향하도록 배치될 수 있다.
실리콘기판(100)은 제1개구부(OP1)를 포함할 수 있다. 제1개구부(OP1)는 제1면(S1) 및 제2면(S2)을 관통할 수 있다. 제1개구부(OP1)는 테이퍼된 형상을 구비할 수 있다. 일 실시예에서, 제1면(S1)에서 제1개구부(OP1)의 제1폭(d1)은 제2면(S2)에서 제2개구부(OP2)의 제2폭(d2)보다 작을 수 있다. 이 때, 제1폭(d1)은 제1면(S1)에서 제1개구부(OP1)를 정의하며 서로 마주보는 실리콘기판(100)의 내측면 사이의 최단거리로 정의할 수 있다. 제2폭(d2)은 제2면(S2)에서 제1개구부(OP1)를 정의하며 서로 마주보는 실리콘기판(100)의 내측면 사이의 최단거리로 정의할 수 있다. 제1면(S1)은 디스플레이 기판(D)과 대향하고 있으므로, 제1개구부(OP1)의 폭은 소스부(1400)에서 디스플레이 기판(D)으로의 방향으로 감소할 수 있다. 이러한 경우, 실리콘기판(100)은 표시 장치의 제조장치(1000)에서 증착 물질이 디스플레이 기판(D)에 증착되는 위치를 정밀하게 제어할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 제조장치(1000)의 가공 정밀도가 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 제1개구부(OP1)의 폭은 일정하게 감소할 수 있다. 예를 들어, 제1개구부(OP1)의 폭은 제2면(S2)에서 제1면(S1)으로의 방향으로 일정하게 감소할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1개구부(OP1)의 내측면은 곡면을 포함할 수 있다. 이하에서는, 제1개구부(OP1)의 폭이 일정하게 감소하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
본 실시예와 다르게 제1개구부(OP1)가 테이퍼되지 않고 직각으로 형성되는 경우, 표시 장치의 제조장치(1000)는 증착 공정이 반복됨에 따라 제1개구부(OP1)가 소스부(1400)에서 공급된 증착 물질에 의해 막힐 수 있다. 이러한 경우, 제1개구부(OP1)에 증착된 증착 물질을 제거하기 위한 세정 공정의 주기가 짧아질 수 있다. 또한, 소스부(1400)에서 사용되는 증착 물질의 양이 증가하게 되어 표시 장치의 제조장치(1000)의 효율이 감소할 수 있다. 본 실시예에서, 제1면(S1)에서 제1개구부(OP1)의 제1폭(d1)은 제2면(S2)에서 제2개구부(OP2)의 제2폭(d2)보다 작을 수 있다. 따라서, 제1개구부(OP1)가 소스부(1400)에서 공급된 증착 물질에 의해 막히는데 걸리는 시간이 제1개구부(OP1)가 테이퍼되지 않은 경우보다 상대적으로 증가할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 제조장치(1000)의 효율을 증가시킬 수 있다.
실리콘기판(100)은 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 실리콘기판(100)은 실리콘(Si) 결정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘기판(100)은 복수의 실리콘 원자들을 포함할 수 있다. 즉, 실리콘기판(100)은 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 실리콘기판(100)은 실리콘 웨이퍼이므로, 건식 식각(dry etching) 공정으로 제1개구부(OP1)를 형성할 수 있다. 이에 대해서는 후술하기로 한다.
지지기판(200)은 실리콘기판(100)을 지지할 수 있다. 지지기판(200)은 실리콘기판(100)의 제2면(S2) 상에 배치될 수 있다. 지지기판(200)은 실리콘기판(100) 및 마스크 시트(300) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 지지기판(200)은 실리콘기판(100)보다 디스플레이 기판(D) 및/또는 전자기력부(1600)에 더 멀리 배치될 수 있다. 지지기판(200)은 실리콘기판(100)보다 소스부(1400)에 더 가깝게 배치될 수 있다.
지지기판(200)의 제2두께(t2)는 실리콘기판(100)의 제1두께(t1)보다 두꺼울 수 있다. 이 때, 지지기판(200)의 제2두께(t2)는 지지기판(200)의 상면 및 지지기판(200)의 하면 사이의 최단거리로 정의될 수 있다. 실리콘기판(100)의 제1두께(t1)는 실리콘기판(100)의 제1면(S1) 및 실리콘기판(100)의 제2면(S2) 사이의 최단거리로 정의될 수 있다. 마스크 조립체(1500)를 제조할 때, 로봇암 등이 실리콘기판(100)을 직접 컨택하여 이송시키는 경우, 실리콘기판(100)이 손상될 수 있다. 마스크 조립체(1500)를 제조할 때, 로봇암 등이 실리콘기판보다 두께가 두꺼운 지지기판(200)을 직접 컨택하여 이송시키는 경우, 실리콘기판(100)의 손상을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 지지기판(200)은 하나의 마스크 시트(300) 상에 복수개로 구비될 수 있다. 일 실시예에서, 지지기판(200)은 하나의 마스크 시트(300) 상에서 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 지지기판(200)들은 하나의 마스크 시트(300) 상에서 제1방향(예를 들어, X 방향 또는 -X 방향) 및/또는 제2방향(예를 들어, Y 방향 또는 -Y 방향)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.
지지기판(200)은 마스크 시트(300)의 마스크개구부(300OP)에 대응하여 배치될 수 있다. 즉, 지지기판(200)은 마스크 시트(300)의 마스크개구부(300OP)에 중첩될 수 있다. 일 실시예에서, 지지기판(200)은 하나의 마스크 시트(300) 상에 복수개로 구비될 수 있다. 또한, 마스크 시트(300)는 복수개의 마스크개구부(300OP)를 구비할 수 있다. 이러한 경우, 복수의 지지기판(200)들은 복수의 마스크개구부(300OP)들에 각각 대응하여 배치될 수 있다. 즉, 복수의 지지기판(200)들은 복수의 마스크개구부(300OP)들에 각각 중첩할 수 있다.
지지기판(200)은 제2개구부(OP2)를 구비할 수 있다. 제2개구부(OP2)는 지지기판(200)의 상면 및 지지기판(200)의 하면을 관통할 수 있다. 일 실시예에서, 제2개구부(OP2)는 제1개구부(OP1)와 연결될 수 있다. 따라서, 소스부(1400)에서 공급된 증착물질은 제2개구부(OP2) 및 제1개구부(OP1)를 통과하여 디스플레이 기판(D)에 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 제2개구부(OP2)는 복수의 제1개구부(OP1)들과 연결될 수 있다. 즉, 하나의 제2개구부(OP2)는 복수의 제1개구부(OP1)들과 각각 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 지지기판(200)은 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 즉, 지지기판(200)은 실리콘(Si) 결정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지기판(200)은 복수의 실리콘 원자들을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 지지기판(200)은 실리콘 웨이퍼일 수 있으며, 실리콘기판(100)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 지지기판(200)은 글라스일 수 있다.
지지기판(200)은 실리콘기판(100)에 직접 연결될 수 있다. 구체적으로, 지지기판(200)은 실리콘기판(100)의 제2면(S2)에 직접 연결될 수 있다. 이 때, 지지기판(200)이 실리콘기판(100)의 제2면(S2)에 직접 연결된다는 의미는, 지지기판(200) 및 실리콘기판(100) 사이에 접착부재 등이 배치되지 않는 것을 의미한다. 지지기판(200)은 실리콘기판(100)에 합착되어 직접 연결될 수 있다. 지지기판(200) 및 실리콘기판(100)이 모두 실리콘(Si) 결정을 포함하는 경우, 직접 접합(directly bonding) 또는 퓨전 접합(fusion bonding)될 수 있다. 이러한 경우, 일 실시예에서, 지지기판(200) 및 실리콘기판(100)이 직접 연결되는 제2면(S2)에는 일산화이규소(Si2O)가 구비될 수 있다. 다른 예로, 지지기판(200)이 글라스인 경우, 지지기판(200) 및 실리콘기판(100)은 양극 접합(Anodic bonding)될 수 있다.
