CN108470537A - 子像素电路、像素电路及其驱动方法和显示装置 - Google Patents

子像素电路、像素电路及其驱动方法和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种子像素电路、像素电路及其驱动方法和显示装置。子像素电路包括数据电压写入单元、驱动单元、存储单元、发光时间控制单元、发光控制单元和发光元件；发光时间控制单元用于在发光时间控制阶段，在发光时间控制栅线的控制下，控制将数据线上的发光控制信号写入发光控制单元的控制端；发光控制单元在发光时间控制阶段包括的发光时间段，在发光控制信号的控制下，控制导通驱动单元的第二端与发光元件的第一极之间的连接，以使得驱动单元根据数据电压驱动发光元件发光。本发明可以提升发光效率，减小功耗。

Description

子像素电路、像素电路及其驱动方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种子像素电路、像素电路及其驱动方法和显示装置。
背景技术
MicroLED(微型发光二极管)作为一种自发光器件，其发光效率会在低电流密度下随着电流密度降低而降低。在现有技术中，不同灰阶是采用不同电流密度来驱动发光元件而发出不同亮度的光来实现。但是如果MicroLED显示采用调节电流密度来实现不同灰阶的亮度，则MicroLED在低灰阶时电流密度较低，发光效率也较低，会导致发光功耗高。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种子像素电路、像素电路及其驱动方法和显示装置，解决现有技术中由于通过不同电流密度驱动发光元件发出不同亮度，从而导致低灰阶时发光效率低并功耗高的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种子像素电路，包括数据电压写入单元、驱动单元、存储单元、发光时间控制单元、发光控制单元和发光元件，其中，
所述数据电压写入单元分别与电压写入控制栅线、数据线和所述驱动单元的控制端连接，用于在数据电压写入阶段，在所述电压写入控制栅线的控制下，控制所述数据线上的数据电压写入所述驱动单元的控制端；
所述发光时间控制单元分别与发光时间控制栅线、所述数据线和所述发光控制单元的控制端连接，用于在发光时间控制阶段，在所述发光时间控制栅线的控制下，控制将所述数据线上的发光控制信号写入所述发光控制单元的控制端；
所述驱动单元的第一端与第一电压输入端连接，所述驱动单元的第二端与所述发光控制单元的第一端连接，所述发光控制单元的第二端与发光元件的第一极连接，所述发光元件的第二极与第二电压输入端连接；
所述存储单元的第一端与所述驱动单元的控制端连接，所述存储单元的第二端与所述第一电压输入端连接，所述存储单元用于控制所述驱动单元的控制端的电位；
所述发光控制单元用于在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述驱动单元的第二端与所述发光元件的第一极之间的连接，以使得所述驱动单元根据所述数据电压驱动所述发光元件发光。
实施时，所述发光时间控制单元包括：发光时间控制晶体管，栅极与所述发光时间控制栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述发光控制单元的控制端连接。
实施时，所述发光控制单元包括发光控制晶体管；
所述发光控制晶体管的栅极为所述发光控制单元的控制端，所述发光控制晶体管的第一极为所述发光控制单元的第一端，所述发光控制晶体管的第二极为所述发光控制单元的第二端。
实施时，所述数据电压写入单元包括：数据电压写入晶体管，栅极与所述电压写入控制栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动单元的控制端连接。
实施时，所述驱动单元包括驱动晶体管；
所述驱动晶体管的栅极为所述驱动单元的控制端，所述驱动晶体管的第一极为所述驱动单元的第一端，所述驱动晶体管的第二极为所述驱动单元的第二端；
所述存储单元包括：存储电容，第一端与所述驱动单元的控制端连接，第二端与所述第一电压输入端连接。
本发明还提供了一种子像素电路的驱动方法，应用于上述的子像素电路，所述子像素电路的显示周期包括依次设置的数据电压写入阶段和发光时间控制阶段；所述子像素电路的驱动方法包括：
在数据电压写入阶段，数据电压写入单元在电压写入控制栅线的控制下，控制数据线上的数据电压写入驱动单元的控制端；存储单元控制维持所述驱动单元的控制端的电位；
在发光时间控制阶段，所述存储单元控制维持所述驱动单元的控制端的电位；发光时间控制单元在发光时间控制栅线的控制下，控制将所述数据线上的发光控制信号写入发光控制单元的控制端；
在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，发光控制单元在所述发光控制信号的控制下，控制导通驱动单元的第二端与发光元件的第一极之间的连接，以使得所述驱动单元根据所述数据电压驱动所述发光元件发光。
本发明还提供了一种像素电路，与N条数据线连接，所述像素电路包括一个发光时间控制单元和N个子像素电路；N为大于或等于2的整数；
所述发光时间控制单元分别与发光时间控制栅线、所述N个子像素电路包括的发光控制单元的控制端和所述N条数据线中的一数据线连接，用于在发光时间控制阶段，在所述发光时间控制栅线的控制下，控制将该数据线上的发光控制信号写入所述N个子像素电路包括的发光控制单元的控制端；
第n子像素电路包括第n数据电压写入单元、第n驱动单元、第n存储单元、第n发光控制单元和第n发光元件；n为小于或等于N的正整数；
所述第n数据电压写入单元分别与电压写入控制栅线、所述第n驱动单元的控制端和所述N条数据线中的第n数据线连接，用于在数据电压写入阶段，在所述电压写入控制栅线的控制下，控制所述第n数据线上的第n数据电压写入所述第n驱动单元的控制端；
所述第n驱动单元的第一端与第一电压输入端连接，所述第n驱动单元的第二端与所述第n发光控制单元的第一端连接，所述第n发光控制单元的第二端与所述第n发光元件的第一极连接，所述第n发光元件的第二极与第二电压输入端连接；
所述第n存储单元的第一端与所述第n驱动单元的控制端连接，所述第n存储单元的第二端与所述第一电压输入端连接，所述第n存储单元用于控制所述第n驱动单元的控制端的电位；
所述第n发光控制单元用于在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第n驱动单元的第二端与所述第n发光元件的第一极之间的连接，以使得所述第n驱动单元根据所述第n数据电压驱动所述第n发光元件发光。
实施时，所述发光时间控制单元包括发光时间控制晶体管；
所述发光时间控制晶体管的栅极与所述发光时间控制栅线连接，所述发光时间控制晶体管的第一极与所述N条数据线中的一数据线连接，所述发光时间控制晶体管的第二极与所述发光控制单元的控制端连接。
实施时，所述第n发光控制单元包括第n发光控制晶体管；
所述第n发光控制晶体管的栅极为所述第n发光控制单元的控制端，所述第n发光控制单元的第一极为所述第n发光控制单元的第一端，所述第n发光控制单元的第二极为所述第n发光控制单元的第二端。
实施时，所述第n数据电压写入单元包括：第n数据电压写入晶体管，栅极与所述电压写入控制栅线连接，第一极与所述第n数据线连接，第二极与所述第n驱动单元的控制端连接。
实施时，所述第n驱动单元包括第n驱动晶体管；
所述第n驱动晶体管的栅极为所述第n驱动单元的控制端，所述第n驱动晶体管的第一极为所述第n驱动单元的第一端，所述第n驱动晶体管的第二极为所述第n驱动单元的第二端；
所述第n存储单元包括：第n存储电容，第一端与所述第n驱动单元的控制端连接，第二端与所述第一电压输入端连接。
本发明还提供了一种像素电路的驱动方法，应用于上述的像素电路，所述像素电路的显示周期包括依次设置的数据电压写入阶段和发光时间控制阶段；所述子像素电路的驱动方法包括：
在数据电压写入阶段，第n数据电压写入单元在电压写入控制栅线的控制下，控制第n数据线上的第n数据电压写入第n驱动单元的控制端；第n存储单元控制维持第n驱动单元的控制端的电位；
在发光时间控制阶段，所述发光时间控制单元在发光时间控制栅线的控制下，控制将N条数据线中的一数据线上的发光控制信号写入N个子像素电路包括的发光控制单元的控制端；
在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，第n发光控制单元在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第n驱动单元的第二端与第n发光元件的第一极之间的连接，以使得所述第n驱动单元根据所述第n数据电压驱动所述第n发光元件发光；
N为大于或等于2的整数，n为小于或等于N的正整数。
本发明还提供了一种像素电路，与N条数据线连接，所述像素电路包括N个上述的子像素电路；N为大于或等于2的整数；
每一所述子像素电路中的所述发光时间控制单元分别与一所述数据线对应连接。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述的像素电路。
与现有技术相比，本发明所述的子像素电路、像素电路及其驱动方法和显示装置通过发光时间控制单元接入发光控制信号，以控制发光时间，结合数据电压和发光时间来控制发光元件的发光亮度，从而可以提升发光效率，减小功耗。
附图说明
图1本发明实施例所述的子像素电路的结构图；
图2是微型发光二极管的流过其的电流密度与微型发光二极管的发光效率的关系曲线图；
图3是本发明所述的子像素电路的一具体实施例的电路图；
图4是本发明实施例所述的像素电路的结构图；
图5是本发明所述的像素电路的一具体实施例的电路图；
图6是当一个像素电路内可以容纳三条数据线时，包括三个像素电路的显示模组的一具体实施例的示意图；
图7是图6所示的显示模组的具体实施例的工作时序图；
图8是本发明所述的像素电路的另一具体实施例的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。在实际操作时，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
如图1所示，本发明实施例所述的子像素电路包括数据电压写入单元11、驱动单元12、存储单元13、发光时间控制单元14、发光控制单元15和发光元件EL，其中，
所述数据电压写入单元11分别与电压写入控制栅线V-Gate、数据线Data和所述驱动单元12的控制端连接，用于在数据电压写入阶段，在所述电压写入控制栅线V-Gate的控制下，控制所述数据线Data上的数据电压写入所述驱动单元12的控制端；
所述发光时间控制单元14分别与发光时间控制栅线T-Gate、所述数据线Data和所述发光控制单元15的控制端连接，用于在发光时间控制阶段，在所述发光时间控制栅线T-Gate的控制下，控制将所述数据线Data上的发光控制信号写入所述发光控制单元15的控制端；
所述驱动单元12的第一端与第一电压输入端连接，所述驱动单元12的第二端与所述发光控制单元15的第一端连接，所述发光控制单元15的第二端与发光元件EL的第一极连接，所述发光元件EL的第二极与第二电压输入端连接；所述第一电压输入端用于输入第一电压V1，所述第二电压输入端用于输入第二电压V2；
所述存储单元13的第一端与所述驱动单元12的控制端连接，所述存储单元13的第二端与所述第一电压输入端连接，所述存储单元13用于控制所述驱动单元12的控制端的电位；
所述发光控制单元15用于在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述驱动单元12的第二端与所述发光元件EL的第一极之间的连接，以使得所述驱动单元12根据所述数据电压驱动所述发光元件EL发光。
本发明实施例所述的子像素电路与现有技术的区别在于，该子像素电路与两条栅线除了与电压写入栅线V-Gate连接，还与发光时间控制栅线T-Gate连接，并增设了发光时间控制单元；本发明实施例所述的子像素电路通过发光时间控制单元接入发光控制信号，以控制发光时间，结合数据电压和发光时间来控制发光元件的发光亮度，从而可以提升发光效率，减小功耗，并能够实现更多灰阶。
在实际操作时，所述发光元件EL可以为MicroLED(微型发光二极管)，此时，发光元件EL的第一极为阳极，发光元件的第二极为阴极，但不以此为限。在具体实施时，所述发光元件EL也可以为OLED(有机发光二极管)或其他种类的发光元件。
在实际操作时，所述第一电压V1可以为高电压，所述第二电压V2可以为低电压，但不以此为限。
在具体实施时，所述高电压可以为电压值大于3V的正电压，但不以此为限；所述低电压可以为零电压或负电压，但不以此为限。
MicroLED作为一种自发光器件，其发光效率与电流密度的关系如图2所示(横轴为电流密度，纵轴为发光效率)，在低电流密度下，MicroLED的发光效率会随着电流密度的降低而降低，因此如果采用电流密度来调制灰阶，低灰阶会对应低电流密度，MicroLED的发光效率会降低。在图2中，标号为J1的为第一电流密度，标号为J2的为第二电流密度。
在本发明实施例中，控制MicroLED工作在发光效率最高区域，也即使得MicroLED的电流密度在J1和J2之间，通过电流和发光时间来共同调制灰阶。以256个灰阶为例，在高灰阶(比如L120-L255)下，通过调节电流密度来进行灰阶调制，比如，第二电流密度J2对应L255，第一电流密度J1对应L120，发光时间比例都为100％。在低灰阶(比如低于L120)下，保持电流密度J1不变，通过调节发光时间来调节灰阶，比如，L40对应的电流密度为第一电流密度J1，L40对应的发光时间比例为4.7％。其中，L120为第120灰阶，L255为第255灰阶，L40为第40灰阶。
本发明实施例提供了一种适用于MicroLED的驱动方案，在该方案中，灰阶通过电流和发光时间同时调控，使得MicroLED工作在发光效率较高区间。高灰阶通过调控驱动电流实现，低灰阶通过调控发光时间实现。
本发明如图1所示的子像素电路的实施例在工作时，所述子像素电路的显示周期包括依次设置的数据电压写入阶段和发光时间控制阶段；
在数据电压写入阶段，数据电压写入单元11在电压写入控制栅线V-Gate的控制下，控制数据线Data上的数据电压写入驱动单元12的控制端；存储单元13控制维持所述驱动单元12的控制端的电位；
在发光时间控制阶段，所述存储单元13控制维持所述驱动单元12的控制端的电位；发光时间控制单元14在发光时间控制栅线T-Gate的控制下，控制将所述数据线Data上的发光控制信号写入发光控制单元15的控制端；
在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，发光控制单元15在所述发光控制信号的控制下，控制导通驱动单元12的第二端与发光元件EL的第一极之间的连接，以使得所述驱动单元12根据所述数据电压驱动所述发光元件EL发光。
具体的，所述发光时间控制单元可以包括：发光时间控制晶体管，栅极与所述发光时间控制栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述发光控制单元的控制端连接。
具体的，所述发光控制单元可以包括发光控制晶体管；
所述发光控制晶体管的栅极为所述发光控制单元的控制端，所述发光控制晶体管的第一极为所述发光控制单元的第一端，所述发光控制晶体管的第二极为所述发光控制单元的第二端。
具体的，所述数据电压写入单元可以包括：数据电压写入晶体管，栅极与所述电压写入控制栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动单元的控制端连接。
在具体实施时，所述驱动单元可以包括驱动晶体管；
所述驱动晶体管的栅极为所述驱动单元的控制端，所述驱动晶体管的第一极为所述驱动单元的第一端，所述驱动晶体管的第二极为所述驱动单元的第二端；
所述存储单元可以包括：存储电容，第一端与所述驱动单元的控制端连接，第二端与所述第一电压输入端连接。
如图3所示，本发明所述的子像素电路的一具体实施例包括数据电压写入单元11、驱动单元12、存储单元13、发光时间控制单元14、发光控制单元15和微型发光二极管MLED，其中，
所述驱动单元12包括驱动晶体管T2；所述发光控制单元15包括发光控制晶体管T3；
所述发光时间控制单元14包括：发光时间控制晶体管T4，栅极与所述发光时间控制栅线T-Gate连接，源极与数据线Data连接，漏极与所述发光控制晶体管T3的栅极连接；
所述发光控制晶体管T3的源极与所述驱动晶体管T2的漏极连接，所述发光控制晶体管T3的漏极与所述微型发光二极管MLED的阳极连接；
所述数据电压写入单元11包括：数据电压写入晶体管T1，栅极与所述电压写入控制栅线V-Gate连接，源极与所述数据线Data连接，漏极与所述驱动晶体管T2的栅极连接；
所述驱动晶体管T2的源极接入第一电压V1；在图3所示的具体实施例中，V1为高电压VDD；
所述存储单元13包括：存储电容C，第一端与所述驱动晶体管T2的栅极连接，第二端接入所述第一电压V1；
所述微型发光二极管MLED的阴极接入第二电压V2，在图3所示的具体实施例中，V2为低电压VSS。
在图3所示的具体实施例中，T1、T2、T3和T4都为p型晶体管，但不以此为限；在实际操作时，如上晶体管也可以被替换为n型晶体管。
本发明如图3所示的子像素电路的具体实施例为4T1C子像素电路，在该电路中，T2为驱动晶体管，T1、T3和T4为开关晶体管；
当V-Gate输入低电平时，T-Gate输入高电平，T1打开，T4关闭，Data上的控制驱动电流大小的数据电压写入N点(在图3中，N点为与T2的栅极连接的节点)，并存储于存储电容C中；
当T-Gate输入低电平时，V-Gate输入高电平，T4打开，T1关闭，Data上的控制T3开关的发光控制信号经T4传输至T3的栅极，当所述发光控制信号为低电平时，T3打开，MLED发光；当所述发光控制信号为高电平时，T3关闭，MLED不发光。
本发明实施例所述的子像素电路的驱动方法，应用于上述的子像素电路，所述子像素电路的显示周期包括依次设置的数据电压写入阶段和发光时间控制阶段；所述子像素电路的驱动方法包括：
在数据电压写入阶段，数据电压写入单元在电压写入控制栅线的控制下，控制数据线上的数据电压写入驱动单元的控制端；存储单元控制维持所述驱动单元的控制端的电位；
在发光时间控制阶段，所述存储单元控制维持所述驱动单元的控制端的电位；发光时间控制单元在发光时间控制栅线的控制下，控制将所述数据线上的发光控制信号写入发光控制单元的控制端；
在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，发光控制单元在所述发光控制信号的控制下，控制导通驱动单元的第二端与发光元件的第一极之间的连接，以使得所述驱动单元根据所述数据电压驱动所述发光元件发光。
本发明实施例所述的子像素电路的驱动方法首先在数据电压写入阶段进行数据电压写入，再在发光时间控制阶段将数据线上的发光控制信号写入发光控制单元的控制端，以控制发光元件在发光时间段发光。
