CN108267926A - 一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108267926A
CN108267926A CN201810097795.0A CN201810097795A CN108267926A CN 108267926 A CN108267926 A CN 108267926A CN 201810097795 A CN201810097795 A CN 201810097795A CN 108267926 A CN108267926 A CN 108267926A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
photoetching offset
offset plate
base plate
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201810097795.0A
Other languages
English (en)
Inventor
胡海峰
张明
丁贤林
马伟杰
刘欢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810097795.0A priority Critical patent/CN108267926A/zh
Publication of CN108267926A publication Critical patent/CN108267926A/zh
Priority to US16/134,521 priority patent/US10739930B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/047—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using sets of wires, e.g. crossed wires
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置，该制作方法包括：在基底上形成膜层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶图形，光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形，第二光刻胶图形位于第一光刻胶图形的至少相对的两侧，与第一光刻胶图形间隔设置；对待构图的膜层进行湿刻，使得第一光刻胶图形和第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀，第二光刻胶图形下方的膜层从基底上脱离，第一光刻胶图形下方的膜层形成膜层图形。采用上述方法形成的膜层图形，能够避免底切问题，从而提高了显示产品良率及性能。

Description

一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
显示产品已经涉及到人类的方方面面，而生产显示产品属于精密制造行业，显示产品的最后性能的好坏直接取决于制程中工艺的水平。现有的显示产品的制作过程中，通常需要制作金属图形和金属氧化物图形等膜层图形，在制作这些膜层图形的过程中，可以使用湿刻工艺刻蚀出需要的膜层图形，请参考图1，由于湿刻工艺中的刻蚀液为各向同性刻蚀，使得最终形成的膜层图形102’会出现底切(undercut)的问题，即最终形成的膜层图形102’的垂直剖面呈倒梯形，膜层图形102’的底面与基底103的接触面积较小，影响膜层图形102’附着力，严重时会导致膜层图形102’脱落，特别是针对超窄线宽的膜层图形，直接影响显示产品良率及性能。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置，用于解决显示基板上的膜层图形由于湿刻工艺导致底切，影响显示产品良率及性能的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版，用于形成显示基板上的膜层图形，所述掩膜版包括：
至少一组掩膜图形，每一组所述掩膜图形包括：对应所述膜层图形的第一图形，以及位于所述第一图形的至少相对的两侧的第二图形，所述第二图形与所述第一图形间隔设置，所述第二图形在其延伸方向上的线宽大于或等于所述第一图形在同一方向上的线宽，所述第二图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值，所述第一图形和第二图形均为透光图形或不透光图形。
优选地，所述第二图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一图形在同一方向上的线宽的5％～10％。
优选地，所述第二图形与所述第一图形之间的间距等于所述第一图形在与所述第二图形的延伸方向垂直的方向上的线宽的5％～10％。
本发明还提供一种显示基板的制作方法，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成待构图的膜层和光刻胶层；
采用上述掩膜版，对所述光刻胶层进行曝光，并显影，形成至少一组光刻胶图形，每一组所述光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形，所述第二光刻胶图形位于所述第一光刻胶图形的至少相对的两侧，与所述第一光刻胶图形间隔设置，所述第二光刻胶图形在其延伸方向上的线宽大于或等于所述第一光刻胶图形在同一方向上的线宽，所述第二光刻胶图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值；
对所述待构图的膜层进行湿刻，使得所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀，所述第二光刻胶图形下方的膜层从所述基底上脱离，所述第一光刻胶图形下方的膜层形成所述膜层图形。
优选地，所述第二光刻胶图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一光刻胶图形在所述第二方向上的线宽的5％～10％。
优选地，所述第二光刻胶图形与所述第一光刻胶图形之间的间距等于所述第一光刻胶在与所述第二光刻胶图形的延伸方向垂直方向上的线宽的5％～10％。
优选地，所述膜层采用金属或金属氧化物形成。
优选地，所述膜层图形为金属走线。
优选地，所述膜层图形为非显示区域内的金属走线。
优选地，所述显示基板为触控显示基板，所述膜层图形为非显示区域内的触控电极走线。
本发明还提供一种显示基板，采用上述显示基板的制作方法制作而成，所述显示基板包括：
基底，以及设置于所述基底上的膜层图形，所述膜层图形的垂直剖面呈正梯形。
优选地，所述膜层图形为非显示区域内的金属走线。
优选地，所述显示基板为触控显示基板，所述膜层图形为非显示区域内的触控电极走线。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
本发明实施例中，在形成膜层图形的制程中，对光刻胶层进行构图，使得形成的光刻胶层包括对应膜层图形的第一光刻胶图形，和位于第一光刻胶图形两侧的第二光刻胶图形，在湿刻制程中，第二光刻胶图形下方的膜层能够对第一光刻胶图形下方的膜层进行保护，避免侧面的刻蚀液对第一光刻胶图形下方的膜层过度刻蚀，从而避免最终形成的膜层图形的底切问题，使得形成的膜层图形的垂直剖面呈正梯形，与现有技术中湿刻后的膜层图形相比，与基底的接触面积更大，提高了膜层图形的附着力，同时使得膜层图形的DICD(Develop Inspection Critical Dimension)与FIDC(Final Inspection CriticalDimension)差异更小，保证产品精度，提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的显示基板上的膜层图形的制作方法示意图；
图2为本发明一实施例的掩膜版的结构示意图；
图3为本发明另一实施例的掩膜版的结构示意图；
图4为本发明一实施例的显示基板的制作方法的流程示意图；
图5为图4所示的实施例中形成的光刻胶图形的示意图。
附图标记说明：
101光刻胶图形；102形成膜层图形过程中的中间图形；102’最终形成的膜层图形；103基底；
200掩膜版；201掩膜版图形；2011第一图形；2012第二图形；
301基底；302膜层；3021膜层图形；303光刻胶层；3031第一光刻胶图形；3032第二光刻胶图形。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，本发明实施例提供一种掩膜版，用于形成显示基板上的膜层图形，所述掩膜版200包括：至少一组掩膜图形201，每一组所述掩膜图形201包括：对应所述膜层图形的第一图形2011，以及位于所述第一图形2011的两侧的第二图形2012，所述第二图形2012与所述第一图形2011间隔设置，所述第二图形2012在其延伸方向上的线宽w1等于所述第一图形2011在同一方向(即所述第二图形2012的延伸方向)上的线宽w2，所述第二图形2012在与其延伸方向垂直的方向上的线宽w3小于预设阈值，所述第一图形2011和第二图形2012均为透光图形。
本发明实施例提供的掩膜版，用于在形成显示基板上的膜层图形的过程中，对光刻胶层进行构图，使得形成的光刻胶层包括对应膜层图形的第一光刻胶图形，和位于第一光刻胶图形两侧的第二光刻胶图形，在湿刻制程中，第二光刻胶图形下方的膜层能够对第一光刻胶图形下方的膜层进行保护，避免侧面的刻蚀液对第一光刻胶图形下方的膜层过度刻蚀，从而避免最终形成的膜层图形的底切问题，使得形成的膜层图形的垂直剖面呈正梯形，与现有技术中湿刻后的膜层图形相比，与基底的接触面积更大，提高了膜层图形的附着力，同时使得膜层图形的DICD与FIDC差异更小，保证产品精度，提高产品良率。
上述实施例中，每一组掩膜图形201包括：对应膜层图形的第一图形2011，以及位于第一图形2011的相对的两侧的两个第二图形2012，使得形成的光刻胶层包括对应膜层图形的第一光刻胶图形，和位于第一光刻胶图形两侧的两个第二光刻胶图形，在湿刻制程中，第二光刻胶图形下方的膜层能够对第一光刻胶图形下方的膜层进行保护，避免侧面的刻蚀液对第一光刻胶图形下方的膜层过度刻蚀。
当然，请参考图3，在本发明的其他一些实施例中，每一组掩膜图形201可以包括：对应膜层图形的第一图形2011，以及位于第一图形2011的四周的四个第二图形2012，使得形成的光刻胶层包括对应膜层图形的第一光刻胶图形，和位于第一光刻胶图形四周的四个第二光刻胶图形，在湿刻制程中，第二光刻胶图形下方的膜层能够对第一光刻胶图形下方的膜层进行更加全面的保护，避免侧面的刻蚀液对第一光刻胶图形下方的膜层过度刻蚀。
上述实施例中，第一图形2011和第二图形2012均为透光图形，此时，在进行曝光工艺中，需要采用负性光刻胶，即被曝光区域的负性光刻胶被固化，未被曝光区域的负性光刻胶会在显影工艺中被去除。
当然，在本发明的其他一些实施例中，第一图形2011和第二图形2012均为不透光图形，此时，在进行曝光工艺中，需要采用正性光刻胶，即未被曝光区域的正性光刻胶被固化，被曝光区域的正性光刻胶会在显影工艺中被去除。
上述实施例中，第二图形2012均为长条形(即长方形)图形，当然，在本发明的其他一些实施例中，也不排除第二图形2012为长椭圆形等形状。当所述第二图形2012为长椭圆形时，其延伸方向上的线宽等于长椭圆形的长轴的宽度，与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于长椭圆形的短轴的宽度。
上述实施例中，所述第二图形2012在其延伸方向上的线宽等于所述第一图形2011在同一方向上的线宽，当然，在本发明的其他一些实施例中，所述第二图形2012在其延伸方向上的线宽也可以大于所述第一图形2011在同一方向上的线宽。
本发明实施例中，优选地，所述第二图形2012在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一图形2011在同一方向上的线宽的5％～10％，该种宽度，能够保证在湿刻制程中，第二光刻胶图形下方的膜层能够不被提前刻蚀掉，以在湿刻制程中保护第一光刻胶图形下方的膜层，当需要的膜层图形刻蚀完成后，恰好又能够从显示基板的基底上脱离。
本发明实施例中，优选地，所述第二图形2012与所述第一图形2011之间的间距等于所述第一图形2011在与所述第二图形2012的延伸方向垂直的方向上的线宽的5％～10％，该种宽间距，能够保证在湿刻制程中，第一光刻胶图形下方的膜层不被过度刻蚀。
请参考图4和图5，本发明实施例提供一种显示基板的制作方法，包括：
步骤11：提供一基底301；
步骤12：请参考图4中的(a)，在所述基底301上形成待构图的膜层302和光刻胶层303；
步骤13：请参考图4中的(b)，采用上述任一实施例中的掩膜版，对所述光刻胶层303进行曝光，并显影，形成至少一组光刻胶图形，每一组所述光刻胶图形包括第一光刻胶图形3031和第二光刻胶图形3032，所述第一光刻胶图形3031对应待形成的膜层图形，所述第二光刻胶图形3032位于所述第一光刻胶图形3031的相对的两侧，与所述第一光刻胶图形3031间隔设置，所述第二光刻胶图形3032在其延伸方向上的线宽w1等于所述第一光刻胶图形3031在同一方向上的线宽w2，所述第二光刻胶图形3032在与其延伸方向垂直的方向上的线宽w3小于预设阈值；
所述预设阈值的设定，需要保证在湿刻制程中，所述第二光刻胶图形3032下方的膜层302能够从所述基底301上脱离。
步骤14：请参考图4中的(b)-(e)，对所述待构图的膜层302进行湿刻，使得所述第一光刻胶图形3031和所述第二光刻胶图形3032之间的膜层被刻蚀，所述第二光刻胶图形3032下方的膜层从所述基底301上脱离，所述第一光刻胶图形3031下方的膜层形成所述膜层图形2021。
步骤15：请参考图4中的(f)，剥离剩余的光刻胶。
当然，在本发明的其他一些实施例中，也不排除在完成步骤14之后，不执行步骤15的可能，即不执行剥离剩余的光刻胶，在后续的制程中，将剩余的光刻胶作为保护层对膜层图形进行保护。
本发明实施例中，在形成膜层图形的制程中，对光刻胶层进行构图，使得形成的光刻胶层包括对应膜层图形的第一光刻胶图形，和位于第一光刻胶图形两侧的第二光刻胶图形，在湿刻制程中，第二光刻胶图形下方的膜层能够对第一光刻胶图形下方的膜层进行保护，避免侧面的刻蚀液对第一光刻胶图形下方的膜层过度刻蚀，从而避免最终形成的膜层图形的底切问题，使得形成的膜层图形的垂直剖面呈正梯形，与现有技术中湿刻后的膜层图形相比，与基底的接触面积更大，提高了膜层图形的附着力，同时使得膜层图形的DICD与FIDC差异更小，保证产品精度，提高产品良率。
上述实施例中，每一组光刻胶图形包括：对应膜层图形的第一光刻胶图形3031，以及位于第一光刻胶图形3031的相对的两侧的两个第二光刻胶图形3032，在湿刻制程中，第二光刻胶图形3032下方的膜层能够对第一光刻胶图形3031下方的膜层进行保护，避免侧面的刻蚀液对第一光刻胶图形3031下方的膜层过度刻蚀。
当然，在本发明的其他一些实施例中，每一组光刻胶图形也可以包括：对应膜层图形的第一光刻胶图形，以及位于第一光刻胶图形的四周的四个第二光刻胶图形，在湿刻制程中，第二光刻胶图形下方的膜层能够对第一光刻胶图形下方的膜层进行更加全面的保护，避免侧面的刻蚀液对第一光刻胶图形下方的膜层过度刻蚀。
上述实施例中，第二光刻胶图形3032均为长条形(即长方形)图形，当然，在本发明的其他一些实施例中，也不排除第二光刻胶图形3032为长椭圆形等形状。当所述第二光刻胶图形3032为长椭圆形时，其延伸方向上的线宽等于长椭圆形的长轴的宽度，与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于长椭圆形的短轴的宽度。
上述实施例中，所述第二光刻胶图形3032在其延伸方向上的线宽等于所述第一光刻胶图形3031在同一方向上的线宽，当然，在本发明的其他一些实施例中，所述第二光刻胶图形3032在其延伸方向上的线宽也可以大于所述第一光刻胶图形3031在同一方向上的线宽。
本发明实施例中，优选地，所述第二光刻胶图形3032在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一光刻胶图形3031在同一方向上的线宽的5％～10％，该种宽度，能够保证在湿刻制程中，第二光刻胶图形3032下方的膜层能够不被提前刻蚀掉，以在湿刻制程中保护第一光刻胶图形3031下方的膜层，当需要的膜层图形刻蚀完成后，恰好又能够从基底301上脱离。
本发明实施例中，优选地，所述第二光刻胶图形3032与所述第一光刻胶图形3031之间的间距等于所述第一光刻胶图形3031在与所述第二光刻胶图形3032的延伸方向垂直的方向上的线宽的5％～10％，该种宽间距，能够保证在湿刻制程中，第一光刻胶图形3031下方的膜层不被过度刻蚀。
本发明实施例中，上述膜层优选地为采用金属或金属氧化物形成。金属和金属氧化物的构图过程通常采用湿刻工艺，容易出现形成的膜层图形底切的问题，采用本发明实施例的显示基板的制作方法制作金属或金属氧化物膜层图形时，能够避免形成的膜层图形底切的问题。当然，本发明实施例中的膜层也可以为采用其他材料的膜层。
本发明实施例中，所述膜层图形可以为金属走线，举例来说，显示区域内的栅线、数据线、或触控电极线，或者，非显示区域内的栅线走线、数据线走线或触控电极走线等。金属走线一般线宽较窄，如果出现底切，附着力降低，容易从显示基板上脱落，采用本发明实施例的显示基板的制作方法制作金属走线时，能够避免形成的金属走线底切的问题，提高显示基板的良率及性能。
本发明实施例中，优选地，所述膜层图形可以为非显示区域内的金属走线，尤其针对窄边框的显示产品，非显示区域内的金属走线通常线宽较窄，如果出现底切，附着力降低，容易从显示基板上脱落，采用本发明实施例的显示基板的制作方法制作非现实区域内的金属走线时，能够避免形成的金属走线底切的问题，提高显示基板的良率及性能。优选地，所述显示基板为触控显示基板，所述膜层图形为非显示区域内的触控电极走线。
下面以上述膜层图形为触控电极走线为例，对本发明实施例中的显示基板的制作方法进行举例说明。
本发明实施例中的显示基板的制作方法包括：
步骤21：将基底经清洗后，分别在基底上形成触控驱动电极(Tx)，触控感应电极(Rx)以及中间绝缘层；
步骤22：将上述显示基板经镀膜或涂覆一层金属层或其他导电材料层；
步骤23：将上述显示基板涂覆一层光刻胶，经黄光制程曝光，显影后得到多组光刻胶图形，每一组所述光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形对应待形成的触控电极走线，所述第二光刻胶图形位于所述第一光刻胶图形的相对的两侧，与所述第一光刻胶图形间隔设置，所述第二光刻胶图形在其延伸方向上的线宽等于所述第一光刻胶图形在同一方向上的线宽，所述第二光刻胶图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值；
步骤24：将上述显示基板放入刻蚀液中，随着反应时间的延长，其刻蚀过程如图4中(b)-(d)，最后得到如图4中(e)中的正梯形的光刻胶/金属复合膜图形；
步骤25：将剩余的光刻胶剥离(strip)，得到具有正梯形截面形貌的触控电极走线，如图4中(f)所示；上述触控电极走线与基底接触面积，较现有技术中形成的触控电极走线与基地的接触面积更大，与基底的坡度角更大，相比于现有的湿刻后的触控电极走线其FICD更大且成正梯形；
步骤26：将上述结构经异方性导电胶膜(ACF，Anisotropic Conductive Film)与柔性电路板(FPC，Flexible Printed Circuit)及集成电路(IC，Integrated Circuit)相接后即可得到具有触摸功能的触摸屏。
通过上述实施例提供的显示基板的制作方法，能够避免形成的触控电极走线底切的问题，提高显示基板的良率及性能，尤其针对窄边框的显示产品。
本发明实施例还提供一种显示基板，采用如上述任一实施例中所述的显示基板的制作方法制作而成，所述显示基板包括：基底，以及设置于所述基底上的膜层图形，所述膜层图形的垂直剖面呈正梯形。
优选地，所述膜层图形为非显示区域内的金属走线。
优选地，所述显示基板为触控显示基板，所述膜层图形为非显示区域内的触控电极走线。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述显示基板。
除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种掩膜版，其特征在于，用于形成显示基板上的膜层图形，所述掩膜版包括：
至少一组掩膜图形，每一组所述掩膜图形包括：对应所述膜层图形的第一图形，以及位于所述第一图形的至少相对的两侧的第二图形，所述第二图形与所述第一图形间隔设置，所述第二图形在其延伸方向上的线宽大于或等于所述第一图形在同一方向上的线宽，所述第二图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值，所述第一图形和第二图形均为透光图形或不透光图形。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一图形在同一方向上的线宽的5％～10％。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二图形与所述第一图形之间的间距等于所述第一图形在与所述第二图形的延伸方向垂直的方向上的线宽的5％～10％。
4.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成待构图的膜层和光刻胶层；
采用如权利要求1-3任一项所述的掩膜版，对所述光刻胶层进行曝光，并显影，形成至少一组光刻胶图形，每一组所述光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形，所述第二光刻胶图形位于所述第一光刻胶图形的至少相对的两侧，与所述第一光刻胶图形间隔设置，所述第二光刻胶图形在其延伸方向上的线宽大于或等于所述第一光刻胶图形在同一方向上的线宽，所述第二光刻胶图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽小于预设阈值；
对所述待构图的膜层进行湿刻，使得所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀，所述第二光刻胶图形下方的膜层从所述基底上脱离，所述第一光刻胶图形下方的膜层形成所述膜层图形。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶图形在与其延伸方向垂直的方向上的线宽等于所述第一光刻胶图形在所述同一方向上的线宽的5％～10％。
6.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶图形与所述第一光刻胶图形之间的间距等于所述第一光刻胶在与所述第二光刻胶图形的延伸方向垂直方向上的线宽的5％～10％。
7.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述膜层采用金属或金属氧化物形成。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述膜层图形为金属走线。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述膜层图形为非显示区域内的金属走线。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板为触控显示基板，所述膜层图形为非显示区域内的触控电极走线。
11.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求4-10任一项所述的方法制作而成，所述显示基板包括：
基底，以及设置于所述基底上的膜层图形，所述膜层图形的垂直剖面呈正梯形。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述膜层图形为非显示区域内的金属走线。
13.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为触控显示基板，所述膜层图形为非显示区域内的触控电极走线。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11-13任一项所述的显示基板。
CN201810097795.0A 2018-01-31 2018-01-31 一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置 Withdrawn CN108267926A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810097795.0A CN108267926A (zh) 2018-01-31 2018-01-31 一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置
US16/134,521 US10739930B2 (en) 2018-01-31 2018-09-18 Mask plate, display substrate, method for manufacturing display substrate, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810097795.0A CN108267926A (zh) 2018-01-31 2018-01-31 一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108267926A true CN108267926A (zh) 2018-07-10

Family

ID=62777034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810097795.0A Withdrawn CN108267926A (zh) 2018-01-31 2018-01-31 一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10739930B2 (zh)
CN (1) CN108267926A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7325167B2 (ja) * 2017-03-16 2023-08-14 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
CN111025842B (zh) * 2019-12-26 2023-06-20 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板、拼接曝光方法及基板
CN111796706A (zh) * 2020-05-22 2020-10-20 南昌欧菲显示科技有限公司 面板及其制备方法、触控显示屏和电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6258489B1 (en) * 1999-07-09 2001-07-10 Micron Technology, Inc. Mask design utilizing dummy features
US6566017B1 (en) * 2000-08-14 2003-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Semiconductor wafer imaging mask having uniform pattern features and method of making same
CN104977813A (zh) * 2014-04-10 2015-10-14 富士胶片株式会社 图案形成方法、硬化物、触摸屏或显示屏的制造方法以及显示装置
WO2017114725A1 (en) * 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Etch-assist features

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7068833B1 (en) * 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US6906780B1 (en) * 2001-09-20 2005-06-14 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field lens distortion
US6807662B2 (en) * 2002-07-09 2004-10-19 Mentor Graphics Corporation Performance of integrated circuit components via a multiple exposure technique
US7271947B2 (en) * 2002-08-16 2007-09-18 Sipix Imaging, Inc. Electrophoretic display with dual-mode switching
US8368183B2 (en) * 2004-11-02 2013-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor device
EP1764827A1 (en) * 2005-09-16 2007-03-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) Recursive spacer defined patterning
US20070128401A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Wintek Corporation Electrode separator
US8174014B2 (en) * 2006-02-16 2012-05-08 California Institute Of Technology Apparatus and method of manufacture for depositing a composite anti-reflection layer on a silicon surface
US8072601B2 (en) * 2007-02-28 2011-12-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern monitor mark and monitoring method suitable for micropattern
JP5395407B2 (ja) * 2008-11-12 2014-01-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 表示装置駆動用半導体集積回路装置および表示装置駆動用半導体集積回路装置の製造方法
US8187795B2 (en) * 2008-12-09 2012-05-29 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Patterning methods for stretchable structures
TWI474377B (zh) * 2010-03-25 2015-02-21 Winsky Technology Ltd A method of patterning a substrate and a method of manufacturing a capacitive touch panel
KR101669538B1 (ko) * 2010-08-11 2016-10-28 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린패널 및 그 제조방법
KR20120088990A (ko) * 2011-02-01 2012-08-09 삼성전자주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
WO2013074622A1 (en) * 2011-11-14 2013-05-23 Orthogonal, Inc. Method for patterning an organic material using a non-fluorinated photoresist
KR102023623B1 (ko) * 2012-07-03 2019-09-23 삼성전자 주식회사 반도체 소자 형성 방법
US9104104B2 (en) * 2013-04-24 2015-08-11 Orthogonal, Inc. Method of patterning a device
CN103777815B (zh) * 2014-01-20 2018-01-02 北京京东方光电科技有限公司 一种触控显示装置及其制作方法
US10324345B2 (en) * 2014-03-14 2019-06-18 Innolux Corporation Display device and display substrate
CN104241541B (zh) * 2014-09-15 2016-12-14 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及显示装置
JP6598202B2 (ja) * 2014-10-30 2019-10-30 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体レーザの製造方法
US9754785B2 (en) * 2015-01-14 2017-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing semiconductor devices
US9324570B1 (en) * 2015-03-13 2016-04-26 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing semiconductor device
CN105353913B (zh) * 2015-11-27 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种电极层、触控面板及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6258489B1 (en) * 1999-07-09 2001-07-10 Micron Technology, Inc. Mask design utilizing dummy features
US6566017B1 (en) * 2000-08-14 2003-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Semiconductor wafer imaging mask having uniform pattern features and method of making same
CN104977813A (zh) * 2014-04-10 2015-10-14 富士胶片株式会社 图案形成方法、硬化物、触摸屏或显示屏的制造方法以及显示装置
WO2017114725A1 (en) * 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Etch-assist features

Also Published As

Publication number Publication date
US10739930B2 (en) 2020-08-11
US20190235669A1 (en) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7214642B2 (ja) タッチ基板及びその製造方法、表示パネル
CN109976578A (zh) 触控基板及其制作方法、触控显示装置
CN108267926A (zh) 一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置
JP5777153B2 (ja) アレイ基板のマザーボードの製造方法
US9303969B2 (en) Method for detecting pattern offset amount of exposed regions and detecting mark
CN101441545A (zh) 电容式触控屏及其制造方法
WO2020173178A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板
CN104536614B (zh) 石墨烯传感器及其制作方法和触控显示装置
CN105159515A (zh) 触控结构及其制作方法、触控基板和显示装置
CN104635416A (zh) 一种掩膜板及阵列基板的制造方法
CN100587602C (zh) 制造印版的方法以及使用该方法制造液晶显示器件的方法
JPH1184367A (ja) プラスチックカラーフィルターの製造方法および該製造方法により製造したカラーフィルター
CN103091912B (zh) 阵列基板与具有该阵列基板的液晶面板及其制造方法
TW201706806A (zh) 電極連接單元及包括其的電裝置
CN108231692A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
CN105446037B (zh) 显示基板及其制作方法、显示器件
CN206505399U (zh) 用于显示装置的基板以及触控显示装置
EP2755083B1 (en) Array substrate for a TFT-LCD and manufacturing method thereof
EP0645807B1 (en) Semiconductor device
CN100498476C (zh) 一种形成用于可精密切割和对齐的液晶显示器面板的方法
CN107221497B (zh) 导线的制造方法和显示面板
JP3671536B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
CN108334240A (zh) 触控面板的制作方法、触控面板及显示设备
CN108803159A (zh) 一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板
CN213601876U (zh) 一种太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20180710

WW01 Invention patent application withdrawn after publication