CN108369901A - SiC外延晶片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种SiC外延晶片的制造方法，是在SiC单晶基板上具有外延层的SiC外延晶片的制造方法，具有：在使所述外延层结晶生长时，在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和在与所述第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si比增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序，所述第1条件下的C/Si比为0.6以下、Cl/Si比为5.0以上。

Description

SiC外延晶片的制造方法
技术领域
本发明涉及SiC外延晶片的制造方法。本申请基于在2015年12月24日在日本申请的专利申请2015-250942要求优先权，在此援引其内容。
背景技术
碳化硅(SiC)具有许多优异特性。例如，与硅(Si)相比，绝缘击穿电场大一个数量级，带隙大3倍，而且热导率高3倍左右。期待着碳化硅(SiC)应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。
为了促进SiC器件的实用化，高品质的SiC外延晶片以及高品质的外延生长技术的确立是不可缺少的。
SiC器件使用SiC外延晶片来制作。SiC外延晶片是在SiC单晶基板上利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition：CVD)等使成为器件的活性区域的外延层(膜)生长而得到的，所述SiC单晶基板是由采用升华再结晶法等生长出的SiC块状单晶进行加工而得到的。
例如，在将从(0001)面向<11-20>方向具有偏离角(off angle)的面作为生长面的SiC单晶基板上，使SiC进行台阶流生长(从原子台阶开始的横向生长)，从而使4H的外延层生长。
在SiC外延晶片中所含的缺陷，有在外延层表面显露出来的具有特征性形状的被称为胡萝卜缺陷(胡萝卜型缺陷、胡萝卜状缺陷)的缺陷。胡萝卜缺陷作为在外延层表面显现的缺陷是与三角缺陷、彗星型缺陷等并列的代表性的缺陷。由于胡萝卜缺陷数量多，并且在形状上也大至数十微米，因此希望在要求晶体的完整性的半导体器件用外延晶片制造中其减少(专利文献1～3)。
已弄清了胡萝卜缺陷的结构由基底面层错和棱柱型层错构成，在SiC外延生长的领域作为能够辨别的缺陷被定义。认为胡萝卜缺陷是由于基板内的贯穿位错等在外延生长时转换而生成的。
作为使胡萝卜缺陷密度降低的方法，曾提出了一些方法。在专利文献1中记载了下述方法：在使第1外延层生长后，使生长停止并进行表面的腐蚀，然后使第2外延层生长。在专利文献2中记载了一种设置具有低的C/Si比的原料气体组成的抑制层的方法。在专利文献3中记载了一种使用下述基板的方法，所述基板是在CMP加工中使由特定的螺旋位错引起的凹陷成为一定形状的基板。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2007-525402号公报
专利文献2：日本特开2008-74664号公报
专利文献3：国际公开第2014/196394号
发明内容
然而，存在以下问题：当使C/Si比过低时，在外延生长中容易产生Si滴(droplet)。Si滴是过量的Si原子在基板表面凝结而成的，会使起因于它的晶体缺陷产生。
例如，当在专利文献2的C/Si比低的条件下使SiC外延层实际地生长时，不能够同时实现：抑制胡萝卜缺陷和抑制滴的产生。也就是说，稳定地得到胡萝卜缺陷少的外延晶片的方法尚未可知。
如上述那样，当要减少胡萝卜缺陷而使C/Si比降低时，变得容易产生Si滴。因此，需求能够同时抑制胡萝卜缺陷和Si滴的产生的SiC外延晶片的制造方法。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的是得到能够同时抑制胡萝卜缺陷和Si滴的产生的SiC外延晶片的制造方法。
本发明人进行了潜心研究，结果发现了以下情况从而完成了发明：通过使结晶生长初期的C/Si比较小且使Cl/Si较高，并且在生长过程中使各自的生长条件缓慢地变化，能够同时抑制胡萝卜缺陷和Si滴的产生。
即，本发明为了解决上述问题，提供以下的方案。
(1)本发明的一方式涉及的SiC外延晶片的制造方法，是在SiC单晶基板上具有外延层的SiC外延晶片的制造方法，在使所述外延层结晶生长时，具有：在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和在与所述第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si比增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序，所述第1条件下的C/Si比为0.6以下、Cl/Si为5.0以上。
(2)在上述(1)所述的SiC外延晶片的制造方法中，在所述第1条件下，可以一同使用氯代硅烷(SiH4-nCln)和氯化氢(HCl)作为Cl元素的供给源，其中，n＝0～4。
(3)在上述(1)或(2)所述的SiC外延晶片的制造方法中，在所述第2条件下的C/Si比可以为0.8～1.5、Cl/Si比可以为0～4。
(4)在上述(1)～(3)的任一项所述的SiC外延晶片的制造方法中，在使所述外延层结晶生长时，可以进行从所述第1条件向所述第2条件来使C/Si比缓慢减少、并且使Cl/Si比缓慢增加的缓变(ramping)工序。
(5)在上述(4)所述的SiC外延晶片的制造方法中，所述外延层可以从所述SiC单晶基板侧起依次具有缓冲层和漂移层，在使所述缓冲层生长时可以进行所述缓变工序。
(6)在上述(5)所述的SiC外延晶片的制造方法中，所述缓变工序所需要的时间可以是形成所述缓冲层所需要的时间的1/5以上。
(7)在上述(5)或(6)所述的SiC外延晶片的制造方法中，在所述缓变工序中结晶生长的外延层的层厚可以为0.1μm以上。
(8)在上述(5)～(7)的任一项所述的SiC外延晶片的制造方法中，所述缓变工序可以在所述外延层生长开始的同时开始。
根据本发明的一方式涉及的SiC外延晶片的制造方法，能够同时抑制胡萝卜缺陷和Si滴的产生。
附图说明
图1是采用作为使用了共焦微分干涉光学系统的表面检查装置的共焦显微镜得到的胡萝卜缺陷的像。
图2是胡萝卜缺陷附近的SiC外延晶片的截面示意图。
图3是示意地表示在SiC单晶基板上使外延层外延生长时的C/Si比和Cl/Si比的变化的图。
图4是示意地表示在SiC单晶基板上使外延层外延生长时的C/Si比和Cl/Si比的变化的图。
图5是实施例1的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图(map)。
图6是比较例1的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
图7是比较例2的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
图8是比较例2的SiC外延晶片的外延层表面的起因于Si滴的缺陷的分布地图。
图9是实施例2的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
图10是实施例3的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
图11是比较例3的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
具体实施方式
以下，对于本实施方式涉及的SiC外延晶片的制造方法，一边适当地参照附图，一边详细地说明。在以下的说明中使用的附图，有时为了容易理解本发明的特征，为方便起见而放大地示出了成为特征的部分，各构成要素的尺寸比率等有时与实际不同。在以下的说明中所例示的材质、尺寸等为一例，本发明并不被其限定，能够在不变更其主旨的范围内适当变更而实施。
(胡萝卜缺陷)
图1是采用作为使用了共焦微分干涉光学系统的表面检查装置的共焦显微镜(レ一ザ一テツク株式会社制，SICA6X)得到的胡萝卜缺陷的像。另外，图2是胡萝卜缺陷附近的SiC外延晶片的截面示意图。在图1和图2中，图示左侧为台阶流上游侧，图示右侧为台阶流下游侧。
胡萝卜缺陷以存在于SiC单晶基板的贯穿位错和基板上的伤为起点而产生。基板上的伤能够通过加工条件的最适化而消除。因此，为了降低胡萝卜缺陷，存在于SiC基板的贯穿位错作为应解决的发生起因很重要。图2中的胡萝卜缺陷，以SiC单晶基板内的贯穿螺旋位错1A为起点形成了棱柱面层错2A。其结果，从外延层2的表面侧观察，成为胡萝卜状。胡萝卜缺陷若被纳入到SiC器件内，则有时成为作为漏电流增大等原因的器件致命缺陷。
(Si滴、起因于Si滴的缺陷)
Si滴是在外延生长中过量的Si原子在基板表面凝结而成的异物，以它为起因而会形成起因于Si滴的缺陷。Si滴是异物的一种方式，以它为起点而产生结晶生长的错乱，会在外延表面产生具有小型的凹陷和/或凸起的形状的缺陷。起点为异物这一点与起点为位错等的胡萝卜缺陷不同。在实际地进行外延生长的情况下，不会采用Si极端过量的条件，因此Si滴为小型，起因于Si滴的缺陷也成为小型的缺陷。Si滴缺陷能够以大小、形态上的特征与其它缺陷辨别开。起因于Si滴的缺陷也是结晶性和结晶生长表面的错乱，另外，在发生的情况下，由于存在一下子产生多数的倾向，因此对器件制作给予不良影响。
这样，胡萝卜缺陷和Si滴是SiC器件产生不良的原因，因而要求减少。
(SiC外延层的制造方法)
本实施方式涉及的SiC外延晶片的制造方法，是在SiC单晶基板上具有外延层的SiC外延晶片的制造方法，在使外延层结晶成长时，具有：在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和在与第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序。此时，在第1条件下的C/Si比为0.6以下、Cl/Si为5.0以上。
以下，具体地对本发明的一方式涉及的SiC外延晶片的制造方法进行说明。
SiC外延晶片通过在SiC单晶基板上形成外延层而得到。因此，首先准备SiC单晶基板。
SiC单晶基板的制作方法无特别限制。例如，对采用升华法等得到的SiC锭进行切片从而得到。
所得到的SiC单晶基板，通过对其表面进行化学机械抛光(CMP)来除去由于加工而产生的损伤，抛光成为平坦的镜面。
作为基板的面取向，使用相对于(0001)面设置了偏离角度的面取向。可使用偏离角度为0.4°～8°的面取向，优选使用4°off即偏离角度为3.5°～4.5°的面取向。
接着，在SiC单晶基板上使外延层外延生长，来制作SiC外延晶片。
外延层是利用例如减压的化学气相沉积(CVD)法等在SiC单晶基板的生长面上SiC进行台阶流生长(从原子台阶横向生长)而得到的。
作为SiC外延生长的原料气体，作为硅烷系气体可使用硅烷、氯代硅烷，作为碳系气体可使用乙烯、丙烷等烃。进而，作为掺杂物可添加氮气等。作为运送这些原料气体的载气，可使用氢气、Ar等惰性气体。除此之外，也可以出于改善生长速度等的目的来添加作为氯系气体的HCl。
在SiC的生长中，结晶生长时的表面的Si和C之比对杂质的进入、生长形态等给予很大的影响，因此原料气体的C/Si比成为应该控制的重要参数。另外，结晶生长表面附近的Cl的存在对结晶生长给予影响，因此Cl/Si比这一参数也是重要的。
C/Si比是生长空间中的C元素和Si元素之比，根据硅烷系气体和碳系气体来求出。Cl/Si比是生长空间中的Cl元素和Si元素之比，根据氯系气体或硅烷系气体与氯系气体的合计、和硅烷系气体来求出。在作为硅烷系气体使用氯代硅烷(SiH4-nCln∶n＝0～4)的情况下，由于硅烷系气体中的Cl元素也贡献于Cl/Si比，因此Cl/Si比中的Cl比例根据硅烷系气体中的Cl元素和Cl原料气体中的Cl元素的合计来求出。
图3是示意地表示在SiC单晶基板上使外延层外延生长时的C/Si比和Cl/Si比的变化的图。在图3中，用实线示出的曲线表示C/Si比的变化，用单点划线示出的曲线表示Cl/Si比的变化。
另外，在图3中，缓冲(Buffer)对应于使缓冲层生长时的生长条件，漂移(Drift)对应于使漂移层生长时的生长条件。在此，缓冲层是缓和漂移层和SiC单晶基板的载流子浓度的差异的层。漂移层是在形成器件时形成有源层的部分，根据要制作的器件分别选择厚度、载流子浓度。由于SiC被用于高耐压器件，所以漂移层的载流子浓度低，为例如1×1016cm-3程度。另一方面，SiC单晶基板的载流子浓度高，为1×1018cm-3程度以上。因此，通常设置其中间的载流子浓度的缓冲层。缓冲层的厚度并不特别限定，但也考虑到经济性，大多采用0.3μm～1μm程度。
由于漂移层形成器件的有源层，所以结晶性、表面形态是重要的，漂移层的生长条件、例如C/Si比优先地决定漂移层的特性。另一方面，缓冲层的生长条件，只要不对漂移层给予影响而成为一定的载流子浓度即可，生长条件的选定的自由度大。
如图3所示，本实施式涉及的SiC外延晶片的制造方法，在使外延层结晶成长时，具有：在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和在与第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序。另外，进行从第1条件向第2条件来使C/Si比缓慢减少、并且使Cl/Si比缓慢增加的缓变(ramping)。在此，缓变意指使生长条件缓慢变化，使生长条件阶梯状地变化的情形、使生长条件斜坡状地变化的情形也都包括在内。优选缓变工序在缓冲层的生长中进行以避免对漂移层给予影响。
C/Si比和Cl/Si比的控制，能够通过控制硅烷系气体、碳系气体、氯系气体的供给量来进行。作为硅烷系气体，能够使用SiH4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、SiCl4等。SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、SiCl4由于包含Cl元素，所以也作为氯系气体发挥作用。作为氯系气体，除此以外也能够使用HCl。另外，作为碳系气体，能够使用丙烷等烷烃。
例如，能够采用SiH2Cl2气体和C3H8气体控制C/Si比，并通过改变HCl气体的供给量来控制Cl/Si比。
在缓变工序中，开始结晶生长时的第1条件是C/Si比为0.6以下、Cl/Si比为5.0以上。另外，第1条件的C/Si比优选为0.4～0.6、Cl/Si比优选为5.0～8.0。
当只控制C/Si比和Cl/Si比的任一方的条件时，不能同时抑制胡萝卜缺陷和Si滴。
例如，在将C/Si比设为0.6以下，且不控制Cl/Si比的情况下，能够抑制胡萝卜缺陷的产生。但是，生长气氛中的Si的比率变高，会产生Si滴。
另一方面，在将Cl/Si比设为5.0以上，且不控制C/Si比的情况下，会产生胡萝卜缺陷。
与此相对，通过使第1条件的C/Si比和Cl/Si比处于该范围内，能够同时抑制胡萝卜缺陷和Si滴的产生。通过将开始结晶生长时的C/Si比设为0.6以下，胡萝卜缺陷的产生得到抑制。
进而，通过提高生长气氛中的Cl比率，会在生长面形成SiClx，能够抑制Si彼此凝聚、核生长。即，能够抑制Si滴的产生。
外延层优选一边使生长条件从第1条件向第2条件缓慢变化一边进行结晶生长。
当使C/Si比处于第1条件下来进行结晶生长时，所得到的外延层的背景载流子浓度变高。所谓背景载流子浓度，意指没有供给掺杂气体(例如氮气、三甲基铝)时的外延层的载流子浓度。在稳定地控制载流子浓度的情况下，需要背景载流子浓度低。在进行特别低的载流子浓度的控制的情况下，降低背景载流子浓度是重要的。即，背景载流子浓度高的SiC外延晶片不能够适合地用于SiC器件。因此，通过在缓变工序中从第1条件使C/Si比缓慢地增加，能够抑制外延层的用于SiC器件的区域(漂移层)中的背景载流子浓度的增加。
另一方面，当使Cl/Si比处于第1条件下来进行结晶生长时，不能够提高外延生长的生长速度。包含Cl元素的气体腐蚀SiC，有助于生长面的清洁化。但是，当生长气氛中的Cl比率过高时，在外延生长进展的同时，生长表面被腐蚀。其结果，外延层的生长速度变慢。生长速度的降低导致SiC外延晶片的制造成本的增加。
使C/Si比从第1条件缓慢地增加。因此，生长气氛向难以产生Si滴的条件接近下去。即，随着缓变工序进行，变得不需要提高生长气氛中的Cl比。因此，通过在缓变工序中与C/Si比的增加联动地使Cl/Si比缓慢地减少，能够抑制Si滴的产生、并且提高生长速度。
另外，在缓变工序中缓慢使生长条件变化。如果在实际的装置中使生长条件从第1条件向第2条件急剧地变化，则由于生长气氛急剧地变化，所以尽管局部地Cl浓度低，但是变得容易产生Si浓度高的部分等。通过进行缓变工序，能够避免局部地Si浓度和Cl浓度变浓或变稀的部分的发生，能够更加抑制Si滴的产生。
另外，通过在实际的装置的控制中将生长条件从第1条件向第2条件缓慢地切换，能够防止过冲(overshoot)的发生，更加抑制C/Si比过度变高、Cl/Si比过度变低。通过抑制C/Si比过度提高，能够降低碳析出的可能性，通过抑制Cl/Si比过度变低，能够更加抑制：生长面的清洁性降低、产生异物等的情况。在使得不产生过冲的情况下，也可以使缓变工序阶梯状地变化。
使生长条件变化后的第2条件下的C/Si比优选为0.8～1.5，更优选为0.9～1.2，进一步优选为0.95～1.1。另外，Cl/Si比优选为0～4，更优选为1～3，进一步优选为2～3。即，如果充分地花费时间来使其变化，则也能够最终成为使用硅烷作为Si原料、且不使用HCl的Cl/Si＝0。另外，如果不使用HCl而使用SiHCl3，则Cl/Si＝3，如果使用SiH2Cl2，则Cl/Si＝2，能够采用单一的原料供给Si和Cl。即，能够稳定地供给Cl元素和Si元素。
如果第2条件在该范围内，则能够将漂移层中的背景载流子浓度降低到能用于SiC器件的程度。另外，外延层的生长速度也不会显著下降。
另外，在使包含第1条件的外延层生长时，作为Si原料，优选使用氯代硅烷。由于在单一的原料中包含Si和Cl，所以能够稳定地维持基板表面的Cl/Si，另外，能够减少腐蚀性强且难以操作的HCl的使用。
另外，在第1条件下，Cl/Si比为5以上。即使在使用氯代硅烷之中Cl/Si比最高的SiHCl3作为Si原料的情况下，也为Cl/Si＝3，需要进一步添加HCl。也能够使用SiCl4作为SiC的CVD原料，但即使在该情况下也为Cl/Si＝4。即，在第1条件下使用了含有氯的Si原料的情况下，通过同时使用HCl，能实现规定的Cl/Si比。
另外，使缓冲层生长所需要的时间和进行缓变工序的时间未必需要一致。
图4是示意地表示在SiC单晶基板上使外延层外延生长时的C/Si比和Cl/Si比的变化的图。在图4中，用实线示出的曲线表示C/Si比的变化，用单点划线示出的曲线表示Cl/Si比的变化。缓冲(Buffer)对应于使缓冲层生长时的生长条件，漂移(Drift)对应于使漂移层生长时的生长条件。
如图4所示，缓变工序所需要的时间为形成缓冲层所需要的时间的1/5以上即可。这如果换算成外延层的层厚，则为0.1μm以上即可。如果在该范围进行缓变工序，则能够同时抑制胡萝卜缺陷和Si滴的产生。
另外，优选缓变工序在外延层生长开始的同时开始。胡萝卜缺陷，以贯穿位错、表面的损伤所致的微小的晶格错乱为原因，以基板与外延层的界面为起点而发生。即，为了抑制胡萝卜缺陷的发生，刚刚开始生长后是重要的，其后的生长条件的影响更小。在本实施方式涉及的SiC外延晶片的制造方法中，通过使生长条件缓变而确认到该情况。例如，即使在将生长0.1μm的厚度量的外延层的期间的生长条件通过缓变而变化了的情况下，也有效地得到了降低胡萝卜缺陷的效果。这显示出生长的极初期的生长条件在胡萝卜缺陷的产生上很重要。因此，可在SiC外延层刚生长开始后降低C/Si比，其后，提高C/Si比，可在生长后半期间降低Cl/Si比。C/Si比低的期间，产生Si滴的可能性高，该倾向在外延生长中也是同样的。因此，在C/Si比低的情况下，会继续产生Si滴。因此，优选：除了必要的生长期间以外，C/Si比快速地提高。当C/Si比变高时，Cl/Si比也可与之相应地降低。即，通过在外延层生长开始的同时进行缓变工序，能够降低刚结晶生长后的C/Si比，并且在较早的阶段开始降低Cl/Si比，能够提高外延层的生长速度。
另外，如果能够缩短缓变期间，在缓冲层的生长范围内控制缓变下的生长，则可以不变更器件层的条件，能够任意地选择器件层的生长条件。
如上述那样，根据本发明的一方式涉及的SiC外延晶片的制造方法，能够同时抑制胡萝卜缺陷和Si滴的产生。
实施例
以下，对本发明的实施例进行说明。再者，本发明并不仅限定于以下的实施例。
<3英寸基板>
(实施例1)
SiC单晶基板，使用了对采用升华法制作的SiC锭进行切片而得到的基板。SiC单晶基板的尺寸设为3英寸。切片后的SiC单晶的表面进行粗研磨和利用金刚石磨粒的精密研磨，使用于进行外延生长的生长面平坦化。SiC单晶基板的多形体(polytype)为4H，相对于c轴向<11-20>方向具有4°的偏离角。
胡萝卜缺陷与基板的贯穿位错密度有关系。因此，为了提高效果的比较的精度，实施例和比较例，在3英寸基板的研究和4英寸基板的研究中，分别使用了由相同的铸锭得到的缺陷密度为相同水平的试样。
接着，向生长炉内导入SiC单晶基板，一边对4H-SiC单晶基板的表面供给作为原料气体的二氯代硅烷、丙烷、作为腐蚀气体的HCl，一边使外延层生长10.5μm。通过改变二氯代硅烷和丙烷的流量而使C/Si比变化，通过与之对应地调整HCl的流量而使Cl/Si比变化。外延层设为载流子浓度高的缓冲层0.5μm(包含缓变工序的厚度)和载流子浓度低的漂移层10μm，使它们连续地生长出。掺杂物使用了氮气。
外延层的生长条件设为如下。
生长压力：15kPa
生长温度：1600℃
结晶生长条件(C/Si比、Cl/Si比)
第1条件：C/Si比为0.6，Cl/Si比为5.0
第2条件：C/Si比为1.0，Cl/Si比为3.0
在缓变工序中形成的外延层的层厚：0.5μm
缓冲层的层厚：0.5μm
测定了所得到的SiC外延晶片的外延层表面的异物。异物使用KLAテンコ一ル公司制的Candela CS20来测定，由散射光的散射截面积确定了异物的尺寸。预先确认到通过使用散射截面积的坎德拉评价测定出的尺寸和异物种类存在相关关系。
其结果，胡萝卜缺陷为10个，几乎没有看到Si滴。在产生了Si滴的情况下，由于产生许多，所以不能数出数量。另外，Si滴在外延层表面作为起因于Si滴的缺陷被观察。以下，包含Si滴本身以及起因于Si的缺陷在内，表达为Si滴。图5示出实施例1的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
(比较例1)
在比较例1中，除了变更了外延生长条件以外，在与实施例1同样的条件下制作了SiC外延晶片。
在比较例1中，结晶生长条件(C/Si比、Cl/Si比)并不在途中变更，且设为以下的条件。
结晶生长条件：C/Si比为1.0，Cl/Si比为3.0
用与实施例1同样的手段测定了所得到的SiC外延晶片的表面。其结果，胡萝卜缺陷为31个，几乎没有看到Si滴。图6示出比较例1的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
(比较例2)
在比较例2中，除了变更了外延生长开始初期的C/Si比和Cl/Si比条件以外，在与实施例1同样的条件下制作了SiC外延晶片。
在比较例2中，将结晶生长条件的第1条件设为以下的条件。
结晶生长条件(C/Si比、Cl/Si比)
第1条件：C/Si比为0.60，Cl/Si比为3.0
用与实施例1同样的手段测定了所得到的SiC外延晶片的表面。其结果，胡萝卜缺陷为11个，确认有大量的Si滴。图7示出比较例2的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。图8示出SiC外延晶片的外延层表面的起因于Si滴的缺陷的分布地图。
<4英寸基板>
(实施例2)
在实施例2中，变更SiC单晶基板，设为4英寸的SiC单晶基板。其他的条件与实施例1相同。
用与实施例1同样的手段测定了所得到的SiC外延晶片的表面。其结果，胡萝卜缺陷为194个，几乎没有确认到Si滴。图9示出实施例2的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
(实施例3)
在实施例3中，使缓变工序中的时间为1/5，这一点与实施例2不同。其他的条件与实施例2相同。
结晶生长条件(C/Si比、Cl/Si比)
第1条件：C/Si比为0.6，Cl/Si比为5.0
第2条件：C/Si比为1.0，Cl/Si比为3.0
在缓变工序中形成的外延层的层厚：0.1μm
缓冲层的层厚：0.5μm
用与实施例1同样的手段测定了所得到的SiC外延晶片的表面。其结果，胡萝卜缺陷为164个，几乎没有确认到Si滴。图10示出实施例3的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
(比较例3)
在比较例3中，除了变更了结晶生长条件以外，在与实施例2同样的条件下制作了SiC外延晶片。
在比较例3中，结晶生长条件(C/Si比、Cl/Si比)并不在途中变更，且设为以下的条件。
结晶生长条件：C/Si比为1.0，Cl/Si比为3.0
即，比较例3变更了SiC单晶基板的尺寸，这一点与比较例1不同。
用与实施例1同样的手段测定了所得到的SiC外延晶片的表面。其结果，胡萝卜缺陷为277个，比实施例2多，几乎没有看到Si滴。图11示出比较例3的SiC外延晶片的外延层表面的胡萝卜缺陷的分布地图。
在以下的表1中示出实施例1～3和比较例1～3的结果。
表1
通过降低初期的C/Si比，胡萝卜缺陷的数量降低了30～40％。另外，通过在生长途中改变C/Si比和Cl/Si比，也能够抑制胡萝卜缺陷的产生、并且抑制Si滴的产生。
附图标记说明
1…SiC单晶基板
2…外延层
1A…基底面位错
2A…棱柱面层错

Claims (8)

1.一种SiC外延晶片的制造方法，是在SiC单晶基板上具有外延层的SiC外延晶片的制造方法，
在使所述外延层结晶生长时，具有：
在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和
在与所述第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si比增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序，
所述第1条件下的C/Si比为0.6以下、Cl/Si比为5.0以上。
2.根据权利要求1所述的SiC外延晶片的制造方法，
在所述第1条件下，一同使用氯代硅烷和氯化氢HCl作为Cl元素的供给源，所述氯代硅烷为SiH4－nCln，其中，n＝0～4。
3.根据权利要求1或2所述的SiC外延晶片的制造方法，
在所述第2条件下，C/Si比为0.8～1.5，Cl/Si比为0～4。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的SiC外延晶片的制造方法，
在使所述外延层结晶生长时，进行从所述第1条件向所述第2条件来使C/Si比缓慢减少、并且使Cl/Si比缓慢增加的缓变工序。
5.根据权利要求4所述的SiC外延晶片的制造方法，
所述外延层从所述SiC单晶基板侧起依次具有缓冲层和漂移层，
在使所述缓冲层生长时进行所述缓变工序。
6.根据权利要求5所述的SiC外延晶片的制造方法，
所述缓变工序所需要的时间是形成所述缓冲层所需要的时间的1/5以上。
7.根据权利要求4～6的任一项所述的SiC外延晶片的制造方法，
在所述缓变工序中结晶生长的外延层的层厚为0.1μm以上。
8.根据权利要求4～7的任一项所述的SiC外延晶片的制造方法，
所述缓变工序在所述外延层生长开始的同时开始。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111180319A (zh) * 2018-11-09 2020-05-19 昭和电工株式会社 SiC外延晶片的制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020017208A1 (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 住友電気工業株式会社 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
US11881394B2 (en) * 2019-07-05 2024-01-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Stack, electronic device, and method for manufacturing stack

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4592792A (en) * 1985-01-23 1986-06-03 Rca Corporation Method for forming uniformly thick selective epitaxial silicon
CN1643188A (zh) * 2002-03-19 2005-07-20 财团法人电力中央研究所 SiC结晶的制造方法以及SiC结晶
CN103228827A (zh) * 2010-11-17 2013-07-31 新日铁住金株式会社 外延碳化硅单晶基板的制造方法
CN103681259A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 富士电机株式会社 用于制造碳化硅半导体器件的方法
US20150013595A1 (en) * 2012-01-30 2015-01-15 Erik Janzén Silicon carbide crystal growth in a cvd reactor using chlorinated chemistry

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3915252B2 (ja) * 1998-06-09 2007-05-16 富士電機デバイステクノロジー株式会社 炭化けい素半導体基板の製造方法
US7230274B2 (en) 2004-03-01 2007-06-12 Cree, Inc Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy
JP4954654B2 (ja) 2006-09-21 2012-06-20 新日本製鐵株式会社 エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
US7901508B2 (en) * 2007-01-24 2011-03-08 Widetronix, Inc. Method, system, and apparatus for the growth of SiC and related or similar material, by chemical vapor deposition, using precursors in modified cold-wall reactor
WO2010087518A1 (ja) * 2009-01-30 2010-08-05 新日本製鐵株式会社 エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
JP2012178492A (ja) 2011-02-28 2012-09-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置およびガスノズルならびに基板若しくは半導体デバイスの製造方法
JP5865777B2 (ja) * 2012-05-16 2016-02-17 三菱電機株式会社 炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法
JP5910430B2 (ja) * 2012-09-14 2016-04-27 新日鐵住金株式会社 エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法
JP6036200B2 (ja) * 2012-11-13 2016-11-30 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
CN104981892A (zh) 2013-06-04 2015-10-14 新日铁住金株式会社 外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法以及外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4592792A (en) * 1985-01-23 1986-06-03 Rca Corporation Method for forming uniformly thick selective epitaxial silicon
CN1643188A (zh) * 2002-03-19 2005-07-20 财团法人电力中央研究所 SiC结晶的制造方法以及SiC结晶
CN103228827A (zh) * 2010-11-17 2013-07-31 新日铁住金株式会社 外延碳化硅单晶基板的制造方法
US20150013595A1 (en) * 2012-01-30 2015-01-15 Erik Janzén Silicon carbide crystal growth in a cvd reactor using chlorinated chemistry
CN103681259A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 富士电机株式会社 用于制造碳化硅半导体器件的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111180319A (zh) * 2018-11-09 2020-05-19 昭和电工株式会社 SiC外延晶片的制造方法
CN111180319B (zh) * 2018-11-09 2023-03-28 昭和电工株式会社 SiC外延晶片的制造方法

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