本发明实施例所述的像素电路，与N条数据线连接，包括一个发光时间控制单元和N个子像素电路；N为大于或等于2的整数；
所述发光时间控制单元分别与发光时间控制栅线、所述发光控制单元的控制端和所述N条数据线中的一数据线连接，用于在发光时间控制阶段，在所述发光时间控制栅线的控制下，控制将该数据线上的发光控制信号写入所述N个子像素电路包括的发光控制单元的控制端；
第n子像素电路包括第n数据电压写入单元、第n驱动单元、第n存储单元、第n发光控制单元和第n发光元件；n为小于或等于N的正整数；
所述第n数据电压写入单元分别与电压写入控制栅线、所述第n驱动单元的控制端和所述N条数据线中的第n数据线连接，用于在数据电压写入阶段，在所述电压写入控制栅线的控制下，控制所述第n数据线上的第n数据电压写入所述第n驱动单元的控制端；
所述第n驱动单元的第一端与第一电压输入端连接，所述第n驱动单元的第二端与所述第n发光控制单元的第一端连接，所述第n发光控制单元的第二端与所述第n发光元件的第一极连接，所述第n发光元件的第二极与第二电压输入端连接；
所述第n存储单元的第一端与所述第n驱动单元的控制端连接，所述第n存储单元的第二端与所述第一电压输入端连接，所述第n存储单元用于控制所述第n驱动单元的控制端的电位；
所述第n发光控制单元用于在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第n驱动单元的第二端与所述第n发光元件的第一极之间的连接，以使得所述第n驱动单元根据所述第n数据电压驱动所述第n发光元件发光。
本发明实施例所述的像素电路包括N个子像素电路以及一个发光时间控制单元，所述N个子像素电路都由该发光时间控制单元控制发光时间，从而通过一条数据线可以控制一个包括N个子像素电路的像素电路，采用N条数据线可以控制N个上述像素电路，可以在提升发光效率，减小功耗，并能够实现更多灰阶的同时，减少采用晶体管和数据线的个数。
下面以N等于3为例来说明本发明所述的像素电路。
如图4所示，本发明所述的像素电路包括一个发光时间控制单元40、第一子像素电路、第二子像素电路和第三子像素电路；
所述第一子像素电路为红色子像素电路，所述第二子像素电路为绿色子像素电路，所述第三子像素电路为蓝色子像素电路；
所述第一子像素电路包括第一数据电压写入单元411、第一驱动单元412、第一存储单元413、第一发光控制单元414和第一发光元件EL1；
所述第二子像素电路包括第二数据电压写入单元421、第二驱动单元422、第二存储单元423、第二发光控制单元424和第二发光元件EL2；
所述第三子像素电路包括第三数据电压写入单元431、第三驱动单元432、第三存储单元433、第三发光控制单元434和第三发光元件EL3；
所述发光时间控制单元40分别与发光时间控制栅线T-Gate、所述第一发光控制单元414的控制端、所述第二发光控制单元424的控制端、所述第三发光控制单元434的控制端和所述第一数据线Data1连接，用于在发光时间控制阶段，在所述发光时间控制栅线T-Gate的控制下，控制将所述第一数据线Data1上的发光控制信号分别写入所述第一发光控制单元414的控制端、所述第二发光控制单元424的控制端和所述第三发光控制单元434的控制端；
所述第一数据电压写入单元411分别与电压写入控制栅线V-Gate、所述第一驱动单元412的控制端和第一数据线Data1连接，用于在数据电压写入阶段，在所述电压写入控制栅线V-Gate的控制下，控制所述第一数据线Data1上的第一数据电压写入所述第一驱动单元412的控制端；
所述第一驱动单元412的第一端接入第一电压V1，所述第一驱动单元412的第二端与所述第一发光控制单元414的第一端连接，所述第一发光控制单元414的第二端与所述第一发光元件EL1的第一极连接，所述第一发光元件EL1的第二极接入第二电压V2；
所述第一存储单元413的第一端与所述第一驱动单元412的控制端连接，所述第一存储单元413的第二端接入第一电压V1，所述第一存储单元413用于控制所述第一驱动单元412的控制端的电位；
所述第一发光控制单元414用于在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第一驱动单元412的第二端与所述第一发光元件EL1的第一极之间的连接，以使得所述第一驱动单元412根据所述第一数据电压驱动所述第一发光元件EL1发光；
所述第二数据电压写入单元421分别与电压写入控制栅线V-Gate、所述第二驱动单元422的控制端和第二数据线Data2连接，用于在数据电压写入阶段，在所述电压写入控制栅线V-Gate的控制下，控制所述第二数据线Data2上的第二数据电压写入所述第二驱动单元422的控制端；
所述第二驱动单元422的第一端接入第一电压V1，所述第二驱动单元422的第二端与所述第二发光控制单元424的第一端连接，所述第二发光控制单元424的第二端与所述第二发光元件EL2的第一极连接，所述第二发光元件EL2的第二极接入第二电压V2；
所述第二存储单元423的第一端与所述第二驱动单元422的控制端连接，所述第二存储单元423的第二端接入第一电压V1，所述第二存储单元423用于控制所述第二驱动单元422的控制端的电位；
所述第二发光控制单元424用于在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第二驱动单元422的第二端与所述第二发光元件EL2的第一极之间的连接，以使得所述第二驱动单元422根据所述第二数据电压驱动所述第二发光元件EL2发光；
所述第三数据电压写入单元431分别与电压写入控制栅线V-Gate、所述第三驱动单元432的控制端和第三数据线Data3连接，用于在数据电压写入阶段，在所述电压写入控制栅线V-Gate的控制下，控制所述第三数据线Data3上的第二数据电压写入所述第三驱动单元432的控制端；
所述第三驱动单元432的第一端接入第一电压V1，所述第三驱动单元432的第二端与所述第三发光控制单元434的第一端连接，所述第三发光控制单元434的第二端与所述第三发光元件EL3的第一极连接，所述第三发光元件EL3的第二极接入第二电压V2；
所述第三存储单元433的第一端与所述第三驱动单元432的控制端连接，所述第三存储单元433的第二端接入第一电压V1，所述第三存储单元433用于控制所述第三驱动单元432的控制端的电位；
所述第三发光控制单元434用于在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第三驱动单元432的第二端与所述第三发光元件EL3的第一极之间的连接，以使得所述第三驱动单元432根据所述第三数据电压驱动所述第三发光元件EL3发光。
在本发明如图4所示的像素电路的实施例中，采用Data1为第一子像素电路、第二子像素电路和第三子像素电路提供相应的发光控制信号，也即同一像素电路中的红色子像素电路、绿色子像素电路和蓝色子像素电路采用一条数据线(在图4所示的具体实施例中，该数据线为第一数据线Data1)来控制发光时间，这样，三条数据线可以支持三行像素电路同时点亮，则如果一个像素电路可以容纳三条数据线，则可以同时点亮三行像素电路。
并且，本发明实施例所述的像素电路可以在保证发光效率的前提下调制出更多灰阶，例如，当流过各发光元件的驱动电流的电流密度大于等于第一电流密度J1而小于等于第二电流密度J2时，各发光元件的发光效率最高，则最高灰阶为第二电流密度J2与最高发光时间比例的结合，最低灰阶为第一电流密度J1与最少发光时间比例的结合，这种方式可以扩大最高灰阶与最低灰阶的比例，可以实现更多灰阶。
本发明如图4所示的像素电路的实施例在工作时，所述像素电路的显示周期包括依次设置的数据电压写入阶段和发光时间控制阶段；
在数据电压写入阶段，第一数据电压写入单元411在电压写入控制栅线V-Gate的控制下，控制第一数据线Data1上的第一数据电压写入第一驱动单元412的控制端，第一存储单元413控制维持第一驱动单元412的控制端的电位；第二数据电压写入单元421在电压写入控制栅线V-Gate的控制下，控制第二数据线Data2上的第二数据电压写入第二驱动单元422的控制端，第二存储单元423控制维持第二驱动单元422的控制端的电位；第三数据电压写入单元431在电压写入控制栅线V-Gate的控制下，控制第三数据线Data3上的第三数据电压写入第三驱动单元432的控制端，第三存储单元433控制维持第三驱动单元432的控制端的电位；
在发光时间控制阶段，所述发光时间控制单元40在发光时间控制栅线T-Gate的控制下，控制将第一数据线Data1上的发光控制信号分别写入第一发光控制单元414的控制端、第二发光控制单元424的控制端和第三发光控制单元434的控制端；
在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，第一发光控制单元414在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第一驱动单元412的第二端与第一发光元件EL1的第一极之间的连接，以使得所述第一驱动单元412根据所述第一数据电压驱动所述第一发光元件EL1发光；第二发光控制单元424在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第二驱动单元422的第二端与第二发光元件EL2的第一极之间的连接，以使得所述第二驱动单元422根据所述第二数据电压驱动所述第二发光元件EL2发光；第三发光控制单元434在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第三驱动单元432的第二端与第三发光元件EL3的第一极之间的连接，以使得所述第三驱动单元432根据所述第三数据电压驱动所述第三发光元件EL3发光。
具体的，所述发光时间控制单元可以包括发光时间控制晶体管；
所述发光时间控制晶体管的栅极与所述发光时间控制栅线连接，所述发光时间控制晶体管的第一极与所述N条数据线中的一数据线连接，所述发光时间控制晶体管的第二极与所述发光控制单元的控制端连接。
具体的，所述第n发光控制单元可以包括第n发光控制晶体管；
所述第n发光控制晶体管的栅极为所述第n发光控制单元的控制端，所述第n发光控制单元的第一极为所述第n发光控制单元的第一端，所述第n发光控制单元的第二极为所述第n发光控制单元的第二端。
在实际操作时，所述第n数据电压写入单元可以包括：第n数据电压写入晶体管，栅极与所述电压写入控制栅线连接，第一极与所述第n数据线连接，第二极与所述第n驱动单元的控制端连接。
在具体实施时，所述第n驱动单元可以包括第n驱动晶体管；
所述第n驱动晶体管的栅极为所述第n驱动单元的控制端，所述第n驱动晶体管的第一极为所述第n驱动单元的第一端，所述第n驱动晶体管的第二极为所述第n驱动单元的第二端；
所述第n存储单元包括：第n存储电容，第一端与所述第n驱动单元的控制端连接，第二端与所述第一电压输入端连接。
如图5所示，本发明所述的像素电路的一具体实施例包括一个发光时间控制单元40、第一子像素电路、第二子像素电路和第三子像素电路；
所述发光时间控制单元40包括发光时间控制晶体管T4；
所述第一子像素电路包括第一数据电压写入单元、第一驱动单元、第一存储单元、第一发光控制单元和第一微型发光二极管MLED1；
所述第二子像素电路包括第二数据电压写入单元、第二驱动单元、第二存储单元、第二发光控制单元和第二微型发光二极管MLED2；
所述第三子像素电路包括第三数据电压写入单元、第三驱动单元、第三存储单元、第三发光控制单元和第三微型发光二极管MLED3；
所述第一发光控制单元包括第一发光控制晶体管T13，所述第一数据电压写入单元包括第一数据电压写入晶体管T11，所述第一驱动单元包括第一驱动晶体管T12，所述第一存储单元包括第一存储电容C1；
所述第二发光控制单元包括第二发光控制晶体管T23，所述第二数据电压写入单元包括第二数据电压写入晶体管T21，所述第二驱动单元包括第二驱动晶体管T22，所述第二存储单元包括第二存储电容C2；
所述第三发光控制单元包括第三发光控制晶体管T33，所述第三数据电压写入单元包括第三数据电压写入晶体管T31，所述第三驱动单元包括第三驱动晶体管T32，所述第三存储单元包括第三存储电容C3；
所述发光时间控制晶体管T4的栅极与所述发光时间控制栅线T-Gate连接，所述发光时间控制晶体管T4的源极与第一数据线Data1连接，所述发光时间控制晶体管T4的漏极分别与所述第一发光控制晶体管T13的栅极、所述第二发光控制晶体管T23的栅极和所述第三发光控制晶体管T33的栅极连接；
所述第一数据电压写入晶体管T11的栅极与电压写入控制栅线V-Gate连接，所述第一数据电压写入晶体管T11的源极与第一数据线Data1连接，所述第一数据电压写入晶体管T11的漏极与所述第一驱动晶体管T12的栅极连接；
所述第一驱动晶体管T12的源极接入第一电压V1，所述第一驱动晶体管T12的漏极与所述第一发光控制晶体管T13的源极连接；在本具体实施例中，V1为高电压VDD，但不以此为限；
所述第一发光控制晶体管T13的漏极与所述第一微型发光二极管MLED1的阳极连接，所述第一微型发光二极管MLED1的阴极接入第二电压V2；在本具体实施例中，V2为低电压VSS，但不以此为限；
所述第一存储电容C1的第一端与所述第一驱动晶体管T12的栅极连接，所述第一存储电容C1的第二端接入所述第一电压V1；
所述第二数据电压写入晶体管T21的栅极与电压写入控制栅线V-Gate连接，所述第二数据电压写入晶体管T21的源极与第二数据线Data2连接，所述第二数据电压写入晶体管T21的漏极与所述第二驱动晶体管T22的栅极连接；
所述第二驱动晶体管T22的源极接入第一电压V1，所述第二驱动晶体管T22的漏极与所述第二发光控制晶体管T23的源极连接；在本具体实施例中，V1为高电压VDD，但不以此为限；
所述第二发光控制晶体管T23的漏极与所述第二微型发光二极管MLED2的阳极连接，所述第二微型发光二极管MLED2的阴极接入第二电压V2；在本具体实施例中，V2为低电压VSS，但不以此为限；
所述第二存储电容C2的第一端与所述第二驱动晶体管T22的栅极连接，所述第二存储电容C2的第二端接入所述第一电压V1；
所述第三数据电压写入晶体管T31的栅极与电压写入控制栅线V-Gate连接，所述第三数据电压写入晶体管T31的源极与第三数据线Data3连接，所述第三数据电压写入晶体管T31的漏极与所述第三驱动晶体管T32的栅极连接；
所述第三驱动晶体管T32的源极接入第一电压V1，所述第三驱动晶体管T32的漏极与所述第三发光控制晶体管T33的源极连接；在本具体实施例中，V1为高电压VDD，但不以此为限；
所述第三发光控制晶体管T33的漏极与所述第三微型发光二极管MLED3的阳极连接，所述第三微型发光二极管MLED3的阴极接入第二电压V2；在本具体实施例中，V2为低电压VSS，但不以此为限；
所述第三存储电容C3的第一端与所述第三驱动晶体管T32的栅极连接，所述第三存储电容C3的第二端接入所述第一电压V1。
在图5所示的像素电路的具体实施例中，所有的晶体管都为p型晶体管，但不以此为限。
本发明如图5所示的像素电路的具体实施例在工作时，
在数据电压写入阶段，V-Gate输出低电平，T-Gate输出高电平，Data1输出第一数据电压，Data2输出第二数据电压，Data3输出第三数据电压，T11、T21和T31都打开，T4关闭，将第一数据电压写入T12的栅极，将第二数据电压写入T22的栅极，将第三数据电压写入T32的栅极，C1维持T12的栅极的电位，C2维持T22的栅极的电位，C3维持T32的栅极的电位；
在发光时间控制阶段，V-Gate输出高电平，T-Gate输出低电平，Data1输入发光控制信号，T11、T21和T31都关闭，T4打开，将所述发光控制信号分别写入T13的栅极、T23的栅极和T33的栅极；
在发光时间控制阶段包括的发光时间段，所述发光控制信号为低电平，T13、T23和T33打开，T12驱动MLED1发光，T22驱动MLED2发光，T23驱动MLED3发光，发光控制信号的脉冲宽度决定了发光时间的长短，各数据电压与发光时间一起决定了各微型发光二极管的发光亮度。
图6示出了当一个像素电路内可以容纳三条数据线时，包括三个像素电路的显示模组的一具体实施例的示意图。
如图6所示，标号为V-GateM的为第M行电压写入控制栅线，标号为T-GateM的为第M行发光时间控制栅线，标号为V-GateM+1的为第M+1行电压写入控制栅线，标号为T-GateM+1的为第M+1行发光时间控制栅线，标号为V-GateM+2的为第M+2行电压写入控制栅线，标号为T-GateM+2的为第M+2行发光时间控制栅线；M为正整数；
在图6中，标号为T14的为第一发光时间控制晶体管，标号为T24的为第二发光时间控制晶体管，T34的为第三发光时间控制晶体管；
T14的源极与第一数据线Data1连接，T24的源极与第二数据线Data2连接，T34的源极与第三数据线Data3连接；
标号为T11的为第M行第一列数据电压写入晶体管，标号为T12的为第M行第一列驱动晶体管，标号为T13的为第M行第一列发光控制晶体管，标号为C1的为第M行第一列存储电容；标号为T21的为第M行第二列数据电压写入晶体管，标号为T22的为第M行第二列驱动晶体管，标号为T23的为第M行第二列发光控制晶体管，标号为C2的为第M行第二列存储电容；标号为T31的为第M行第三列数据电压写入晶体管，标号为T32的为第M行第三列驱动晶体管，标号为T33的为第M行第三列发光控制晶体管，标号为C3的为第M行第三列存储电容；
标号为T41的为第M+1行第一列数据电压写入晶体管，标号为T42的为第M+1行第一列驱动晶体管，标号为T43的为第M+1行第一列发光控制晶体管，标号为C4的为第M+1行第一列存储电容；标号为T51的为第M+1行第二列数据电压写入晶体管，标号为T52的为第M+1行第二列驱动晶体管，标号为T53的为第M+1行第二列发光控制晶体管，标号为C5的为第M+1行第二列存储电容；标号为T61的为第M+1行第三列数据电压写入晶体管，标号为T62的为第M+1行第三列驱动晶体管，标号为T63的为第M+1行第三列发光控制晶体管，标号为C6的为第M+1行第三列存储电容；
标号为T71的为第M+2行第一列数据电压写入晶体管，标号为T72的为第M+2行第一列驱动晶体管，标号为T73的为第M+2行第一列发光控制晶体管，标号为C7的为第M+2行第一列存储电容；标号为T81的为第M+2行第二列数据电压写入晶体管，标号为T82的为第M+2行第二列驱动晶体管，标号为T83的为第M+2行第二列发光控制晶体管，标号为C8的为第M+2行第二列存储电容；标号为T91的为第M+2行第三列数据电压写入晶体管，标号为T92的为第M+2行第三列驱动晶体管，标号为T93的为第M+2行第三列发光控制晶体管，标号为C9的为第M+2行第三列存储电容。
如图7所示，在数据电压写入阶段S1，T-GateM、T-GateM+1和T-GateM+2都输出高电平；
在数据电压写入阶段S1包括的第M数据电压写入时间段t1，V-GateM输出低电平，V-GateM+1和V-GateM+2都输出高电平，Data1输出的第一数据电压通过导通的T11写入T12的栅极，Data2输出的第二数据电压通过导通的T21写入T22的栅极，Data3输出的第三数据电压通过导通的T31写入T32的栅极；
在S1包括的第M+1数据电压写入时间段t2，V-GateM+1输出低电平，V-GateM和V-GateM+2都输出高电平，Data1输出的第一数据电压通过导通的T41写入T42的栅极，Data2输出的第二数据电压通过导通的T51写入T52的栅极，Data3输出的第三数据电压通过导通的T61写入T62的栅极；
在S1包括的第M+2数据电压写入时间段t3，V-GateM+2输出低电平，V-GateM和V-GateM+1都输出高电平，Data1输出的第一数据电压通过导通的T71写入T72的栅极，Data2输出的第二数据电压通过导通的T81写入T82的栅极，Data3输出的第三数据电压通过导通的T91写入T92的栅极；
在发光时间控制阶段S2，V-GateM、V-GateM+1和V-GateM+2都输出高电平，T-GateM、T-GateM+1和T-GateM+2都输出低电平，以将Data1上的第一发光控制信号分别写入T12的栅极、T22的栅极和T32的栅极，以使得MLED1、MLED2和MLED3在S2包括的第一发光时间段发光(所述第一发光时间段持续的时间为所述第一发光控制信号为低电平的时间)；将Data2上的第二发光控制信号分别写入T42的栅极、T52的栅极和T62的栅极，以使得MLED4、MLED5和MLED6在S2包括的第二发光时间段发光(所述第二发光时间段持续的时间为所述第二发光控制信号为低电平的时间)；将Data3上的第三发光控制信号分别写入T72的栅极、T82的栅极和T92的栅极，以使得MLED7、MLED8和MLED9在S2包括的第三发光时间段发光(所述第三发光时间段持续的时间为所述第三发光控制信号为低电平的时间)。
本发明实施例所述的像素电路的驱动方法，应用于上述的像素电路，所述像素电路的显示周期包括依次设置的数据电压写入阶段和发光时间控制阶段；所述子像素电路的驱动方法包括：
在数据电压写入阶段，第n数据电压写入单元在电压写入控制栅线的控制下，控制第n数据线上的第n数据电压写入第n驱动单元的控制端；第n存储单元控制维持第n驱动单元的控制端的电位；
在发光时间控制阶段，所述发光时间控制单元在发光时间控制栅线的控制下，控制将N条数据线中的一数据线上的发光控制信号写入N个子像素电路包括的发光控制单元的控制端；
在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，第n发光控制单元在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第n驱动单元的第二端与第n发光元件的第一极之间的连接，以使得所述第n驱动单元根据所述第n数据电压驱动所述第n发光元件发光；
N为大于或等于2的整数，n为小于或等于N的正整数。
本发明实施例所述的像素电路，与N条数据线连接，包括N个上述的子像素电路；N为大于或等于2的整数；
每一所述子像素电路中的所述发光时间控制单元分别与一所述数据线对应连接。
如图8所示，本发明所述的像素电路的另一具体实施例包括第一子像素电路、第二子像素电路和第三子像素电路；
所述第一子像素电路的结构、所述第二子像素电路的结构和所述第三子像素电路的结构与图3所示的子像素电路的结构相同；
所述第一子像素电路包括第一数据电压写入晶体管T11、第一驱动晶体管T12、第一存储电容C1、第一发光时间控制晶体管T14和第一发光控制晶体管T13；
T14的源极与第一数据线Data1连接；
所述第二子像素电路包括第二数据电压写入晶体管T21、第二驱动晶体管T22、第二存储电容C2、第二发光时间控制晶体管T24和第二发光控制晶体管T23；
T24的源极与第二数据线Data2连接；
所述第三子像素电路包括第三数据电压写入晶体管T31、第三驱动晶体管T32、第三存储电容C3、第三发光时间控制晶体管T34和第三发光控制晶体管T33；
T34的源极与第三数据线Data3连接。
在图8中，标号为MLED1的为第一微型发光二极管，标号为MLED2的为第二微型发光二极管，标号为MLED3的为第三微型发光二极管，标号为Data1的为第一数据线，标号为Data2的为第二数据线，标号为Data3的为第三数据线，标号为V-Gate的为电压写入控制栅线，标号为T-Gate的为发光时间控制栅线。
在图8所示的具体实施例中，所有的晶体管都为p型晶体管，但不以此为限；在实际操作时，如上晶体管也可以被替换为n型晶体管。
本发明实施例所述的显示装置包括上述的像素电路。
本发明实施例所提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种子像素电路，其特征在于，包括数据电压写入单元、驱动单元、存储单元、发光时间控制单元、发光控制单元和发光元件，其中，
所述数据电压写入单元分别与电压写入控制栅线、数据线和所述驱动单元的控制端连接，用于在数据电压写入阶段，在所述电压写入控制栅线的控制下，控制所述数据线上的数据电压写入所述驱动单元的控制端；
所述发光时间控制单元分别与发光时间控制栅线、所述数据线和所述发光控制单元的控制端连接，用于在发光时间控制阶段，在所述发光时间控制栅线的控制下，控制将所述数据线上的发光控制信号写入所述发光控制单元的控制端；
所述驱动单元的第一端与第一电压输入端连接，所述驱动单元的第二端与所述发光控制单元的第一端连接，所述发光控制单元的第二端与发光元件的第一极连接，所述发光元件的第二极与第二电压输入端连接；
所述存储单元的第一端与所述驱动单元的控制端连接，所述存储单元的第二端与所述第一电压输入端连接，所述存储单元用于控制所述驱动单元的控制端的电位；
所述发光控制单元用于在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述驱动单元的第二端与所述发光元件的第一极之间的连接，以使得所述驱动单元根据所述数据电压驱动所述发光元件发光。
2.如权利要求1所述的子像素电路，其特征在于，所述发光时间控制单元包括：发光时间控制晶体管，栅极与所述发光时间控制栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述发光控制单元的控制端连接。
3.如权利要求1所述的子像素电路，其特征在于，所述发光控制单元包括发光控制晶体管；
所述发光控制晶体管的栅极为所述发光控制单元的控制端，所述发光控制晶体管的第一极为所述发光控制单元的第一端，所述发光控制晶体管的第二极为所述发光控制单元的第二端。
4.如权利要求1所述的子像素电路，其特征在于，所述数据电压写入单元包括：数据电压写入晶体管，栅极与所述电压写入控制栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动单元的控制端连接。
5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的子像素电路，其特征在于，所述驱动单元包括驱动晶体管；
所述驱动晶体管的栅极为所述驱动单元的控制端，所述驱动晶体管的第一极为所述驱动单元的第一端，所述驱动晶体管的第二极为所述驱动单元的第二端；
所述存储单元包括：存储电容，第一端与所述驱动单元的控制端连接，第二端与所述第一电压输入端连接。
6.一种子像素电路的驱动方法，应用于如权利要求1至5中任一权利要求所述的子像素电路，其特征在于，所述子像素电路的显示周期包括依次设置的数据电压写入阶段和发光时间控制阶段；所述子像素电路的驱动方法包括：
在数据电压写入阶段，数据电压写入单元在电压写入控制栅线的控制下，控制数据线上的数据电压写入驱动单元的控制端；存储单元控制维持所述驱动单元的控制端的电位；
在发光时间控制阶段，所述存储单元控制维持所述驱动单元的控制端的电位；发光时间控制单元在发光时间控制栅线的控制下，控制将所述数据线上的发光控制信号写入发光控制单元的控制端；
在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，发光控制单元在所述发光控制信号的控制下，控制导通驱动单元的第二端与发光元件的第一极之间的连接，以使得所述驱动单元根据所述数据电压驱动所述发光元件发光。
7.一种像素电路，与N条数据线连接，其特征在于，所述像素电路包括一个发光时间控制单元和N个子像素电路；N为大于或等于2的整数；
所述发光时间控制单元分别与发光时间控制栅线、所述N个子像素电路包括的发光控制单元的控制端和所述N条数据线中的一数据线连接，用于在发光时间控制阶段，在所述发光时间控制栅线的控制下，控制将该数据线上的发光控制信号写入所述N个子像素电路包括的发光控制单元的控制端；
第n子像素电路包括第n数据电压写入单元、第n驱动单元、第n存储单元、第n发光控制单元和第n发光元件；n为小于或等于N的正整数；
所述第n数据电压写入单元分别与电压写入控制栅线、所述第n驱动单元的控制端和所述N条数据线中的第n数据线连接，用于在数据电压写入阶段，在所述电压写入控制栅线的控制下，控制所述第n数据线上的第n数据电压写入所述第n驱动单元的控制端；
所述第n驱动单元的第一端与第一电压输入端连接，所述第n驱动单元的第二端与所述第n发光控制单元的第一端连接，所述第n发光控制单元的第二端与所述第n发光元件的第一极连接，所述第n发光元件的第二极与第二电压输入端连接；
所述第n存储单元的第一端与所述第n驱动单元的控制端连接，所述第n存储单元的第二端与所述第一电压输入端连接，所述第n存储单元用于控制所述第n驱动单元的控制端的电位；
所述第n发光控制单元用于在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第n驱动单元的第二端与所述第n发光元件的第一极之间的连接，以使得所述第n驱动单元根据所述第n数据电压驱动所述第n发光元件发光。
8.如权利要求7所述的像素电路，其特征在于，所述发光时间控制单元包括发光时间控制晶体管；
所述发光时间控制晶体管的栅极与所述发光时间控制栅线连接，所述发光时间控制晶体管的第一极与所述N条数据线中的一数据线连接，所述发光时间控制晶体管的第二极与所述发光控制单元的控制端连接。
9.如权利要求7或8所述的像素电路，其特征在于，所述第n发光控制单元包括第n发光控制晶体管；
所述第n发光控制晶体管的栅极为所述第n发光控制单元的控制端，所述第n发光控制单元的第一极为所述第n发光控制单元的第一端，所述第n发光控制单元的第二极为所述第n发光控制单元的第二端。
10.如权利要求7或8所述的像素电路，其特征在于，所述第n数据电压写入单元包括：第n数据电压写入晶体管，栅极与所述电压写入控制栅线连接，第一极与所述第n数据线连接，第二极与所述第n驱动单元的控制端连接。
11.如权利要求7或8所述的像素电路，其特征在于，所述第n驱动单元包括第n驱动晶体管；
所述第n驱动晶体管的栅极为所述第n驱动单元的控制端，所述第n驱动晶体管的第一极为所述第n驱动单元的第一端，所述第n驱动晶体管的第二极为所述第n驱动单元的第二端；
所述第n存储单元包括：第n存储电容，第一端与所述第n驱动单元的控制端连接，第二端与所述第一电压输入端连接。
12.一种像素电路的驱动方法，应用于如权利要求7至11中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路的显示周期包括依次设置的数据电压写入阶段和发光时间控制阶段；所述子像素电路的驱动方法包括：
在数据电压写入阶段，第n数据电压写入单元在电压写入控制栅线的控制下，控制第n数据线上的第n数据电压写入第n驱动单元的控制端；第n存储单元控制维持第n驱动单元的控制端的电位；
在发光时间控制阶段，所述发光时间控制单元在发光时间控制栅线的控制下，控制将N条数据线中的一数据线上的发光控制信号写入N个子像素电路包括的发光控制单元的控制端；
在所述发光时间控制阶段包括的发光时间段，第n发光控制单元在所述发光控制信号的控制下，控制导通所述第n驱动单元的第二端与第n发光元件的第一极之间的连接，以使得所述第n驱动单元根据所述第n数据电压驱动所述第n发光元件发光；
N为大于或等于2的整数，n为小于或等于N的正整数。
13.一种像素电路，与N条数据线连接，其特征在于，所述像素电路包括N个如权利要求1至5中任一权利要求所述的子像素电路；N为大于或等于2的整数；
每一所述子像素电路中的所述发光时间控制单元分别与一所述数据线对应连接。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7、8、9、10、11或13所述的像素电路。
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