CN1083104C - 静电电容型传感器及其制造方法 - Google Patents
静电电容型传感器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1083104C CN1083104C CN94119861A CN94119861A CN1083104C CN 1083104 C CN1083104 C CN 1083104C CN 94119861 A CN94119861 A CN 94119861A CN 94119861 A CN94119861 A CN 94119861A CN 1083104 C CN1083104 C CN 1083104C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hole
- mentioned
- conductive plate
- electrode layer
- type sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 51
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 40
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 29
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 20
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 claims description 18
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 15
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 10
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical group [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/24—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance
- G01D5/241—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance by relative movement of capacitor electrodes
- G01D5/2417—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance by relative movement of capacitor electrodes by varying separation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
把KBr等碱金属卤化物材料2溶融并充填在绝缘体板1的厚度方向上设置的贯通孔1a。在贯通孔1a内填埋的碱金属卤化物材料2及其周边的表面形成导电性薄膜4之后，用水洗方法将碱金属卤化物材料2溶解并除去，贯通孔1a与导电性薄膜4构成膜片。将由导电性薄膜4的里外压力差产生的膜片变形作为导电性薄膜4与电极层6之间的静电电容的变化检测出来。从而得到小型高灵敏度的静电电容型压力传感器。
Description
本发明涉及对压力传感器及加速度传感器等有用的、采用薄膜状膜片的静电电容型传感器及其制造方法。更具体地说，本发明涉及不需要化学腐蚀的静电电容型传感器及其制造方法。
近年来，从产业用设备到家电产品的广泛的领域内部使用压力传感器。特别是有效地利用了硅的优良的机械特性和半导体制造技术的高生产率而得的半导体压力传感器，与微型计算机结合起来使用，从而成为在自动控制系统的智能化和高附加值化方面不可缺少的重要元件。半导体压力传感器大致可分为压电电阻型和静电电容型两大类。压电电阻型压力传感器是利用硅的压电电阻效应，把膜片的形变作为扩散电阻的电阻值变化进行检测的方法，它是用一般的半导体制造工艺进行制造的。另一方面，静电电容型压力传感器是采用将固定电极与膜片间的静电电容的变化作为电信号取出的方式，灵敏度而且温度特性良好。
此外近年来，在汽车领域正谋求提高操纵的稳定性和安全性，悬挂型制动器及安全气囊等系统正在普及。因此，对加速度传感器的需要迅速地增加。正在开发小型、重量轻且可靠性高的半导体应变计式加速度传感器和静电电容式加速度传感器等。此外即使在磁盘和光盘等领域，为了携带时的读出/存取的控制，也正寻求小型、重量轻且可靠性高的加速度传感器。
一般来说，静电电容型压力传感器在分辨率方面优于压电电阻型压力传感器。因此，如想要使用压电电阻型压力传感器以与静电电容型压力传感器同样的分辨率来进行微压检测的话，膜片的厚度必须比以往做得更薄。但是，利用半导体制造技术对硅进行化学腐蚀来制成很薄的膜片是困难的。此外，即使制成很薄的膜片，在使用时也要很注意，而且很容易损坏。因此，制造具有与静电电容型压力传感器同样的分辨率的压电电阻型压力传感器事实上是不可能的。因此，虽然认为静电电容型压力传感器适用于100gf/cm2以下的微压范围的测定，不过在这种场合也存在为了形成膜片而要求采用微机械加工技术，导致加工技术的复杂化和价格高等的问题。另一方面，很久以来在市场上出售应用不锈钢膜片的静电电容型压力传感器，不过这种类型的传感器容易受寄生容量等的外部干扰的影响。因此，为了谋求高精度化而导致大型化及高价格化的问题。
