CN108470721A - 阵列基板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法通过在像素电极与TFT层的连接过孔制作完成之后，先对所述连接过孔内的TFT层进行氧气蚀刻，然后再形成通过连接过孔与TFT层接触的像素电极，能够避免在像素电极制作过程中产生水汽，防止像素电极鼓包不良，提升阵列基板的制作良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT，ThinFilm Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
现有的阵列基板的制作过程包括如下步骤：步骤100、提供一基板，在所述基板上依次形成TFT层及覆盖所述TFT层的绝缘层；步骤200、对所述绝缘层进行图案化，形成暴露出所述TFT层的漏极的连接过孔；在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述连接过孔与所述TFT层的漏极接触，其中，在图案化所述绝缘层的过程中，蚀刻制程所采用的六氟化硫(SF6)气体会与TFT层中的铝层反应，形成覆盖铝层的表面所述氟化铝(ALF3)，所述氟化铝与水汽进一步反应产生氢氧化铝，在像素电极制作时，氢氧化铝又会在高温下分解产生水汽，从而使得连接过孔中的像素电极隆起，产生鼓包不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法，能够避免像素电极产生鼓包不良，提升阵列基板的制作良率。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次形成TFT层及覆盖所述TFT层的第一绝缘层；
步骤S2、在所述绝缘层上形成图案化的光阻层，以所述图案化的光阻层为遮挡对所述第一绝缘层进行蚀刻，形成连接过孔，所述连接过孔暴露出所述TFT层的一部分；
步骤S3、对通过所述连接过孔暴露出的TFT层进行氧气蚀刻；
步骤S4、去除所述光阻层；
步骤S5、在所述第一绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述连接过孔与所述TFT层接触。
对所述第一绝缘层进行蚀刻时采用的制程气体包括六氟化硫。
所述TFT层包括：位于所述基板上的第一金属层、覆盖所述第一金属层及所述基板的第二绝缘层以及位于所述第二绝缘层上的第二金属层，所述像素电极通过所述连接过孔与所述第二金属层接触。
所述第二金属层包括：一金属铝层。
所述第二金属层还包括：两层叠设置的金属钼层，所述金属铝层位于两金属钼层之间。
所述第一金属层包括：栅极以及与所述栅极电性连接的扫描线，所述第二金属层包括：源极、漏极以及与所述源极电性连接的数据线，所述像素电极通过所述连接过孔与所述漏极接触。
所述步骤S5具体包括：在所述第一绝缘层上沉积像素电极薄膜并对所述像素电极薄膜进行图案化，形成所述像素电极。
所述像素电极的材料为氧化铟锡。
所述第一金属层的材料为：钼、铝及铜中的一种或多种的组合。
所述第一绝缘层的材料为氧化硅和氮化硅中的一种或二者的组合。
本发明的有益效果：本发明提供一种阵列基板的制作方法，通过在像素电极与TFT层的连接过孔制作完成之后，先对所述连接过孔内的TFT层进行氧气蚀刻，然后再形成通过连接过孔与TFT层接触的像素电极，能够避免在像素电极制作过程中产生水汽，防止像素电极鼓包不良，提升阵列基板的制作良率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的阵列基板的制作方法的步骤S1的示意图；
图2和图3为本发明的阵列基板的制作方法的步骤S2的示意图；
图4为本发明的阵列基板的制作方法的步骤S3的示意图；
图5为本发明的阵列基板的制作方法的步骤S4和步骤S5的示意图；
图6为本发明的阵列基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图6并结合图1，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一基板100，在所述基板100上依次形成TFT层1及覆盖所述TFT层1的第一绝缘层2。
具体地，所述基板100为玻璃基板，所述TFT层1可以为底栅极TFT也可以为顶栅极TFT。
具体地，请参阅图1，在本发明的第一实施例中，所述TFT层1为底栅极TFT时，所述TFT层1包括：位于所述基板100上的第一金属层10、覆盖所述第一金属层10及所述基板100的第二绝缘层30以及位于所述第二绝缘层30上的第二金属层20和半导体层40，并且后续形成的像素电极5通过连接过孔4与所述第二金属层20接触；此时，所述第一金属层10包括：栅极11以及与所述栅极11电性连接的扫描线(未图示)，所述第二金属层20包括：源极21、漏极22以及与所述源极21电性连接的数据线(未图示)，并且后续形成的像素电极5通过连接过孔4与所述漏极22接触，所述源极21和漏极22分别与所述半导体层40的两端接触。
具体地，在本发明的第一实施例中，所述第二金属层20至少包括一金属铝(Al)层，优选地，所述第二金属层20包括两金属钼层和一金属铝层，其中所述两金属钼(Mo)层层叠设置，所述金属铝层位于所述两金属钼层之间，即所述第二金属层20为两层钼夹一层铝的结构。所述第一金属层10的材料为钼、铝及铜中的一种或多种的组合，所述第一绝缘层2及第二绝缘层30的材料均为氧化硅和氮化硅中的一种或二者的组合。
具体地，在本发明的第二实施例中，所述TFT层1还可以为顶栅极TFT时，此时所述TFT层1包括：位于所述基板上的半导体层、覆盖所述半导体层及所述基板的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的第一金属层、覆盖所述第一金属层及栅极绝缘层的层间绝缘层以及位于所述层间绝缘层上的第二金属层，并且后续形成的像素电极通过连接过孔与所述第二金属层接触；此时，所述第一金属层包括：栅极以及与所述栅极电性连接的扫描线，所述第二金属层包括：源极、漏极以及与所述源极电性连接的数据线，并且后续形成的像素电极通过连接过孔与所述漏极接触，所述源极和漏极分别通过贯穿所述层间绝缘层和栅极绝缘层的两过孔与所述半导体层的两端接触。
具体地，在本发明的第二实施例中，所述第二金属层均至少包括一金属铝层，优选地，所述第二金属层包括两金属钼层和一金属铝层，其中所述两金属钼层层叠设置，所述金属铝层位于所述两金属钼层之间，即所述第二金属层为两层钼夹一层铝的结构。所述第一金属层的材料为钼、铝及铜中的一种或多种的组合，所述第一绝缘层、栅极绝缘层及层间绝缘层的材料均为氧化硅和氮化硅中的一种或二者的组合。
步骤S2、请参阅图2及图3，在所述第一绝缘层2上形成图案化的光阻层3，以所述图案化的光阻层3为遮挡对所述第一绝缘层2进行蚀刻，形成连接过孔4，所述连接过孔4暴露出所述TFT层1的一部分。
其中，在所述第一绝缘层2上形成图案化的光阻层3的步骤具体包括：在所述第一绝缘层2上形成一层光阻薄膜，通过一道光罩对所述光阻薄膜进行曝光和显影，形成图案化的光阻层3。
进一步地，以所述图案化的光阻层3为遮挡对所述第一绝缘层2进行蚀刻步骤中所采用的制程气体包括六氟化硫(SF6)，所述六氟化硫在蚀刻过程中会与所述第二金属层20中的金属铝发生反应并产生氟化铝(ALF3)。
步骤S3、请参阅图4，对通过所述连接过孔暴露出的TFT层进行氧气(O2)蚀刻。
具体地，通过对所述连接过孔4暴露出所述TFT层1进行氧气蚀刻，能够使得所述在步骤S2中产生的氟化铝(ALF3)被氧化产生氧化铝(AL2O3)，反应方程式为：4AlF3+3O2→2Al2O3+6F2(气态)，从而将步骤S2中引入的氟元素置换出来，避免影响后续制程。
步骤S4、请参阅图5，去除所述光阻层3。
具体地，由于所述步骤S2中产生的氟化铝已经被转换为状态更为稳定的氧化铝，所述氧化铝具有隔离保护作用，此时在步骤S4中将不会再产生氢氧化铝，进而避免后续制程中氢氧化铝在高温下分解产生水汽造成后续形成的像素电极5隆起，引起鼓包不良。
步骤S5、请参阅图5，在所述第一绝缘层2上形成像素电极5，所述像素电极5通过所述连接过孔4与所述TFT层1接触。
具体地，所述步骤S5具体包括：在所述第一绝缘层2上沉积像素电极薄膜并对所述像素电极薄膜进行图案化，形成所述像素电极5，其中所述像素电极5的材料为氧化铟锡(ITO)，对所述像素电极薄膜进行图案化的过程进一步包括：在所述像素电极薄膜上涂布光阻，对所述光阻进行曝光显影，以所述光阻为遮挡对所述像素电极薄膜进行蚀刻，蚀刻完成之后去除所述光阻，得到所述像素电极。
综上所述，本发明提供一种阵列基板的制作方法，通过在像素电极与TFT层的连接过孔制作完成之后，先对所述连接过孔内的TFT层进行氧气蚀刻，然后再形成通过连接过孔与TFT层接触的像素电极，能够避免在像素电极制作过程中产生水汽，防止像素电极鼓包不良，提升阵列基板的制作良率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一基板(100)，在所述基板(100)上依次形成TFT层(1)及覆盖所述TFT层(1)的第一绝缘层(2)；
步骤S2、在所述第一绝缘层(2)上形成图案化的光阻层(3)，以所述图案化的光阻层(3)为遮挡对所述第一绝缘层(2)进行蚀刻，形成连接过孔(4)，所述连接过孔(4)暴露出所述TFT层(1)的一部分；
步骤S3、对通过所述连接过孔(4)暴露出的TFT层(1)进行氧气蚀刻；
步骤S4、去除所述光阻层(3)；
步骤S5、在所述第一绝缘层(2)上形成像素电极(5)，所述像素电极(5)通过所述连接过孔(4)与所述TFT层(1)接触。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第一绝缘层(2)进行蚀刻时采用的制程气体包括六氟化硫。
3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT层(1)包括：位于所述基板(100)上的第一金属层(10)、覆盖所述第一金属层(10)及所述基板(100)的第二绝缘层(30)以及位于所述第二绝缘层(30)上的第二金属层(20)，所述像素电极(5)通过所述连接过孔(4)与所述第二金属层(20)接触。
4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属层(20)包括：一金属铝层。
5.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属层(20)还包括：两层叠设置的金属钼层，所述金属铝层位于两金属钼层之间。
6.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层(10)包括：栅极(11)以及与所述栅极(11)电性连接的扫描线，所述第二金属层(20)包括：源极(21)、漏极(22)以及与所述源极(21)电性连接的数据线，所述像素电极(5)通过所述连接过孔(4)与所述漏极(22)接触。
7.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括：在所述第一绝缘层(2)上沉积像素电极薄膜并对所述像素电极薄膜进行图案化，形成所述像素电极(5)。
8.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极(5)的材料为氧化铟锡。
9.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层(10)的材料为：钼、铝及铜中的一种或多种的组合。
10.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层(2)的材料为氧化硅和氮化硅中的一种或二者的组合。
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