CN108265283A - 低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法 - Google Patents

低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108265283A
CN108265283A CN201810025102.7A CN201810025102A CN108265283A CN 108265283 A CN108265283 A CN 108265283A CN 201810025102 A CN201810025102 A CN 201810025102A CN 108265283 A CN108265283 A CN 108265283A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ionic liquid
type ionic
preparation
eutectic type
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810025102.7A
Other languages
English (en)
Inventor
张启波
孙长彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunming University of Science and Technology
Original Assignee
Kunming University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunming University of Science and Technology filed Critical Kunming University of Science and Technology
Priority to CN201810025102.7A priority Critical patent/CN108265283A/zh
Publication of CN108265283A publication Critical patent/CN108265283A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/02Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using non-aqueous solutions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01Products
    • C25B1/02Hydrogen or oxygen
    • C25B1/04Hydrogen or oxygen by electrolysis of water
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/04Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
    • C25B11/051Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
    • C25B11/073Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material
    • C25B11/075Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material consisting of a single catalytic element or catalytic compound
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/008Selection of materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/36Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

本发明公开低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,属于能源材料制备技术领域,本发明将硫盐前驱体加入到低共熔型离子液体中,加热搅拌形成离子液体‑硫盐复合溶液,再将清洗过的镍基体直接浸泡在该低共熔型离子液体中,通过控制温度与时间,使镍基体进行原位硫化,最后将镍基体反复冲洗,在真空干燥箱中进行室温干燥后即可得到Ni3S2;本发明所制备的Ni3S2材料具有多功能,性能良好,稳定性好,价格低廉,工艺简单等优点。

Description

低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法
技术领域
本发明涉及低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,主要应用于材料制备领域。
背景技术
随着人类文明的进步与发展,全球不可再生能源的日益消耗,能源已成为限制21世纪人类发展的巨大阻力;同时随着化石燃料的使用,地球的环境遭到严重的破坏。因此,寻找一种无污染、可再生、资源丰富的能源成为人类发展的重要目标。
现开发的清洁能源中,氢能具有无污染、可再生、来源广泛、资源丰富、燃烧热高等优点,是作为替代化石燃料能源的不二之选。当前的制氢技术主要包括太阳能制氢、化石燃料制氢、生物制氢、电解水制氢等,在众多制氢技术中,电解水制氢具有体独特优势:操作简单、无污染、氢气纯度高等。过高的析氢过电位是限制电解水的重要因素,可通过提高析氢材料的活性来降低析氢过电位。一种是通过寻找具有高催化活性的新型催化材料,另一种是通过提高电极表面的粗糙度,从而提高电极真实比表面积。而镍基析氢活性电极具有较高的析氢活性,一方面是由于当镍基电极具有特定的结晶结构或者可进行催化的成分时,可使镍基析氢电极与溶液中的活性H构成的化学键具有合适的吸附键强度,从而在析氢过程中增强活性H吸附与脱附的能力,从而可有效的降低析氢电化学过程中的极化阻力,以提高电极的析氢电催化活性;另一方面镍基析氢材料由于真实表面积远大于表观面积,可有效的增加电解液与镍基析氢电极材料的接触面积,因此可以在较高电流密度的析氢过程中有效降低电极的真实电流密度,进而降低析氢过程中镍基电极材料的析氢过电位。
虽然氢能具有广阔的应用前景,并且随着高性能的析氢电极材料的研究和发展,电解水工艺中析氢半反应效率得到极大提高,但由于电解水中析氧半反应所需较高的过电位,导致电解水析氢所需的能源消耗较大,因此需要寻找高效的、可降低析氧过电位的新型能源材料。由镍直接硫化形成的Ni3S2具有较大的空隙有利于电解液的流动,气体的扩散,同时可提高真实活性表面积,从而促进析氧反应的进行。同时Ni3S2独特的晶体结构有利于对催化中间产物活性O的吸附与脱附,降低析氧过电位,减少电解水的能源消耗。
超级电容器作为当代社会一种极其重要的电能储存器,同时具备电池与物理电容器的特性,可以提供比电池更高的功率密度以及更长的循环寿命,比物理电容器更高的能量密度。相对于传统电容器,超级电容器具有超高电容量,充放电速度快,其原因在于(1)充放电的距离短,通常为纳米级别,因此可获得较大的电容量;(2)电极可为具有较高真实比表面积的电极材料,以获得更高的电容量。根据储能机理,人们将超级电容器分为基于高比表面积电极材料与溶液间界面双电层原理的双电层电容器以及基于氧化还原法拉第过程或电化学欠电位沉积的赝电容器。赝电容器的性能取决于电极表面电化学反应效率的强弱,因此可通过制备纳米多孔的电极材料来提高真实活性比表面积。在众多赝电容电极材料中,镍基材料具有较高的比容量、优良的比率特性、良好的氧化还原反应活性等优势,因此镍基材料多用于超级电容器电极材料的制备。
Ni3S2不仅能用于电解水的析氢半反应和析氧半反应,也可作为赝电容器的电极材料,用途十分广泛。同时,Ni3S2作为催化材料具有较高的析氧和析氢效率,作为电极材料具有较高的比电容。现在制备Ni3S2材料所采用的方法主要为水热法,其过程是先将盐溶解在水溶液中,然后转移到密闭水热反应釜中,在设定温度下进行反应,最后得到所需样品。其缺点在于需在高于150℃下进行,反应需在密闭条件下进行,且反应过程中有有毒物质生成。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题及不足,本发明提供低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法。本发明可以多种形式的镍作为基体,将镍基体浸泡在以硫盐为前驱体制成的低共熔型离子液体中,通过原位硫化的方法制备出Ni3S2材料。本发明具有可控、反应温度低、价格廉价、无污染、工艺简单、产品质量稳定等优势。
本发明提供的技术路线是:以低共熔型离子液体作为电解质,以镍作为基体,以硫盐为前驱体,在恒温环境下进行原位硫化,具体步骤如下:
(1)将季铵盐与醇类或酰胺按照1︰2~3的摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫盐前驱体加入到低共熔型离子液体中,在60~80℃搅拌均匀后得到离子液体-硫盐复合溶液,其中硫盐在低共熔型离子液体中的浓度为0.03~0.30mol/L;
(2)以镍为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理;
(3)将步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化1~24h,硫化温度控制在333~373K,将硫化后的基体经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2
步骤(1)所述季铵盐为氯化胆碱、四甲基氯化铵或氯乙酰胆碱。
步骤(1)所述醇类为乙二醇或聚乙二醇。
步骤(1)所述酰胺为尿素、乙酰胺或二甲基乙酰胺。
步骤(1)所述硫盐前驱体为硫脲、硫代硫酸钠或硫代乙酰胺;
步骤(2)所述镍为镍丝、镍片或泡沫镍。
本发明的有益效果为:采用该方法制备Ni3S2材料的方法简单,无污染,不涉及传统酸碱,反应温度低,反应能耗低,产品质量稳定;所制备的Ni3S2材料可作为催化剂电解析氢与析氧,也可作为赝电容器的电极材料,具有多方面的应用前景。
附图说明
图1实施例1中Ni3S2材料的XRD图;
图2实施例1中Ni3S2材料的SEM图;
图3实施例2中Ni3S2材料的能谱数据;
图4实施例3中Ni3S2材料的CV曲线;
图5实施例4中Ni3S2材料的充放电曲线;
图6实施例5中Ni3S2材料的HER曲线;
图7实施例6中Ni3S2材料的OER曲线。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式,对本发明作进一步说明。
实施例1
低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,具体步骤如下:
(1)将氯化胆碱和乙二醇按照1︰2的摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫脲加入到10mL低共熔型离子液体中,在60℃搅拌均匀后得到硫脲浓度为0.03mol/L的离子液体-硫盐复合溶液;
(2)以泡沫镍(0.5cm×3cm×0.06cm)为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理,稀盐酸、丙酮、无水乙醇均为常规市购得到,下同;
(3)将经由步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化24h,硫化温度控制在353K,将硫化后的基体泡沫镍经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2
本实施实例所制备的Ni3S2材料的XRD和SEM图如图1、2所示,通过分析XRD图,可以得到泡沫镍在离子液体-硫盐复合溶液中经过硫化后,在泡沫镍表面的物质为Ni3S2;通过SEM图可以看出泡沫镍在离子液体-硫盐复合溶液中硫化后,表面生成分布均匀的小颗粒,极大增加了反应表面积,这更有利于Ni3S2作为催化材料电解水,同时有利于Ni3S2作为电极材料储存电子。
实施例2
低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,具体步骤如下:
(1)将氯化胆碱和乙二醇按照1︰2的摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫脲加入到10mL低共熔型离子液体中,在60℃搅拌均匀后得到硫脲浓度为0.15mol/L的离子液体-硫盐复合溶液;
(2)以镍片(0.5cm×3cm×0.06cm)为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理;
(3)将经由步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化20h,硫化温度控制在333K,将硫化后的基体镍片经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2
本实施实例所制备的Ni3S2材料的能谱数据如图3所示,通过能谱数据可以更直观的观察到镍片在离子液体-硫盐复合溶液中硫化所得表面硫化物得元素Ni与S的比例为3︰2,验证了镍片表面生成Ni3S2的事实。
实施例3
低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,具体步骤如下:
(1)将四甲基氯化铵和乙酰胺以1︰2的摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫脲加入到10mL低共熔型离子液体中,在80℃搅拌均匀后得到硫脲浓度为0.25mol/L的离子液体-硫盐复合溶液;
(2)以镍片(0.5cm×3cm×0.06cm)为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理;
(3)将经由步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化1h,硫化温度控制在353K,将硫化后的基体镍片经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2
本实施实例所制备的Ni3S2材料的CV曲线图如图4所示,测试采用标准的三电极体系,将硫化后镍片作为工作电极,铂柱电极作为对电极,Hg/HgO电极作为参比电极,1.0mol/L的KOH作为电解液,在电化学工作站上进行不同扫速的CV扫描,可以清晰地看出随着扫速的增加,氧化峰与还原峰发生有规律的偏移,表明镍片表面发生了氧化还原反应。
实施例4
低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,具体步骤如下:
(1)将氯乙酰胆碱和二甲基甲酰胺以1︰3的摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫代硫酸钠加入到10mL低共熔型离子液体中,在70℃搅拌均匀后得到硫代硫酸钠浓度为0.06mol/L的离子液体-硫盐复合溶液;
(2)以泡沫镍(0.5cm×3cm×0.06cm)为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理;
(3)将经由步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化1h,硫化温度控制在373K,将硫化后的基体泡沫镍经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2
本实施实例所制备的Ni3S2材料的充放电曲线图如图5所示,测试采用标准的三电极体系,将硫化后泡沫镍作为工作电极,铂柱电极作为对电极,Hg/HgO电极作为参比电极,1.0mol/L的KOH作为电解液,在电化学工作站上进行不同电流密度下充放电测试。由图可以得出在离子液体-硫盐复合溶液中硫化得到的泡沫镍具有较高的面积比电容,可作为赝电容器的电极材料。
实施例5
低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,具体步骤如下:
(1)将氯乙酰胆碱和聚乙二醇以1︰2.5的摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫代硫酸钠加入到10mL低共熔型离子液体中,在80℃搅拌均匀后得到硫代硫酸钠浓度为0.03mol/L的离子液体-硫盐复合溶液;
(2)以镍丝(Φ0.5cm,长度1.5cm)为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理;
(3)将经由步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化12h,硫化温度控制在333K,将硫化后的基体镍丝经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2
本实施实例所制备的Ni3S2材料的HER曲线图如图6所示,测试采用标准的三电极体系,将硫化后镍丝作为工作电极,铂柱电极作为对电极,Hg/HgO电极作为参比电极,1.0mol/LKOH作为电解液,在电化学工作站上进行电极材料的析氢测试,可以看出镍丝硫化后表面生成的Ni3S2具有一定的析氢性能。
实施例6
低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,具体步骤如下:
(1)将氯化胆碱和尿素以1︰2的摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫代硫酸钠加入到10mL低共熔型离子液体中,在60℃搅拌均匀后得到硫代硫酸钠浓度为0.03mol/L的离子液体-硫盐复合溶液;
(2)以镍丝(Φ0.5cm,长度1.5cm)为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理;
(3)将经由步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化8h,硫化温度控制在353K,将硫化后的基体镍丝经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2
本实施实例所制备的Ni3S2材料的OER曲线图如图7所示,测试采用标准的三电极体系,将硫化后镍丝作为工作电极,铂柱电极作为对电极,Hg/HgO电极作为参比电极,1.0mol/LKOH作为电解液,在电化学工作站上进行电极材料的析氢测试,可以看出镍丝硫化后表面生成的Ni3S2具有一定的析氧性能。
实施例7
低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,具体步骤如下:
(1)将氯乙酰胆碱和二甲基甲酰胺以1︰3摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫代硫酸钠加入到10mL低共熔型离子液体中,在60℃搅拌均匀后得到硫代硫酸钠浓度为0.3mol/L的离子液体-硫盐复合溶液;
(2)以镍丝(Φ0.5cm,长度1.5cm)为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理;
(3)将经由步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化2h,硫化温度控制在353K,将硫化后的基体镍丝经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2
实施例8
低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,具体步骤如下:
(1)将四甲基氯化铵和乙酰胺以1︰2.5摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫代乙酰胺加入到10mL低共熔型离子液体中,在60℃搅拌均匀后得到硫代乙酰胺浓度为0.05mol/L的离子液体-硫盐复合溶液;
(2)以泡沫镍(0.5cm×3cm×0.06cm)为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理;
(3)将经由步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化10h,硫化温度控制在333K,将硫化后的基体泡沫镍经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2

Claims (6)

1.低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)将季铵盐与醇类或酰胺按照1︰2~3的摩尔比混合均匀得到低共熔型离子液体,然后将硫盐前驱体加入到低共熔型离子液体中,在60~80℃搅拌均匀后得到离子液体-硫盐复合溶液,其中硫盐在低共熔型离子液体中的浓度为0.03~0.30mol/L;
(2)以镍为工作基体,经稀盐酸超声、丙酮超声、无水乙醇超声、去离子超声对工作基体表面进行清洁处理;
(3)将步骤(2)清洁处理的镍作为基体,在步骤(1)配制的离子液体-硫盐复合溶液中恒温硫化1~24h,硫化温度控制在333~373K,将硫化后的基体经丙酮、去离子水反复冲洗,真空室温干燥后即可得到Ni3S2
2.根据权利要求1所述低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,其特征在于,步骤(1)所述季铵盐为氯化胆碱、四甲基氯化铵或氯乙酰胆碱。
3.根据权利要求1所述低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,其特征在于,步骤(1)所述醇类为乙二醇或聚乙二醇。
4.根据权利要求1所述低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,其特征在于,步骤(1)所述酰胺为尿素、乙酰胺或二甲基乙酰胺。
5.根据权利要求1所述低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,其特征在于,步骤(1)所述硫盐前驱体为硫脲、硫代硫酸钠或硫代乙酰胺。
6.根据权利要求1所述低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,其特征在于,步骤(2)所述镍为镍丝、镍片或泡沫镍。
CN201810025102.7A 2018-01-11 2018-01-11 低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法 Pending CN108265283A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810025102.7A CN108265283A (zh) 2018-01-11 2018-01-11 低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810025102.7A CN108265283A (zh) 2018-01-11 2018-01-11 低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108265283A true CN108265283A (zh) 2018-07-10

Family

ID=62773493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810025102.7A Pending CN108265283A (zh) 2018-01-11 2018-01-11 低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108265283A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109192981A (zh) * 2018-09-03 2019-01-11 南京大学深圳研究院 一种泡沫二硫化三镍正极材料及其制备方法与应用
CN112723421A (zh) * 2021-02-03 2021-04-30 江西理工大学 一种FeMnSx纳米片簇及其制备方法
CN113526564A (zh) * 2021-07-08 2021-10-22 电子科技大学 一种超长循环寿命的超级电容器正极材料CoV2O6的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102732862A (zh) * 2012-07-18 2012-10-17 哈尔滨工业大学 铜箔上置换镀Ni-S合金阻挡层的方法及该阻挡层的化学钝化方法
CN103606462A (zh) * 2013-11-15 2014-02-26 黑龙江大学 一种NiS/Ni3S2用于染料敏化太阳能电池对电极的制备方法
CN104201380A (zh) * 2014-08-19 2014-12-10 北京科技大学 一种具有片层结构的纳米Ni3S2材料的制备方法
CN104261491A (zh) * 2014-10-10 2015-01-07 湘潭大学 一种高纯度二硫化镍的合成方法
CN106623969A (zh) * 2016-11-23 2017-05-10 昆明理工大学 一种低共熔型离子液体置换沉积制备纳米镍硫合金的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102732862A (zh) * 2012-07-18 2012-10-17 哈尔滨工业大学 铜箔上置换镀Ni-S合金阻挡层的方法及该阻挡层的化学钝化方法
CN103606462A (zh) * 2013-11-15 2014-02-26 黑龙江大学 一种NiS/Ni3S2用于染料敏化太阳能电池对电极的制备方法
CN104201380A (zh) * 2014-08-19 2014-12-10 北京科技大学 一种具有片层结构的纳米Ni3S2材料的制备方法
CN104261491A (zh) * 2014-10-10 2015-01-07 湘潭大学 一种高纯度二硫化镍的合成方法
CN106623969A (zh) * 2016-11-23 2017-05-10 昆明理工大学 一种低共熔型离子液体置换沉积制备纳米镍硫合金的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LIANG-LIANG FENG ET AL.: "High-Index Faceted Ni3S2 Nanosheet Arrays as Highly Active and Ultrastable Electrocatalysts for Water Splitting", 《J. AM. CHEM. SOC.》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109192981A (zh) * 2018-09-03 2019-01-11 南京大学深圳研究院 一种泡沫二硫化三镍正极材料及其制备方法与应用
CN112723421A (zh) * 2021-02-03 2021-04-30 江西理工大学 一种FeMnSx纳米片簇及其制备方法
CN113526564A (zh) * 2021-07-08 2021-10-22 电子科技大学 一种超长循环寿命的超级电容器正极材料CoV2O6的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106531456B (zh) 一种基于CuCo2S4的超级电容器材料及其制备和应用
CN108054019B (zh) 叠层结构NiCo2S4@NixCo(1-x)(OH)2复合材料的制备方法及应用
CN107275105B (zh) 超级电容器电极材料及其制备方法
CN102509640B (zh) 超级电容用石墨烯/镍铝双金属氢氧化物复合材料的电化学制备方法
CN108615610A (zh) 一种以泡沫镍为基底原位生长钴锰双金属氢氧化物复合材料的方法
CN106315522B (zh) 一种用于超级电容器的NiSe三维多孔纳米片材料及其制备方法
CN106340396B (zh) 一种泡沫镍为基底的CdCo2S4纳米结构超级电容器电极材料的制备方法
CN104900419B (zh) 使用CNTs@SiO2@Ni/Al‑LDH核壳结构为正极材料的超级电容器
CN106057480B (zh) 用于超级电容器的三维多孔硒化物纳米复合材料及其制备方法
CN105957728B (zh) 一种镍‑钴双氢氧化物/NiCo2S4复合纳米材料、其制备方法及作为超级电容器电极材料的应用
CN104701036A (zh) 基于分级花状NiCo2O4超级电容器电极材料的研究
CN102664107B (zh) 一种纳米二氧化锰电极的制备方法
CN109192535A (zh) 一种碳基金属双氢氧化物超级电容器电极材料的制备方法
CN106098397B (zh) 用于超级电容器的NiSe-Ni3Se2三维松叶状纳米材料及其制备方法
CN107326384A (zh) 八硫化九钴与二氧化钛的复合材料及其制备方法和应用
CN106206055A (zh) 一种层状钴锌双氢氧化物‑石墨烯复合物超级电容器电极的制备方法
CN105826082B (zh) 一种整体式超级电容器电极材料的制备方法及其应用
CN105742625B (zh) 具有层状夹心结构的纳米电极材料及其制备方法和应用
CN108265283A (zh) 低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法
CN109767924A (zh) 一种ldh基超级电容器复合电极材料及制备方法与用途
CN109390162A (zh) 一种具有优异电化学性能的锰钴硫化物/还原氧化石墨烯复合材料及制备方法
CN108133831A (zh) 一种Ni3S2@rGO@LDHs的制备方法
CN109786135A (zh) 一种氧化铜@钼酸镍/泡沫铜复合电极材料及其制备方法
CN106006576A (zh) 一种用作超级电容器电极材料的纳米材料及其制备方法
CN106449136A (zh) α‑氢氧化镍钴电极材料及其制备方法与应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180710