此外，在加速度传感器中，已经知道有压电电阻型、静电电容型半导体式的，以及利用压电体的压电式的几种类型。然而，在上述各种类型中，为了实现加速度传感器的小型化和高灵敏度化，都必须对膜片和悬臂等敏感部分的机械特性进行高度优化，为了形成膜片和悬臂等，需要微机械加工技术那样的高级的微细加工技术，这样就存在导致加工技术的高级化和高价格化的问题。实际上，现在的制造成本不合算，故不太实用。
为了解决上述以往存在的问题，本发明的目的是提供一种不必进行化学腐蚀的、对使用厚度很薄的导电性薄膜的静电电容型压力传感器及静电电容型加速度传感器等有用的、小型高精度的静电电容型传感器及其制造方法。
为了达到上述目的，本发明的静电电容型传感器具备以下构成部分：在厚度方向上具有贯通孔的绝缘体板；在上述绝缘体板的一个表面上设置的、覆盖上述贯通孔的导电性薄膜；在上述绝缘体板的另一个表面上设置的、至少覆盖上述贯通孔的电极层；与上述电极层一起支撑上述绝缘体板的基体。
在上述构成中，导电性薄膜的厚度优选在10nm以上至5μm以下的范围内。
此外在上述构成中，电极层优选在基体表面形成并机械地贴紧绝缘体板的另一个表面。
此外在上述构成中，电极层优选在基体表面形成，并用粘结剂粘结到绝缘体板的另一个表面。
此外在上述构成中，静电电容型传感器优选为静电电容型压力传感器。
此外在上述构成中，优选在与贯通孔相对的导电性薄膜表面设置重物，从而形成静电电容型加速度传感器。
其次本发明的静电电容型传感器的制造方法的特征在于：
是具备在厚度方向上有贯通孔的绝缘体板、在上述绝缘体板的一个表面上设置的覆盖上述贯通孔的导电性薄膜、在上述绝缘体板的另一个表面上设置的至少覆盖上述贯通孔的电极层以及与上述电极层一起支撑上述绝缘体板的基体的静电电容型传感器；
用具有预定的平面度的支撑基盘支撑在厚度方向上具有贯通孔的绝缘体板的一个面：
从上述绝缘体板的另一面将碱金属卤化物材料溶融并填埋贯通孔，冷却上述碱金属卤化物材料，使由上述支撑基盘支撑的一侧的、填埋了上述贯通孔的碱金属卤化物材料的表面平坦化：
从上述支撑基盘处取下上述绝缘体板，淀积导电性薄膜使之覆盖填埋了上述贯通孔的碱金属卤化物材料及其周边部分；
用水洗方法溶解除去上述碱金属卤化物材料；
与基体结合，基体具有成为上述绝缘体板另一面的对象电极的导电面。
在上述制造方法中，碱金属卤化物材料优选为选自Na、K及Cs的至少一种碱性金属元素与选自F、Cl、Br及I的至少一种卤族元素的化合物的岩盐型结晶。
此外在上述制造方法中，碱金属卤化物材料优选为选自NaF、NaCl、KCl、KBr、CsBr、KI及CsI中的至少一种盐。
此外在上述制造方法中，导电性薄膜的厚度优选在10nm以上至5μm以下的范围内。
此外在上述制造方法中，优选在基体表面形成电极层并使其机械地贴紧绝缘体板的另一个表面。
此外在上述制造方法中，优选在基体表面形成电极层并用粘结制将其粘结到绝缘体板的另一表面。
此外在上述制造方法中，静电电容型传感器优选为静电容量型压力传感器。
此外在上述制造方法中，优选在与贯通孔相对的导电性薄膜表面设置重物，形成静电电容型加速度传感器。
根据上述本发明的静电电容型传感器，通过配备在厚度方向上具有贯通孔的绝缘体板、在上述绝缘体板的一个表面上设置的覆盖上述贯通孔的导电性薄膜、在上述绝缘体板的另一个表面上设置的至少覆盖上述贯通孔的电极层以及与上述电极层一起支撑上述绝缘体板的基体，可实现不必进行化学腐蚀的、对使用厚度很薄的导电性薄膜的静电电容型压力传感器及静电电容型加速度传感器等有用的、小型高精度的静电电容型传感器。
此外，在作为一个例子的静电电容型压力传感器中，在绝缘体板处设置的贯通孔和在绝缘体板的一个表面设置的导电性薄膜构成薄膜状膜片部分，此外，贯通孔、导电性薄膜及电极层构成静电电容部分。如静电电容部分的内部压力与膜片部分的外部压力之间产生压力差的话，则导电性薄膜产生形变，它与电极层之间的距离发生变化，这样静电电容部分的静电电容就发生变化。通过对静电电容部分的静电电容的变化进行检测，可测定以静电电容部分的内部压力为基准的外部压力。此外，由于导电性薄膜的厚度在10nm以上至5μm以下，故而可以高分辨率来测定微小压力。
此外，在作为一个例子的静电电容型加速度传感器中，由于在与贯通孔相对的导电性薄膜的表面设置重物而形成静电电容型加速度传感器，从而在绝缘体板处设置的贯通孔与在绝缘体板的一侧表面设置的导电性薄膜构成薄膜状膜片部分，此外，贯通孔、导电性薄膜与电极层构成静电电容部分。如使加速度传感器整体加速的话，重物由于遵从惯性法则要停留在原来的位置。这样一来，由于重物的相对的微小位移，膜片部分的导电性薄膜产生形变，它与电极层之间的距离发生变化，这样静电电容部分的静电电容就发生变化。通过对该静电电容部分的静电电容的变化进行检测，可测定作用于重物上的力。根据已测定的力用众所周知的方法换算成加速度。
其次，按照本发明的制造方法，用具有预定的平面度的支撑基盘支撑具有贯通孔的绝缘体板的一个面，从绝缘体板的另一面将碱金属卤化物材料溶融并填埋贯通孔，这样，填埋在贯通孔中的碱金属卤化物材料的表面之中由支撑基盘支撑的一侧表面被平坦化达到与支撑基盘的平面度相同的程度。在这种状态下把绝缘体板从支撑基盘上取下，由于淀积导电性薄膜使之覆盖填埋在贯通孔中的碱金属卤化物材料部分及其周边部分，从而可容易地在贯通孔部分形成导电性薄膜。此外，形成了的导电性薄膜的表面也具有与支撑基盘的平面度相同的平坦程度。其次，采用水洗方法溶解除去填埋在贯通孔部分的碱金属卤化物材料，这样贯通孔部分就成为中空的。此时，导电性薄膜覆盖住贯通孔一侧的开口。最后，把具有电极层的基体与绝缘体板的另一面相结合，以此使贯通孔的两侧被导电性薄膜和电极层所覆盖，在贯通孔部分形成静电电容部分(condenser)。此外，由于电极层是在基体的表面形成的，因此它不会变形，另一方面，由于导电性薄膜的表面是开放的，这样就构成了以导电性薄膜一侧作为受压面的静电电容型压力传感器。
在以上所述中，碱金属卤化物材料为选自Na、K及Cs的至少一种碱性金属元素与选自F、Cl、Br及I的至少一种卤族元素的化合物的岩盐型结晶，按照其优选的实例，因可容易地溶解在水中，碱金属卤化物在贯通孔中没有残留，几乎可以完全除去。因此，能容易地而且高精度地实现具有任意机械特性的膜片，与此同时可减少大量生产的静电电容型压力传感器的质量分散度。溶解在水中的碱金属卤化物如将水蒸发掉可以反复使用。当然，由于在本发明中不必进行化学腐蚀处理，因而不存在环境污染的问题。
此外，在上述制造方法中，碱金属卤化物材料为选自NaF、NaCl、KCl、KBr、CsBr、KI及CsI的至少一种的盐时，则是很实用的。
再者，在以上所述之中，优选贯通孔的大小在0.1mm～1mm的实用的范围。
附图的简单说明
图1是本发明的静电电容型压力传感器的一个实施例的构成截面图。
图2是本发明的静电电容型压力传感器的制造方法的一个实施例的工序图。
图3是本发明的静电电容型加速度传感器的一个实施例的构成截面图。
图4是本发明的静电电容型加速度传感器的制造方法的一个实施例的工序图。符号说明1 绝缘体板1a 贯通孔2 碱金属卤化物材料3 支撑基盘4 导电性薄膜5 基体6 电极层7 静电电容部分11 绝缘体板11a 贯通孔12 碱金属卤化物材料13 支撑基盘14 导电性薄膜15 重物16 电极层17 基体18 静电电容部分
实施例(实施例1)
对本发明的静电电容型压力传感器及其制造方法用显示它们的一个合适的实施例的图1和图2来进行说明。图1是本发明的静电电容型压力传感器的一个实施例的构成截面图，图2是本发明的静电电容型压力传感器的制造方法的一个实施例的工序图。
在图1中，本发明的静电电容型压力传感器具备以下构成部分：在厚度方向上具有任意大小的贯通孔1a的绝缘体板1：在绝缘体板1的一个表面16上设置的并覆盖贯通孔1a的开口部分及其周边部分的导电性薄膜4：在绝缘体板的另一个表面1c上设置的并至少覆盖贯通孔1a的开口部分及其周边的电极层6以及与电极层6一起支撑绝缘体板1的基体5。贯通孔1a和导电性薄膜4构成薄膜状膜片，此外贯通孔1a和分别堵住贯通孔1a两侧的开口部分的导电性薄膜4以及电极层6构成静电电容部分(condenser)7。使用例如厚度500μm的氧化铝(Al2O3)的陶瓷烧结体来作为绝缘体板1。在这种情况下，在对绝缘体板1进行烧结成形之前预先开好贯通孔1a是有效的。导电性薄膜4的厚度可以任意选定，不过在本实施例中，特别在用薄膜形成法有效形成膜片的范围内，导电性薄膜4的厚度应在5μm以下，比较合适的是1μm左右的程度。
在静电电容部分7的内部压力(即贯通孔1a的内部压力)与导电性薄膜4外面的压力之间有差别的情况下，根据该压力差导电性薄膜4中的堵住贯通孔1a的部分发生形变。另一方面，由于电极层6是在基体5的表面设置的，故不发生变形，这样静电电容部分7的静电电容发生变化。通过检测该静电电容的变化，可测定以静电电容部分7的内部压力为基准的外部压力。此外，如设置由基体5的背面5a贯通到静电电容部分7的内部的直径很小的孔，则也可检测由导电性薄膜4隔开的二个区域间的压力差。
其次，图2示出上述静电电容型压力传感器的制造方法。首先，如工序(a)所示，把具有任意大小的贯通孔1a的绝缘体板1设置在具有预定的平面度的支撑基盘3上。然后，把例如岩盐型结晶KBr等水溶性碱金属卤化物材料2溶融并充填上述贯通孔1a，一次性地填埋住该贯通孔1a。此时，对碱金属卤化物材料2进行加压成形等处理，使填埋在贯通孔1a内的碱金属卤化物材料2在支撑基盘3一侧的端面平坦化。待冷却了后，如工序(b)所示，把绝缘体板1从支撑基盘3取下，(在图中所示的是把上下倒置后的情形)对与支撑基盘3相接的一面淀积导电性薄膜4。也就是说，用导电性薄膜4覆盖填埋住贯通孔1a的碱金属卤化物材料2及其周边部分。然后，如工序(c)所示，采用能溶解碱金属卤化物材料2的水把碱金属卤化物材料2溶解并除去。结果除去了填埋住绝缘体板1的贯通孔1a的碱金属卤化物材料2，形成以贯通孔1a部分作为空洞部分的膜片。最后，如工序(d)所示，把具有电极层6的基体5机械地贴紧到或用适当的粘结剂粘结到绝缘体板1的与膜片相对的一侧表面上。
再者，静电电容部分7的内部压力是由工序(d)的大气压力所决定的。此外，对很多种类的作为碱金属卤化物材料2的物质进行了实验研究。实验的结果是岩盐型结晶在使用方面最方便，此外可了解到这种材料对于在形成导电性薄膜4时有必要加热的场合也是适用的。再有，除了上述KBr外，也可使用选自K、Na及Cs的一种元素与选自Cl、F、Br及I的一种元素构成的水溶性岩盐型结晶，例如NaF、NaCl、KCl、KBr、CsBr、KI及CsI等来作为碱金属卤化物材料2。此外，与本发明有关的静电电容型压力传感器当然不限于上述实施例，它还可适用于以上述构成作为基础的各种构成和大小的传感器。(实施例2)
对本发明的静电电容型加速度传感器及其制造方法，用表示它们的一个合适的实施例的图3和图4来进行说明。图3是本发明的静电电容型加速度传感器的一个实施例的构成截面图。图4是本发明的静电电容型加速度传感器的制造方法的一个实施例的工序图。
由图3可见，本发明的静电电容型加速度传感器具备以下构成部分：在厚度方向具有任意大小的贯通孔11a的绝缘体板11：在绝缘体板11的一个表面11b上设置的并覆盖贯通孔11a的开口部分及其周边部分的导电性薄膜14：在导电性薄膜14的与贯通孔11a相对的一个表面上设置的重物15：在绝缘体板11的另一个表面11c上设置的并至少覆盖贯通孔11a的开口部分及其周边的电极层16：以及与电极层16一起支撑绝缘体板11的基体17。贯通孔11a与导电性薄膜14构成薄膜状膜片，此外贯通孔11a和分别堵住贯通孔11a两侧开口部分的导电性薄膜14及其电极层16构成静电电容部分(condenser)18。使用例如厚度为500μm的氧化铝(Al2O3)等陶瓷烧结体作为绝缘体板11。在这种情况下，在对绝缘体板11进行烧结成形之前，预先开好贯通孔11a是有效的。导电性薄膜14的厚度可以任意选定，不过在本实施例1中，特别在用薄膜形成法有效形成膜片的范围内，导电性薄膜14的厚度应在5μm以下，比较合适的是1μm左右的程度。
如加速度作用于加速度传感器整体，则与基体17一体化构成的绝缘体板11、电极层16与基体17一起被加速。但是，在构成膜片的导电性薄膜14之上设置的重物15由于遵从惯性法则想要停留在原来的位置。因此，根据作用于加速度传感器的加速度，重物15发生微小位移，设置重物15的导电性薄膜14中的堵住贯通孔11a的部分发生形变。另一方面，由于电极层16是在基体17的表面设置的，因而它不变形，这样静电电容部分18的静电电容就发生变化。也就是说，作用于加速度传感器的加速度成为重物15的微小位移，它以膜片的形变形式被监测，作为导电性薄膜14与电极层16之间的静电电容的变化被检测出来。通过检测该静电电容的变化，可测定作用于导电性薄膜14及重物15的力。之后再根据已测定的力，可换算出作用于加速度传感器的加速度。
其次，在图4中示出上述静电电容型加速度传感器的制造方法。首先，如工序(a)所示，把具有任意大小的贯通孔11a的绝缘体板11放置在具有预定的平面度的支撑基盘13上，然后，把例如岩盐型结晶KBr等水溶性碱金属卤化物材料12溶融并充填贯通孔11a，一次性地填埋住该贯通孔11a。此时，对碱金属卤化物材料12进行加压成形等处理，使填埋在贯通孔11a内的碱金属卤化物材料12在支撑基盘13一侧的端面平坦化。其次在碱金属卤化物材料冷却了后，如工序(b)所示，把绝缘体板11从支撑基盘13取下，(在图中所示的是把上下倒置后的情形)对与支撑基盘13相接的一面淀积导电性薄膜14。也就是说，用导电性薄膜14覆盖填埋住贯通孔11a的碱金属卤化物材料12及其周边部分。然后，如工序(c)所示，在所形成的导电性薄膜14的表面(与贯通孔11a相对的一侧表面)上淀积将成为重物15的层。用例如对铝金属材料用电阻加热式真空蒸发法形成厚度为10μm、面积为8×105μm2的将成为重物15的层。贯通孔的直径为0.9mm，重物的直径为0.5mm。再者，贯通孔的直径优选在0.1mm～1mm的实用范围。
其次，如工序(d)所示，使用可溶解碱金属卤化物材料12的水把碱金属卤化物材料12溶解并除去。结果除去填埋住绝缘体板11的贯通孔11a的碱金属卤化物材料12，形成以贯通孔11a部分为空洞部分的膜片。最后，如工序(e)所示，把具有电极层16的基体17机械地贴紧到或用粘结剂粘结到绝缘体板11的与膜片相对的一侧上。
再者，对很多种类的作为碱金属卤化物材料12的物质进行了实验研究。实验的结果是岩盐型结晶在使用方面最方便，此外可了解到这种材料对于在形成导电性薄膜时有必要加热的场合也是适用的。再有，除了上述的KBr外，也可使用选自K、Na及Cs的一种元素与选自Cl、F、Br及I的一种元素构成的水溶性的岩盐型结晶，例如NaF、NaCl、KCl、KBr、CsBr、KI及CsI等来作为碱金属卤化物材料12。此外，与本发明有关的静电电容型加速度传感器当然不限于上述实施例，它还可适用于以上述构成为基础的各种构成和大小的传感器。(发明的效果)
如上所述，根据本发明的静电电容型传感器，由于具备在厚度方向上具有贯通孔的绝缘体板、在上述绝缘体板的一个表面上设置并覆盖上述贯通孔的导电性薄膜、在上述绝缘体板的另一个表面上设置并至少覆盖上述贯通孔的电极层以及与上述电极层一起支撑上述绝缘体板的基体，故可实现不必进行化学腐蚀的、对使用厚度很薄的导电性薄膜的静电电容型压力传感器及静电电容型加速度传感器等有用的、小型高精度的静电电容型传感器。
此外，在作为一例的静电电容型压力传感器中，在绝缘体板处设置的贯通孔与在绝缘体板的一个表面设置的导电性薄膜构成薄膜状膜片部分，此外，贯通孔、导电性薄膜和电极层构成静电电容部分。由此，如静电电容部分的内部压力与膜片部分外面的压力之问有差别的话，则导电性薄膜产生形变，它与电极层之间的距离发生变化，这样静电电容部分的静电电容发生变化。通过检测静电电容部分的静电电容的变化，可测定以静电电容部分的内部压力为基准的外部压力。此外，使导电性薄膜的厚度在10nm以上至5μm以下的范围内，由此可以用高分辨率来测定微小压力。
此外，在作为一例的静电电容型加速度传感器中，由于在与贯通孔相对的导电性薄膜表面设置重物而形成静电电容型加速度传感器，故在绝缘体板处设置的贯通孔与在绝缘体板的一个表面设置的导电性薄膜构成薄膜状膜片部分，此外，贯通孔、导电性薄膜与电极层构成静电电容部分。如使加速度传感器整体加速的话，重物由于遵从惯性法则想要停留在原来的位置。这样一来，由于重物的相对的微小位移，膜片部分的导电性薄膜产生形变，它与电极层之间的距离发生变化，这样静电电容部分的静电电容就发生交化。通过检测该静电电容部分的静电电容的变化，可测定作用于重物上的力。根据已测定的力换算成加速度。
此外，按照本发明静电电容型传感器的制造方法，用具有预定的平面度的支撑基盘支撑具有贯通孔的绝缘体板的一个面，从绝缘体板的另一个面将碱金属卤化物材料溶融并填埋贯通孔，由此由基体支撑一侧的被填埋的贯通孔的部分的表面被平坦化达到与支撑基盘的平面度相同的程度。在这个状态下把上述绝缘体板从支撑基盘上取下，淀积导电性薄膜使之覆盖被填埋的贯通孔部分及其周边部分，由此可以在贯通孔部分容易形成具有预定平面度的导电性薄膜。此外，把碱金属卤化物材料作为选自K及Cs的一种元素与选自CI、Br及I的一种元素构成的水溶性岩盐型结晶，由此碱金属卤化物在贯通孔中没有残留，几乎可以完全在水中溶解和除去。结果能容易地和高精度地实现具有任意机械特性的膜片，同时可减少大量生产的静电电容型传感器的质量分散度。
Claims (13)
1.静电电容型传感器，具有以下构成部分：
在厚度方向上具有贯通孔的绝缘体板；
在上述绝缘体板的一个表面上设置的并覆盖上述贯通孔的厚度在10nm以上至5μm以下的导电性薄膜；
在上述绝缘体板另一表面上设置的并至少覆盖上述贯通孔的电极层；以及
与上述电极层一起支撑上述绝缘板的基体。
2.按权利要求1的静电电容型传感器，其中在基体表面形成电极层，并将该电极层机械地贴紧到绝缘体板的另一表面上。
3.按权利要求1的静电电容型传感器，其中在基体表面形成电极层，并将该电极层用粘结剂粘结到绝缘体板的另一表面上。
4.按权利要求1的静电电容型传感器，为静电电容型压力传感器。
5.按权利要求1的静电电容型传感器，其中在与贯通孔相对的导电性薄膜的表面设置重物以形成静电电容型加速度传感器。
6.静电电容型传感器的制造方法，其特征在于：
所述静电电容型传感器为具备在厚度方向上有贯通孔的绝缘体板、在上述绝缘体板的一个表面上设置并覆盖上述贯通孔的导电性薄膜、在上述绝缘体板的另一个表面上设置并至少覆盖上述贯通孔的电极层、与上述电极层一起支撑上述绝缘体板的基体的静电电容型传感器；其中用具有预定的平面度的支撑基盘支撑在厚度方向上具有贯通孔的绝缘体板的一个面；
从上述绝缘体板的另一面将碱金属卤化物材料溶融并填埋贯通孔，将上述碱金属卤化物材料冷却，使由支撑基盘支撑的一侧的填埋上述贯通孔的碱金属卤化物材料的表面平坦化；
从上述支撑基盘取下上述绝缘体板，淀积导电性薄膜使之覆盖填埋上述贯通孔的碱金属卤化物材料及其周边部分；
用水洗方法将上述碱金属卤化物材料溶解并除去；
与具有成为上述绝缘体板的另一面的对象电极的导电面的基体结合。
7.按权利要求6的静电电容型传感器的制造方法，其中碱金属卤化物材料是选自Na、K及Cs的至少一种碱金属元素与选自F、Cl、Br及I的至少一种卤族元素的化合物的岩盐型结晶。
8.按权利要求6的静电电容型传感器的制造方法，其中碱金属卤化物材料是选自NaF、NaCl、KCl、KBr、CsBr、KI及CsI的至少一种盐。
9.按权利要求6的静电电容型传感器的制造方法，其中导电性薄膜的厚度在10nm以上至5μm以下的范围内。
10.按权利要求6的静电电容型传感器的制造方法，其中在基体表面形成电极层，并将该电极层机械地贴紧到绝缘体板的另一个表面上。
11.按权利要求6的静电电容型传感器的制造方法，其中在基体表面形成电极层，并将该电极层用粘结剂粘结到绝缘体板的另一个表面上。
12.按权利要求6的静电电容型传感器的制造方法，其中静电电容型传感器是静电电容型压力传感器。
13.按权利要求6的静电电容型传感器的制造方法，其中在与贯通孔相对的导电性薄膜的表面设置重物以形成静电电容型加速度传感器。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP306185/93 | 1993-12-07 | ||
| JP306184/93 | 1993-12-07 | ||
| JP30618493 | 1993-12-07 | ||
| JP30618593 | 1993-12-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1107970A CN1107970A (zh) | 1995-09-06 |
| CN1083104C true CN1083104C (zh) | 2002-04-17 |
Family
ID=26564600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN94119861A Expired - Fee Related CN1083104C (zh) | 1993-12-07 | 1994-12-07 | 静电电容型传感器及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5507080A (zh) |
| EP (1) | EP0657718B1 (zh) |
| KR (1) | KR100230891B1 (zh) |
| CN (1) | CN1083104C (zh) |
| DE (1) | DE69412769T2 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105283745A (zh) * | 2013-06-04 | 2016-01-27 | 株式会社村田制作所 | 一种改进的压力传感器结构 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760593A (en) * | 1996-02-14 | 1998-06-02 | Bicc Public Limited Company | Gap measurement device |
| US20040099061A1 (en) * | 1997-12-22 | 2004-05-27 | Mks Instruments | Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures |
| US6156585A (en) | 1998-02-02 | 2000-12-05 | Motorola, Inc. | Semiconductor component and method of manufacture |
| ATE310950T1 (de) | 1999-12-08 | 2005-12-15 | Sensirion Ag | Kapazitiver sensor |
| US6591685B2 (en) * | 2000-03-10 | 2003-07-15 | W.E.T. Automotive Systems Ag | Pressure sensor |
| US6708392B1 (en) * | 2000-04-17 | 2004-03-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of fabricating uncooled IR detector and arrays using colossal magneto-resistive materials and rock salt structure material substrates |
| US20030121796A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-07-03 | Siegele Stephen H | Generation and distribution of molecular fluorine within a fabrication facility |
| US20030183888A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-02 | Eyal Bar-Sadeh | Corrugated diaphragm |
| CN100416472C (zh) * | 2002-07-16 | 2008-09-03 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 静电电容式坐标输入装置 |
| US7285844B2 (en) * | 2003-06-10 | 2007-10-23 | California Institute Of Technology | Multiple internal seal right micro-electro-mechanical system vacuum package |
| DE102004002825A1 (de) * | 2004-01-12 | 2005-08-04 | E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH | Bedieneinrichtung mit einem kapazitiven Sensorelement und Elektrogerät mit einer solchen Bedieneinrichtung |
| DE102004005952A1 (de) * | 2004-02-02 | 2005-08-25 | E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH | Bedieneinrichtung für ein Elektrogerät mit einem Bedien-Feld und einem Sensorelement darunter sowie Verfahren zum Betrieb der Bedieneinrichtung |
| US7201057B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-04-10 | Mks Instruments, Inc. | High-temperature reduced size manometer |
| US7137301B2 (en) * | 2004-10-07 | 2006-11-21 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor |
| US7141447B2 (en) * | 2004-10-07 | 2006-11-28 | Mks Instruments, Inc. | Method of forming a seal between a housing and a diaphragm of a capacitance sensor |
| US7204150B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-04-17 | Mks Instruments, Inc. | Turbo sump for use with capacitive pressure sensor |
| US20080011297A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Scott Thomas Mazar | Monitoring physiologic conditions via transtracheal measurement of respiratory parameters |
| KR100726935B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2007-06-11 | 레시너코리아 주식회사 | 정전용량형 누수 감지 센서 |
| DK2229967T3 (da) * | 2009-03-17 | 2020-06-15 | Hoffmann La Roche | Kanylesamling og ambulant infusionssystem med en tryksensor lavet af stablede koplanare lag |
| DE102010045008B4 (de) | 2010-09-10 | 2013-02-28 | Brose Fahrzeugteile Gmbh & Co. Kommanditgesellschaft, Hallstadt | Kapazitiver Abstandssensor |
| EP2565635B1 (en) | 2011-09-02 | 2017-11-15 | Sensirion AG | Sensor chip and method for manufacturing a sensor chip |
| KR20130099300A (ko) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | (주)유민에쓰티 | 정전용량형 수위감지센서 |
| US20160302729A1 (en) | 2013-12-11 | 2016-10-20 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Devices and methods for parameter measurement |
| CN104914134B (zh) * | 2015-03-09 | 2017-12-19 | 北京微能高芯科技有限公司 | 基于摩擦电的聚合物辨识传感器及其制作方法 |
| DE102015119272A1 (de) * | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg | Kapazitiver Drucksensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP6908391B2 (ja) * | 2017-02-17 | 2021-07-28 | アズビル株式会社 | 静電容量型圧力センサ |
| KR102574448B1 (ko) * | 2020-08-26 | 2023-09-01 | 연세대학교 산학협력단 | 광반응성 복합 소재를 이용한 미세 전자 기계 시스템 기반 정전식 감응 센서 및 이의 센싱 방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4530029A (en) * | 1984-03-12 | 1985-07-16 | United Technologies Corporation | Capacitive pressure sensor with low parasitic capacitance |
| DE3635462A1 (de) * | 1985-10-21 | 1987-04-23 | Sharp Kk | Feldeffekt-drucksensor |
| JPH0685450B2 (ja) * | 1986-01-13 | 1994-10-26 | 松下電器産業株式会社 | 強誘電体薄膜素子 |
| JPH0750789B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1995-05-31 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力変換装置の製造方法 |
| FR2610406B1 (fr) * | 1987-02-03 | 1989-09-08 | Pierre Bernard | Capteur capacitif de pression |
| US4823230A (en) * | 1988-03-04 | 1989-04-18 | General Electric Company | Pressure transducer |
| US4951174A (en) * | 1988-12-30 | 1990-08-21 | United Technologies Corporation | Capacitive pressure sensor with third encircling plate |
| JPH0748566B2 (ja) * | 1989-09-27 | 1995-05-24 | 山武ハネウエル株式会社 | 加速度センサおよびその製造方法 |
| US5050034A (en) * | 1990-01-22 | 1991-09-17 | Endress U. Hauser Gmbh U. Co. | Pressure sensor and method of manufacturing same |
| JPH04143627A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 静電容量式圧力センサおよびその製造方法 |
| US5134886A (en) * | 1991-04-16 | 1992-08-04 | Ball Kenneth H | Capacitive pressure transducer for use in respirator apparatus |
| JPH05283756A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電体薄膜素子 |
-
1994
- 1994-12-02 DE DE69412769T patent/DE69412769T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-02 EP EP94119079A patent/EP0657718B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-03 KR KR1019940032639A patent/KR100230891B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-12-05 US US08/353,315 patent/US5507080A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-07 CN CN94119861A patent/CN1083104C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-01 US US08/595,240 patent/US5719740A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105283745A (zh) * | 2013-06-04 | 2016-01-27 | 株式会社村田制作所 | 一种改进的压力传感器结构 |
| US9541464B2 (en) | 2013-06-04 | 2017-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Pressure sensor structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69412769T2 (de) | 1999-01-14 |
| EP0657718A1 (en) | 1995-06-14 |
| US5719740A (en) | 1998-02-17 |
| KR950021797A (ko) | 1995-07-26 |
| DE69412769D1 (de) | 1998-10-01 |
| EP0657718B1 (en) | 1998-08-26 |
| KR100230891B1 (ko) | 1999-11-15 |
| US5507080A (en) | 1996-04-16 |
| CN1107970A (zh) | 1995-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1083104C (zh) | 静电电容型传感器及其制造方法 | |
| US5479827A (en) | Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment | |
| KR0137939B1 (ko) | 용량성 압력감지기 및 그의 기생용량 최소화 방법 | |
| KR101286028B1 (ko) | 용량형 가속도 센서 및 용량형 가속도 센서의 제조 방법 | |
| KR0137931B1 (ko) | 평면운동을 위한 힌지된 격막을 가진 용량성 반도체 감지기 | |
| KR100404904B1 (ko) | 차동 용량형 압력센서 및 그 제조방법 | |
| US7258011B2 (en) | Multiple axis accelerometer | |
| CN1605560A (zh) | 电容传感器 | |
| IL161532A (en) | Micro-mechanical semiconductor accelerometer | |
| JPH06302832A (ja) | 加速度センサ | |
| CN101027542A (zh) | 电容性传感器和用于制造电容性传感器的方法 | |
| US20020011114A1 (en) | Capacitive vacuum sensor | |
| JP2006349613A (ja) | 容量検出型加速度センサ | |
| EP1267385A1 (en) | Micro ion pump for a low-pressure microdevice microenclosure | |
| KR100450262B1 (ko) | 고감도 초소형 캔틸레버 센서 및 제조 방법 | |
| JP4394212B2 (ja) | 加速度センサ | |
| US7398694B2 (en) | Pressure sensor and method for manufacturing pressure sensor | |
| EP0500945A1 (en) | Pressure sensor | |
| JP2005274175A (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP2838049B2 (ja) | 静電容量型センサ及びその製造方法 | |
| KR100450261B1 (ko) | 고감도 초소형 캔틸레버 센서 및 그 제조방법 | |
| EP0848823A2 (en) | Acceleration detection device | |
| JP2015114108A (ja) | 共振センサ | |
| CN118603373A (zh) | 压电谐振式压力传感器、补偿系统及制备方法 | |
| JPH05232136A (ja) | エレクトレットコンデンサ式加速度センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |