CN108385148A - 半导体反应器及半导体反应器用金属母材的涂层形成方法 - Google Patents

半导体反应器及半导体反应器用金属母材的涂层形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108385148A
CN108385148A CN201810018154.1A CN201810018154A CN108385148A CN 108385148 A CN108385148 A CN 108385148A CN 201810018154 A CN201810018154 A CN 201810018154A CN 108385148 A CN108385148 A CN 108385148A
Authority
CN
China
Prior art keywords
weight
coating
base material
material metal
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810018154.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108385148B (zh
Inventor
都正万
崔荣峻
尹珍国
韩承熙
庾炳容
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Korea Institute of Science and Technology KIST
Original Assignee
Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST filed Critical Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Publication of CN108385148A publication Critical patent/CN108385148A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108385148B publication Critical patent/CN108385148B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C22C21/06—Alloys based on aluminium with magnesium as the next major constituent
    • C22C21/08—Alloys based on aluminium with magnesium as the next major constituent with silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/024—Anodisation under pulsed or modulated current or potential
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/026—Anodisation with spark discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
    • C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02554—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明的一实施方式涉及的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法包括以下步骤：将半导体反应器用金属母材浸渍于包含NaOH以及NaAlO2的碱性水溶液电解液中；以及将电极连接在所述金属母材上，对所述电极供电，通过等离子体电解氧化法，在所述金属母材上形成涂层。

Description

半导体反应器及半导体反应器用金属母材的涂层形成方法
技术领域
本发明涉及半导体制造装置，尤其涉及在反应性等离子体环境下能够提高耐腐蚀性以及抗侵蚀性的半导体反应器及其涂层。
背景技术
在半导体制造工艺中，在硅晶片的表面氧化膜层去除和超微细蚀刻工艺中等离子体发生装置的采用正在增加。在使用这种等离子体的半导体制造工艺中，主要使用诸如氯化硼(BCl)、氟化碳(CF4)、氟化硫(SF6)等的强腐蚀性元素。此时，暴露于诸如由等离子体放电产生的激发离子、解离分子或自由基的等离子体环境的部件上可能发生腐蚀和侵蚀，并且还与部件反应形成化合物以污染部件或装置，从而有可能降低半导体的性能和可靠性。
因此，为了解决这种问题，迫切需要耐等离子体特性优秀的等离子体反应器内衬(inner liner)。暴露于等离子体环境的半导体制造装置用材料采用不锈钢、铝、石英、氧化铝、碳化硅等多种材料。
为了保护用于半导体制造工艺的等离子体发生装置以及等离子体气体所通过的部件的表面，采用了利用硬质阳极氧化法在阀金属(Al、Mg、Ti、Ta、Hf、Nb、W、Zr等)表面形成耐腐蚀性和抗侵蚀性氧化膜的方法。但是，通过硬质阳极氧化法制造的非晶氧化物层存在在边缘较小或曲率半径较小的突出部位产生裂纹的根本缺点，另外，在实际使用中存在涂层剥落的问题。另外，当铜和硅酸盐为存在相同的析出物的材料时，难以通过阳极氧化法生成均匀的氧化膜层，因而用于阳极氧化的金属母材受到限制。
发明内容
所要解决的技术问题
本发明是用于解决包括上述技术问题在内的多种技术问题的，其目的在于，提供一种在半导体反应器用金属母材表面上形成涂层的方法，其能够提高等离子体抗侵蚀性、耐腐蚀性，并且减少内部污染。然而，这些问题是示例性的，本发明的范围不限于此。
技术方案
本发明的一实施方式涉及的在半导体反应器用金属母材表面上形成涂层的方法包括以下步骤：
将半导体反应器用金属母材浸渍于包含NaOH以及NaAlO2的碱性水溶液电解液中；以及，将电极连接在所述金属母材上，对所述电极供电，通过等离子体电解氧化法，在所述金属母材表面上形成涂层。
在所述涂层形成方法中，所述金属母材包含铝合金，所述电解液还包含钇盐，所述涂层在内部包含氧化铝膜，在表面部可以包含氧化铝以及氧化钇的复合氧化膜。
在所述涂层形成方法中，所述复合氧化膜还可以包含氧化铝钇。
在所述涂层形成方法中，所述电解液可以包含作为钇盐的Y(NO3)3。
在所述涂层形成方法的所述涂层形成步骤中，可以施加负电压施加时间长于正电压施加时间的双极性脉冲电流，以进行等离子体电解氧化。
在所述涂层形成方法的所述涂层形成步骤中，所述双极性脉冲电流的负电流密度可以大于正电流密度。
在所述涂层形成方法中，为了降低所述涂层中铜以及硅的含量，所述金属母材可以包含含有0.5重量％以下且大于0重量％的铜以及0.5重量％以下且大于0重量％的硅的铝合金。
在所述涂层形成方法中，为了提高所述涂层中镁的含量，所述铝合金可以含有0.5重量％以下且大于0重量％的铜、0.5重量％以下且大于0重量％的硅以及1.0～50重量％的镁。
在所述涂层形成方法中，所述铝合金含有0.2重量％以下且大于0重量％的铜、0.4重量％以下且大于0重量％的硅以及2.0～50重量％的镁，在所述涂层中钾浓度为0.1重量％以下，铜浓度为0.1重量％以下，硅浓度可以为0.5重量％以下。
根据本发明的另一实施方式涉及的半导体反应器可以包括：金属母材；以及涂层，通过等离子体电解氧化法形成在所述金属母材上。在将所述金属母材浸渍于包含NaOH以及NaAlO2的碱性水溶液电解液中的状态下，将电极连接在所述金属母材上，对所述电极供电，通过等离子体电解氧化法形成所述涂层。
在所述半导体反应器中，所述金属母材包含铝合金，所述电解液还包含钇盐，所述涂层在内部包含氧化铝膜，在表面部可以包含氧化铝以及氧化钇的复合氧化膜。
在所述半导体反应器中，所述铝合金含有0.5重量％以下且大于0重量％的铜、0.5重量％以下且大于0重量％的硅，所述涂层可以包括钾浓度为0.1重量％以下、铜浓度为0.1重量％以下、硅浓度为0.5重量％以下的结晶α-Al2O3和γ-Al2O3。
在所述半导体反应器中，所述铝合金含有0.5重量％以下且大于0重量％的铜、0.5重量％以下且大于0重量％的硅，所述涂层的表面部可以包含钾浓度为0.1重量％以下、氧化钇浓度为10.0重量％以上的Al-Y-O-rich复合氧化膜。
在所述半导体反应器中，所述涂层的厚度可以为20至100μm范围。
发明效果
根据如上所述的本发明的一实施例涉及的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，能够大幅提高涂层对于等离子体的抗侵蚀性和耐腐蚀性，减少半导体反应器内有害成分的污染。当然，本发明的范围不受这些效果的限制。
附图说明
图1为示出根据本发明的一实验例制造的试样的截面的扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)照片。
图2为示出根据本发明的另一实验例制造的试样的截面的扫描电子显微镜照片。
图3为示出图2的试样的截面微观结构和浓度分布的扫描电子显微镜照片。
附图标记
10：铝合金
20、20a：结晶氧化铝层
30：复合氧化膜
具体实施方式
在下文中，将参照附图对本发明的实施例详细说明则如下。但是，本发明不限于以下公开的实施例，而是可以以不同的多种形式来实施，并且提供以下实施例，以使本发明的公开完整，并且对本领域技术人员完整地告知本发明的范畴。另外，为了便于说明，可以放大或缩小图中的构成要素。
在本发明的多个实施例中，半导体反应器可以理解为在半导体制造装置中发生沉积、蚀刻等反应的部件。例如，半导体反应器可以理解为包括利用等离子体的半导体制造装置的反应空间，例如等离子体室。
在本发明的多个实施例中，半导体反应器的金属母材可以是阀金属(Al、Mg、Ti、Ta、Hf、Nb、W、Zr等)中的一种。在部分实施例中，半导体反应器的金属母材可以是铝(Al)合金。
根据本发明的多个实施例，为了解决现有的阳极氧化的问题，使用等离子体电解氧化(plasma electrolytic oxidation process，PEO)法，以生成对于等离子体的耐腐蚀性和抗侵蚀性更加优秀的氧化层。PEO法是一种表面处理方法，该方法将浸渍于电解液中的金属表面氧化，在氧化层表面发生等离子体电弧，以高温热量来烧制氧化层，从而提高其硬度，并且提高耐磨损性、耐腐蚀性以及耐热性。当利用等离子体电解氧化法时，可以在阀金属的表面上致密地形成氧化膜。
包含于半导体制造装置的金属母材和涂层中的铜(Cu)、硅(Si)、钾(K)等元素会污染硅晶片和反应器内部，造成有害影响，而镁(Mg)与卤素气体反应，形成安全的氧化物，从而起到保护表面氧化层的作用。铜和二氧化硅的析出物抑制均匀地形成涂层，在反应性等离子体气氛下，从PEO涂层洗脱的铜会污染硅基板和半导体制造装置，流入结晶氧化铝涂层的二氧化硅(SiO2)形成非晶相，从而导致PEO涂层的耐腐蚀性和抗侵蚀性降低。因此，如果能够尽可能降低反应器的金属母材和表面涂层中的铜、硅、钾成分，并提高镁成分，则能够减少硅晶片和反应器内部的污染，并且延长半导体装置的寿命。
对半导体部件和半导体器件制造用硅基板有害的铜(Cu)、硅(Si)、钾(K)等的含量主要表现为PEO涂层的最外层表面部高于PEO涂层内部。因此，为了降低PEO涂层表面部的有害元素(Cu、Si、K等)的含量，需要选择Cu和Si含量低的金属母材，并且选择不含K和Si的PEO电解液。
因此，本发明的一实施例涉及的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法可以包括以下步骤：将半导体反应器用金属母材浸渍于电解液中；将电极连接在该金属母材上，对电极供电，通过等离子体电解氧化(PEO)法，在金属母材上形成涂层。利用这种PEO法，能够制造在金属母材上形成有涂层的结构，例如，半导体制造装置或其部件，例如，半导体反应器或等离子体室。
例如，作为用于半导体反应器等半导体部件的等离子体电解氧化的电解液，可以使用碱性水溶液。可以选择电解液的成分和添加剂来控制电解条件和涂层的质量。
在本发明的多个实施例中，为了抑制作为有害元素的钾(K)掺入到涂层中，电解液中可以使用NaOH以代替现有的KOH。在使用含有NaOH的电解液时，固溶于涂层中的钠(Na)和金属母材中的铝(Al)与用于半导体工艺的氟(F)气反应，可以生成NaF-AlF3反应盐(参照NaF-AlF3状态图)。当使用含有KOH的电解液时，该NaF-AlF3反应盐的熔点比由固溶于涂层中的钾(K)和金属母材中的铝(Al)与氟(F)气反应生成的KF-AlF3反应盐的熔点高约100℃。因此，与在使用了KOH的电解液中形成的PEO涂层的耐热性相比，在使用了NaOH的电解液中生成的PEO涂层的耐热性提高约100℃。
在本发明的部分实施例中，可以在电解液中同时包含NaOH和NaAlO2。这种电解液对于通过添加上述NaOH而提高涂层耐热性更加有效，并且可以有助于提高涂覆速度。例如，这些实施例涉及的涂层的厚度可以为数十至数百μm，进而，为了适用于半导体反应器，可以处在20至100μm的范围内。
在本发明的部分实施例中，电解液可以包含钇盐(Yttrium salt)作为添加剂。例如，电解液可以包含Y(NO3)3作为钇盐。例如，可以使用含有NaOH、NaAlO2、Y(NO3)3的电解液来形成铝合金的PEO涂层。添加于电解液中的钇可以在等离子体电解氧化步骤中在涂层中形成氧化钇。此时，涂层可以在内部包括结晶铝氧化膜，并且在表面部包括氧化铝以及氧化钇的复合氧化膜。这种复合氧化物或表面部的氧化钇可以进一步提高涂层中等离子体的抗侵蚀性和耐腐蚀性。
在上述多个实施例中，除了上述成分之外，电解液还可以包含有机物结合剂。
在本发明的部分实施例中，可以控制电解条件以提高PEO涂层的生长速度和质量。例如，在利用等离子体电解氧化的涂层形成步骤中，可以施加负电压施加时间长于正电压施加时间的双极性脉冲电流。进而，双极性脉冲电流的负电流密度可以被控制为大于正电流密度。
在本发明的部分实施例中，可以控制金属母材的成分和含量，以控制涂层中的组成。例如，为了降低涂层中的铜(Cu)和硅(Si)的含量，金属母材可以包含含有0.5重量％(wt.％)以下(大于0重量％)的铜(Cu)以及1.0重量％以下(大于0重量％)的硅(Si)的铝合金。优选地，为了进一步限制这种铜和硅的影响，铝合金中铜的含量可以被限制为0.25重量％以下，更严格地，可以被限制为0.1重量％以下。进而，硅的含量可以被限制为0.5重量％以下，更严格地，进一步被限制为0.4重量％以下。
进而，为了形成用于保护涂层的保护膜，并且提高涂层中镁(Mg)的含量，用作金属母材的铝合金还可以含有1.0～50重量％的镁(Mg)。在部分实施例中，铝合金可以含有0.2重量％以下(大于0重量％)的铜(Cu)、0.4重量％以下(大于0重量％)的硅(Si)以及1.5～50重量％的镁(Mg)。在进一步限制的情况下，可以将铜浓度进一步限制在0.1重量％以下，并且可以进一步提高镁含量的下限值，限制镁含量为2.0～50重量％。
更具体而言，作为金属母材，可以使用铜浓度为0.5重量％以下、硅浓度为1.0重量％以下的铝合金，优选铜浓度为0.25重量％以下、硅浓度为0.5重量％以下的铝合金，更优选铜浓度为0.15重量％以下、硅浓度为0.4重量％以下的铝合金。另外，作为金属母材，可以使用铜浓度为0.5重量％以下、硅浓度为1.0重量％以下、镁浓度为1.0～50重量％的铝合金，优选铜浓度为0.25重量％以下、硅浓度为0.5重量％以下、镁浓度为1.5～50重量％的铝合金，更优选铜浓度为0.1重量％以下、硅浓度为0.4重量％以下、镁浓度为2.0～50重量％的铝合金。
作为这种铝合金，可以使用具有这种组成的开发合金或商用合金。例如，可以将商用铝合金中铜和硅浓度低且镁浓度高的A5052、A5082、A5083、A5086合金等用作这种金属母材。
如上所述，通过限制金属母材的成分和组成，可以减少涂层中铜和硅的掺入量，并且增加镁的掺入量。因此，能够提高使用这种金属母材和涂层的半导体反应器的耐等离子体特性，并且抑制有害的杂质等从半导体反应器向内部的半导体器件的掺入，以提高半导体反应器的可靠性和寿命。
在本发明的部分实施例中，在PEO涂覆时，减少或者甚至排除在电解液中掺入硅(Si)，使用硅浓度低的铝金属母材，从而在PEO过程中抑制由于非晶硅(SiO2)掺入到结晶氧化铝涂层中而降低结晶性，并且可以解决由硅酸盐引起的涂层的耐腐蚀性和抗侵蚀性降低的问题。
另一方面，已知结晶氧化物在等离子体环境中表现出比非晶氧化物更优秀的耐腐蚀性和抗侵蚀性。根据上述多个实施例，通过降低金属母材中的铜含量，并且降低PEO涂覆时电解液中的钾含量，可以提高涂层中氧化铝的结晶性，以提高对于等离子体的耐腐蚀性和抗侵蚀性。
在下文中，将对本发明涉及的实验例和比较例进行比较说明。
实验例1
准备尺寸为50mm×50mm×5mm，即表面积为6000mm2的平板型A5083铝合金。将准备的A5083铝合金浸渍于保持在10℃的碱性水溶液中后，将阳极连接在试样上。其中，碱性水溶液含有2g/L的NaOH、2g/L的NaAlO2以及有机物添加剂。利用双极性脉冲直流电源装置，对于与阳极连接的A5083铝合金进行PEO涂覆处理1小时。即，对于A5083铝合金，施加5A/dm2的正电流8000μs，并施加6A/dm2的负电流11000μs。
在图1中，示出根据实验例1制造的A5083铝合金表面上的氧化层的截面结构的扫描电子显微镜照片。
参照图1，可以确认在作为金属母材的A5083铝合金10的表面形成氧化铝层20作为涂层。其中，氧化铝层20均匀地形成在A5083铝合金10的表面上，并且其组织致密。氧化铝层20由α-Al2O3和γ-Al2O3构成，氧化铝层20具有非常致密的微观结构，孔隙率约为5％以内。利用电子探针显微分析仪(EPMA)定量涂层成分的结果，涂层表面部由结晶氧化铝涂层形成，该结晶氧化铝涂层中，铜浓度为0.03重量％，是0.1重量％以下，硅浓度为0.34重量％，是0.5重量％以下，钾浓度为0.02重量％，镁浓度为2.31重量％，是2.0重量％以上。含有2.0重量％以上的镁的结晶氧化铝层20的厚度约为33μm以上。
实验例2
准备尺寸为50mm×50mm×5mm，即表面积为6000mm2的平板型A5083铝合金。将准备的A5083铝合金浸渍于保持在10℃的碱性水溶液中后，将阳极连接在试样上。其中，碱性水溶液含有2g/L的NaOH、2g/L的NaAlO2、1.5g/L的Y(NO3)3以及有机物结合剂。利用双极性脉冲直流电源装置，对于与阳极连接的A5083铝合金进行PEO涂覆处理1小时。即，对于A5083铝合金，施加5A/dm2的正电流8000μs，并施加6A/dm2的负电流11000μs。
在图2中，示出根据实验例2制造的A5083铝合金表面氧化层的截面结构的扫描电子显微镜照片。
参照图2，可以确认在作为金属母材的A5083铝合金10上形成结晶氧化铝层20a和Al-Y-O-rich复合氧化膜30作为涂层。最外层Al-Y-O-rich复合氧化膜30略微不均匀地形成。利用电子探针显微分析仪(EPMA)定量PEO涂层含量的结果，涂层表面部由复合涂层形成，该复合涂层中，铜浓度为0.37重量％，是0.5重量％以下，硅浓度为0.45重量％，是0.5重量％以下，钾浓度为0.03重量％，是0.1重量％以下，镁浓度为0.27重量％，钇浓度为70.6重量％。由此，可分别控制涂层中的钾浓度、铜浓度、硅浓度分别低至0.1重量％以下(大于0重量％)、0.1重量％以下(大于0重量％)、0.5重量％以下(大于0重量％)。进而，优选地，也可以几乎从涂层中检测不到钾、铜、硅中的至少一种。另外，涂层表面部中的氧化钇的浓度可以高至10.0重量％以上，进一步地，为50.0重量％以上。
XRD分析结果，PEO涂层由对于反应性等离子体的耐腐蚀性和抗侵蚀性优秀的结晶Al2O3、Y2O3、Y4Al2O9等形成的复合氧化膜构成。
PEO内部结晶氧化铝层20a的厚度约为48μm，PEO涂层最外层表面部Al-Y-O-rich复合氧化膜30的厚度约为18.8μm。
图3的(a)示出实验例2涉及的微观组织，(b)示出截面上的铝浓度分布，(c)示出钇浓度分布。由此可知，对于等离子体的抗侵蚀性优秀的氧化钇或Al2O3-Y2O3或Al2O3-Y4Al2O9或Y2O3-Y4Al2O9或Al2O3-Y2O3-Y4Al2O9形式的复合氧化膜30主要集中于PET涂层最外层表面部上。
比较例1
准备尺寸为50mm×50mm×5mm，即表面积为6000mm2的平板型A5083铝合金。将准备的A5083铝合金浸渍于保持在10℃的碱性水溶液中后，将阳极连接在试样上。其中，碱性水溶液含有2g/L的KOH、4g/L的Na2SiO3以及有机物添加剂。利用双极性脉冲直流电源装置，对于与阳极连接的A5083铝合金进行PEO涂覆处理1小时。即，对于A5083铝合金，施加5A/dm2的正电流8000μs，并施加6A/dm2的负电流11000μs。
利用EDS，对于通过比较例1在金属母材表面上形成的涂层进行分析的结果显示，铜浓度为0.03重量％，硅浓度为21.16重量％，钾浓度为4.4重量％，镁浓度为1.63重量％，钾和硅的浓度非常高。如上所述，在反应性等离子体气氛下，与高纯度结晶氧化铝层相比，硅含量高的PEO涂层发生耐腐蚀性和抗侵蚀性降低的根本性问题。
比较例2
准备尺寸为50mm×50mm×5mm，即表面积为6000mm2的平板型A5083铝合金。将准备的A5083铝合金浸渍于保持在10℃的碱性水溶液中后，将阳极连接在试样上。其中，碱性水溶液含有2g/L的KOH。利用双极性脉冲直流电源装置，对于与阳极连接的A5083铝合金进行PEO涂覆处理1小时。即，对于A5083铝合金，施加480V的正电压100μs，施加300V的负电压1000μs。其结果，获得的涂层的厚度约为3～4μm，涂层生长速度极为缓慢。
比较例3
准备尺寸为50mm×50mm×5mm，即表面积为6000mm2的平板型A5083铝合金。将准备的A5083铝合金浸渍于保持在10℃的碱性水溶液中后，将阳极连接在试样上。其中，碱性水溶液含有2g/L的KOH、1g/L的Y(NO3)3。利用双极性脉冲直流电源装置，对于与阳极连接的A5083铝合金进行PEO涂覆处理1小时。即，对于A5083铝合金，施加480V的正电压100μs，并施加300V的负电压1000μs。其结果，获得的涂层的厚度约为3～5μm，涂层生长速度极为缓慢。
根据实验例1和2的结果，在本发明涉及的涂覆方法中，可以通过PEO涂覆1小时形成厚度约为50μm的涂层，但是根据比较例1、2，难以形成PEO涂层厚度为3～5μm的厚涂层。根据以上事实，通过使用了KOH电解液的现有的PEO技术，难以应用于暴露于反应性等离子体环境中的半导体制造装置，而本发明所发明的厚度50μ0左右的结晶氧化铝或Al-Y-O-rich复合氧化膜有望应用于半导体制造装置中。
尽管参照附图中所示的实施例说明了本发明，但是这仅仅是示例性的，只要是本领域技术人员，就应当理解能够由此导出不同的变形以及等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应该由所附权利要求的技术思想来确定。

Claims (15)

1.一种半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
将半导体反应器用金属母材浸渍于包含NaOH以及NaAlO2的碱性水溶液电解液中；以及，
将电极连接在所述金属母材上，对所述电极供电，通过等离子体电解氧化法在所述金属母材上形成涂层。
2.根据权利要求1所述的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，
所述金属母材包含铝合金，
所述电解液还包含钇盐，
所述涂层在内部包含氧化铝膜，在表面部包含氧化铝以及氧化钇的复合氧化膜。
3.根据权利要求2所述的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，
所述复合氧化膜还包含氧化铝钇。
4.根据权利要求2所述的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，
所述电解液包含作为钇盐的Y(NO3)3。
5.根据权利要求1所述的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，
在所述涂层形成步骤中，施加负电压施加时间长于正电压施加时间的双极性脉冲电流，以进行等离子体电解氧化。
6.根据权利要求5所述的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，
在所述涂层形成步骤中，所述双极性脉冲电流的负电流密度大于正电流密度。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，
为了降低所述涂层中的铜和硅的含量，所述金属母材包含铝合金，所述铝合金含有0.5重量％以下且大于0重量％的铜以及0.5重量％以下且大于0重量％的硅。
8.根据权利要求7所述的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，
为了提高所述涂层中的镁含量，所述铝合金含有0.5重量％以下且大于0重量％的铜、0.5重量％以下且大于0重量％的硅以及1.0～50重量％的镁。
9.根据权利要求8所述的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，
所述铝合金含有0.2重量％以下且大于0重量％的铜、0.4重量％以下且大于0重量％的硅以及2.0～50重量％的镁，
在所述涂层中的钾浓度为0.1重量％以下，铜浓度为0.1重量％以下，硅浓度为0.5重量％以下。
10.一种半导体反应器，其特征在于，包括：
金属母材；以及，
涂层，通过等离子体电解法形成在所述金属母材上，
在将所述金属母材浸渍于包含NaOH以及NaAlO2的碱性水溶液电解液中的状态下，将电极连接在所述金属母材上，对所述电极供电，通过等离子体电解氧化法形成所述涂层。
11.根据权利要求10所述的半导体反应器，其特征在于，
所述金属母材包含铝合金，
所述电解液还包含钇盐，
所述涂层在内部包含氧化铝膜，在表面部包含氧化铝以及氧化钇的复合氧化膜。
12.根据权利要求11所述的半导体反应器，其特征在于，
所述复合氧化膜还包含氧化铝钇。
13.根据权利要求11所述的半导体反应器，其特征在于，
所述铝合金含有0.5重量％以下且大于0重量％的铜、0.5重量％以下且大于0重量％的硅，
所述涂层包含钾浓度为0.1重量％以下、铜浓度为0.1重量％以下、硅浓度为0.5重量％以下的结晶α-Al2O3和γ-Al2O3。
14.根据权利要求11所述的半导体反应器，其特征在于，
所述铝合金含有0.5重量％以下且大于0重量％的铜、0.5重量％以下且大于0重量％的硅，
所述涂层的表面部包含钾浓度为0.1重量％以下、氧化钇浓度为10.0重量％以上的Al-Y-O-rich复合氧化膜。
15.根据权利要求11所述的半导体反应器，其特征在于，
所述涂层的厚度处于20μm至100μm的范围。
CN201810018154.1A 2017-01-09 2018-01-09 半导体反应器及半导体反应器用金属母材的涂层形成方法 Active CN108385148B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0003064 2017-01-09
KR1020170003064A KR101877017B1 (ko) 2017-01-09 2017-01-09 반도체 반응기 및 반도체 반응기용 금속모재의 코팅층 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108385148A true CN108385148A (zh) 2018-08-10
CN108385148B CN108385148B (zh) 2020-08-21

Family

ID=62789490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810018154.1A Active CN108385148B (zh) 2017-01-09 2018-01-09 半导体反应器及半导体反应器用金属母材的涂层形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200152426A1 (zh)
JP (1) JP6927646B2 (zh)
KR (1) KR101877017B1 (zh)
CN (1) CN108385148B (zh)
WO (1) WO2018128527A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114015915A (zh) * 2021-10-25 2022-02-08 宁波吉胜铸业有限公司 一种耐磨泵盖

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102497053B1 (ko) * 2020-09-25 2023-02-08 한국과학기술연구원 레이저 소결을 이용한 내플라즈마 코팅막 치밀화 방법
KR102496309B1 (ko) * 2020-09-25 2023-02-07 한국과학기술연구원 레이저를 이용한 내플라즈마 코팅막 형성방법
US20220403531A1 (en) * 2021-06-17 2022-12-22 Applied Materials, Inc. Conformal yttrium oxide coating

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101608332A (zh) * 2008-06-19 2009-12-23 深圳富泰宏精密工业有限公司 表面具微弧氧化陶瓷膜的铝合金及其制备方法
US20160148788A1 (en) * 2014-11-24 2016-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas ring for plasma system and method of manufacturing the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU747068C (en) * 1997-12-17 2002-11-07 Isle Coat Limited Method for producing hard protection coatings on articles made of aluminium alloys
JP3871560B2 (ja) * 2001-12-03 2007-01-24 昭和電工株式会社 皮膜形成処理用アルミニウム合金、ならびに耐食性に優れたアルミニウム合金材およびその製造方法
US7311797B2 (en) * 2002-06-27 2007-12-25 Lam Research Corporation Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor
JP2004277812A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Shinsuke Mochizuki Ａｌ系複合部材とその製造方法
TWI483291B (zh) * 2007-04-27 2015-05-01 Applied Materials Inc 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備
US8206829B2 (en) * 2008-11-10 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coatings for plasma chamber components
EP2371996B1 (en) * 2008-12-26 2016-03-09 Nihon Parkerizing Co., Ltd. Method of electrolytic ceramic coating for metal, electrolysis solution for electrolytic ceramic coating for metal, and metallic material
KR101932429B1 (ko) * 2012-05-04 2018-12-26 (주)코미코 내 플라즈마 코팅막, 이의 제조 방법 및 내 플라즈마성 부품
US9123651B2 (en) * 2013-03-27 2015-09-01 Lam Research Corporation Dense oxide coated component of a plasma processing chamber and method of manufacture thereof
JP6257944B2 (ja) * 2013-07-29 2018-01-10 ハンファテクウィン株式会社Ｈａｎｗｈａ Ｔｅｃｈｗｉｎ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． アルミニウム合金部材およびアルミニウム合金の表面保護膜形成方法
CN103820832B (zh) * 2014-03-12 2016-03-23 湖南大学 一种在铝合金表面生成超耐磨涂层的两步微弧氧化法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101608332A (zh) * 2008-06-19 2009-12-23 深圳富泰宏精密工业有限公司 表面具微弧氧化陶瓷膜的铝合金及其制备方法
US20160148788A1 (en) * 2014-11-24 2016-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas ring for plasma system and method of manufacturing the same

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘晓龙 等，: ""5083铝合金微弧氧化膜的制备及腐蚀特性"", 《特种铸造及有色合金》 *
孙鹏 等: ""Y(NO3)3对6061铝合金微弧氧化陶瓷层的影响"", 《电镀与精饰》 *
张学鹏: ""双极性脉冲微弧氧化电源研制及铝合金处理工艺研究"", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库 (硕士) 工程科技》 *
钱思成 等，: ""电解液对铝微弧氧化膜相结构及性能的影响"", 《材料保护》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114015915A (zh) * 2021-10-25 2022-02-08 宁波吉胜铸业有限公司 一种耐磨泵盖

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020504241A (ja) 2020-02-06
JP6927646B2 (ja) 2021-09-01
WO2018128527A1 (ko) 2018-07-12
KR101877017B1 (ko) 2018-07-12
US20200152426A1 (en) 2020-05-14
CN108385148B (zh) 2020-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108385148A (zh) 半导体反应器及半导体反应器用金属母材的涂层形成方法
Shokouhfar et al. Formation mechanism and surface characterization of ceramic composite coatings on pure titanium prepared by micro-arc oxidation in electrolytes containing nanoparticles
Sarbishei et al. Study plasma electrolytic oxidation process and characterization of coatings formed in an alumina nanoparticle suspension
TWI313306B (zh)
KR100939403B1 (ko) 반도체 가공 장치용 세라믹 피복 부재
Wang et al. Role of the electrolyte composition in establishing plasma discharges and coating growth process during a micro-arc oxidation
WO2006134737A1 (ja) 金属酸化物膜、積層体、金属部材並びにその製造方法
Sobolev et al. Comparison of plasma electrolytic oxidation coatings on Al alloy created in aqueous solution and molten salt electrolytes
TW201033407A (en) Thermal spray coatings for semiconductor applications
Zhu et al. The formation of metallic W and amorphous phase in the plasma electrolytic oxidation coatings on an Al alloy from tungstate-containing electrolyte
WO2007108548A1 (ja) 半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法
EP1455001A1 (en) Metal material coated with metal oxide and/or metal hydroxide coating film and method for production thereof
El Mahallawy et al. AZ91 magnesium alloys: anodizing of using environmental friendly electrolytes
JP3919996B2 (ja) プラズマ処理装置用アルミニウム合金、プラズマ処理装置用アルミニウム合金部材およびプラズマ処理装置
Tao Surface composition and corrosion behavior of an Al-Cu alloy
Li et al. An effective low-temperature strategy for sealing plasma sprayed Al2O3-based coatings
US8642187B2 (en) Structural member to be used in apparatus for manufacturing semiconductor or flat display, and method for producing the same
Barekatain et al. High-temperature oxidation behaviors of plasma electrolytic oxidation coating on hot-dip aluminized HP40Nb alloy
JP2004003022A (ja) プラズマ処理容器内部材
CN106544627B (zh) 一种抗高温热腐蚀复合涂层及其制备方法
JP5167491B2 (ja) 耐食性と耐プラズマエロージョン性に優れる溶射皮膜被覆部材および高エネルギー照射処理する溶射皮膜のひび割れ防止方法
Ali et al. Evaluation on physico-chemical and corrosion properties of anodized aluminium surface using sodium oxalate–sodium silicate bath at room temperature
JP5629898B2 (ja) 耐プラズマエロージョン性に優れるサーメット皮膜の形成方法とサーメット皮膜被覆部材
Rehman et al. Investigation of hybrid PEO coatings on AZ31B magnesium alloy in alkaline K 2 ZrF 6–Na 2 SiO 3 electrolyte solution
RU2049162C1 (ru) Способ получения защитных покрытий на вентильных металлах и их сплавах

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant