CN108467063A - 一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法 - Google Patents
一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108467063A CN108467063A CN201810495423.3A CN201810495423A CN108467063A CN 108467063 A CN108467063 A CN 108467063A CN 201810495423 A CN201810495423 A CN 201810495423A CN 108467063 A CN108467063 A CN 108467063A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nano particle
- copper
- microwave
- cusbs
- microwave synthesis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- CHRUUJJXTYHZCK-UHFFFAOYSA-N antimony;sulfanylidenecopper Chemical compound [Sb].[Cu]=S CHRUUJJXTYHZCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title claims description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 10
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical group Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 5
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001462 antimony Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneantimony Chemical compound [Sb]=S YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 19
- 239000012901 Milli-Q water Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 5
- -1 01M copper chlorides Chemical class 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 3
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 3
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 3
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G30/00—Compounds of antimony
- C01G30/002—Compounds containing, besides antimony, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低成本的微波合成方法制备太阳电池吸收层材料CuSbS2的方法。本发明首先配制合适的反应溶液，然后将溶液放入微波炉中进行微波加热得到CuSbS2纳米颗粒。本发明的优点在于：原材料来源丰富且价格低廉、无需复杂设备，制备工艺简单、制备成本低、纳米颗粒成分可控。制得的铜锑硫纳米颗粒可分散在乙醇或者乙二醇中。本发明还公开了一种低成本的微波合成方法制备的太阳电池吸收层材料CuSbS2。
Description
技术领域
本发明涉及一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法，属于无机纳米材料制备领域。
背景技术
近年来，随着科技的发展，地球上的能源被快速消耗。而其中含碳能源的大量消耗导致目前生存环境越来越恶劣，温室效应越来越剧烈，全球面临着严峻的环境与能源危机。在此种发展形势下，可再生能源受到了极大的重视。可再生能源的研究迫在眉睫。而光伏产业是可再生能源中最具潜力的。
目前，在太阳能薄膜电池中，最具前途的薄膜材料有Cu(In,Ga)Se2(CIGS)和CdTe，然而其组成元素中Te、In和Ga的稀缺以及Cd的毒性都限制了它们的大规模应用。而CuSbS2的组成元素在地壳中含量丰富，且无毒无害，不会造成污染。CuSbS2是一种p型半导体，吸收系数达到105cm-1，光学带隙为1.5eV，是吸收太阳光的最佳带隙。这为下一步用CuSbS2制备太阳能薄膜电池奠定了良好的基础。因此CuSbS2作为太阳能吸收材料具有很大的优势。目前以CuSbS2为吸收层的太阳电池转换效率为3.1％。所以要大规模发展CuSbS2太阳能电池还需要大量的研究。
目前采用纳米墨水法制备铜基硫化物的研究很多，且取得极大进展。采用纳米墨水法制备铜锌锡硫薄膜，其转化效率高达9％以上。为了制备高质量的纳米墨水必须制备高质量的纳米颗粒。当前CuSbS2纳米颗粒的制备方法主要是热注入法和球磨法。热注入法操作比较复杂，且用到一些有毒有害的试剂；而球磨法制备周期较长，且会引入杂质。本发明提出微波法制备CuSbS2纳米颗粒可极大缩短材料的制备周期。
本发明提出一种铜锑硫纳米颗粒的合成方法，该方法操作简单，生产成本低，制备周期短，制备铜锑硫纳米颗粒所用的材料都是无毒、无污染且廉价的，这极度降低了太阳电池的生产成本，具有良好应用前景。
发明内容
本发明提出一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的合成方法，该方法操作简单，生产成本低，制备周期短，制备铜锑硫纳米颗粒所用的材料都是无毒、无污染且廉价的，这极度降低了太阳电池的生产成本，具有良好的应用前景。
本发明所涉及的微波CuSbS2纳米颗粒的制备方法是通过以下技术方案实现的，具体包括以下几个步骤：
一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：溶液的配制；将铜盐、锑盐以及硫源加入到有机溶剂中，用磁力搅拌器均匀搅拌使其充分溶解得到澄清溶液。其中所述的二价铜盐的浓度为0.01-0.04M，二价锑盐的浓度为0.01-0.06M；硫离子的浓度为0.08-0.3M；
步骤2：将步骤1获得的溶液放入到微波炉中；微波功率为100-800W，微波时间为5-30min，获得CuSbS2纳米颗粒溶液；
步骤3：将步骤2到得的纳米颗粒用离心机从溶液中分离出来，离心速度为3000-10000r/min，时间为5-20min，再用超纯水和乙醇多次清洗，最终得到CuSbS2纳米颗粒。
其中步骤1所述二价铜盐为氯化铜、硫酸铜、硝酸铜或乙酸铜中的一种或其组合。
步骤1中所述的锑盐为氯化锑。
步骤1中所述的硫源为硫代乙酰胺、硫代硫酸钠、硫脲或硫化钠中的一种或其组合。
步骤1中所述有机溶剂为乙醇、乙二醇或丙三醇中的一种或其组合。
微波加热是通过物料中极性分子与微波电磁场相互作用，在交变电磁场作用下极性分子极化并随外加交变电磁场极性变更而交变取向，极性分子因频繁转向而相互间摩擦损耗，是电磁能转化为热能。加入的金属盐与硫源形成复合体，通过微波加热复合体可以转变为铜锑硫。
本发明的有益效果：
与现有制备CuSbS2纳米颗粒的技术相比，本发明采用微波合成法属于非真空化学合成方法，避免了采用真空设备昂贵的问题；本发明反应速度快，周期短，操作简单；本制备方法通过调节工艺参数可以任意调整元素比例。
附图说明
图1为实施例1中所制备的CuSbS2纳米颗粒的X射线衍射图谱。
图2为实施例1中所制备的CuSbS2纳米颗粒的扫描电镜图谱。
具体实施方式
以下结合附图及具体实施例对本发明做进一步说明，但下述实施例并非对本发明的保护范围的限制。
下面结合实施例对本发明作进一步描述，但不应以此限制本发明的保护范围
实施例1
称取0.02M硝酸铜溶于50mL的乙二醇中，搅拌均匀后加入0.03M氯化锑，搅拌均匀后再加0.18M硫脲，搅拌均匀后再放入微波炉中加热，微波功率调至800W，反应10min，离心分离，超纯水洗涤，即得到CuSbS2薄膜纳米颗粒。所制备的CuSbS2纳米颗粒的X射线衍射图谱、扫描电镜图片分别如图1、图2所示。所制备的CuSbS2纳米颗粒具有(111)择优取向，结晶性较好，纳米颗粒明显团聚为球状结构，颗粒尺寸约为2.5μm。
实施例2
称取0.01M氯化铜溶于50mL的乙二醇中，搅拌均匀后加入0.01M氯化锑，搅拌均匀后再加0.08M硫脲，搅拌均匀后再放入微波炉中加热，微波功率调至600W，反应20min，离心分离，超纯水洗涤，即得到CuSbS2纳米颗粒。所制备的CuSbS2纳米颗粒尺寸约为500nm。
实施例3
称取0.01M醋酸铜溶于50mL的乙醇中，搅拌均匀后加入0.01M氯化锑，搅拌均匀后再加0.12M硫脲，搅拌均匀后再放入微波炉中加热，微波功率调至100W，反应30min，离心分离，超纯水洗涤，即得到CuSbS2纳米颗粒。所制备的CuSbS2纳米颗粒具有较好的结晶性，颗粒尺寸约为1μm。
实施例4
称取0.03M硝酸铜溶于50mL的乙二醇中，搅拌均匀后加入0.06M氯化锑，搅拌均匀后再加0.3M硫脲，搅拌均匀后再放入微波炉中加热，微波功率调至400W，反应20min，离心分离，超纯水洗涤，即得到CuSbS2纳米颗粒。所制备的CuSbS2纳米颗粒尺寸约为1μm。
实施例5
称取0.03M硝酸铜溶于50mL的乙二醇中，搅拌均匀后加0.06M氯化锑，搅拌均匀后再加0.25M硫代乙酰胺，搅拌均匀后再放入微波炉中加热，微波功率调至600W，反应10min，离心分离，超纯水洗涤，即得到CuSbS2纳米颗粒。所制备的CuSbS2纳米颗粒尺寸约为50nm。
实施例6
称取0.02M硝酸铜溶于50mL的丙三醇中，搅拌均匀后加0.03M氯化锑，搅拌均匀后再加0.2M硫脲，搅拌均匀后再放入微波炉中加热，微波功率调至400W，反应20min，离心分离，超纯水洗涤，即得到CuSbS2纳米颗粒。所制备的CuSbS2纳米颗粒花状结构，尺寸约为800nm。
Claims (6)
1.一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：溶液的配制；将铜盐、锑盐、以及硫源加入到有机溶剂中，用磁力搅拌器搅拌均匀使其充分溶解得到澄清溶液；其中所述的二价铜盐的浓度为0.01-0.04M，锑盐的浓度为0.01-0.06M，硫离子的浓度为0.08-0.3M；
步骤2：将步骤1获得的溶液放入到微波炉中；微波功率为100-800W，微波时间为5-30min，获得CuSbS2纳米颗粒溶液；
步骤3：将步骤2到得的纳米颗粒用离心机从溶液中分离出来，离心速度为3000-10000r/min，时间为5-20min，再用超纯水和乙醇多次清洗，最终得到CuSbS2纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法，其特征在于，步骤1所述的二价铜盐为氯化铜、硫酸铜、硝酸铜或乙酸铜中的一种或其组合。
3.根据权利要求1所述的一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法，其特征在于，所述的锑盐为氯化锑。
4.根据权利要求1所述的一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法，其特征在于，所述的硫源为硫代乙酰胺、硫代硫酸钠、硫脲或硫化钠中的一种或其组合。
5.根据权利要求1所述的一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法，其特征在于，所述的有机溶剂为乙醇、乙二醇或油氨中的一种。
6.根据权利要求1-5任一方法所制备的铜锑硫纳米颗粒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810495423.3A CN108467063B (zh) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810495423.3A CN108467063B (zh) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108467063A true CN108467063A (zh) | 2018-08-31 |
| CN108467063B CN108467063B (zh) | 2022-07-05 |
Family
ID=63261416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810495423.3A Active CN108467063B (zh) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108467063B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110040777A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-07-23 | 中国科学技术大学 | 一种单斜相六边形铜锑硫纳米片及铜锑硫纳米片可控的制备方法 |
| CN110203971A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-09-06 | 金陵科技学院 | 一种CuSbS2纳米颗粒及其制备方法、应用 |
| CN112354546A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-12 | 绍兴文理学院 | 一种CuSbS2/SnS2纳米片复合材料的制备方法及应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104822767A (zh) * | 2012-10-03 | 2015-08-05 | 大日本印刷株式会社 | 金属粒子分散体及使用该金属粒子分散体的物品,烧结膜及烧结膜的制造方法 |
| CN104894635A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-09-09 | 武汉理工大学 | 尺寸可控的铜锑硫纳米晶材料及其制备方法 |
| CN105540663A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-05-04 | 武汉理工大学 | CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法 |
| CN107746076A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-02 | 上海应用技术大学 | 一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法 |
-
2018
- 2018-05-22 CN CN201810495423.3A patent/CN108467063B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104822767A (zh) * | 2012-10-03 | 2015-08-05 | 大日本印刷株式会社 | 金属粒子分散体及使用该金属粒子分散体的物品,烧结膜及烧结膜的制造方法 |
| CN104894635A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-09-09 | 武汉理工大学 | 尺寸可控的铜锑硫纳米晶材料及其制备方法 |
| CN105540663A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-05-04 | 武汉理工大学 | CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法 |
| CN107746076A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-02 | 上海应用技术大学 | 一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| GUILIN CHEN等: "Study on the synthesis and formation mechanism offlower-like Cu3SbS4 particles via microwave irradiation", 《JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS》 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110203971A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-09-06 | 金陵科技学院 | 一种CuSbS2纳米颗粒及其制备方法、应用 |
| CN110203971B (zh) * | 2019-05-10 | 2021-10-29 | 金陵科技学院 | 一种CuSbS2纳米颗粒及其制备方法、应用 |
| CN110040777A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-07-23 | 中国科学技术大学 | 一种单斜相六边形铜锑硫纳米片及铜锑硫纳米片可控的制备方法 |
| CN112354546A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-12 | 绍兴文理学院 | 一种CuSbS2/SnS2纳米片复合材料的制备方法及应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108467063B (zh) | 2022-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102583510A (zh) | 一种微波合成铜锌锡硫纳米颗粒的方法 | |
| CN108467063A (zh) | 一种微波合成铜锑硫纳米颗粒的方法 | |
| CN103420411A (zh) | 一种超声辅助微波可控制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒的方法 | |
| CN102074590B (zh) | 碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法 | |
| CN103000381B (zh) | 一种制备ZnO/CuInS2核壳结构纳米棒薄膜的方法 | |
| Luo et al. | Electrochemically deposited Cu2O on TiO2 nanorod arrays for photovoltaic application | |
| CN103346201B (zh) | 掺锗的铜锌锡硫硒薄膜制备方法、薄膜及太阳能电池 | |
| CN106391055A (zh) | ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法 | |
| CN105514276A (zh) | 一种介孔状钙钛矿光伏材料及其制备方法 | |
| CN107403853B (zh) | 一种ZTO-ZnO/CBS-GSs柔性薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104701138A (zh) | 一种CZTS(Se)纳米晶薄膜的制备方法 | |
| CN106783184A (zh) | 一种量子点敏化纳米ZnO薄膜太阳电池的制备方法 | |
| CN105152228A (zh) | 一种多元硫化物半导体纳米材料的可控制备方法 | |
| CN102887538B (zh) | 一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法 | |
| CN103803655A (zh) | Cu2FeSnS4微米级空心球的溶剂热制备方法 | |
| CN105692680A (zh) | 一种分级结构氧化锌石墨烯的纳米复合材料及其制备方法 | |
| CN105633217A (zh) | 一种微米级铜锗锌锡硫硒单晶颗粒的制备方法及其单晶颗粒和太阳能电池 | |
| CN105293561B (zh) | 一种有机熔盐法制备针状Ag2S微米颗粒的方法 | |
| CN105197985A (zh) | 溶剂热法一步合成超长纤锌矿结构Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法 | |
| CN102024858B (zh) | 油墨、薄膜太阳能电池及其制造方法 | |
| CN107059131A (zh) | 一种半导体纳米晶及其制备方法与应用 | |
| CN106803460A (zh) | 一种用于量子点敏化太阳能电池的CuS对电极及其制备方法 | |
| CN103305793B (zh) | 一种制备缓冲层氧化物靶材及其氧化物薄膜的方法 | |
| CN103578775B (zh) | 基于ZnO透明导电纳米线阵列电极的染料敏化太阳电池及其制备方法 | |
| CN111498931A (zh) | 一种石墨烯-铝基水伏与海水淡化器件功能区的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240108 Address after: 710000 Factory Building 5, South Zone 1, Hongshengxing Aviation Technology Industrial Park, Dunhua Road, Airport New City, Xixian New District, Xi'an City, Shaanxi Province Patentee after: Xi'an Meinan Biotechnology Co.,Ltd. Address before: No. 99 Jiangning Road, Nanjing District hirokage 210000 cities in Jiangsu Province Patentee before: JINLING INSTITUTE OF TECHNOLOGY |