마스크 시트(300)는 지지기판(200)의 하부에 배치될 수 있다. 지지기판(200)은 마스크 시트(300) 상에 배치될 수 있다. 즉, 지지기판(200)은 마스크 시트(300) 및 실리콘기판(100) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 마스크 시트(300)는 마스크 프레임(400) 상에 배치될 수 있다.
마스크 시트(300)는 상면(US) 및 상면(US)과 반대되는 하면(LS)을 포함할 수 있다. 이 때, 마스크 시트(300)의 상면(US)은 실리콘기판(100)의 제2면(S2)과 대향할 수 있다. 또한, 마스크 시트(300)의 상면(US)은 지지기판(200)과 대향할 수 있다. 마스크 시트(300)의 하면(LS)은 마스크지지부(1300) 및/또는 소스부(1400)와 대향할 수 있다.
마스크 시트(300)는 마스크개구부(300OP)를 구비할 수 있다. 마스크개구부(300OP)는 마스크 시트(300)의 상면(US) 및 마스크 시트(300)의 하면(LS)을 관통할 수 있다. 또한, 마스크개구부(300OP)는 제2개구부(OP2)와 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 마스크 시트(300)는 복수의 마스크개구부(300OP)들을 구비할 수 있다. 이러한 경우, 복수의 마스크개구부(300OP)들은 각각 복수의 제2개구부(OP2)들과 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 마스크개구부(300OP)의 폭은 제2개구부(OP2)의 폭과 동일할 수 있다. 다른 실시예에서, 마스크개구부(300OP)의 폭은 제2개구부(OP2)의 폭과 상이할 수 있다. 예를 들어, 마스크개구부(300OP)의 폭은 제2개구부(OP2)의 폭보다 작거나, 클 수 있다.
마스크 시트(300)는 스테인리스 스틸, 인바(invar), 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 및/또는 니켈-코발트 합금을 포함할 수 있다. 따라서, 전자기력부(1600)가 마스크 시트(300)에 전기력 및/또는 자기력을 가하면, 마스크 시트(300)는 전자기력부(1600)와 가까워지는 방향으로 근접될 수 있다. 이러한 경우, 실리콘기판(100)은 디스플레이 기판(D)과 밀착될 수 있다.
지지기판(200) 및 마스크 시트(300) 중 하나는 지지기판(200) 및 마스크 시트(300) 중 다른 하나에 대향하는 오목부(CP)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 지지기판(200)은 마스크 시트(300)에 대향하는 오목부(CP)를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 지지기판(200)의 오목부(CP)는 마스크 시트(300)의 상면(US)에 대향할 수 있다. 다른 실시예에서, 마스크 시트(300)는 지지기판(200)에 대향하는 오목부를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 지지기판(200)은 마스크 시트(300)에 대향하는 오목부(CP)를 포함하고, 마스크 시트(300)는 지지기판(200)에 대향하는 오목부를 포함할 수 있다. 이하에서는, 지지기판(200)이 마스크 시트(300)에 대향하는 오목부(CP)를 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
일 실시예에서, 지지기판(200)은 복수의 오목부(CP)들을 구비할 수 있다. 복수의 오목부(CP)들은 지지기판(200)의 꼭지점에 대응하여 배치될 수 있다. 또는 복수의 오목부(CP)들은 지지기판(200)의 꼭지점 및/또는 지지기판(200)의 모서리에 대응하여 배치될 수 있다.
오목부(CP)에는 접착부재(500)가 배치될 수 있다. 접착부재(500)는 지지기판(200) 및 마스크 시트(300)를 접착시킬 수 있다. 일 실시예에서, 접착부재(500)는 접착용 금속을 포함할 수 있다. 접착부재(500)는 아웃개싱(outgassing)이 발생하지 않는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착부재(500)는 인듐을 포함할 수 있다. 또는, 접착부재(500)는 인듐 복합물을 포함할 수 있다. 다른 예로, 접착부재(500)는 레진(Resin) 및/또는 에폭시(Epoxy) 등을 포함할 수 있다.
마스크 프레임(400)은 마스크 시트(300) 하부에 배치될 수 있다. 즉, 마스크 시트(300)는 마스크 프레임(400) 상에 배치될 수 있다. 마스크 시트(300)는 지지기판(200) 및 마스크 프레임(400) 사이에 배치될 수 있다. 마스크 시트(300)는 마스크 프레임(400)에 인장된 상태로 고정될 수 있다. 마스크 시트(300)는 마스크 프레임(400)에 용접을 통해 고정될 수 있다. 마스크 프레임(400)은 마스크지지부(1300)에 안착될 수 있다.
마스크 프레임(400)은 개구영역(OA)을 포함할 수 있다. 마스크 프레임(400)의 개구영역(OA)은 마스크 시트(300)와 중첩될 수 있다. 또한, 개구영역(OA)은 마스크 시트(300)의 마스크개구부(300OP)와 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 개구영역(OA)은 복수의 마스크개구부(300OP)들과 연결될 수 있다. 이 때, 소스부(1400)에서 공급된 증착 물질은 개구영역(OA)을 통과할 수 있다. 마스크 프레임(400)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 복수의 프레임들을 포함할 수 있다. 복수의 프레임들은 제1방향(예를 들어, X 방향 또는 -X 방향) 및/또는 제2방향(예를 들어, Y 방향 또는 -Y 방향)으로 연장될 수 있다. 마스크 프레임(400)은 변형이 작은 소재 즉, 강성이 큰 금속을 포함할 수 있다.
전자기력부(1600)는 마스크 조립체(1500)를 기준으로 소스부(1400)와 반대편에 배치될 수 있다. 이 때, 전자기력부(1600)는 마스크 시트(300)에 전기력 및/또는 자기력을 가하여 디스플레이 기판(D) 측으로 마스크 조립체(1500)를 가력할 수 있다. 특히, 전자기력부(1600)는 마스크 시트(300)의 쳐짐을 방지할 뿐만 아니라, 마스크 시트(300)를 디스플레이 기판(D)에 근접시킬 수 있다. 또한, 전자기력부(1600)는 마스크 시트(300)와 디스플레이 기판(D) 사이의 간격을 마스크 시트(300)의 길이 방향에 대해 균일하게 유지시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전자기력부(1600)는 정전 척(Electro Static Chuck)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 전자기력부(1600)는 자기 척(Magnetic Chuck)을 포함할 수 있다.
비젼부(1700)는 챔버(1100)에 배치되며, 디스플레이 기판(D)과 마스크 조립체(1500)의 위치를 촬영할 수 있다. 비젼부(1700)는 디스플레이 기판(D) 및 마스크 조립체(1500)를 촬영하는 카메라를 포함할 수 있다. 비젼부(1700)에서 촬영된 이미지를 근거로 디스플레이 기판(D)과 마스크 조립체(1500)의 위치를 파악할 수 있으며, 상기 이미지를 근거로 마스크지지부(1300)에서 마스크 조립체(1500)의 위치를 미세 조정할 수 있다.
압력조절부(1800)는 챔버(1100)와 연결되어 챔버(1100) 내부의 압력을 조절할 수 있다. 예를 들어, 압력조절부(1800)는 챔버(1100) 내부의 압력을 대기압과 동일 또는 유사하게 조절할 수 있다. 또한, 압력조절부(1800)는 챔버(1100) 내부의 압력을 진공 상태와 동일 또는 유사하게 조절할 수 있다.
압력조절부(1800)는 챔버(1100)와 연결되는 연결배관(1810)과 연결배관(1810)에 설치되는 펌프(1820)를 포함할 수 있다. 이 때, 펌프(1820)의 작동에 따라서 연결배관(1810)을 통하여 외기가 유입되거나 챔버(1100) 내부의 기체를 연결배관(1810)을 통하여 외부로 안내할 수 있다.
도 5a는 일 실시예에 따른 도 4의 마스크 조립체에서 A 부분의 확대도이다.
도 5a를 참조하면, 마스크 조립체는 실리콘기판(100) 및 지지기판(200)을 포함할 수 있다. 지지기판(200)의 상면(200US)은 실리콘기판(100)의 제2면(S2)과 대향할 수 있다. 일 실시예에서, 지지기판(200)의 상면(200US) 중 일부는 외부로 노출될 수 있다. 이러한 경우, 지지기판(200)은 제2면(S2)과 평행한 방향으로 돌출될 수 있다. 다른 실시예에서, 실리콘기판(100)의 제2면(S2) 중 일부는 외부로 노출될 수 있다. 이러한 경우, 실리콘기판(100)은 제2면(S2)과 평행한 방향으로 돌출될 수 있다. 이와 같이, 실리콘기판(100) 및 지지기판(200)이 직접 연결되는 경우, 실리콘기판(100)의 측면(100SS)은 지지기판(200)의 측면(200SS)과 일치하지 않을 수 있다. 실리콘기판(100)의 측면(100US)은 실리콘기판(100)의 제2면(S2)과 교차하고, 외부로 노출된 면일 수 있다. 지지기판(200)의 측면(200SS)은 지지기판(200)의 상면(200US)과 교차하고, 외부로 노출된 면일 수 있다.
실리콘기판(100) 및 지지기판(200)은 각각 복수의 실리콘원자(SA)들을 포함할 수 있다. 복수의 실리콘원자(SA)들은 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)을 따라 배열될 수 있다. 이 때, 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)은 서로 교차할 수 있다. 예를 들어, 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)은 예각을 이루거나, 직각을 이루거나, 둔각을 이룰 수 있다. 이하에서는 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)이 직각을 이루는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
복수의 실리콘원자(SA)들 중 최외곽에 배치된 복수의 외곽실리콘원자(OSA)들을 정의할 수 있다. 즉, 복수의 외곽실리콘원자(OSA)들은 복수의 실리콘원자(SA)들 중 가장 바깥쪽에 배치된 실리콘원자들로 정의할 수 있다. 일 실시예에서, 실리콘기판(100)에 포함된 복수의 외곽실리콘원자(OSA)들은 실리콘기판(100)의 측면(100SS)을 정의할 수 있다. 또한, 지지기판(200)에 포함된 복수의 외곽실리콘원자(OSA)들은 지지기판(200)의 측면(200SS)을 정의할 수 있다.
복수의 실리콘원자(SA)들은 복수의 실리콘원자(SA)들 중 최외곽에 배치되며 제2면(S2)을 사이에 두고 서로 인접하는 제1외곽실리콘원자(OSA1) 및 제2외곽실리콘원자(OSA2)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 복수의 외곽실리콘원자(OSA)들은 제2면(S2)을 사이에 두고 서로 인접하는 제1외곽실리콘원자(OSA1) 및 제2외곽실리콘원자(OSA2)를 포함할 수 있다.
제1외곽실리콘원자(OSA1)의 중심(OSAC1)으로부터 제2외곽실리콘원자(OSA2)의 중심(OSAC2)으로의 제3배열방향(D3)은 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)과 교차할 수 있다. 이 때, 제1외곽실리콘원자(OSA1)의 중심(OSAC1)은 제1외곽실리콘원자(OSA1)의 원자핵의 위치로 정의할 수 있다. 또한, 제2외곽실리콘원자(OSA2)의 중심(OSAC2)은 제2외곽실리콘원자(OSA2)의 원자핵의 위치로 정의할 수 있다. 즉, 실리콘기판(100)에 포함된 복수의 실리콘원자(SA)들은 지지기판(200)에 포함된 복수의 실리콘원자(SA)들과 전위(dislocation)될 수 있다. 이는 실리콘기판(100) 및 지지기판(200)이 동일한 실리콘 결정을 포함하면서 직접 연결되는 경우라도, 실리콘기판(100) 및 지지기판(200)의 원자간 결합이 완벽하게 일치하지 못할 수 있기 때문이다.
도 5b는 다른 실시예에 따른 도 4의 마스크 조립체에서 A 부분의 확대도이다. 도 5b에 있어서, 도 5a와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5b를 참조하면, 마스크 조립체는 실리콘기판(100) 및 지지기판(200)을 포함할 수 있다.
실리콘기판(100) 및 지지기판(200)이 직접 연결되는 경우, 실리콘기판(100)의 측면(100SS)은 지지기판(200)의 측면(200SS)과 서로 교차할 수 있다. 즉, 실리콘기판(100)의 측면(100SS) 및 지지기판(200)의 측면(200SS)은 동일 평면에 포함되지 않으면서, 서로 교차할 수 있다.
실리콘기판(100) 및 지지기판(200)은 각각 복수의 실리콘원자(SA)들을 포함할 수 있다. 구체적으로, 지지기판(200)은 복수의 제1실리콘원자(SA1)들을 포함할 수 있고, 실리콘기판(100)은 복수의 제2실리콘원자(SA2)들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 제1실리콘원자(SA1)들은 제1배열방향(D1) 및 제1배열방향(D1)과 교차하는 제2배열방향(D2)을 따라 배열될 수 있다. 이 때, 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)은 서로 교차할 수 있다. 예를 들어, 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)은 예각을 이루거나, 직각을 이루거나, 둔각을 이룰 수 있다. 이하에서는 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)이 직각을 이루는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
일 실시예에서, 복수의 제2실리콘원자(SA2)들은 제1배열방향(D1)과, 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)과 교차하는 제3배열방향(D3)을 따라 배열될 수 있다. 따라서, 복수의 제1실리콘원자(SA1)들의 배열 방향과 복수의 제2실리콘원자(SA2)들의 배열 방향이 상이할 수 있다. 이를 다시 말하면, 실리콘기판(100)의 제2면(S2)에서 계면 결함(interfacial defect)이 발생할 수 있다. 계면 결함은 다른 결정 구조와 다른 결정 방향을 가진 재료의 두 부분을 분리하는 2차원 경계로 정의할 수 있다.
도 5c는 도 5a 및 도 5b의 실시예와 비교하기 위한 비교예에 따른 도 4의 A 부분의 확대도이다.
도 5c를 참조하면, 마스크 조립체는 실리콘기판(100-1)을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 마스크 조립체는 지지기판을 포함하지 않을 수 있다. 실리콘기판(100-1)은 복수의 실리콘원자(SA)들을 포함할 수 있다. 복수의 실리콘원자(SA)들은 제1배열방향(D1) 및 제2배열방향(D2)을 따라 배열될 수 있다.
본 실시예와 다르게 실리콘기판(100-1)이 지지기판과 직접 연결되지 않는 경우, 복수의 실리콘원자(SA)들은 규칙적으로 배열될 수 있다. 즉, 실리콘기판(100-1)에 포함된 복수의 실리콘원자(SA)들은 도 5a에서 도시한 바와 같이 전위(dislocation)되지 않을 수 있다. 또는, 실리콘기판(100-1)에 포함된 복수의 실리콘원자(SA)들은 도 5b에서 도시한 바와 같이 계면 결함(interfacial defect)이 발생하지 않을 수 있다. 본 발명의 실시예는 실리콘기판(100) 및 지지기판(200)이 직접 연결되므로, 도 5a에서 도시한 바와 같이 복수의 실리콘원자(SA)들이 전위(dislocation)되거나, 도 5b에서 도시한 바와 같이 계면 결함(interfacial defect)이 발생할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 조립체(1500-1)를 도시한 단면도이다. 도 6에 있어서, 도 4와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 마스크 조립체(1500-1)는 실리콘기판(100), 지지기판(200), 마스크 시트(300), 마스크 프레임(400), 접착부재(500), 및 중간접착부재(600)를 포함할 수 있다. 도 6의 실시예에 따른 마스크 조립체(1500-1)는 도 4의 실시예에 다른 마스크 조립체(1500)와 중간접착부재(600)를 포함하는 차이가 있다.
일 실시예에 있어서 지지기판(200)은 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지기판(200)은 실리콘 결정을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 지지기판(200)은 글라스일 수 있다.
중간접착부재(600)는 실리콘기판(100) 및 지지기판(200) 사이에 배치될 수 있다. 중간접착부재(600)는 실리콘기판(100) 및 지지기판(200)을 접착시킬 수 있다. 일 실시예에서, 중간접착부재(600)는 접착용 금속을 포함할 수 있다. 중간접착부재(600)는 아웃개싱(outgassing)이 발생하지 않는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간접착부재(600)는 인듐을 포함할 수 있다. 또는, 중간접착부재(600)는 인듐 복합물을 포함할 수 있다. 다른 예로, 중간접착부재(600)는 레진(Resin) 및/또는 에폭시(Epoxy) 등을 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 조립체(1500-2)를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 8은 도 7의 VIII-VIII'선에 따른 마스크 조립체(1500-2)의 단면도이다. 도 7 및 도 8에 있어서, 도 3 및 도 4와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 마스크 조립체(1500-2)는 실리콘기판(100), 지지기판(200), 마스크 시트(300), 마스크 프레임(400), 및 접착부재(500)를 포함할 수 있다.
실리콘기판(100)은 제1개구부(OP1)를 포함할 수 있다. 제1개구부(OP1)는 제1면(S1) 및 제2면(S2)을 관통할 수 있다. 제1개구부(OP1)는 테이퍼된 형상을 구비할 수 있다. 제1개구부(OP1)는 복수개로 구비될 수 있다.
지지기판(200)은 제2개구부(OP2)를 구비할 수 있다. 제2개구부(OP2)는 지지기판(200)의 상면 및 지지기판(200)의 하면을 관통할 수 있다. 일 실시예에서, 지지기판(200)은 복수의 제2개구부(OP2)들을 구비할 수 있다. 즉, 하나의 지지기판(200)은 복수의 제2개구부(OP2)들을 구비할 수 있다. 복수의 제2개구부(OP2)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제2개구부(OP2)는 제1개구부(OP1)와 연결될 수 있다. 하나의 제2개구부(OP2)는 복수의 제1개구부(OP1)들과 중첩하여 배치될 수 있다. 따라서, 하나의 제2개구부(OP2)는 복수의 제1개구부(OP1)들과 연결될 수 있다.
마스크 시트(300)는 마스크개구부(300OP)를 구비할 수 있다. 마스크개구부(300OP)는 마스크 시트(300)의 상면(US) 및 마스크 시트(300)의 하면(LS)을 관통할 수 있다.
일 실시예에서, 마스크개구부(300OP)는 복수의 제2개구부(OP2)들과 연결될 수 있다. 즉, 하나의 마스크개구부(300OP)는 복수의 제2개구부(OP2)들과 연결될 수 있다.
도 9a 내지 도 9j는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 9a를 참조하면, 마스크기판(MS)을 준비할 수 있다. 마스크기판(MS)은 SOI(Silicon-on-insulator) 웨이퍼일 수 있다. 일 실시예에서, 마스크기판(MS)은 제1층(100A), 제2층(100B), 및 제3층(100C)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1층(100A)은 마스크 조립체의 실리콘기판이 될 부분일 수 있다. 제1층(100A), 제2층(100B), 및 제3층(100C)은 차례로 적층될 수 있다. 제1층(100A) 및 제3층(100C)은 실리콘을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1층(100A) 및 제3층(100C)은 실리콘 결정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1층(100A) 및 제3층(100C)은 복수의 실리콘 원자들을 포함할 수 있다. 제2층(100B)은 실리콘산화물(SiO2)을 포함할 수 있다.
제1층(100A)에 제1개구부가 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1층(100A) 상에 포토레지스트층(PR)이 형성될 수 있다. 포토레지스트층(PR)은 포지티브(Positive)형 또는 네거티브(Negative)형 중 어느 하나로 선택되어 제1층(100A) 상에 형성될 수 있다. 포지티브형의 포토레지스트층은 노광(Light exposure)된 영역이 이후 현상(Develop) 과정에서 식각되며, 반대로 네거티브형의 포토레지스트층은 노광된 영역을 제외한 나머지 영역이 식각되는 특성이 있다. 이하에서는, 포토레지스트층(PR)이 포지티브형인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
포토레지스트층(PR)은 포토레지스트액(미도시)을 제1층(100A) 상에 스핀 코팅(Spin-coating), 스프레이, 또는 담금 등의 다양한 방법으로 도포함으로써 형성될 수 있다.
또한, 포토레지스트층(PR)이 제1층(100A) 상면에 도포되기 전에 포토레지스트층(PR)이 도포될 제1층(100A)의 상면을 연마(Polishing)하는 공정을 추가적으로 실시할 수 있다.
그 다음, 포토레지스트층(PR)을 노광할 수 있다. 이 때, 포토레지스트층(PR)의 적어도 일부가 노광될 수 있다. 예를 들어, 포토 마스크를 사용하는 경우, 포토레지스트층(PR) 중 포토 마스크의 개구부와 중첩되는 영역이 노광될 수 있다.
그 다음, 포토레지스트층(PR)의 일부는 현상 공정을 통해 제거될 수 있다. 따라서, 포토레지스트층(PR)에 포토레지스트층 개구부(PROP)가 형성될 수 있다. 포토레지스트층 개구부(PROP)는 제1층(100A)에 제1개구부가 형성되는 영역과 중첩될 수 있다.
그 다음, 포토레지스트층(PR)을 마스크로 하여 제1층(100A)을 식각할 수 있다. 이 때, 식각은 건식 식각(dry etching)일 수 있다. 건식 식각은 포토레지스트층 개구부(PROP)에서 제1층(100A)으로의 방향으로 진행될 수 있다.
도 9b를 참조하면, 제1층(100A)은 제1면(S1) 및 제1면(S1)과 반대되는 제2면(S2)을 포함할 수 있다. 이 때, 제1면(S1)은 제2층(100B)과 대향하는 면일 수 있다. 이러한 경우, 포토레지스트층 개구부(PROP)에서 제1층(100A)으로의 방향으로 건식 식각이 진행되므로, 제1층(100A)의 제1면(S1)에서의 제1개구부(OP1)의 제1폭(d1)은 제2면(S2)에서의 제1개구부(OP1)의 제2폭(d2)보다 작게 형성될 수 있다. 따라서, 제1층(100A)의 제1면(S1)에서의 제1개구부(OP1)의 제1폭(d1)은 제2면(S2)에서의 제1개구부(OP1)의 제2폭(d2)보다 작을 수 있다.
일 실시예에서, 제1개구부(OP1)의 폭은 일정하게 감소하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1개구부(OP1)의 폭은 제2면(S2)에서 제1면(S1)으로의 방향으로 일정하게 감소하도록 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 제1개구부(OP1)의 내측면은 곡면을 포함하도록 형성될 수 있다. 이하에서는, 제1개구부(OP1)의 폭이 일정하게 감소하도록 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
도 9c를 참조하면, 포토레지스트층(PR)은 제거될 수 있다. 따라서, 제1층(100A)의 제2면(S2)이 외부로 노출될 수 있다.
도 9d 및 도 9e를 참조하면, 제2개구부(OP2)를 구비한 지지기판(200)을 준비할 수 있다. 지지기판(200)의 제2두께(t2)는 제1층(100A)의 제1두께(t1)보다 두꺼울 수 있다. 제2개구부(OP2)는 지지기판(200)의 상면 및 지지기판(200)의 하면을 관통할 수 있다.
지지기판(200)은 제1층(100A) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 지지기판(200)은 제1층(100A)의 제2면(S2)에 배치될 수 있다. 이 때, 복수의 제1개구부(OP1)들은 제2개구부(OP2)에 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 지지기판(200)은 제1층(100A)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지기판(200)은 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 지지기판(200)은 글라스일 수 있다.
지지기판(200)은 제1층(100A)과 직접 연결될 수 있다. 구체적으로, 지지기판(200)은 제1층(100A)의 제2면(S2)과 직접 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 지지기판(200)이 제1층(100A)과 동일하게 실리콘 결정을 포함하는 경우, 지지기판(200)은 제1층(100A)과 직접 접합(directly bonding) 또는 퓨전 접합(fusion bonding)될 수 있다.
먼저, 지지기판(200) 및 제1층(100A)은 각각의 표면에 불순물을 제거할 수 있다. 일 실시예에서, 지지기판(200) 및 제1층(100A)은 드라이 클리닝(dry cleaning)될 수 있다. 예를 들어, 지지기판(200) 및 제1층(100A)은 플라즈마 처리 공정, UV/ozone 세정 공정, 또는 습식 화학 세정 공정이 진행될 수 있다.
그 다음, 지지기판(200) 및 제1층(100A)은 얼라인될 수 있으며, 지지기판(200) 및 제1층(100A)은 부착될 수 있다. 구체적으로, 서로 대향하는 지지기판(200)의 하면 및 제1층(100A)의 제2면(S2)은 흡착될 수 있다. 이 때, 실온(room temperature)에서 실라놀(Si-OH) 그룹의 상당부분이 일산화이규소(Si2O) 및 물 분자(H2O)를 형성하면서 중합될 수 있다. 일 실시예에서, 지지기판(200) 및 제1층(100A)이 직접 연결되는 경우, 제2면(S2)에 일산화이규소(Si2O)가 형성될 수 있다.
그 다음, 지지기판(200) 및 제1층(100A)의 접합 강도를 증가시키기 위해 어닐링(annealing) 공정이 진행될 수 있다. 어닐링 공정은 더 많은 실라놀(Si-OH) 그룹이 서로 반응하도록 일정한 양의 열 에너지를 제공할 수 있으며, 새로운 화학 결합이 형성될 수 있다. 그 결과로 지지기판(200) 및 제1층(100A)의 접합 강도가 증가될 수 있다. 이 때, 형성된 물 분자(H2O)는 제2면(S2)을 따라 확산될 수 있다.
다른 실시예에서, 지지기판(200)이 글라스인 경우, 지지기판(200) 및 제1층(100A)은 양극 접합(anodic bonding)될 수 있다.
먼저, 제1층(100A) 상에 지지기판(200)이 배치될 수 있다. 이 때, 지지기판(200)은 제1층(100A) 상에 직접 배치될 수 있다.
그 다음, 제1층(100A) 및 지지기판(200)에 정전기장(electrostatic field)이 작용할 수 있다. 예를 들어, 제1층(100A) 및 지지기판(200)에 각각 전극이 연결될 수 있다. 이 때, 200 ℃ 내지 500℃에서 제1층(100A) 및 지지기판(200)에 정전기장이 작용할 수 있다. 이러한 경우에도, 일 실시예에서, 제2면(S2)에 일산화이규소(Si2O)가 형성될 수 있다.
그 다음, 제1층(100A) 및 지지기판(200)을 냉각시킬 수 있다. 따라서, 제1층(100A) 및 지지기판(200)은 양극 접합 과정을 통해 직접 연결될 수 있다.
도 9f를 참조하면, 일 실시예에서, 마스크기판(MS) 및 지지기판(200)의 표면에 실리콘산화막(OF)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 실리콘산화막(OF)은 제1층(100A), 제3층(100C), 및 지지기판(200)의 표면에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 실리콘산화막(OF)은 열 산화 공정으로 형성될 수 있다.
실리콘산화막(OF)은 습식 식각(wet etching) 공정에서 마스크기판(MS) 또는 지지기판(200)이 식각되는 것을 방지 또는 감소시킬 수 있다. 실리콘산화막(OF)은 실리콘산화물(SiO2)을 포함할 수 있다. 실리콘산화막(OF)은 제2층(100B)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 마스크 조립체를 형성하는 과정에서 건식 식각(dry etching) 공정만이 진행되는 경우, 실리콘산화막(OF)을 형성하는 공정은 생략될 수 있다. 이하에서는, 마스크기판(MS) 및 지지기판(200)의 표면에 실리콘산화막(OF)을 형성하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
도 9f, 도 9g, 및 도 9h를 참조하면, 제3층(100C)은 제거될 수 있다. 일 실시예에서, 제3층(100C)은 연마될 수 있다. 이 때, 제3층(100C)의 두께는 감소할 수 있다. 또한, 제3층(100C)에 형성된 실리콘산화막(OF) 중 일부는 제거될 수 있다. 일 실시예에서, 연마 공정은 화학적 기계적 연마 공정일 수 있다.
제3층(100C)의 적어도 일부는 노출될 수 있다. 구체적으로, 제3층(100C)에 형성된 실리콘산화막(OF) 중 일부가 제거되어 제3층(100C)의 적어도 일부는 노출될 수 있다. 예를 들어, 제3층(100C)은 제1층(100A)의 제1면(S1)과 대향하는 제3층(100C)의 상면(100CSA)을 포함할 수 있다. 또한, 제3층(100C)은 제3층(100C)의 상면(100CSA)과 반대되는 제3층(100C)의 하면(100CSB)을 포함할 수 있다. 이 때, 제3층(100C)의 하면(100CSB)이 외부로 노출될 수 있다.
일 실시예에서, 제3층(100C)은 습식 식각(wet etching) 공정으로 제거될 수 있다. 제3층(100C)의 하면(100CSB)은 실리콘산화막(OF)에 덮히지 않고 외부로 노출되어 있을 수 있다. 따라서, 제3층(100C)은 습식 식각 공정으로 제거될 수 있다. 제1층(100A) 및 지지기판(200)은 실리콘산화막(OF)에 덮혀져 있기 때문에 습식 식각됨을 방지할 수 있다. 다른 실시예에서, 제3층(100C)은 건식 식각(dry etching) 공정으로 제거될 수 있다.
도 9h 및 도 9i를 참조하면, 제2층(100B)이 제거될 수 있다. 일 실시예에서, 제2층(100B)이 제거될 때, 실리콘산화막(OF)도 제거될 수 있다. 제2층(100B) 및 실리콘산화막(OF)은 모두 실리콘산화물(SiO2)을 포함하고 있어 동일한 공정에서 동시에 제거될 수 있다. 따라서, 마스크 조립체를 제조하는 시간은 감소될 수 있다. 다른 실시예에서, 제2층(100B)이 제거되고, 실리콘산화막(OF)이 제거될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 실리콘산화막(OF)이 제거되고, 제2층(100B)이 제거될 수 있다.
상기와 같은 과정을 통해 마스크 조립체의 실리콘기판(100) 및 지지기판(200)이 제조될 수 있다. 이 때, 마스크기판의 제1층(100A)이 마스크 조립체의 실리콘기판(100)일 수 있다.
도 9j를 참조하면, 지지기판(200) 상에 마스크개구부(300OP)를 구비한 마스크 시트(300)가 배치될 수 있다. 지지기판(200)은 실리콘기판(100) 및 마스크 시트(300) 사이에 배치될 수 있다.
마스크 시트(300)는 상면(US) 및 상면(US)과 반대되는 하면(LS)을 포함할 수 있다. 이 때, 마스크 시트(300)의 상면(US)은 제1층(100A)의 제2면(S2)과 대향하도록 배치될 수 있다. 또한, 마스크 시트(300)의 상면(US)은 지지기판(200)과 대향하도록 배치될 수 있다.
도시하지는 않았지만, 지지기판(200) 및 마스크 시트(300)는 접착부재에 의해 접착될 수 있다.
마스크 프레임(400)은 마스크 시트(300)의 하부에 배치될 수 있다. 즉, 마스크 시트(300)는 마스크 프레임(400) 상에 배치될 수 있다. 마스크 시트(300)는 지지기판(200) 및 마스크 프레임(400) 사이에 배치될 수 있다. 마스크 시트(300)는 마스크 프레임(400)에 인장된 상태로 용접하여 고정될 수 있다.
지지기판(200)의 제2두께(t2)는 실리콘기판(100)의 제1두께(t1)보다 두꺼울 수 있다. 마스크 조립체(1500)를 제조할 때, 로봇암 등이 실리콘기판(100)을 직접 컨택하여 이송시키는 경우, 실리콘기판(100)이 손상될 수 있다. 마스크 조립체(1500)를 제조할 때, 로봇암 등이 실리콘기판보다 두께가 두꺼운 지지기판(200)을 직접 컨택하여 이송시키는 경우, 실리콘기판(100)의 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 실리콘기판(100)의 손상을 방지하면서 마스크 조립체(1500)를 제조할 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 조립체의 제조방법을 도시한 단면도이다. 도 10에 있어서, 도 9d와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 10을 참조하면, 제2개구부(OP2)를 구비한 지지기판(200)을 제1층(100A) 상에 배치할 수 있다. 이 때, 지지기판(200)은 제1층(100A)과 중간접착부재(600)로 접착할 수 있다.
일 실시예에서, 먼저 중간접착부재(600)는 지지기판(200)에 부착될 수 있다. 그 다음, 중간접착부재(600)는 제1층(100A)과 접착될 수 있다. 따라서, 중간접착부재(600)를 통해 제1층(100A) 및 지지기판(200)이 연결될 수 있다. 다른 실시예에서, 먼저 중간접착부재(600)는 제1층(100A)에 부착될 수 있다. 그 다음, 중간접착부재(600)는 지지기판(200)과 접착될 수 있다. 따라서, 중간접착부재(600)를 통해 제1층(100A) 및 지지기판(200)이 연결될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1층(100A) 및 지지기판(200)에 각각 중간접착부재(600)가 부착된 후, 제1층(100A) 및 지지기판(200)이 중간접착부재(600)를 통해 연결될 수 있다.
한편, 다시 도 1을 참조하면, 표시 장치의 제조장치(1000)는 후술할 표시 장치를 제조하는데 사용될 수 있다. 구체적으로 압력조절부(1800)가 챔버(1100) 내부를 대기압과 동일 또는 유사한 상태로 만들면, 게이트밸브가 작동하여 챔버(1100)의 개구된 부분을 개방할 수 있다.
이후 외부에서 디스플레이 기판(D)을 챔버(1100) 외부에서 내부로 장입시킬 수 있다. 여기서 디스플레이 기판(D)은 제조중인 표시 장치일 수 있다. 디스플레이 기판(D)은 다양한 방식으로 챔버(1100)에 장입될 수 있다. 일 실시예에서, 디스플레이 기판(D)은 챔버(1100)의 외부에 배치된 로봇암 등을 통해 챔버(1100)의 외부에서 내부로 장입될 수 있다. 다른 실시예에서, 기판지지부(1200)가 셔틀 형태로 구비되는 경우, 기판지지부(1200)가 챔버(1100) 내부에서 챔버(1100) 외부로 반출될 수 있다. 그 다음, 챔버(1100) 외부에 배치된 별도의 로봇암 등을 통하여 디스플레이 기판(D)을 기판지지부(1200)에 안착시키고 기판지지부(1200)가 챔버(1100) 외부에서 챔버(1100) 내부로 장입할 수 있다.
일 실시예에서, 마스크 조립체(1500)는 챔버(1100) 내부에 배치된 상태일 수 있다. 다른 실시예에서, 마스크 조립체(1500)는 디스플레이 기판(D)과 유사하게 챔버(1100) 외부에서 챔버(1100) 내부로 장입하는 것도 가능하다. 이러한 경우, 마스크 조립체(1500)는 증착 물질을 공급하는 소스부(1400)와 대향하도록 챔버(1100) 내에 배치될 수 있다.
디스플레이 기판(D)이 챔버(1100) 내부로 장입되면, 디스플레이 기판(D)은 기판지지부(1200)에 안착될 수 있다. 이러한 경우, 디스플레이 기판(D)은 마스크 조립체(1500)를 기준으로 소스부(1400)와 반대편에 배치될 수 있다. 이 때, 비젼부(1700)는 디스플레이 기판(D)과 마스크 조립체(1500)의 위치를 촬영할 수 있다. 비젼부(1700)가 파악한 디스플레이 기판(D)과 마스크 조립체(1500)의 위치를 근거로 마스크지지부(1300)는 마스크 조립체(1500)의 위치를 미세 조정할 수 있다.
그 다음, 전자기력부(1600)를 이용하여 마스크 조립체(1500)를 디스플레이 기판(D)에 근접시킬 수 있다.
그 다음, 소스부(1400)가 작동하여 증착 물질을 마스크 조립체(1500) 측으로 공급할 수 있다. 증착 물질은 마스크 조립체(1500)를 통과하여 디스플레이 기판(D)에 증착될 수 있다. 구체적으로, 증착 물질은 마스크 프레임(400)의 개구영역, 마스크 시트(300)의 마스크개구부, 지지기판(200)의 제2개구부(OP2), 실리콘기판(100)의 제1개구부(OP1)를 통과할 수 있으며, 디스플레이 기판(D)에 증착될 수 있다. 이 때, 펌프(1820)는 챔버(1100) 내부의 기체를 흡입하여 외부로 배출시킴으로써 챔버(1100) 내부의 압력을 진공과 동일 또는 유사한 형태로 유지시킬 수 있다.
상기와 같은 마스크 조립체(1500)는 실리콘기판(100) 및 지지기판(200)을 포함할 수 있다. 이 때, 실리콘기판(100)의 제1개구부(OP1)는 테이퍼된 형상을 구비할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 제조장치(1000)는 증착 물질이 디스플레이 기판(D)에 증착되는 위치를 정밀하게 제어할 수 있으며, 고해상도를 가지는 표시 장치를 제조할 수 있다.
이하 상기와 같은 표시 장치의 제조장치(1000)를 이용하여 제조할 수 있는 표시 장치에 대해 상세히 설명하기로 한다.
표시 장치는 화상을 표시하는 장치로서, 게임기, 멀티미디어기기, 초소형 PC와 같이 휴대가 가능한 모바일 기기일 수 있다. 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 양자점 표시 장치(Quantum dot display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등을 포함할 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 실시예들은 전술한 바와 같은 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치로 제조된 표시 장치(1)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 11를 참조하면, 표시 장치(1)는 기판(10), 표시층(DL), 박막봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 표시층(DL) 및 박막봉지층(TFE)은 기판(10) 상에 차례로 배치될 수 있다. 표시층(DL)은 화소회로층(PCL) 및 표시요소층(DEL)을 포함할 수 있다.
기판(10)은 글라스이거나 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
표시층(DL) 및 기판(10) 사이에는 배리어층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 배리어층은 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로, 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산화물(SiO2)과 같은 무기물을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다.
기판(10) 상에는 화소회로층(PCL)이 배치될 수 있다. 화소회로층(PCL)은 박막트랜지스터(TFT) 및 박막트랜지스터(TFT)의 구성요소들 아래 또는/및 위에 배치되는 버퍼층(11), 제1게이트절연층(13a), 제2게이트절연층(13b), 층간절연층(15) 및 평탄화절연층(17)을 포함할 수 있다.
버퍼층(11)은 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(11)은 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON) 및 실리콘산화물(SiO2)과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(12) 게이트전극(14), 소스전극(16a), 및 드레인전극(16b)을 포함할 수 있다. 반도체층(12)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(12)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 반도체층(12)은 채널영역(12c) 및 채널영역(12c)의 양측에 각각 배치된 소스영역(12a) 및 드레인영역(12b)을 포함할 수 있다.
게이트전극(14)은 채널영역(12c)과 중첩할 수 있다. 게이트전극(14)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(14)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(12)과 게이트전극(14) 사이의 제1게이트절연층(13a)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(13b)은 게이트전극(14)을 덮을 수 있다. 제2게이트절연층(13b)은 제1게이트절연층(13a)과 유사하게 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(13b) 상부에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(Cst2)이 배치될 수 있다. 상부 전극(Cst2)은 그 아래의 게이트전극(14)과 중첩할 수 있다. 이 때, 제2게이트절연층(13b)을 사이에 두고 중첩하는 게이트전극(14) 및 상부 전극(Cst2)은 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 즉, 게이트전극(14)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(Cst1)으로 기능할 수 있다.
이와 같이, 스토리지 커패시터(Cst)와 박막트랜지스터(TFT)가 중첩되어 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩되지 않도록 형성될 수도 있다.
상부 전극(Cst2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간절연층(15)은 상부 전극(Cst2)을 덮을 수 있다. 층간절연층(15)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등을 포함할 수 있다. 층간절연층(15)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(16a) 및 드레인전극(16b)은 각각 층간절연층(15) 상에 위치할 수 있다. 소스전극(16a) 및 드레인전극(16b)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(16a) 및 드레인전극(16b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(16a) 및 드레인전극(16b)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
평탄화절연층(17)은 유기절연층을 포함할 수 있다. 평탄화절연층(17)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다.
표시요소층(DEL)은 화소회로층(PCL) 상에 배치될 수 있다. 표시요소층(DEL)은 유기발광다이오드(OLED)를 포함하되, 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(21)은 평탄화절연층(17)의 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
화소전극(21)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(21)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(21)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
화소전극(21) 상에는 화소전극(21)의 중앙부를 노출하는 개구(19OP)를 갖는 화소정의막(19)이 배치될 수 있다. 화소정의막(19)은 유기절연물 및/또는 무기절연물을 포함할 수 있다. 개구(19OP)는 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 발광영역을 정의할 수 있다. 예컨대, 개구(119OP)의 폭이 발광영역의 폭일 수 있다. 이러한 발광영역의 폭은 표시 장치(1)에 구비된 부화소(PX)의 폭으로 정의할 수 있다.
화소정의막(19)의 개구(19OP)에는 발광층(22)이 배치될 수 있다. 발광층(22)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 상기와 같은 발광층(22)은 표시 장치의 제조장치(1000)를 이용해 형성할 수 있다. 즉, 표시 장치의 제조장치(1000)는 발광층(22)을 형성하는 증착 물질을 화소정의막(19)의 개구(19OP)에 증착시킬 수 있다.
도시되지는 않았으나, 발광층(22)의 아래와 위에는 각각 제1기능층 및 제2기능층이 배치될 수 있다. 제1기능층은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 홀 수송층 및 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층은 발광층(22) 위에 배치되는 구성요소로서, 선택적(optional)이다. 제2기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제1기능층 및/또는 제2기능층은 후술할 공통전극(23)과 마찬가지로 기판(10)을 전체적으로 커버하도록 형성되는 공통층일 수 있다.
공통전극(23)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 공통전극(23)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 공통전극(23)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 박막봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하며, 일 실시예로서 도 11은 박막봉지층(TFE)이 순차적으로 적층된 제1무기봉지층(31), 유기봉지층(32) 및 제2무기봉지층(33)을 포함하는 것을 도시한다.
제1무기봉지층(31) 및 제2무기봉지층(33)은 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 아연산화물(ZnO), 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON) 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 유기봉지층(32)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층(32)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 박막봉지층(TFE)은 기판(10) 및 투명한 부재인 상부기판이 밀봉부재로 결합되어 기판(10)과 상부기판 사이의 내부공간이 밀봉되는 구조일 수 있다. 이 때 내부공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다. 밀봉부재는 실런트 일 수 있으며, 다른 실시예에서, 밀봉부재는 레이저에 의해서 경화되는 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 밀봉부재는 프릿(frit)일 수 있다. 구체적으로 밀봉부재는 유기 실런트인 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘(silicone) 등으로 이루어질 수 있다. 우레탄계 수지로서는, 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다. 아크릴계 수지로는, 예를 들어, 부틸아크릴레이트, 에틸헬실아크레이트 등을 사용할 수 있다. 한편, 밀봉부재는 열에 의해서 경화되는 물질로 구성될 수 있다.
박막봉지층(TFE) 상에는 터치전극들을 포함하는 터치전극층(미도시)이 배치되고, 터치전극층 상에는 광학기능층(미도시)이 배치될 수 있다. 터치전극층은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 광학기능층은 외부로부터 표시 장치(1)를 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있고, 및/또는 표시 장치(1)에서 방출되는 빛의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 일 실시예로, 광학기능층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학기능층은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시 장치(1)의 부화소(PX)들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 컬러필터들 각각은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료나 염료를 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 각각은 전술한 안료나 염료 외에 양자점을 더 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 중 일부는 전술한 안료나 염료를 포함하지 않을 수 있으며, 산화티타늄과 같은 산란입자들을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학기능층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1반사층과 제2반사층을 포함할 있다. 제1반사층 및 제2반사층에서 각각 반사된 제1반사광과 제2반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
상기 터치전극층 및 광학기능층 사이에는 접착 부재가 배치될 수 있다. 상기 접착 부재는 당 기술분야에 알려진 일반적인 것을 제한 없이 채용할 수 있다. 상기 접착 부재는 감압성 접착제(pressure sensitive adhesive, PSA)일 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
SA: 실리콘원자
SA1, SA2: 제1실리콘원자, 제2실리콘원자
OP1, OP2: 제1개구부, 제2개구부
S1, S2: 제1면, 제2면
D1, D2, D3: 제1배열방향, 제2배열방향, 제3배열방향
OSA1, OSA2: 제1외곽실리콘원자, 제2외곽실리콘원자
d1: 제1폭
t2: 제2두께
d2: 제2폭
100: 실리콘기판
100A, 100B, 100C: 제1층, 제2층, 제3층
200: 지지기판
300: 마스크 시트
300OP: 마스크개구부
400: 마스크 프레임
500: 접착부재
600: 중간접착부재
1000: 표시 장치의 제조장치
1100: 챔버
1400: 소스부
1500, 1500-1, 1500-2: 마스크 조립체

Claims (30)

  1. 마스크 조립체;를 포함하는 표시 장치의 제조장치에 있어서,
    상기 마스크 조립체는,
    제1면 및 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하며, 상기 제1면 및 상기 제2면을 관통하는 제1개구부를 구비한 실리콘기판; 및
    상기 제2면 상에 배치되며, 상기 제1개구부와 연결된 제2개구부를 구비한 지지기판;을 포함하고,
    상기 제1면에서 상기 제1개구부의 폭은 상기 제2면에서 상기 제1개구부의 폭보다 작은, 표시 장치의 제조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지기판의 두께는 상기 실리콘기판의 두께보다 두꺼운, 표시 장치의 제조장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지지기판은 상기 실리콘기판의 상기 제2면에 직접 연결된, 표시 장치의 제조장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 실리콘기판 및 상기 지지기판은 각각 제1배열방향 및 상기 제1배열방향과 교차하는 제2배열방향을 따라 배열된 복수의 실리콘 원자들을 포함하고,
    상기 복수의 실리콘원자들은 상기 복수의 실리콘원자들 중 최외곽에 배치되며 상기 제2면을 사이에 두고 서로 인접하는 제1외곽실리콘원자 및 제2외곽실리콘원자를 포함하며,
    상기 제1외곽실리콘원자의 중심으로부터 상기 제2외곽실리콘원자의 중심으로의 제3배열방향은 상기 제1배열방향 및 상기 제2배열방향과 교차하는, 표시 장치의 제조장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 지지기판은 제1배열방향 및 상기 제1배열방향과 교차하는 제2배열방향을 따라 배열된 복수의 제1실리콘원자들을 포함하고,
    상기 실리콘기판은 상기 제1배열방향과, 상기 제1배열방향 및 상기 제2배열방향과 교차하는 제3배열방향을 따라 배열된 복수의 제2실리콘원자들을 포함하는, 표시 장치의 제조장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제2면에 일산화이규소(Si2O)가 구비된, 표시 장치의 제조장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 지지기판 및 상기 실리콘기판 사이에 배치된 중간접착부재;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 조립체는,
    개구영역을 구비한 마스크 프레임; 및
    상기 마스크 프레임 상에 배치되며, 상면 및 상기 상면과 반대되는 하면을 포함하고, 상기 상면 및 상기 하면을 관통하는 마스크개구부를 구비한 마스크 시트;를 더 포함하고,
    상기 마스크 시트 상에 상기 지지기판이 배치되고,
    상기 실리콘기판의 상기 제2면은 상기 마스크 시트의 상기 상면과 대향하는, 표시 장치의 제조장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 마스크 시트 및 상기 지지기판 중 하나는 상기 마스크 시트 및 상기 지지기판 중 다른 하나에 대향하는 오목부를 포함하고,
    상기 오목부에 배치되는 접착부재;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 조립체가 내부에 배치되는 챔버; 및
    상기 챔버 내부에 배치되며, 증착 물질을 공급하는 소스부;를 더 포함하고,
    상기 실리콘기판의 상기 제2면은 상기 소스부와 대향하는, 표시 장치의 제조장치.
  11. 제1층, 제2층, 및 제3층을 포함하는 마스크기판을 준비하는 단계;
    상기 제1층에 제1개구부를 형성하는 단계;
    상기 제1개구부와 연결되는 제2개구부를 구비한 지지기판을 상기 제1층 상에 배치하는 단계;
    상기 제3층을 제거하는 단계; 및
    상기 제2층을 제거하는 단계;를 포함하는, 마스크 조립체의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1층 및 상기 제3층은 실리콘을 포함하며,
    상기 제2층은 실리콘산화물을 포함하는, 마스크 조립체의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1개구부를 형성하는 단계는,
    상기 제1층을 건식 식각(Dry etching)하는 단계; 및
    상기 제2층과 마주보는 상기 제1층의 제1면에서의 상기 제1개구부의 폭은 상기 제1면과 반대되는 제2면에서의 상기 제1개구부의 폭보다 작게 형성되는 단계;를 포함하는, 마스크 조립체의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 지지기판을 배치하는 단계는,
    상기 제1층 및 상기 지지기판을 직접 연결시키는 단계를 포함하는, 마스크 조립체의 제조방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1개구부는 상기 제1층에 복수개로 형성되며,
    상기 지지기판을 배치하는 단계는,
    상기 제2개구부가 상기 복수의 제1개구부들과 연결되는 단계를 포함하는, 마스크 조립체의 제조방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 마스크기판 및 상기 지지기판의 표면에 실리콘산화막을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 마스크 조립체의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 실리콘산화막을 제거하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 제2층을 제거하는 단계는 상기 실리콘산화막을 제거하는 단계와 동시에 진행되는, 마스크 조립체의 제조방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제3층을 제거하는 단계는,
    상기 제3층을 연마하는 단계 및
    상기 제3층을 습식 식각(Wet etching) 또는 건식 식각(dry etching)하는 단계를 포함하는, 마스크 조립체의 제조방법.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 지지기판을 배치하는 단계는,
    상기 지지기판을 상기 제1층과 중간접착부재로 접착하는 단계를 포함하는, 마스크 조립체의 제조방법.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 지지기판 상에 마스크개구부를 구비한 마스크 시트 및 개구영역을 구비한 마스크 프레임을 배치하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 제1층은 상기 제2층과 마주보는 제1면 및 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고,
    상기 제1층의 상기 제2면은 상기 마스크 시트와 대향하는, 마스크 조립체의 제조방법.
  21. 챔버 내에 디스플레이 기판이 배치되는 단계;
    상기 챔버 내부에 배치되는 소스부에 의해 증착 물질이 공급되는 단계; 및
    상기 증착 물질이 상기 소스부에 대향하도록 배치된 마스크 조립체를 통과하여 상기 디스플레이 기판 상에 증착되는 단계;를 포함하고,
    상기 마스크 조립체는,
    제1면 및 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하며, 상기 제1면 및 상기 제2면을 관통하는 제1개구부를 구비한 실리콘기판; 및
    상기 제2면 상에 배치되며, 상기 제1개구부와 연결된 제2개구부를 구비한 지지기판;을 포함하고,
    상기 제1면은 상기 디스플레이 기판과 대향하고, 상기 제2면은 상기 소스부와 대향하며, 상기 제1면에서 상기 제1개구부의 폭은 상기 제2면에서 상기 제1개구부의 폭보다 작은, 표시 장치의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 지지기판의 두께는 상기 실리콘기판의 두께보다 두꺼운, 표시 장치의 제조방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 지지기판은 상기 실리콘기판의 상기 제2면에 직접 연결된, 표시 장치의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 실리콘기판 및 상기 지지기판은 각각 제1배열방향 및 상기 제1배열방향과 교차하는 제2배열방향을 따라 배열된 복수의 실리콘원자들을 포함하고,
    상기 복수의 실리콘원자들은 상기 복수의 실리콘원자들 중 최외곽에 배치되며 상기 제2면을 사이에 두고 서로 인접하는 제1외곽실리콘원자 및 제2외곽실리콘원자를 포함하며,
    상기 제1외곽실리콘원자의 중심으로부터 상기 제2외곽실리콘원자의 중심으로의 제3배열방향은 상기 제1배열방향 및 상기 제2배열방향과 교차하는, 표시 장치의 제조방법.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 지지기판은 제1배열방향 및 상기 제1배열방향과 교차하는 제2배열방향을 따라 배열된 복수의 제1실리콘원자들을 포함하고,
    상기 실리콘기판은 상기 제1배열방향과, 상기 제1배열방향 및 상기 제2배열방향과 교차하는 제3배열방향을 따라 배열된 복수의 제2실리콘원자들을 포함하는, 표시 장치의 제조방법.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 제2면에 일산화이규소(Si2O)가 구비된, 표시 장치의 제조방법.
  27. 제21항에 있어서,
    상기 지지기판 및 상기 실리콘기판 사이에 배치된 중간접착부재;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조방법.
  28. 제21항에 있어서,
    상기 제1개구부는 복수개로 구비되며,
    상기 제2개구부는 상기 복수의 제1개구부들과 연결된, 표시 장치의 제조방법.
  29. 제21항에 있어서,
    상기 마스크 조립체는,
    개구영역을 구비한 마스크 프레임; 및
    상기 마스크 프레임 상에 배치되며, 상면 및 상기 상면과 반대되는 하면을 포함하고, 상기 상면 및 상기 하면을 관통하는 마스크개구부를 구비한 마스크 시트;를 더 포함하고,
    상기 마스크 시트 상에 상기 지지기판이 배치되고,
    상기 실리콘기판의 상기 제2면은 상기 마스크 시트의 상기 상면과 대향하는, 표시 장치의 제조방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 마스크 시트 및 상기 지지기판 중 하나는 상기 마스크 시트 및 상기 지지기판 중 다른 하나에 대향하는 오목부를 포함하고,
    상기 오목부에 배치되는 접착부재;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조방법.
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