CN108321513A - 高频电子装置 - Google Patents

高频电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108321513A
CN108321513A CN201710286875.6A CN201710286875A CN108321513A CN 108321513 A CN108321513 A CN 108321513A CN 201710286875 A CN201710286875 A CN 201710286875A CN 108321513 A CN108321513 A CN 108321513A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal layer
area
patterned metal
electronic apparatus
frequency electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710286875.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108321513B (zh
Inventor
王彦勛
蔡奇哲
吴威谚
李宜音
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Priority to US15/858,004 priority Critical patent/US10709012B2/en
Publication of CN108321513A publication Critical patent/CN108321513A/zh
Priority to US16/878,675 priority patent/US20200281068A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN108321513B publication Critical patent/CN108321513B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32051—Deposition of metallic or metal-silicide layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/13—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body combined with thin-film or thick-film passive components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50—Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

一种高频电子装置包括一介质基板、一第一图案化金属层以及一第二图案化金属层。介质基板具有一第一区域和一第二区域。第一图案化金属层位于介质基板的一第一侧且对应于第一区域设置，其中第一区域和第二区域对应于一蚀刻液具有不同的蚀刻速率。第二图案化金属层位于介质基板的第一侧或相对于第一侧的一第二侧。

Description

高频电子装置
技术领域
本揭露是有关于一种电子装置，且特别是有关于一种高频电子装置。
背景技术
近年来，高频电子装置的应用日益普及，然而由于其高频操作的特殊性质，如何同时达到降低制作成本以及降低电磁波在传导过程中的衰退程度，已经成为业界重要的研究课题。
发明内容
本揭露是有关一种高频电子装置。经由本揭露的实施例的设计，第一图案化金属层对应的介质基板的第一区域具有较低的损耗正切，电磁波在其中的传导过程中衰减的速度因此较小，进而可以降低传输效果的损耗。
根据本揭露的一实施例，提出一种高频电子装置。高频电子装置包括一介质基板、一第一图案化金属层以及一第二图案化金属层。介质基板具有一第一侧和一第二侧与该第一侧相对及一第一区域和一第二区域与第一区域相邻，其中第一区域和第二区域对应于一蚀刻液具有不同的蚀刻速率。第一图案化金属层位于介质基板的第一侧且对应于第一区域设置。第二图案化金属层位于介质基板的第一侧或第二侧。
根据本揭露的另一实施例，提出一种高频电子装置的制造方法。高频电子装置的制造方法包括以下步骤：提供一介质基板；施加一激光于介质基板的一第一区域，且介质基板的与第一区域相邻的一第二区域未施加激光，其中第一区域和第二区域对应于一蚀刻液具有不同的蚀刻速率；形成一第一图案化金属层于介质基板的一第一侧且对应于第一区域设置；以及形成一第二图案化金属层于介质基板的第一侧或相对于第一侧的一第二侧。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：
附图说明
图1绘示依照本揭露一实施例的一高频电子装置的示意图。
图1A绘示依照本揭露另一实施例的一高频电子装置的示意图。
图2绘示依照本揭露又一实施例的一高频电子装置的示意图。
图3绘示依照本揭露更一实施例的一高频电子装置的示意图。
图4A绘示依照本揭露一实施例的一高频电子装置的立体示意图。
图4B绘示图4A的高频电子装置的剖面示意图。
图4C～图4E绘示依照本揭露一些实施例的高频电子装置的剖面示意图。
图5A～图5D绘示依照本揭露一实施例的一高频电子装置的制造方法流程图。
图6A～图6B和图7A～图7B绘示依照本揭露一些实施例的一高频电子装置的制造方法流程图。
图8A～8G绘示照本揭露一些实施例的制造方法制造的介质基板的例子。
具体实施方式
以下系参照所附图式详细叙述本揭露的实施例。图式中相同的标号系用以标示相同或类似的部分。需注意的是，图式系已简化以利清楚说明实施例的内容，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本揭露欲保护的范围做限缩。具有通常知识者当可依据实际实施态样的需要对该些结构加以修饰或变化。
图1绘示依照本揭露一实施例的一高频电子装置的示意图。如图1所示，高频电子装置10包括一介质基板100、一第一图案化金属层200以及一第二图案化金属层300。介质基板100具有一第一区域100A和一第二区域100B与第一区域100A相邻，以及一第一侧S1和一第二侧S2与第一侧S1相对。第一图案化金属层200位于介质基板100的第一侧S1且对应于第一区域100A设置。第二图案化金属层300位于介质基板100的第一侧S1或第二侧S2。第一区域100A和第二区域100B对应于一蚀刻液具有不同的蚀刻速率。值得注意的是，高频电子装置10可为天线装置，例如液晶天线，或可为传输高频信号的电路装置，但本揭露不限于此。
如图1所示，第一图案化金属层200的一第一投影区域P1系与第一区域100A重迭，且第一投影区域P1不重迭第二区域100B。
一些实施例中，第一区域100A对应于前述蚀刻液具有一第一蚀刻速率，第二区域100B对应于前述蚀刻液具有一第二蚀刻速率，第一蚀刻速率大于第二蚀刻速率。其中，第二蚀刻率于8％HF溶液中为3～5μm/min。
根据本揭露的实施例，介质基板100的第一区域100A经过加工处理(例如是激光加工处理)，具有较高的结晶性，且因而具有较低的损耗正切(loss tangent)，而介质基板100的第二区域100B并未经过加工处理，具有较低的结晶性。第一区域100A和第二区域100B对应于前述蚀刻液的蚀刻速率的不同来自于第一区域100A和第二区域100B的结晶性不同。损耗正切是指介电质在单位时间内每单位体积将电能转化成热能而消耗的能量，损耗正切可由tanδ来代表，表示介电质在施加交流电场后，电能被介电质所损耗的物理量。
一些实施例中，第一图案化金属层200和第二图案化金属层300例如是传输线，如图1所示，第一图案化金属层200对应的介质基板100的第一区域100A具有较低的损耗正切，电磁波在传导过程中衰减的速度因此较小，进而可以降低传输效果的损耗。
一些实施例中，如图1所示，第二图案化金属层300的一第二投影区域P2可以与第二区域100B重迭。
实施例中，如图1所示，第一图案化金属层200和第二图案化金属层300位于介质基板100的相对两侧且相隔一第一距离D1，其中，第一距离D1为第一图案化金属层200与第二图案化金属层300之间于介质基板法线方向上的最短距离。如图1所示，第二图案化金属层300的第二投影区域P2可同时与第一区域100A和第二区域100B重迭，电力线EL所及的范围则表示电场分布范围。
如图1所示，第二图案化金属层300位于介质基板100的第二侧S2且与第一图案化金属层200相隔第一距离D1，第一图案化金属层200的一侧边和第一区域100A的一侧边相隔一第二距离D2，其中，第二距离D2为第一图案化金属层200的一侧边与第一区域100A的一侧边之间垂直于介质基板法线方向上的最短距离，第二距离D2例如是第一距离D1或第一图案化金属层200的宽度W的2～6倍。另一实施例中，第二距离D2例如是第一距离D1或第一图案化金属层200的宽度W的3～5倍。换言之，如图1所示的实施例中，边缘电场(fringe field)的范围(第二距离D2)大约是第一图案化金属层200和第二图案化金属层300之间的距离(第一距离D1)或第一图案化金属层200的宽度(W)的2～6倍或3～5倍。
一些实施例中，第一图案化金属层200和第二图案化金属层300的材料可包括铜、银、金、钯、钼、钛或氧化铟锌(IZO)，但本揭露不限于此。
一些实施例中，介质基板100例如是玻璃基板，由非晶相(amorphous)的氧化硅制成。当第一区域100A经由激光加工处理之后，第一区域100A具有较高的结晶性(crystallinity)，例如可以具有类似石英的结晶性，因而此局部区域具有较低的损耗正切，同时未被激光加工处理的100B则仍是非晶相的玻璃。根据本揭露的实施例，如图1所示，由于电磁波在电场分布的范围内进行传输，而具有较低损耗正切的第一区域100A实质上涵盖此电场范围，因而可以达到在预定的局部区域中提高高频传输效果的目的。更进一步而言，因为用以降低损耗正切的结晶性加工处理仅需要在局部的区域进行，进而可以降低制造成本。
一些实施例中，介质基板100例如是玻璃基板，蚀刻液可包括碱性蚀刻液如氢氧化钠和氢氧化钾等或其组合，或酸性蚀刻液如氢氟酸、硝酸、盐酸、磷酸、草酸、醋酸或其组合，但本揭露不限于此。
图1A绘示依照本揭露另一实施例的一高频电子装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的组件系沿用同样或相似的组件标号，且相同或相似组件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
实施例中，如图1A所示，高频电子装置10A中，第二图案化金属层300的第二投影区域P2系与第一区域100A重迭。
一些实施例中，如图1A所示，第一图案化金属层200、第二图案化金属层300和介质基板100例如是电容，第一图案化金属层200的宽度W和第二图案化金属层300的宽度实质上相同，且第二图案化金属层300的第二投影区域P2并未与介质基板100的第二区域100B重迭。
图2绘示依照本揭露又一实施例的一高频电子装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的组件系沿用同样或相似的组件标号，且相同或相似组件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
如图2所示，高频电子装置20更包括一基板400，第二图案化金属层300位于基板400上，且位于介质基板100的第一侧S1。实施例中，基板400例如是玻璃基板。
实施例中，如图2所示，第一图案化金属层200位于第二图案化金属层300和介质基板100之间，且第一图案化金属层200和第二图案化金属层300相隔第一距离D1，其中，第一距离D1为第一图案化金属层200与第二图案化金属层300之间于介质基板法线方向上的最短距离。第一图案化金属层200的侧边和第一区域100A的侧边相隔第二距离D2，其中，第二距离D2为第一图案化金属层200的一侧边与第一区域100A的一侧边之间垂直于介质基板法线方向上的最短距离，第二距离D2系为第一距离D1或第一图案化金属层200的宽度W的2～6倍，或3～5倍。
图3绘示依照本揭露更一实施例的一高频电子装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的组件系沿用同样或相似的组件标号，且相同或相似组件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
一些实施例中，介质基板100的第一区域100A的厚度T1系为小于或等于介质基板100的厚度T2。
举例而言，如图3所示，高频电子装置30中，介质基板100的第一区域100A的厚度T1小于介质基板100的厚度T2。实施例中，厚度T1例如可以是大于或等于10微米(μm)。一些其他实施例中，举例而言，如图1所示，高频电子装置10中，介质基板100的第一区域100A的厚度T1等于介质基板100的厚度T2。
图4A绘示依照本揭露一实施例的一高频电子装置的立体示意图，图4B绘示图4A的高频电子装置的剖面示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的组件系沿用同样或相似的组件标号，且相同或相似组件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
如图4A～4B图所示，高频电子装置40中，第一图案化金属层200和第二图案化金属层300系为同平面，即第一图案化金属层200和第二图案化金属层300皆位于介质基板100的第一侧S1，第一图案化金属层200和第二图案化金属层300之间的间距为S，第一图案化金属层200的宽度为W，介质基板100的第一区域100A的宽度为W1，其中W1介于13W+2S与2W+2S之间。在另一实施例W1介于11W+2S与5W+2S之间。。
一些实施例中，第一图案化金属层200和第二图案化金属层300例如是共平面波导(coplanar waveguide)，磁力线H和电力线EL的分布如图4B所示，电力线EL所及的范围则表示电场分布范围。如图4B所示，第一图案化金属层200对应的介质基板100的第一区域100A具有较低的损耗正切，电磁波在传导过程中衰减的速度因此较小，进而可以提升传输线的传输效果。
图4C～图4E绘示依照本揭露一些实施例的高频电子装置的剖面示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的组件系沿用同样或相似的组件标号，且相同或相似组件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
一些实施例中，介质基板100的第一区域100A的剖面形状例如可以是方形或梯形。举例而言，如图4A～4B所示，高频电子装置40中，第一区域100A的剖面形状例如是方形。
举例而言，如图4C所示，高频电子装置40-1中，以第一侧S1(第一图案化金属层200设置处)为朝上，介质基板100的第一区域100A的剖面形状可以是梯形，且底边长度小于顶边长度。
举例而言，如图4D所示，高频电子装置40-2中，以第一侧S1(第一图案化金属层200设置处)为朝上，介质基板100的第一区域100A的剖面形状可以是梯形，且底边长度大于顶边长度。
举例而言，如图4E所示，高频电子装置40-3中，以第一侧S1(第一图案化金属层200设置处)为朝上，介质基板100的第一区域100A的剖面形状是由两个梯形所组成，靠近第一侧S1的梯形，底边长度小于顶边长度，而远离第一侧S1的梯形，底边长度大于顶边长度。
图5A～图5D绘示依照本揭露一实施例的一高频电子装置的制造方法流程图。本实施例中与前述实施例相同或相似的组件系沿用同样或相似的组件标号，且相同或相似组件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
如图5A所示，提供一介质基板100。
如图5B所示，施加一激光L于介质基板100的一第一区域100A，且介质基板100的与第一区域100A相邻的第二区域100B未施加激光L。由于第一区域100A具有较佳的结晶性，因此激光处理之后的第一区域100A和未被激光处理的第二区域100B对应于一蚀刻液具有不同的蚀刻速率。
一些实施例中，激光可以是连续波激光(continuous wave laser)或脉冲激光(pulsed laser)。
一实施例中，采用连续波激光的条件例如如表1所示。
表1
波长范围 500～1200纳米(nm)
重复速率(repetition rate) 200～500kHz
能量(pulse energy) 0.2～2.6μJ
一实施例中，采用脉冲激光的条件例如如表2所示。
表2
如图5B所示的实施例中，例如是形成剖面宽度为大约50纳米～1微米且厚度大约为250～500微米的第一区域100A，且第一区域100A的厚度实质上等于介质基板100的厚度。如图5B所示，第一区域100A的两个部分之间相隔大约100微米。
如图5C所示，接着可选择性地对介质基板100的第一区域100A进行回火处理(anneal)，回火处理的温度大约是600～800℃，可采用电炉或高温炉进行回火处理。此回火处理可以使第一区域100A的结晶性更加提升。
传统上若是为了要使非晶相的玻璃材料结晶，通常需要采用高温电炉进行热处理，且热处理的温度通常需要高达1000℃以上。相对而言，根据本揭露的实施例，以激光加工处理便可以形成局部的具有较佳结晶性的第一区域100A，即使进一步选择性地以热处理方式提升第一区域100A的结晶性，也仅需要以高温炉进行600～800℃的热处理便可以达成大幅提升结晶性的效果，进而可以大幅降低制造成本及简化制程。
如图5D所示，形成第一图案化金属层200于介质基板100的第一侧S1且对应于第一区域100A设置。如图5D所示的实施例中，第一图案化金属层200的材料例如是铜，其宽度W等于或小于介质基板100的第一区域100A的宽度。
接着，请同时参照前述实施例的图式，更可形成第二图案化金属层300于介质基板100的第一侧S1或第二侧S2。
图6A～图6B和图7A～图7B绘示依照本揭露一些实施例的一高频电子装置的制造方法流程图。本实施例中与前述实施例相同或相似的组件系沿用同样或相似的组件标号，且相同或相似组件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
如图6A～图6B所示，当施加激光L以形成第一区域100A的步骤先进行、然后才进行制作组件(第一图案化金属层200和/或第二图案化金属层300)的步骤时，激光L的施加方向从介质基板100的两侧均可以进行。如图6A～图6B所示，第一区域100A形成之后，再制作组件(第一图案化金属层200)在第一区域100A上。
如图7A～图7B所示，当制作组件(第一图案化金属层200和/或第二图案化金属层300)的步骤先进行、然后才进行施加激光L以形成第一区域100A的步骤时，激光L则需要从介质基板100的相对于组件的对侧方向施加。如图7A～图7B所示，制作组件(第一图案化金属层200)在介质基板100上之后，再在对应第一图案化金属层200的位置形成第一区域100A。
图8A～8G绘示照本揭露一些实施例的制造方法制造的介质基板的例子。本实施例中与前述实施例相同或相似的组件系沿用同样或相似的组件标号，且相同或相似组件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
如图8A～图8B所示，当介质基板100的第一区域100A的厚度T1预定为等于介质基板100的厚度T2，且第一区域100A的剖面形状预定是方形时，则制作第一区域100A的施加激光L的方向可以适当配合组件的设置位置而从介质基板100的第一侧S1或第二侧S2均可以进行。
如图8C～图8D所示，当介质基板100的第一区域100A的厚度T1预定为小于介质基板100的厚度T2，且第一区域100A的剖面形状预定是方形时，则制作第一区域100A的施加激光L的方向可以适当配合组件的设置位置而从介质基板100的第一侧S1或第二侧S2均可以进行。
如图8E～图8F所示，当介质基板100的第一区域100A的厚度T1预定为小于或等于介质基板100的厚度T2(厚度T1预定为等于厚度T2的情况未绘示于图8E～图8F中)，且第一区域100A的剖面形状可以是梯形时，则制作第一区域100A时，激光L的施加方向会梯形的形状细节有关。
如图8E所示，从介质基板100的第一侧S1的方向施加激光L时，以第一侧S1为朝上，则梯形的底边长度小于顶边长度。如图8F所示，从介质基板100的第二侧S2施加激光L时，以第一侧S1为朝上，则梯形的底边长度大于顶边长度。如图8G所示，分别从介质基板100的第一侧S1的方向施加激光L与介质基板100的第二侧S2施加激光L时，以第一侧S1为朝上，则介质基板100的第一区域100A的剖面形状是由两个梯形所组成，靠近第一侧S1的梯形，底边长度小于顶边长度，而远离第一侧S1的梯形，底边长度大于顶边长度。
综上所述，虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种高频电子装置，其特征在于，该高频电子装置包括：
一介质基板，具有一第一侧和一第二侧相对于该第一侧，以及一第一区域和一第二区域与该第一区域相邻，其中该第一区域和该第二区域对应于一蚀刻液具有不同的蚀刻速率；
一第一图案化金属层，位于该介质基板的该第一侧且对应于该第一区域设置；以及
一第二图案化金属层，位于该介质基板的该第一侧或该第二侧。
2.如权利要求1所述的高频电子装置，其特征在于，该第一图案化金属层的一第一投影区域与该第一区域重迭，且该第一投影区域不重迭该第二区域。
3.如权利要求1所述的高频电子装置，其特征在于，该第一区域对应于该蚀刻液具有一第一蚀刻速率，该第二区域对应于该蚀刻液具有一第二蚀刻速率，该第一蚀刻速率大于该第二蚀刻速率。
4.如权利要求1所述的高频电子装置，其特征在于，该第二图案化金属层的一第二投影区域与该第二区域重迭。
5.如权利要求1所述的高频电子装置，其特征在于，该第二图案化金属层位于该介质基板的该第二侧且与该第一图案化金属层相隔一第一距离，且该第一图案化金属层的一侧边和该第一区域的一侧边相隔一第二距离，该第二距离为该第一距离或该第一图案化金属层的宽度的2～6倍。
6.如权利要求5所述的高频电子装置，其特征在于，该第二图案化金属层的一第二投影区域与该第一区域重迭。
7.如权利要求1所述的高频电子装置，其特征在于，该第一图案化金属层位于该第二图案化金属层和该介质基板之间，且该第一图案化金属层和该第二图案化金属层相隔一第一距离，该第一图案化金属层的一侧边和该第一区域的一侧边相隔一第二距离，该第二距离为该第一距离或第一图案化金属层的宽度的2～6倍。
8.如权利要求1所述的高频电子装置，其特征在于，该第一图案化金属层和该第二图案化金属层为同平面，该第一图案化金属层和该第二图案化金属层之间的间距为S，该第一图案化金属层的宽度为W，该第一区域的宽度为W1，其中2W+2S≦W1≦13W+2S。
9.如权利要求1所述的高频电子装置，其特征在于，该第一区域的厚度为小于或等于该介质基板的厚度。
10.如权利要求1所述的高频电子装置，其特征在于，该第一区域的一剖面形状为方形或梯形。
CN201710286875.6A 2017-01-16 2017-04-27 高频电子装置 Active CN108321513B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/858,004 US10709012B2 (en) 2017-01-16 2017-12-29 High-frequency electronic device and manufacturing method thereof
US16/878,675 US20200281068A1 (en) 2017-01-16 2020-05-20 High-frequency electronic device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762446581P 2017-01-16 2017-01-16
US62/446,581 2017-01-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108321513A true CN108321513A (zh) 2018-07-24
CN108321513B CN108321513B (zh) 2020-10-13

Family

ID=62891540

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710076371.1A Active CN108321503B (zh) 2017-01-16 2017-02-13 液晶天线装置
CN201710245377.7A Pending CN108321148A (zh) 2017-01-16 2017-04-14 金属覆层结构及包含其的高频装置
CN201710286875.6A Active CN108321513B (zh) 2017-01-16 2017-04-27 高频电子装置
CN201710749904.8A Active CN108321086B (zh) 2017-01-16 2017-08-28 高频装置及其制造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710076371.1A Active CN108321503B (zh) 2017-01-16 2017-02-13 液晶天线装置
CN201710245377.7A Pending CN108321148A (zh) 2017-01-16 2017-04-14 金属覆层结构及包含其的高频装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710749904.8A Active CN108321086B (zh) 2017-01-16 2017-08-28 高频装置及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (4) CN108321503B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108957813A (zh) * 2018-08-24 2018-12-07 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种反射式显示器及其制造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109830806A (zh) * 2019-03-12 2019-05-31 信利半导体有限公司 一种平板液晶天线及其制作方法
CN109818150A (zh) * 2019-03-12 2019-05-28 信利半导体有限公司 一种液晶天线及其制作方法
CN110034358B (zh) * 2019-04-04 2024-02-23 信利半导体有限公司 一种液晶移相器、液晶天线及液晶移相器的制作方法
CN110459850A (zh) * 2019-08-26 2019-11-15 苏州浪潮智能科技有限公司 一种微线带的附加结构及仿带状线
CN110955074A (zh) 2019-12-12 2020-04-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板及电子设备
CN113495376A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 北京道古视界科技有限公司 一种基于参考光调制的液晶阵列天线波束合成与控制方法
CN111525264B (zh) * 2020-05-21 2022-01-18 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 一种液晶天线
CN114253015B (zh) * 2020-09-22 2024-04-19 成都天马微电子有限公司 一种液晶天线及其制作方法、通信设备
CN112130357B (zh) * 2020-09-30 2022-07-19 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示面板温度检测方法及显示装置
CN114883794B (zh) * 2022-04-27 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 液晶天线、其介电常数测量方法及其驱动方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1309439A (zh) * 2000-02-15 2001-08-22 松下电器产业株式会社 微波带状线路以及采用此微波带状线路的微波装置
US20050237137A1 (en) * 2003-11-25 2005-10-27 Banpil Photonics, Inc. High speed electrical interconnects and method of manufacturing
US20080315977A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 Tessera, Inc. Low loss RF transmission lines
US7755445B2 (en) * 2004-08-03 2010-07-13 Banpil Photonics, Inc. Multi-layered high-speed printed circuit boards comprised of stacked dielectric systems
CN104377415A (zh) * 2014-10-08 2015-02-25 石以瑄 用于微波传输的共面波导及其制作方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6646347B2 (en) * 2001-11-30 2003-11-11 Motorola, Inc. Semiconductor power device and method of formation
US7001841B2 (en) * 2002-08-26 2006-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Production method of semiconductor device
US7189650B2 (en) * 2004-11-12 2007-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for copper film quality enhancement with two-step deposition
JP4394567B2 (ja) * 2004-12-20 2010-01-06 京セラ株式会社 液晶部品モジュールおよび誘電率制御方法
CN1652003A (zh) * 2005-03-22 2005-08-10 广辉电子股份有限公司 一种薄膜晶体管与液晶显示器的制造方法
US20060223311A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Wolfgang Buchholtz Technique for forming interconnect structures with reduced electro and stress migration and/or resistivity
US7368379B2 (en) * 2005-08-04 2008-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multi-layer interconnect structure for semiconductor devices
GB0608055D0 (en) * 2006-04-24 2006-05-31 Univ Cambridge Tech Liquid crystal devices
KR20100067814A (ko) * 2008-12-12 2010-06-22 삼성전자주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN102667582A (zh) * 2009-09-29 2012-09-12 深圳市新超亮特种显示设备有限公司 液晶显示装置
GB2511233B (en) * 2011-10-26 2015-06-24 Murata Manufacturing Co Variable capacitance element for wireless communication systems
JP2013229851A (ja) * 2012-03-30 2013-11-07 Tdk Corp 高周波伝送線路、アンテナ及び電子回路基板
JP2013219652A (ja) * 2012-04-11 2013-10-24 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> アンテナ収容装置
US8890319B2 (en) * 2012-09-12 2014-11-18 Infineon Technologies Ag Chip to package interface
US9331038B2 (en) * 2013-08-29 2016-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor interconnect structure
CN106662439B (zh) * 2014-06-05 2019-04-09 联邦科学和工业研究组织 增材制造中变形的预测及最小化
DE102014108396A1 (de) * 2014-06-13 2015-12-17 Ebm-Papst St. Georgen Gmbh & Co. Kg Antennenanordnung mit einer Lüftereinheit
CN105097910B (zh) * 2015-07-14 2018-11-13 工业和信息化部电子第五研究所 氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极
CN106299627B (zh) * 2016-10-18 2023-06-02 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶天线及通信设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1309439A (zh) * 2000-02-15 2001-08-22 松下电器产业株式会社 微波带状线路以及采用此微波带状线路的微波装置
US20050237137A1 (en) * 2003-11-25 2005-10-27 Banpil Photonics, Inc. High speed electrical interconnects and method of manufacturing
US7755445B2 (en) * 2004-08-03 2010-07-13 Banpil Photonics, Inc. Multi-layered high-speed printed circuit boards comprised of stacked dielectric systems
US20080315977A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 Tessera, Inc. Low loss RF transmission lines
US7855623B2 (en) * 2007-06-22 2010-12-21 Tessera, Inc. Low loss RF transmission lines having a reference conductor with a recess portion opposite a signal conductor
CN104377415A (zh) * 2014-10-08 2015-02-25 石以瑄 用于微波传输的共面波导及其制作方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
吕杰，程静，侯晓蓓: "《生物医用材料导论》", 31 October 2016, 同济大学出版社 *
张帆，郭益平，周伟敏: "《材料性能学（第2版）》", 31 March 2014, 上海交通大学出版社 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108957813A (zh) * 2018-08-24 2018-12-07 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种反射式显示器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108321503B (zh) 2020-05-15
CN108321503A (zh) 2018-07-24
CN108321148A (zh) 2018-07-24
CN108321513B (zh) 2020-10-13
CN108321086B (zh) 2021-09-07
CN108321086A (zh) 2018-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108321513A (zh) 高频电子装置
KR100597928B1 (ko) 액티브 매트릭스형 표시 장치 및 그 제조 방법
CN102301445B (zh) 通过蚀刻来制造元件的方法
US6798052B2 (en) Fexible electronic device
KR20130111269A (ko) 강화 유리 절단 방법
TWI624530B (zh) Etchant composition
JP4819150B2 (ja) セラミック基板の電極パターン形成方法
CN109003944A (zh) 一种基板的制作方法及基板、显示装置
TW201940449A (zh) 使用保護性材料的貫穿玻璃通孔的製造
US11269434B2 (en) Touch structure, manufacturing method thereof, and touch display device
CN102479702B (zh) 薄膜晶体管阵列面板制造方法
KR101097573B1 (ko) Ｒｆｉｄ 태그용 투명 루프 안테나 및 그 제조 방법
CN104851516B (zh) 导电图形的制作方法及导电膜
US20200281068A1 (en) High-frequency electronic device and manufacturing method thereof
CN107564854B (zh) Oled背板制作方法
JP2010108964A (ja) 回路基板の製造方法
US20220319868A1 (en) Systems and Methods for Reducing Via Formation Impact on Electronic Device Formation
JP7110189B2 (ja) 電子素子の遅延ビア形成
CN102544118B (zh) Mim电容器及其制备方法
EP3170361B1 (en) Process for the production of flexible resistances
CN104950539B (zh) 一种显示面板的制作方法
TW201509224A (zh) 加熱器以及加熱方法
CN105070658A (zh) 石墨烯图案及其形成方法、显示基板制备方法及显示装置
JP2010204771A (ja) 電子装置製造方法及び電子装置及び電子デバイス
JP5520848B2 (ja) フレキシブル回路基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant