KR950021797A - 정전용량형 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

정전용량형 센서 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 화학 에칭을 필요로 하지 않고, 두께가 얇은 도전성박막을 사용한 정전용량형 센서 및 정전용량형 가속센서 등에 유용한 소형이며 고정밀도의 정전용량형 센서 및 그 제조방법에 있어서, 관통구멍(1a)에 KBr등의 알칼리하라이드재료(2)를 충전하고, 그 표면에 도전성박막(4)를 형성한 후 알칼리할라이드재료(2)를 도면에 의해 용해제거하므로서, 소형이고 고감도의 정전용량형 압력센서를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 절연체판(1)의 두께방향으로 형성한 관통구멍(1a)를 KBr등의 알칼리할라이드재료(2)를 용해해서 충전한다. 관통구멍(1a)에 메워진 알칼리할라이드재료(2)및 그 주변의 표면에 도전성박막(4)를 형성한 후, 수세에 의해 알칼리할라이드재료(2)를 용해해서 제거하고, 관통구멍(1a)와 도전성박막(4)로 다이아프램을 구성한다. 도전성박막(4)의 앞뒤면의 압력차에 의한 다이아프램의 변형을 도전성박막(4)와 전극층(6)의 사이의 정전용량의 변화로서 검지할 수 있는 것을 특징으로 한것이다.

Description

정전용량형 센서 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 정전용량형 압력센서의 일실시예의 구성을 표시한 단면도.
제2도는 본 발명의 정전용량형 압력센서의 제조방법의 일실시예를 표시한 공정도.

Claims (14)

  1. 두께방향으로 관통구멍을 가진 절연체판과, 상기 절연체판의 한쪼기표면에 형성되어 상기 관통구멍을 덮는 도전성박막과, 상기 절연체판의 다른쪽 표면에 형성되어 적어도 상기 관통구멍을 덮는 전극층과, 상기 전극층과 함께 상기 절연체판을 지지하는 베이스를 구비하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서.
  2. 제1항에 있어서, 도전성박막의 두께가, 10㎚이상 5㎛이하인 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전극층은 베이스표면에 형성되고, 절연체판의 다른쪽 표면에 기계적으로 밀착되어 있는 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전극층은 베이스표면에 형성되고, 절연체판의 다른쪽 표면에 접착제에 의해 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 정전용량형 센서가 정전용량형 압력센서인 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 관통구멍과는 반대의 도전성박막의 표면에 추(錘)를 형성하고, 정전용량형 가속도 센서에 형성한 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서.
  7. 두께방향으로 관통구멍을 가진 절연체판과, 상기 절연체판의 한쪽표면에 형성되어 상기 관통구멍을 덮는 도전성박막과, 상기 절연체판의 다른쪽 표면에 형성되어 적어도 상기 관통구멍을 덮는 전극층과, 상기 전극층과 함께 상기 절연체판을 지지하는 베이스를 구비하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서로서, 두께방향으로 관통구멍을 가진 절연체판의 한쪽면을 소정의 평면도를 유지@@@@@@@@절연체판의 다른쪽면으로부터 알칼리할라이드재료를 용융해서 관통구멍을 메우고, 상기 알칼리할라이드재료를 냉각하고, 상기 유지기반에 의해 유지된 쪽의 상기 관통구멍을 메운 알칼리할라이드재료의 표면을 평탄화하고, 상기 유지기반으로부터 상기 절연체판을 떼앤고, 상기 관통구멍을 메운 알칼리할라이드재료 및 그 주변부를 덮도록 도전성박막을 퇴적하고, 수세에 의해 상기 알칼리할라이드재료를 용해제거하고, 상기 절연체판의 다른쪽면에 대향전극이 되는 도전면을 가진 베이스를 접합하는 것을 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서.
  8. 제7항에 있어서, 알칼리할라이드재료가, Na, K및 Cs로부터 선택된 적어도 1종의 알칼리금속원소와, F, Cl, Br 및 I로부터 선택된 1종의 할로겐원소와의 화합물의 돌소금형결정인 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 알칼리할라이드재료가, NaF, NaCl, KCl, KBr, CsBr, Kl및 Csl로부터 선택되는 적어도 하나의 소금인 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 도전성박막의 두께가, 10㎚이상 5㎛이하인 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서의 제조방법.
  11. 제7항에 있어서, 전극층을 베이스표면에 형성하고, 절연체판의 다른쪽 표면에 기계적을 밀착하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서의 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 전극층을 베이스표면에 형성하고, 절연체판의 다른쪽 표면에 접착제의 의해 접착된 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서의 제조방법.
  13. 제7항에 있어서, 정전용량형 센서가, 정전용량형 압력센서인 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서의 제조방법.
  14. 제7항에 있어서, 관통구멍과는 반대의 도전성박막의 표면에 추를 형성하고,정전용량형 가속도센서에 형성한 것을 특징으로 하는 정전용량형 센서의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5760593A (en) * 1996-02-14 1998-06-02 Bicc Public Limited Company Gap measurement device
US20040099061A1 (en) * 1997-12-22 2004-05-27 Mks Instruments Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures
US6156585A (en) 1998-02-02 2000-12-05 Motorola, Inc. Semiconductor component and method of manufacture
JP2003516539A (ja) 1999-12-08 2003-05-13 ゼンジリオン アクチエンゲゼルシャフト 容量型センサー
US6591685B2 (en) * 2000-03-10 2003-07-15 W.E.T. Automotive Systems Ag Pressure sensor
US6708392B1 (en) * 2000-04-17 2004-03-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of fabricating uncooled IR detector and arrays using colossal magneto-resistive materials and rock salt structure material substrates
US20030121796A1 (en) * 2001-11-26 2003-07-03 Siegele Stephen H Generation and distribution of molecular fluorine within a fabrication facility
US20030183888A1 (en) * 2002-03-28 2003-10-02 Eyal Bar-Sadeh Corrugated diaphragm
CN100416472C (zh) * 2002-07-16 2008-09-03 阿尔卑斯电气株式会社 静电电容式坐标输入装置
US7285844B2 (en) * 2003-06-10 2007-10-23 California Institute Of Technology Multiple internal seal right micro-electro-mechanical system vacuum package
DE102004002825A1 (de) * 2004-01-12 2005-08-04 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Bedieneinrichtung mit einem kapazitiven Sensorelement und Elektrogerät mit einer solchen Bedieneinrichtung
DE102004005952A1 (de) * 2004-02-02 2005-08-25 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Bedieneinrichtung für ein Elektrogerät mit einem Bedien-Feld und einem Sensorelement darunter sowie Verfahren zum Betrieb der Bedieneinrichtung
US7201057B2 (en) * 2004-09-30 2007-04-10 Mks Instruments, Inc. High-temperature reduced size manometer
US7141447B2 (en) * 2004-10-07 2006-11-28 Mks Instruments, Inc. Method of forming a seal between a housing and a diaphragm of a capacitance sensor
US7137301B2 (en) * 2004-10-07 2006-11-21 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor
US7204150B2 (en) * 2005-01-14 2007-04-17 Mks Instruments, Inc. Turbo sump for use with capacitive pressure sensor
US20080011297A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-17 Scott Thomas Mazar Monitoring physiologic conditions via transtracheal measurement of respiratory parameters
KR100726935B1 (ko) * 2006-08-30 2007-06-11 레시너코리아 주식회사 정전용량형 누수 감지 센서
EP2229967B1 (en) * 2009-03-17 2020-04-15 F.Hoffmann-La Roche Ag Cannula assembly and ambulatory infusion system with a pressure sensor made of stacked coplanar layers
DE102010045008B4 (de) * 2010-09-10 2013-02-28 Brose Fahrzeugteile Gmbh & Co. Kommanditgesellschaft, Hallstadt Kapazitiver Abstandssensor
EP2565635B1 (en) 2011-09-02 2017-11-15 Sensirion AG Sensor chip and method for manufacturing a sensor chip
KR20130099300A (ko) * 2012-02-29 2013-09-06 (주)유민에쓰티 정전용량형 수위감지센서
FI125447B (en) * 2013-06-04 2015-10-15 Murata Manufacturing Co Improved pressure sensor
US20160302729A1 (en) 2013-12-11 2016-10-20 The Board Of Regents Of The University Of Texas System Devices and methods for parameter measurement
CN104914134B (zh) * 2015-03-09 2017-12-19 北京微能高芯科技有限公司 基于摩擦电的聚合物辨识传感器及其制作方法
DE102015119272A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Kapazitiver Drucksensor und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6908391B2 (ja) * 2017-02-17 2021-07-28 アズビル株式会社 静電容量型圧力センサ
KR102574448B1 (ko) * 2020-08-26 2023-09-01 연세대학교 산학협력단 광반응성 복합 소재를 이용한 미세 전자 기계 시스템 기반 정전식 감응 센서 및 이의 센싱 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4530029A (en) * 1984-03-12 1985-07-16 United Technologies Corporation Capacitive pressure sensor with low parasitic capacitance
DE3635462A1 (de) * 1985-10-21 1987-04-23 Sharp Kk Feldeffekt-drucksensor
JPH0685450B2 (ja) * 1986-01-13 1994-10-26 松下電器産業株式会社 強誘電体薄膜素子
JPH0750789B2 (ja) * 1986-07-18 1995-05-31 日産自動車株式会社 半導体圧力変換装置の製造方法
FR2610406B1 (fr) * 1987-02-03 1989-09-08 Pierre Bernard Capteur capacitif de pression
US4823230A (en) * 1988-03-04 1989-04-18 General Electric Company Pressure transducer
US4951174A (en) * 1988-12-30 1990-08-21 United Technologies Corporation Capacitive pressure sensor with third encircling plate
JPH0748566B2 (ja) * 1989-09-27 1995-05-24 山武ハネウエル株式会社 加速度センサおよびその製造方法
US5050034A (en) * 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same
JPH04143627A (ja) * 1990-10-05 1992-05-18 Yamatake Honeywell Co Ltd 静電容量式圧力センサおよびその製造方法
US5134886A (en) * 1991-04-16 1992-08-04 Ball Kenneth H Capacitive pressure transducer for use in respirator apparatus
JPH05283756A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Murata Mfg Co Ltd 強誘電体薄膜素子

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Publication number Publication date
CN1107970A (zh) 1995-09-06
EP0657718A1 (en) 1995-06-14
DE69412769D1 (de) 1998-10-01
US5507080A (en) 1996-04-16
KR100230891B1 (ko) 1999-11-15
EP0657718B1 (en) 1998-08-26
DE69412769T2 (de) 1999-01-14
CN1083104C (zh) 2002-04-17
US5719740A (en) 1998-02-17

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