CN108260366B - 电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片及其制造方法 - Google Patents

电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片。本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片包括：临时成型石墨片，所述临时成型石墨片是将石墨基底成型为片状并使其具有0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度而形成为结晶结构不完整的状态；以及多孔金属片，所述多孔金属片的叠置所述临时成型石墨片并通过加压成型粘附结合成一体以具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，所述多孔金属片上形成有多个上下面连接的孔隙。

Description

电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片及其制造 方法
技术领域
本发明涉及一种用于手机、OLED TV、LED等电子设备以实现稳定的电磁波吸波及屏蔽和保障电子设备的优秀散热特性的融合片及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片，将石墨基底加压成型准备结晶结构处于不完整状态的临时成型石墨片且在其一面上压附以烧结或电铸等形成有孔隙的多孔金属片而结合成型为一体，以保障低成本及高效率的电磁波吸波及屏蔽和散热特性。
背景技术
近年来，随着高性能便携式无线信息终端以及与有线/无线通信网联网运行的家电产品等各种高科技电子设备的迅速普及，用于这些电子设备的电子元件的高度集成化及宽带化造成电磁波产生源、设备散热必要性增加。也就是说，随着高性能智能手机和平板电脑等无线信息终端以及与有线/无线通信网联网运行的冰箱、家用燃气锅炉、监控器等各种电子设备或者受电子设备控制的装置普及速度加快，用于这些电子设备的电子元件的高度集成化及宽带化造成电磁波产生源、设备散热必要性增加。
电磁波(Electromagenetic Waves)是指周期性发生强度变化的电磁场通过空间传播的现象，不仅其频率和波长就连电磁特性也应用于各种电气/电子设备或者通信设备等各种领域和用途。这种电磁波对人体的影响可通过以下方面了解，比如微波炉或手机等的微波(Microwave)引起的热作用、或者查明起因为电磁波的各种症状，例如电脑、显示器等辐射的有害电磁波导致的头痛、视觉障碍等VDT综合症(Video DisplayTerminalSyndrome)等。除此之外，还有研究报告显示送电线附近居民的患癌率增加以及手机重度使用者患上脑肿瘤等。
特别是，移动通信技术的发展以及个人通信业务的大众化导致人们毫无防备地暴露在手机等移动通信设备的高频率电磁波下，因此关于移动通信设备使用过程中头盖骨部位的体温上升等对人体可能会产生的坏影响，不断地进行研究及反映问题。电磁波不仅对人体有害，而且由于电磁干扰(EMI:Electro Magnetic Interference)还会扰乱其他电磁波，因此对电气/电子设备本身也可能成为引发设备障碍的原因，尤其随着电气/电子设备的小型化及集成化，不仅外部电磁波而且本身产生的电磁波导致出现障碍及故障的可能性并存。
为了避免电磁波对设备的影响，一般采用如下方式：在电气/电子设备的壳体或者主要电路上粘附导电性金属板(又称屏蔽罩)以金属板形式组成电磁波屏蔽件、或者涂覆电磁波屏蔽涂料即电磁干扰(Electro Magnetic Interference)屏蔽涂料(或真空沉积、溅射等干式涂镀)来屏蔽不必要的电磁波。
然而，手机或智能手机等便携式无线信息终端其一面上配置有显示面板，因此除了显示面板之外，对其他部分可以实现屏蔽，但是存在被屏蔽的电磁波通过显示面板辐射的问题。
目前，为了解决这些问题，各企业采用了散热片和EMI屏蔽片两种，但今后为了降低成本及提高效率，预计对两种功能性片材合二为一的混合型功能性片材的需求会急剧增加。比如随着对高发热电子设备之一的LED及各种半导体、电子电器元件、汽车相关元件的需求增加，散热元件相较于2011年增长38.3％达到了4219亿日元、散热材料增长3.4倍达到了37亿日元。
此外，对于手机的MSM(Mobile Solution Module)芯片，Full模式驱动时芯片的最高温度会达到80℃以上，温度上升幅度大。由于手机等超薄型数码设备没有可安装散热器(Heat Sink)的多余空间，最有效的方法是采用热扩散构件使热点(Hot spot)的温度扩散至整个空间以降低平均温度。因此，需要开发出一种制造成水平方向的导热性高以及如现有粘贴膜柔软且粘合性优秀的片材形状的技术。由此可以确认，急需开发出一种基于电子设备高性能化的有效的电磁波吸波及屏蔽技术。
另外，还急需开发出一种基于电子设备高性能化的有效的散热技术，为了解决这一问题，韩国授权专利第10-0755014号提出了涂覆导热性粘接剂的石墨散热片，在权利要求5公开了一种涂覆导热性粘接剂的石墨散热片，其特征在于：所述涂覆导热性粘接剂的石墨散热片包括：石墨散热片，其形成为厚度为0.5mm至60mm的片状；导热性粘接剂，其涂覆在所述石墨散热片的一侧面上，所述导热性粘接剂是将聚二甲基硅氧烷25重量％至45重量％和硅树脂20重量％至30重量％在碱催化剂下反应而得到的硅粘接剂与导热性填料25重量％至55重量％搅拌而成；剥离纸，其粘附在导热性粘接剂上方；涂覆溶液，其涂覆在所述石墨散热片的另一侧面上，所述涂覆溶液是将由甲基丙烯酸甲酯16.6重量％和甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷16.6重量％、异丙醇32.2重量％、乙酸丁酯32.2重量％及过氧化苯甲酰0.4重量％组成的混合物与钛酸四丁酯10重量％和2％乙基己醇溶液的氯铂酸10重量％混合而成。
具有如上结构的现有技术的涂覆导热性粘接剂的石墨散热片，在石墨散热片的一侧面上涂覆了聚二甲基硅氧烷和硅树脂及导热性填料混合而成的导热性粘接剂，从而容易粘接在显示器产品上且改善了导热性，而且在石墨散热片的另一侧面上涂覆了由甲基丙烯酸甲酯-三烷氧基硅烷组成的共聚物涂覆溶液，从而使石墨粉不致飞散。
然而，根据所述现有技术的涂覆导热性粘接剂的石墨散热片是将天然或人工石墨粉固结而成的片材，通过在石墨层的外面形成粘接层和共聚物涂覆溶液而保持其形态，而弯曲变形或外力会导致石墨层容易产生裂纹或损坏，因此存在散热性能不良的问题。由于粉末固结状态的石墨层的耐久性对外部冲击相当敏感，因此不仅在制造、搬运及保存过程中应当非常注意，而且在粘附在显示器等电子设备时也应当非常注意，特别是存在难以大面积批量生产的问题。
此外，将较昂贵的石墨用于大面积显示器等电子设备，不仅技术上存在困难，而且需要专用装备等，因而批量生产性差，低成本制造存在困难。
因此，不可能单独使用石墨片，由此出现了在石墨片两面加设保护层的方法，但此时存在散热特性因保护层的物理特性而降低的问题，还存在耐久性仍然较低的弊端。
发明内容
技术问题
为了解决如上所述的现有技术中存在的问题，本发明提供一种电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片，该融合片将由导热性优秀的金属组成的多孔性金属制成的多孔金属片作为基底，并在该多孔金属片的一侧表面上加压成型石墨基底，通过将结晶结构处于不完整状态的临时成型石墨片叠置的状态下利用压机或压辊等加压装置以高压进行加压，使所述石墨基底的一部分浸渗到多孔金属片的孔隙中强力结合，从而不用现有的粘合性树脂或粘接剂材料等也能结合为物理上牢固的一体化状态。
另外，本发明提供一种基于多孔金属片所具有的微小孔隙通过吸收、漫反射将电磁波转换成热能、耗散的技术理论的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片。
此外，本发明另一实施例提供一种电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片及其制造方法，通过将包含石墨的组合物或有机/无机系列树脂或铝系列金属粘附在形成有孔隙的多孔金属片的表面上形成为一体，可成型为具有弹性和耐久性的多孔薄膜片状，从而可适用于各种电子设备，并且通过抑制外力导致的裂纹等损伤，最终提高应用产品的商品价值，还可以实现用于大型显示器等的大面积片材的生产。
技术方案
为了实现上述目的，本发明优选实施例提供一种电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片，所述电磁波吸波及屏蔽用融合片，其特征在于，包括：临时成型石墨片，所述临时成型石墨片是将石墨基底成型为片状并使其具有0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度而形成为结晶结构不完整的状态；以及多孔金属片，所述多孔金属片的一面上叠置所述临时成型石墨片并通过加压成型粘附结合成一体以具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，所述多孔金属片上形成有多个上下面连接的孔隙。
所述电磁波吸波及屏蔽用融合片其特征在于，多孔金属片的孔隙大小为0.01mm～0.5mm，超强散热用融合片其特征在于，多孔金属片形成有多个0.001mm～0.05mm的孔隙。
本发明的一个特征在于，临时成型石墨片是将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中使用有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物中的任何一种混合物成型。
本发明的另一个特征在于，多孔金属片是将粒度大小为1μm～200μm的铜、锡、锌、铝、不锈钢系列金属粉末在比熔融温度低10～30％的温度下加热烧结后加压而成的烧结片。
本发明的又一个特征在于，多孔金属片是将高温下气化或液化的树脂制成的成型模电铸浸渍后通电进行金属电镀而形成电镀层，再对该成型模进行加热去除树脂的金属电铸片。
本发明的又一个特征在于，多孔金属片是在铜、锡、锌、铝、不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、蚀刻法形成孔隙的片材，所述孔隙包括：曲面部，所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；以及斜面部，所述斜面部从曲面部向内侧直径逐渐减小。
本发明的又一个特征在于，多孔金属片是将截面为圆形的金属材料制成的纵线和横线彼此交错编织而成的网状片材。
本发明的又一个特征在于，所述多孔金属片进一步具有由金属及有机/无机系列树脂制成的散热膜层，所述散热膜层通过加压或涂覆或浸渗一体地粘附形成在未粘附所述石墨片的另一面上，所述散热膜层的一部分通过形成在多孔金属片表面上的孔隙浸渗到相反侧的所述石墨片侧而结合，所述散热膜层是在表面上叠置将PVC、PC、氨基甲酸乙酯、硅酮、ABS、UV中任何一种或一种以上的绝缘树脂组合物涂覆而形成的绝缘体或者将具有粘合成分的树脂涂覆而成的粘接体或者将双面胶带粘附而成的粘合体或者将铝或铝合金制成的薄板粘附而成的金属薄板中的任何一种或一种以上而形成。
为了实现上述目的，本发明的优选实施例1提供一种电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；多孔金属片成型步骤，将作为熔融温度为300℃～1800℃的铜系列、锡系列、锌系列、铝系列、不锈钢系列金属粉末粒度大小为1μm～200μm的金属粉末在比熔融温度低10～30％的温度环境条件下加热10分钟～300分钟，以成型为具有0.05mm～3.0mm的孔隙的多孔烧结体即多孔金属片；融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为1.6g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.01mm～0.5mm。
为了实现上述目的，本发明的优选实施例2提供一种电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；临时成型多孔金属片成型步骤，在用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模外表面上涂覆通电液体以形成通电层，然后电铸浸渍并通电进行金属电镀以形成电镀层，之后加热所述成型模以去除树脂；多孔金属片成型步骤，对所述临时成型多孔金属片进行1次～10次加压，以使厚度变成0.01mm～50mm；融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为1.6g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.01mm～0.5mm。
为了实现上述目的，本发明的优选实施例3提供一种电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；多孔金属片成型步骤，所述多孔金属片是在铜、锡、锌、铝、不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、蚀刻法形成孔隙的片材，所述孔隙包括：曲面部，所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；以及斜面部，所述斜面部从曲面部向孔内侧直径逐渐减小；融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，孔隙大小为0.01mm～0.5mm。
为了实现上述目的，本发明的优选实施例4提供一种电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；多孔金属片成型步骤，所述多孔金属片是将截面为圆形的金属材料制成的纵线和横线彼此交错编织而成且所述纵线和横线之间形成孔隙的网状；融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为1.6g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.01mm～0.5mm。
为了实现上述目的，本发明的优选实施例1提供一种电子设备超强散热用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；多孔金属片成型步骤，将作为熔融温度为300℃～1800℃的铜系列、锡系列、锌系列、铝系列、不锈钢系列金属粉末粒度大小为1μm～200μm的金属粉末在比熔融温度低10～30％的温度环境条件下加热10分钟～300分钟，以成型为具有0.001mm～3.0mm的孔隙的多孔烧结体即多孔金属片；融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为1.6g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.001mm～0.05mm。
为了实现上述目的，本发明的优选实施例2提供一种电子设备超强散热用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；临时成型多孔金属片成型步骤，在用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模外表面上涂覆通电液体以形成通电层，然后电铸浸渍并通电进行金属电镀以形成电镀层，之后加热所述成型模以去除树脂；多孔金属片成型步骤，对所述临时成型多孔金属片进行1次～10次加压，以使厚度变成0.01mm～50mm；融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为1.6g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.001mm～0.05mm。
为了实现上述目的，本发明的优选实施例3提供一种电子设备超强散热用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；多孔金属片成型步骤，所述多孔金属片是在铜、锡、锌、铝、不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、蚀刻法形成孔隙的片材，所述孔隙包括：曲面部，所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；以及斜面部，所述斜面部从曲面部向孔内侧直径逐渐减小；融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为1.6g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.001mm～0.05mm。
为了实现上述目的，本发明的优选实施例4提供一种电子设备超强散热用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；多孔金属片成型步骤，所述多孔金属片是将截面为圆形的金属材料制成的纵线和横线彼此交错编织而成且所述纵线和横线之间形成孔隙的网状；融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，孔隙大小为0.001mm～0.05mm。
本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片的制造方法，其优选的一个特征在于，还包括如下步骤：接着所述多孔金属片成型步骤进行在500℃～600℃下加热10分钟～40分钟使所述多孔金属片非晶化的非晶态金属片成型步骤，并在所述非晶态金属片上粘附临时成型石墨片后压制成型。
本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片的制造方法，其优选的一个特征在于，还包括如下步骤中的任何一个步骤：有机/无机系列树脂制成的散热膜层形成步骤，所述散热膜层通过加压或涂覆或浸渗一体地粘附形成在一面上粘附有所述临时成型石墨片的多孔金属片的另一面上，所述散热膜层的一部分通过形成于多孔金属片表面的孔隙浸渗到相反侧的所述石墨片侧成为一体产生结合力；或者由铝或铝合金制成的薄板组成的散热膜层形成步骤，所述散热膜层通过加压或涂覆或浸渗一体地粘附形成在一面上粘附有所述临时成型石墨片的多孔金属片的另一面上，所述散热膜层的一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而产生结合力。
有益效果
根据本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片，将多孔金属制成的多孔金属片作为基底，在其一侧外表面上叠置有成型为结晶结构处于不完整状态的临时成型石墨基底的状态下，通过高压进行加压物理上相互结合为一体，由于石墨基底和多孔金属片直接粘附连接，不使用额外的粘合性树脂或粘接剂材料等也能物理上牢固地结合为一体，因此针对产生自电子设备的电磁波，可确保优秀的吸波性能及屏蔽性能，从而可以期待能保障基于电子设备高性能化的高效率的电磁波吸波及屏蔽效果，同时适用于超强散热电子设备时能确保有效地释放传递自热源的热量的散热性能，从而可以期待能保障基于电子设备高性能化的高散热性能的效果。
也就是说，在形成有微小气孔(孔隙)的多孔金属材料即多孔金属片表面上以叠置方式配置结晶结构处于不完整状态的临时成型石墨片后，利用压机或压辊等加压装置以高压进行加压，藉以将所述临时成型石墨片和多孔金属片不使用现有的粘合性树脂或粘接剂材料等也能物理上牢固地结合为一体化，因此制造工艺简单、可实现基于大批量生产的低成本推广，特别是通过压力石墨基底浸渗到多孔金属片的表面孔隙而保持牢固的结合状态，从而能够稳定地抑制石墨基底的剥离现象或者外力造成的部分脱落现象，进而可提高耐久性。
另外，通过本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片及其制造方法，在未粘附石墨片的多孔金属片的另一侧面上以叠置形式配置有机/无机/陶瓷系列/石墨等树脂系列组合物或者铝或铝合金制成的薄板并结合成一体，从而可以提高弹性和耐久性，结果不仅可适用于各种电子设备，而且可实现大面积片材的生产。
由于制造工艺简单，可实现基于大批量生产的低成本推广，特别是通过压力石墨基底浸渗到多孔金属片的表面孔隙而保持牢固的结合状态，从而能够稳定地抑制石墨基底的剥离现象或者外力造成的部分脱落现象，进而可提高耐久性。而且，本发明另一实施例的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片通过在未粘附石墨片的多孔金属片的另一侧面上叠置有机/无机/陶瓷系列/石墨等液态散热树脂类或者铝/铝合金制成的薄板并结合成一体，可确保优秀的电磁波吸波及屏蔽性能。
此外，本发明中的多孔金属片用金属材料成型，因此不仅导热性而且对于外力或弯曲变形所造成的裂纹及断裂等的耐久性良好，并且气孔中会浸渗包含石墨的液态散热树脂，因此可成型为具有弹性和耐久性的多孔薄膜片状，从而不仅可适用于各种电子设备，而且可实现大面积片材的生产。因此，可确保适用该多孔金属片的产品具有最佳性能，最终具有提高产品的商品价值的效果。
附图说明
图1是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片结构的截面图。
图2至图5是示出本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片中多孔金属片的多个实施例的视图。
图6是用于示意性地说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片的适用例的截面图。
图7是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片特性的示例图。
图8至图11是用于说明本发明多个实施例的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片的制造方法的模式图。
符号说明
1：融合片 10：临时成型石墨片
20：多孔金属片 20a：孔隙
21：烧结片 22：电铸片
23：金属薄板片 23a：曲面部
23b：斜面部 24：网状片材
24a：纵线 24b：横线
30：散热膜层 33：粘合体
35：金属薄板 40：绝缘体
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片的实施例的构成及作用进行详细描述，但本发明并不局限于特定的公开形式，本发明的思想及技术范围内的所有变更、等效替换都包括在本发明的范围内。
首先，本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片都具有相同的构成以及通过相同的制造方法制成，只是因孔隙大小的不同而存在功能上的差异。
图1是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片结构的截面图。对于电磁波吸波及屏蔽用融合片，将石墨基底成型为片状并使其具有0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度以结晶结构不完整的状态形成临时成型石墨片(10)，再将该临时成型石墨片(10)粘附在形成有多个大小为0.01mm～0.5mm的孔隙的多孔金属片(20)的一面上加压成型为一体，其外表面上再形成散热膜层(30)。对于电子设备超强散热用融合片，将石墨基底成型为片状并使其具有0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度以结晶结构不完整的状态形成临时成型石墨片(10)，再将该临时成型石墨片(10)粘附在形成有多个大小为0.001mm～3.0mm的孔隙的多孔金属片(20)的一面上加压成型为一体而形成0.001mm～0.05mm的孔隙，其外表面上再形成散热膜层(30)。
也就是说，本发明涉及电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片，两者具有相同结构以及通过相同制造工艺形成，但根据形成于多孔金属片和石墨片加压成型为一体的融合片上的孔隙大小区分为电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片。加以说明的话，电磁波吸波及屏蔽用融合片通过将孔隙大小为0.01mm～0.5mm的多孔金属片与石墨片加压成型为一体而具有电磁波吸波及屏蔽特性，电子设备超强散热用融合片是将孔隙大小为0.001mm～3.0mm的多孔金属片最终与石墨片加压成型为一体而具有0.001mm～0.05mm的孔隙大小，藉以在电子设备中具有高散热特性。
图2是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片中以实施例1的烧结片形式予以提供的多孔金属片的示意图。图中所示的多孔金属片是将粒度大小为1μm～200μm的铜、锡、锌、铝、不锈钢系列金属粉末在比熔融温度低10～30％的温度下加热烧结后加压而成的烧结片(21)，此时的烧结片(21)是将熔融温度为300℃～1800℃的铜系列、锡系列、锌系列、铝系列、不锈钢系列的粒度大小为1μm～200μm的金属粉末在比熔融温度低10～30％的温度环境条件下加热10分钟～300分钟而制成的，电磁波吸波及屏蔽用融合片成型为具有0.05mm～3.0mm的孔隙(20a)，而电子设备超强散热用融合片成型为具有0.001mm～3.0mm的孔隙(20a)。
图3是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片中以实施例2的金属电铸片形式予以提供的多孔金属片的示意图，以电磁波吸波及屏蔽用融合片为准阐述的话，图中所示的多孔金属片是如下成型的金属电铸片(22)：将用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模电铸浸渍后通电进行金属电镀而形成电镀层，对形成有该电镀层的成型模进行加热去除树脂而形成孔隙(20a)，必要时进行1次～10多次加压，以成型为厚度为0.01mm～50mm的片状。
另外，以电子设备超强散热用融合片为准阐述的话，图中所示的多孔金属片是如下成型的金属电铸片(22)：将用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模电铸浸渍后通电进行金属电镀而形成电镀层，对形成有电镀层的成型模进行加热去除树脂而形成大小为0.001mm～3.0mm的孔隙(20a)，必要时进行1次～10多次加压，以成型为厚度为0.01mm～50mm的片状。
图4是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片中以实施例3的薄片形式予以提供的多孔金属片的示意图。
首先，以电磁波吸波及屏蔽用融合片为准阐述的话，图中所示的多孔金属片是如下成型的金属薄板片(23)：在铜、锡、锌、铝、不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、蚀刻法形成孔隙以成型为金属薄板片(23)，所述孔隙形成有曲面部及斜面部，其中所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；所述斜面部从曲面部向内侧直径逐渐减小。
接着，以电子设备超强散热用融合片为准阐述的话，图中所示的多孔金属片是如下成型的金属薄板片(23)：在铜、锡、锌、铝、不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、蚀刻法形成大小为0.001mm～3.0mm的孔隙以成型为金属薄板片(23)，所述孔隙形成有曲面部及斜面部，其中所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；所述斜面部从曲面部向内侧直径逐渐减小。
图5是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片中以实施例4的网状片材(24)形式予以提供的多孔金属片的示意图。
首先，以电磁波吸波及屏蔽用融合片为准阐述的话，图中所示的多孔金属片是网状片材(24)，该网状片材(24)是通过将截面为圆形的金属线材制成的纵线(24a)和横线(24b)彼此交错编织而在其间形成孔隙(20a)。本发明除了作为所述金属线材即纵线(24a)和横线(24b)使用单一的金属线材，还可以使用两条或多条捻成的金属线材来编织成网状。
接着，以电子设备超强散热用融合片为准阐述的话，图中所示的多孔金属片是网状片材(24)，该网状片材(24)是通过将截面为圆形的金属线材制成的纵线(24a)和横线(24b)彼此交错编织而在其间形成大小为0.001mm～3.0mm的孔隙(20a)。本发明除了作为所述金属线材即纵线(24a)和横线(24b)使用单一的金属线材，还可以使用两条或多条捻成的金属线材来编织成网状。
图6是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片的适用例的截面图。
首先，以电磁波吸波及屏蔽用融合片为准阐述的话，图中所示的电磁波吸波及屏蔽用融合片如下形成：将由导热性优秀的金属构成的多孔金属制成的多孔金属片(20)作为基底，在该多孔金属片(20)的一侧表面叠置由结晶结构不完整的石墨基底形成的临时成型石墨片的状态下，利用压机或压辊等加压装置以高压进行加压时，临时成型石墨片的一部分会渗入到多孔金属片(20)的内部而形成浸渗状态，而在所述多孔金属片20的另一侧表面上形成由将PVC、PC、氨基甲酸乙酯、硅酮、ABS、UV中任何一种或一种以上的绝缘树脂组合物涂覆而形成的绝缘体或者将具有粘合成分的树脂涂覆而成的粘接体或者将双面胶带粘附而成的粘合体或者将铝或铝合金制成的薄板加压粘附而形成的金属薄板中的任何一种或一种以上形成的散热膜层(30)，并且在该散热膜层的外表面上形成绝缘体(40)以接触电发热源。
接着，以电子设备超强散热用融合片为准阐述的话，图中所示的电子设备用超强散热融合片如下形成：将由导热性优秀的金属构成的多孔金属制成的多孔金属片(20)作为基底，在该多孔金属片(20)的一侧表面叠置由结晶结构不完整的石墨基底形成的临时成型石墨片的状态下，利用压机或压辊等加压装置以高压进行加压时，临时成型石墨片的一部分会渗入到多孔金属片(20)的内部而形成浸渗状态，而在所述多孔金属片(20)的另一侧表面上形成由将PVC、PC、氨基甲酸乙酯、硅酮、ABS、UV中任何一种或一种以上的绝缘树脂组合物涂覆而形成的绝缘体或者将具有粘合成分的树脂涂覆而成的粘接体或者将双面胶带粘附而成的粘合体或者将铝或铝合金制成的薄板加压粘附而形成的金属薄板中的任何一种或一种以上形成的散热膜层(30)，并且在该散热膜层(30)的外表面上形成绝缘体(40)以接触电发热源。
图7是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片特性的示例图。
首先，以电磁波吸波及屏蔽用融合片为准阐述的话，图中示出了热源及显示器位于本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片下方及上方的结构示例，并且示出了从下方的热源传递的热量不会传递到上方，而是在石墨片部分沿水平方向扩散而散热的状态，图中所示的本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片如下形成：以烧结、金属电铸、穿孔而成的薄板、线材编成网状的网状形式提供多孔金属片(20)，以该多孔金属片(20)为中心，上方为通过加压成型粘附形成为一体的临时成型石墨片(10)，该临时成型石墨片(10)的结晶粒子的一部分通过所述多孔金属片(20)的表面侧孔隙(20a)浸渗，所述多孔金属片(20)的下方形成有由绝缘组合物制成的绝缘体或者粘合体或者软质金属薄板中的任何一种形成的散热膜层(30)，该散热膜层(30)的下面形成有绝缘体(40)以接触电发热源。
接着，以电子设备超强散热用融合片为准阐述的话，图中示出了热源及显示器位于本发明的电子设备用超强散热融合片下方及上方的结构示例，并且示出了从下方的热源传递的热量不会传递到上方，而是在石墨片部分沿水平方向扩散而散热的状态，图中所示的本发明的电子设备用超强散热融合片如下形成：以烧结、金属电铸、穿孔而成的薄板、线材编成网状的网状形式提供多孔金属片(20)，以该多孔金属片(20)为中心，下方为通过加压成型粘附形成为一体的临时成型石墨片(10)，该临时成型石墨片(10)的结晶粒子的一部分通过所述多孔金属片(20)的表面侧孔隙(20a)浸渗，所述多孔金属片(20)的下方形成有由绝缘组合物制成的绝缘体或者粘合体或者软质金属薄板中的任何一种形成的散热膜层(30)，该散热膜层(30)的下面形成有绝缘体(40)以接触电发热源。
图8至图11是用于说明本发明的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片的制造方法的方框图。
图8示出了利用多孔金属片的电磁波吸波及屏蔽用和电子设备超强散热用融合片的制造方法，准备结晶结构处于不完整状态的石墨基底制成的临时成型石墨片(10)，将其置于金属粉末通过烧结工艺而成型的多孔金属片(20)的一面上，然后通过加压粘附成型为一体，图中还示出了所述多孔金属片(20)在另一面上形成用于接触发热源的散热膜层(30)的工艺，此时的所述散热膜层(30)可形成在将临时成型石墨片(10)和多孔金属片(20)加压成型而形成的融合片上或者通过将临时成型石墨片(10)和多孔金属片(20)及散热膜层(30)叠置后加压成型为一体来形成。
图9示出了形成融合片的工艺，分别准备临时成型石墨片(10)和多孔金属片(20)，所述临时成型石墨片(10)由密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的石墨基底制成，而所述多孔金属片(20)通过如下的电铸工艺来成型：在用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模外表面上涂覆通电液体以形成通电层，然后电铸浸渍并通电进行金属电镀，之后加热成型模以去除树脂，将准备的临时成型石墨片(10)和多孔金属片(20)彼此叠置后，通过加压成型一体地粘附形成融合片，还示出了形成散热膜层(30)的工艺，所述融合片为了与发热源的接触，在未粘附所述临时成型石墨片(10)的多孔金属片(20)的另一侧面上形成散热膜层(30)。另外，所述散热膜层(30)可形成在将临时成型石墨片(10)和多孔金属片(20)加压成型而形成的融合片上或者通过将临时成型石墨片(10)和多孔金属片(20)及散热膜层(30)叠置后加压成型为一体来形成。
图10示出了融合片的制造方法，所述融合片由临时成型石墨片和多孔金属片(20)组成，所述临时成型石墨片由密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的石墨基底制成，所述多孔金属片(20)是在金属材料制成的薄板上穿孔形成孔隙而成，孔隙(20a)由与表面形成平缓的曲面的曲面部(23a)及从该曲面部(23a)延伸形成的斜面部(23b)组成，此时的所述多孔金属片在一面上叠置临时成型石墨片的状态下通过加压成型粘附为一体的过程中，通过所述孔隙(20a)所具有的平缓的曲面部(23a)使石墨基底的结晶结构不致破坏，并通过斜面部(23b)使浸渗密度得到提高。
图11示出了融合片的制造方法，所述融合片由临时成型石墨片和多孔金属片(20)组成，所述临时成型石墨片由密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的石墨基底制成，所述多孔金属片(20)是将截面为圆形或椭圆形的纵线(24a)和横线(24b)彼此交错编成网状的网状片材(24)，此时的多孔金属片(20)使用截面为圆形的线材，因此在与临时成型石墨片(10)加压成型为一体的过程中，石墨基底的结晶结构不会破坏而浸渗到形成孔隙(20a)的网之间粘附结合为一体来形成融合片。
以下参照上述附图说明了本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片和电子设备超强散热用融合片，但先说明电磁波吸波及屏蔽用融合片后，再说明了电子设备超强散热用融合片。
本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片(1)大致包括多孔金属片(20)、临时成型石墨片(10)及散热膜层(30)，所述多孔金属片(20)由金属材料制成且形成有具有曲面没有棱角的孔隙(20a)以在加压过程中使石墨结晶结构不致破坏，所述临时成型石墨片(10)叠置在该多孔金属片(20)的一面上，所述临时成型石墨片(10)是将石墨基底成型为片状并使其具有0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度以在结晶结构处于不完整状态下叠置于所述多孔金属片(20)的一面，且通过加压工艺粘附为一体，所述散热膜层(30)叠置在所述多孔金属片(20)的另一面上，且通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层(30)由金属及有机/无机系列树脂形成，其一部分通过形成于多孔金属片(20)表面的孔隙浸渗到相反侧的所述临时成型石墨片(10)而结合。这样的本发明根据散热膜层(30)所具有的物理性质大致可通过两种方法制成，第一种方法是在散热膜层(30)为树脂系列的情况下，以涂层形式粘附在所述多孔金属片(20)的一表面上时，在形成有多个孔隙(20a)的多孔金属片(20)的一面上叠置临时成型石墨片(10)的状态下通过加压成型形成为一体后，将形成散热膜层(30)的树脂系列组合物通过涂覆、喷射、浸渗等方法一体地粘附在所述多孔金属片(20)的另一面上，第二种方法是所述散热膜层(30)为由铝或铝合金制成的薄板时，在所述多孔金属片(20)的一面和另一面上分别叠置临时成型石墨片(10)和散热膜层(30)后，一次性加压成型为一体。
临时成型石墨片(10)是将石墨基底临时成型的，以使其具有片材形状，此时的所述石墨基底是将碳的同素异形体之一的天然或人工制成的石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中使用有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物中的任何一种制成。这种临时成型石墨片(10)的特征在于，将所述石墨基底成型为片材形状，使其具有0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度，以使结晶结构具有未完全结合的不完整状态。这是为了在后述的叠置于多孔金属片(20)一面的状态下通过加压成型使其结晶结构可被压成致密。如果临时成型石墨片(10)的组织状态致密即具有1.6g/cm3以上的密度，则在后述的叠置于多孔金属片(20)的状态下，经加压过程成型为一体时，结晶结构会被压力破坏，结果石墨片所具有的面方向导热率及热扩散性会变得不良。
多孔金属片(20)是厚度为0.01～0.5mm的片材且形成有由上下面连接的微小孔洞或缝隙组成的孔隙(20a)，此时的孔隙(20a)均匀分布形成为上下面连接且大小为0.01mm～3.0mm。这种多孔金属片(20)作为金属导热率良好，并优选由对外力具有弹性的金属材料制成，金属形成气孔时对电磁波具有吸波功能，特别是孔隙越小在低频带可确保优秀的屏蔽性能，因此本发明提出在形成多孔金属片(20)的上下面连接的孔隙(20a)时大小应为0.01mm～3.0mm。这是因为孔隙(20a)的大小不足0.01mm时，微小气孔会导致高性能电磁波屏蔽材料石墨基底的浸渗率过低，结果电磁波屏蔽性能也会降低，而孔隙(20a)的大小超过3mm时，石墨基底浸渗后不能保持牢固的结合状态会从多孔金属片(20)脱落或剥离。因此，本发明中提出多孔金属片(20)的孔隙(20a)大小为0.01mm～3mm，更优选为0.05mm～1.0mm。对于这种多孔金属片(20)，只要具备形成有由微小孔洞或缝隙组成的孔隙(20a)的金属片材的特征，就可以使用各种形式的金属片材也无妨，但与临时成型石墨片(10)接触的孔隙(20a)应形成为整体上没有棱角的圆形，即具有平缓的曲面，以便在与叠置在一面上的临时成型石墨片(10)一起被加压的过程中使临时成型石墨片(10)的结晶结构不致破坏。
另外，还提出本发明中的多孔金属片(20)为通过烧结工艺制成的烧结片(21)、通过金属电铸方式制成的金属电铸片(22)、金属薄板上穿孔而制成的金属薄板片(23)、线材编成网状而制成的网状片材(24)，下面简要说明多孔金属片(20)的各种制造方法。
第一、如图2所示，烧结片(21)是将粒度大小为1μm～200μm的金属粉末在低于熔融温度的温度下进行加热而烧结成未完全熔融且粉末相连接后加压成型的片材。也就是说，烧结片(21)是准备大小为1μm～200μm左右、熔融温度为300℃～1800℃的铜等铜系列、锡系列、锌系列、铝系列、不锈钢系列的金属粉末后，在比熔融温度低大致10％～30％的温度下加热10分钟～300分钟进行烧结，然后使用压机或压辊等加压装置以30MPa～300MPa的压力进行1次至几十次加压成型而制成的片材形状，其厚度为0.01～0.5mm，而且形成有上下面连接的、大小为0.01mm～3.0mm的多个孔隙(20a)。
第二、如图3所示多孔金属片为金属电铸片(22)，金属电铸片(22)是将用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模电铸浸渍后通电进行金属电镀而形成电镀层后，对形成该电镀层的成型模进行加热去除树脂并形成孔隙(20a)而成的，必要时进行1次～10多次加压而成型为厚度为0.01mm～50mm的片材形状。
第三、如图4所示多孔金属片为金属薄板片(23)，金属薄板片(23)是在铜、锡、锌、铝、不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、蚀刻法形成孔隙的片材，所述孔隙形成有曲面部及斜面部，所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；所述斜面部从曲面部向内侧直径逐渐减小。
第四、如图5所示多孔金属片为网状片材(24)，是将截面为圆形的金属线材制成的纵线(24a)和横线(24b)彼此交错编织而在其间形成孔隙(20a)的网状片材(24)，本发明除了作为所述金属线材即纵线(24a)和横线(24b)使用单一的金属线材，还可以使用两条或多条捻成的金属线材来编织成网状。
如此由各种制造方式来制造的多孔金属片(20)利用压机或压辊等加压装置通过反复进行一次或几次加压，可以控制其厚度。
散热膜层(30)叠置在所述多孔金属片(20)的与叠置临时成型石墨片(10)的一面相反的另一面并通过加压、涂覆、浸渗等粘附形成为一体，所述散热膜层(30)是其一部分通过形成于所述多孔金属片(20)表面的孔隙浸渗到相反侧的所述石墨片(10)侧而产生结合力的金属及有机/无机系列树脂制成。这种散热膜层(30)一体地粘附形成在所述多孔金属片(20)的表面，所述散热膜层(30)可使将PVC、PC、氨基甲酸乙酯、硅酮、ABS、UV中任何一种或一种以上的绝缘树脂组合物涂覆而形成的绝缘体或者将具有粘合成分的树脂涂覆而成的粘接体或者将双面胶带粘附而成的粘合体中的任何一种、或者具有散热特性且通过与所述多孔金属片(20)的加压结合其一部分浸渗到所述多孔金属片(20)的表面孔隙(20a)的软质铝或铝合金制成的薄板粘附而形成的金属薄板中的任何一种，或者也可以形成为多个层。也就是说，对于本发明中的散热膜层(30)，如图1所示以多孔金属片(20)为中心叠置在热源(未图示)所处的下面侧，此时的散热膜层(30)可以树脂系列的绝缘体或粘接体或者粘合体或者铝薄板的单层形式提供，而且如图6及图7所示，热源所处的多孔金属片(20)的下面叠置有树脂系列或铝薄板的散热膜层(30)，其下面还可以形成将PVC、PC、氨基甲酸乙酯、硅酮、ABS、UV中任何一种或一种以上的绝缘树脂组合物涂覆而成的绝缘体(40)。
下面，对本发明的电磁波吸波及屏蔽用融合片的各种制造方法进行描述。
实施例1：请参见图8，本发明实施例1的电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法大致包括临时成型石墨片准备步骤s10和、烧结片(21)制成的多孔金属片成型步骤s20、融合片形成步骤s30,散热薄层形成步骤s40。
对于所述临时成型石墨片准备步骤s10，准备将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中混合有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物制成的石墨基底，将其成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片材形状。此时，临时成型方法采用公知的各种方法也无妨，因此省略其详细说明。
对于所述多孔金属片成型步骤s20，首先准备熔融温度为300℃～1800℃的铜系列、锡系列、锌系列、铝系列、不锈钢系列的金属粉末，此时所准备的金属粉末的粒度为1μm～200μm。接着，将所准备的金属粉末填充到提供用于成型平板薄膜材料的成型空间的模具中，按照所述金属粉末材料所具有的熔融特性在比熔点低10％～30％的温度下加热10分钟～300分钟进行烧结成型以制造烧结片(21)。这种烧结片(21)由于金属粉末的界面彼此稳定地融合而形成均匀的孔隙(20a)。
对于所述融合片形成步骤s30，在所述临时成型石墨片(10)叠置于所述多孔金属片(20)的一表面的状态下进行加压，从而使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，而且被加压成型为具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，同时成型为具有0.01mm～0.5mm的孔隙大小。也就是说，对所述烧结片(21)即多孔金属片(20)及其一面上叠置的临时成型石墨片1利用加压装置以30MPa～300MPa压力实施1次～20次加压，最终加压形成厚度为0.01mm～50mm的融合片。在此，对所述烧结片(21)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)的叠置结构体的加压方法可使用各种加压装置，本发明中提出使用压机或压辊加压方式的辊轧机，可根据最终产物的要求和加压装置的性能反复实施1次～20次。另外，通过所述压机或压辊加压方式的辊轧机加压成型的融合片优选加压成上下面平坦，经加压过程烧结密度变高，因此金属粉末之间的结合力增加，结果耐久性及弹性增大。此外，虽然所述工艺在室温状态下进行也无妨，但以金属粉末的烧结温度为准优选在低于40％以下的温度下实施。
另外，针对所述烧结片(21)即多孔金属片(20)，在粘附临时成型石墨片(10)之前，还可以进一步进行在500℃～600℃下加热10分钟～40分钟使所述多孔金属片(20)非晶化的非晶态金属片成型工艺，也可以对该非晶态金属片进行成型工艺之后粘附所述临时成型石墨片以压制成型的过程。
所述散热膜层形成步骤s40是在所述多孔金属片(20)的另一面即未粘附临时成型石墨片(10)的相反面叠置形成散热膜层的工艺。这种散热膜层(30)在叠置于所述多孔金属片(20)的另一面的状态下通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层使用一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而粘附到相反侧的所述石墨片成为一体产生结合力的有机/无机系列树脂或者铝或铝合金制成的薄板。另外，所述散热膜层可使用有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上的组合物、或者使用该组合物中混入一部分石墨的石墨组合物、或者使用软质铝或铝合金制成的薄板，根据所用材料的物理性质可通过涂覆、浸渗、喷射、加压的方式一体地形成在所述多孔金属片上。
此外，在本实施例中例示出了将所述烧结片(21)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)第一次彼此加压结合为一体的融合片上形成散热膜层(30)，但本发明不限于此，也可以将烧结片(21)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)及散热膜层(30)叠置后通过加压工艺形成为一体。
实施例2：请参见图9，本发明实施例2的电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法大致包括临时成型石墨片准备步骤s11和、电铸片(22)制成的多孔金属片成型步骤s21、融合片形成步骤s31、散热薄层形成步骤s41。
所述临时成型石墨片准备步骤s11和前述的实施例1大同小异。即，准备将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中混合有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物制成的石墨基底，将其成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片材形状。此时，临时成型方法采用公知的各种方法也无妨，因此省略其详细说明。
对于所述多孔金属片成型步骤s21，在成型金属电铸方式的临时成型多孔金属片后，将其通过加压工艺进行几次加压而制成多孔金属片。对本实施例中的多孔金属片成型步骤进一步阐述的话，首先在用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模外表面上涂覆通电液体以形成通电层，再将形成通电层的成型模电铸浸渍。然后，对所述电铸浸渍的形成通电层的成型模实施通电，就会电镀金属而形成电镀层。接着，将形成电镀层的成型模自电铸浸渍取出以预定温度进行加热，则树脂制成的成型模会熔化而被去除，最终成为由形成有孔隙的电镀层组成的临时成型多孔金属片。之后，对所述临时成型多孔金属片使用压辊或压机等加压装置进行1次～10次左右加压使厚度成为0.01mm～50mm，从而完成多孔金属片的成型。
对于所述融合片形成步骤s31，在所述临时成型石墨片(10)叠置于所述电铸方式制成的多孔金属片(20)的一表面的状态下进行加压，从而使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，而且被加压成型为具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，同时成型为具有0.01mm～0.5mm的孔隙大小。也就是说，对所述电铸片(22)即多孔金属片(20)及其一面上叠置的临时成型石墨片(10)利用加压装置以30MPa～300MPa的压力实施1次～20次加压，最终加压成型为厚度为0.01mm～50mm的融合片。在此，对所述电铸片(22)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)的叠置结构体的加压方法可使用各种加压装置，本发明中提出使用压机或压辊加压方式的辊轧机，可根据最终产物的要求和加压装置的性能反复实施1次～20次。
另外，通过所述压机或压辊加压方式的辊轧机加压成型的融合片优选加压成上下面平坦，经加压过程孔隙密度变高，因此金属粉末之间的结合力增加，结果耐久性及弹性增大。此外，虽然所述工艺在室温状态下进行也无妨，但以金属粉末的烧结温度为准优选在低于40％以下的温度下实施。此外，针对所述电铸片(22)即多孔金属片(20)，在粘附临时成型石墨片(10)之前，还可以进一步进行在500℃～600℃下加热10分钟～40分钟使所述多孔金属片(20)非晶化的非晶态金属片成型工艺，也可以对该非晶态金属片进行成型工艺之后粘附所述临时成型石墨片以压制成型的过程。
所述散热膜层形成步骤s41是在所述多孔金属片(20)的另一面即未粘附临时成型石墨片(10)相反面叠置形成散热膜层的工艺。这种散热膜层(30)在叠置于所述多孔金属片(20)的另一面的状态下通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层使用一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而粘附到相反侧的所述石墨片成为一体产生结合力的有机/无机系列树脂或者铝或铝合金制成的薄板。另外，所述散热膜层可使用有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上的组合物、或者使用该组合物中混入一部分石墨的石墨组合物、或者使用软质铝或铝合金制成的薄板，根据所用材料的物理性质可通过涂覆、浸渗、喷射、加压的方式一体地形成在所述多孔金属片上。
此外，本实施例中例示出了将所述电铸片(22)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)第一次彼此加压结合为一体的融合片上形成散热膜层(30)，但本发明不限于此，也可以将电铸片(22)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)及散热膜层(30)叠置后通过加压工艺形成为一体。
实施例3：请参见图10，本发明实施例3的电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法大致包括临时成型石墨片准备步骤s12和、金属薄板片(23)制成的多孔金属片成型步骤s22、融合片形成步骤s32、散热薄层形成步骤s42。
对于所述临时成型石墨片准备步骤s12，准备将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中混合有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物制成的石墨基底，将其成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片材形状。此时，临时成型方法采用公知的各种方法也无妨，因此省略其详细说明。
对于所述多孔金属片成型步骤s22，使用金属薄板上穿孔而形成金属薄板片(23)，此时的金属薄板片(23)是在铜、锡、锌、铝、不锈钢系列的金属材料制成的薄板上使用穿孔、激光、蚀刻法中的任何一种方法形成孔隙的片材。此时，形成于所述金属薄板片(23)的孔洞即孔隙(20a)应不致使所述临时成型石墨片(10)在通过加压成型粘附的状态下其结晶结构破坏，为此本发明中提出所述孔隙以所述临时成型石墨片(10)被粘附的一侧表面为准形成与该表面曲面成型的曲面部(23a)和从该曲面部(23a)向孔内侧直径逐渐减小的斜面部(23b)。也就是说，对于所述金属薄板片(23)，只要具备形成有由微小孔洞或缝隙组成的孔隙(20a)的金属薄板的片材特征，就可以使用各种形式的金属薄板片也无妨，但与临时成型石墨片(10)接触的孔隙(20a)及连接于该孔隙(20a)的面应形成为整体上没有棱角的圆形，即具有平缓的曲面，以便在于叠置在一面上的临时成型石墨片(10)一起被加压的过程中使临时成型石墨片(10)的结晶结构不致破坏。
对于所述融合片形成步骤s32，在所述临时成型石墨片(10)叠置于以所述金属薄板片(23)提供的多孔金属片(20)的一表面的状态下进行加压，从而使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，而且被加压成型为具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，同时成型为具有0.01mm～0.5mm的孔隙大小。也就是说，对所述金属薄板片(23)即多孔金属片(20)及其一面上叠置的临时成型石墨片(10)利用加压装置以30MPa～300MPa的压力实施1次～20次加压，最终加压成型为厚度为0.01mm～50mm的融合片。在此，对所述金属薄板片(23)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)的叠置结构体的加压方法可使用各种加压装置，本发明中提出使用压机或压辊加压方式的辊轧机，可根据最终产物的要求和加压装置的性能反复实施1次～20次。另外，通过所述压机或压辊加压方式的辊轧机加压成型的融合片优选加压成上下面平坦，经加压过程孔隙密度变高，因此金属粉末之间的结合力增加，结果耐久性及弹性增大。此外，虽然所述工艺在室温状态下进行也无妨，但以金属粉末的烧结温度为准优选在低于40％以下的温度下实施。另外，针对所述金属薄板片(23)即多孔金属片，在粘附临时成型石墨片(10)之前，还可以进一步进行在500℃～600℃下加热10分钟～40分钟使所述多孔金属片非晶化的非晶态金属片成型工艺，也可以对该非晶态金属片进行成型工艺之后粘附所述临时成型石墨片以压制成型的过程。
所述散热膜层形成步骤s42是在所述多孔金属片(20)的另一面即未粘附临时成型石墨片(10)的相反面叠置形成散热膜层的工艺。这种散热膜层(30)在叠置于所述多孔金属片(20)的另一面的状态下通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层使用一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而粘附到相反侧的所述石墨片成为一体产生结合力的有机/无机系列树脂或者铝或铝合金制成的薄板。另外，所述散热膜层可使用有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上的组合物、或者使用该组合物中混入一部分石墨的石墨组合物、或者使用软质铝或铝合金制成的薄板，根据所用材料的物理性质可通过涂覆、浸渗、喷射、加压的方式一体地形成在所述多孔金属片(20)上。
此外，本实施例中例示出了将所述金属薄板片(23)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)第一次彼此加压结合为一体的融合片上形成散热膜层(30)，但本发明不限于此，也可以将金属薄板片(23)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)及散热膜层(30)叠置后通过加压工艺形成为一体。
实施例4：请参见图11，本发明实施例4的电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法大致包括临时成型石墨片准备步骤s13和、金属薄板片(23)制成的多孔金属片成型步骤s23、融合片形成步骤s33、散热薄层形成步骤s43。
对于所述临时成型石墨片准备步骤s13，准备将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中混合有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物制成的石墨基底，将其成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片材形状。此时，临时成型方法采用公知的各种方法也无妨，因此省略其详细说明。
对于所述多孔金属片成型步骤s23，使用网体或网形状网状片材(24)，所述网状片材(24)是将截面为圆形的金属材料制成的纵线(24a)和横线(24b)以彼此交错的方式编织而成，所述纵线(24a)和横线(24b)之间形成孔隙。另外，所述金属线材即纵线(24a)和横线(24b)除了使用单一的金属线材，还可以使用两条或多条捻成的捻制线材，从而彼此编织成网形状。而且，网状片材(24)为了减小其厚度，还可以利用压辊或压机等进一步进行加压过程。
对于所述融合片形成步骤s33，在所述临时成型石墨片(10)叠置于以所述网状片材(24)予以提供的多孔金属片(20)的一表面的状态下进行加压，从而使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，而且被加压成型为具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，同时成型为具有0.01mm～0.5mm的孔隙大小。也就是说，对所述网状片材(24)即多孔金属片(20)及其一面上叠置的临时成型石墨片(10)利用加压装置以30MPa～300MPa的压力实施1次～20次加压，最终加压成型为厚度为0.01mm～50mm的融合片。在此，对所述网状片材(24)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)的叠置结构体的加压方法可使用各种加压装置，本发明中提出使用压机或压辊加压方式的辊轧机，可根据最终产物的要求和加压装置的性能反复实施1次～20次。另外，通过所述压机或压辊加压方式的辊轧机加压成型的融合片优选加压成上下面平坦，经加压过程孔隙密度变高，因此金属粉末之间的结合力增加，结果耐久性及弹性增大。此外，虽然所述工艺在室温状态下进行也无妨，但以金属粉末的烧结温度为准优选在低于40％以下的温度下实施。另外，所述网状片材(24)即多孔金属片(20)，在粘附临时成型石墨片(10)之前，还可以进一步进行在500℃～600℃下加热10分钟～40分钟使所述多孔金属片(20)非晶化的非晶态金属片成型工艺，也可以对该非晶态金属片进行成型工艺之后粘附所述临时成型石墨片以压制成型的过程。
所述散热膜层形成步骤s42是在所述多孔金属片(20)的另一面即未粘附临时成型石墨片(10)的相反面叠置形成散热膜层的工艺。这种散热膜层(30)在叠置于所述多孔金属片(20)的另一面的状态下通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层使用一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而粘附到相反侧的所述石墨片成为一体产生结合力的有机/无机系列树脂或者铝或铝合金制成的薄板。另外，所述散热膜层(30)可使用有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上的组合物、或者使用该组合物中混入一部分石墨的石墨组合物、或者使用软质铝或铝合金制成的薄板，根据所用材料的物理性质可通过涂覆或浸渗、喷射或加压的方式一体地形成在所述多孔金属片(20)上。此外，在本实施例中例示出了将所述网状片材(24)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)第一次彼此加压结合为一体的融合片上形成散热膜层(30)，但本发明不限于此，也可以将网状片材(24)即多孔金属片(20)和临时成型石墨片(10)及散热膜层(30)叠置后通过加压工艺形成为一体。
如上所述使用通过各种制造工艺制成的多孔金属片(20)的电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其制造工艺简单，从而通过大批量生产可实现低成本生产，特别是在临时成型石墨片(10)的结晶结构不完整的状态下与多孔金属片(20)一起被加压而形成融合片的过程中，组成所述临时成型石墨片(10)的石墨结晶会浸渗到多孔金属片(20)的孔隙(20a)而保持牢固的结合力，同时提高电磁波吸波及屏蔽的性能，而且形成在与所述临时成型石墨片(10)相反的多孔金属片(20)的另一面上的散热膜层(30)，其成分也会通过孔隙(20a)浸渗到所述临时成型石墨片(10)侧，从而物理上牢固地形成为一体。
下面，关于本发明的电子设备超强散热用融合片及其制造方法参照图1至图11进行说明，与前述电磁波吸波及屏蔽用融合片及其制造方法相比只是形成于融合片的孔隙大小不同而已，因此相同的构件采用相同的附图标记来进行说明，并省略部分重复说明。
本发明的电子设备超强散热用融合片(1)大致包括多孔金属片(20)、临时成型石墨片(10)及散热膜层(30)，所述多孔金属片(20)由金属材料制成且形有具有曲面没有棱角的孔隙(20a)以在加压过程中使石墨结晶结构不致破坏，所述临时成型石墨片(10)叠置在该多孔金属片(20)的一面上，所述临时成型石墨片(10)是将石墨基底成型为片状并使其具有0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度以在结晶结构处于不完整的状态下叠置于所述多孔金属片(20)的一面，且通过加压工艺粘附为一体，所述散热膜层(30)是选择性地叠置在所述多孔金属片(20)的另一面上的，且通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层(30)由金属及有机/无机系列树脂制成，其一部分通过形成于多孔金属片(20)表面的孔隙浸渗到相反侧的所述临时成型石墨片(10)而结合。所述多孔金属片(20)与临时成型石墨片以具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度的方式粘附结合为一体时，具有形成多个上下面连接的0.001mm～0.05mm孔隙的特征。这样的本发明根据散热膜层(30)所具有的物理性质大致可通过两种方法制成，第一种方法是在散热膜层(30)为树脂系列的情况下，以涂层形式粘附在所述多孔金属片(20)的一表面上时，在形成有多个孔隙(20a)的多孔金属片(20)的一面叠置临时成型石墨片(10)的状态下通过加压成型成型为一体后，将形成散热膜层(30)的树脂系列组合物通过涂覆、喷射、浸渗等方法一体地粘附在所述多孔金属片(20)的另一面上，第二种方法是所述散热膜层(30)为由铝或铝合金制成的薄板时，在所述多孔金属片(20)的一面和另一面上分别叠置临时成型石墨片(10)和散热膜层(30)后，一次性加压成型为一体。
临时成型石墨片(10)与前述的电磁波吸波及屏蔽用融合片的构成大同小异，因此省略其详细说明。
多孔金属片(20)是厚度为0.01mm～50mm的片材且形成有由上下面连接的微小孔洞或缝隙组成的孔隙(20a)，此时的孔隙(20a)均匀分布形成为上下面连接且大小为0.001mm～3.0mm。这种多孔金属片(20)作为金属导热率良好，并优选由对外力具有弹性的金属材料制成，金属形成气孔时对电磁波具有吸波功能，特别是散热特性优秀的石墨基底浸渗的孔隙越小在低频带可确保优秀的屏蔽性能，因此本发明提出在形成多孔金属片(20)的上下连接的孔隙(20a)时大小应为0.001mm～3.0mm。
这是因为孔隙(20a)的大小不足0.001mm时，由于是微小气孔不仅加工困难而且散热材料石墨基底的浸渗率会变得过低，结果存在散热性能降低的弊端，而孔隙(20a)的大小超过3mm时，石墨基底浸渗后不能保持牢固的结合状态会从多孔金属片(20)脱落或剥离。因此，本发明中提出多孔金属片(20)的孔隙(20a)大小为0.001mm～3mm。对于这种多孔金属片(20)，只要具备形成有由微小孔洞或缝隙组成的孔隙(20a)的金属片材的特征，就可以使用各种形式的金属片材也无妨，但与临时成型石墨片(10)接触的孔隙(20a)应形成为整体上没有棱角的圆形，即具有平缓的曲面，以便在与叠置在一面上的临时成型石墨片(10)一起被加压的过程中使临时成型石墨片(10)的结晶结构不致破坏。
另外，还提出本发明中的多孔金属片(20)为通过烧结工艺制成的烧结片(21)、通过金属电铸方式制成的金属电铸片(22)、金属薄板上穿孔而制成的金属薄板片(23)、线材编成网状而制成的网状片材(24)，下面简要说明多孔金属片(20)的各种制造方法。
第一、如图2所示，烧结片(21)是将粒度大小为1μm～200μm的金属粉末在低于熔融温度的温度下进行加热而烧结成未完全熔融且粉末相连接后加压成型的片材。也就是说，烧结片(21)是准备大小为1μm～200μm左右、熔融温度为300℃～1800℃的铜等铜系列、锡系列、锌系列、铝系列、不锈钢系列的金属粉末后，在比熔融温度低大致10％～30％的温度下加热10分钟～300分钟进行烧结，然后使用压机或压辊等加压装置以30MPa～300MPa的压力进行1次至几十次加压成型而制成的片材形状，其厚度为0.01mm～50mm，而且形成有上下面连接的、大小为0.001mm～3.0mm的多个孔隙(20a)。
第二、如图3所示多孔金属片为金属电铸片(22)，金属电铸片(22)是将用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模电铸浸渍后通电进行金属电镀而形成电镀层后，对形成该电镀层的成型模进行加热去除树脂并形成大小为0.001mm～3.0mm的孔隙(20a)而成的，必要时进行1次～10多次加压而成型为厚度为0.01mm～50mm的片材形状。
第三、如图4所示多孔金属片为金属薄板片(23)，金属薄板片(23)是在铜、锡、锌、铝、不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、蚀刻法形成大小为0.001mm～3.0mm的孔隙的片材,所述孔隙形成有曲面部及斜面部，所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；所述斜面部从曲面部向内侧直径逐渐减小。
第四、如图5所示多孔金属片为网状片材(24)，是将截面为圆形的金属线材制成的纵线(24a)和横线(24b)彼此交错编织而在其间形成大小为0.001mm～3.0mm的孔隙(20a)的网状片材(24)，本发明除了作为所述金属线材即纵线(24a)和横线(24b)使用单一的金属线材，还可以使用两条或多条捻成的金属线材来编织成网状。
如此由各种制造方式来制造的多孔金属片(20)利用压机或压辊等加压装置通过反复进行一次或几次加压，可以控制其厚度和孔隙大小。
散热膜层(30)叠置在所述多孔金属片(20)的与叠置临时成型石墨片(10)的一面相反的另一面并通过加压、涂覆、浸渗等粘附形成为一体，所述散热膜层(30)是其一部分通过形成于所述多孔金属片(20)表面的孔隙浸渗到相反侧的所述石墨片(10)侧而产生结合力的金属及有机/无机系列树脂制成。这种散热膜层(30)一体地粘附形成在所述多孔金属片(20)的表面，所述散热膜层(30)可使将PVC、PC、氨基甲酸乙酯、硅酮、ABS、UV中任何一种或一种以上的绝缘树脂组合物涂覆而形成的绝缘体或者将具有粘合成分的树脂涂覆而成的粘接体或者将双面胶带粘附而成的粘合体中的任何一种、或者具有散热特性且通过与所述多孔金属片(20)的加压结合其一部分浸渗到所述多孔金属片(20)的表面孔隙(20a)的软质铝或铝合金制成的薄板粘附而形成的金属薄板中的任何一种，或者也可以形成为多个层。
下面说明本发明的电子设备超强散热用融合片的各种制造方法，因为通过与前述电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法极其类似的工艺来制造，所以对于相同的工艺采用相同的附图标记，并省略重复的详细说明。
实施例1：请参见图8，本发明的实施例1的电子设备超强散热用融合片的制造方法大致包括临时成型石墨片准备步骤s10和、烧结片(21)制成的多孔金属片成型步骤s20、融合片形成步骤s30、散热薄层形成步骤s40。
对于所述临时成型石墨片准备步骤s10，准备将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中混合有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物制成的石墨基底，将其成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片材形状。
对于所述多孔金属片成型步骤s20，首先准备熔融温度为300℃～1800℃的铜系列、锡系列、锌系列、铝系列、不锈钢系列的金属粉末，此时所准备的金属粉末的粒度为1μm～200μm。接着，将所准备的金属粉末填充到提供用于成型平板薄膜材料的成型空间的模具中，按照所述金属粉末材料所具有的熔融特性在比熔点低10％～30％的温度下加热10分钟～300分钟进行烧结成型以制造烧结片(21)。这种烧结片(21)由于金属粉末的界面彼此稳定地融合而形成均匀的、大小为0.001mm～3.0mm的孔隙(20a)。
对于所述融合片形成步骤s30，在所述临时成型石墨片(10)叠置于所述多孔金属片(20)的一表面的状态下进行加压，从而使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，而且被加压成型为具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，同时成型为具有0.001mm～0.05mm的孔隙大小。也就是说，对所述烧结片(21)即多孔金属片(20)及其一面上叠置的临时成型石墨片1利用加压装置以30MPa～300MPa压力实施1次～20次加压，最终加压形成厚度为0.01mm～50mm的融合片。
所述散热膜层形成步骤s40是在所述多孔金属片(20)的另一面即未粘附临时成型石墨片(10)的相反面叠置形成散热膜层的工艺。这种散热膜层(30)在叠置于所述多孔金属片(20)的另一面的状态下通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层使用一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而粘附到相反侧的所述石墨片成为一体产生结合力的有机/无机系列树脂或者铝或铝合金制成的薄板。
实施例2：请参见图9，本发明实施例2的电子设备超强散热用融合片的制造方法大致包括临时成型石墨片准备步骤s11和、电铸片(22)制成的多孔金属片成型步骤s21、融合片形成步骤s31、散热薄层形成步骤s41。
所述临时成型石墨片准备步骤s11和前述的实施例1大同小异。即，准备将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中混合有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物制成的石墨基底，将其成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片材形状。此时，临时成型方法采用公知的各种方法也无妨，因此省略其详细说明。
对于所述多孔金属片成型步骤s21，在成型金属电铸方式的临时成型多孔金属片后，将其通过加压工艺进行几次加压而制成多孔金属片。对本实施例中的多孔金属片成型步骤进一步阐述的话，首先在用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模外表面上涂覆通电液体以形成通电层，再将形成通电层的成型模电铸浸渍。然后，对所述电铸浸渍的形成通电层的成型模实施通电，就会电镀金属而形成电镀层。接着，将形成电镀层的成型模自电铸浸渍取出以预定温度进行加热，则树脂制成的成型模会熔化而被去除，最终成为由形成有大小为0.001mm～3.0mm的孔隙的电镀层组成的临时成型多孔金属片。之后，对所述临时成型多孔金属片使用压辊或压机等加压装置进行1次～10次左右加压使厚度成为0.01mm～50mm，从而完成多孔金属片的成型。
对于所述融合片形成步骤s31，在所述临时成型石墨片(10)叠置于所述电铸方式制成的多孔金属片(20)的一表面的状态下进行加压，从而使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，而且加压成型为具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，同时成型为具有0.001mm～0.05mm的孔隙大小。也就是说，对所述电铸片(22)即多孔金属片(20)及其一面上叠置的临时成型石墨片(10)利用加压装置以30MPa～300MPa的压力实施1次～20次加压，最终加压成型为厚度为0.01mm～50mm的融合片。
所述散热膜层形成步骤s41是在所述多孔金属片(20)的另一面即未粘附临时成型石墨片(10)相反面叠置形成散热膜层的工艺。这种散热膜层(30)在叠置于所述多孔金属片(20)的另一面的状态下通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层使用一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而粘附到相反侧的所述石墨片成为一体产生结合力的有机/无机系列树脂或者铝或铝合金制成的薄板。
实施例3：请参见图10，本发明的实施例3的电子设备超强散热用融合片的制造方法大致包括临时成型石墨片准备步骤s12和、金属薄板片(23)制成的多孔金属片成型步骤s22、融合片形成步骤s32、散热薄层形成步骤s42。
对于所述临时成型石墨片准备步骤s12，准备将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中混合有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物制成的石墨基底，将其成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片材形状。此时，临时成型方法采用公知的各种方法也无妨，因此省略其详细说明。
对于所述多孔金属片成型步骤s22，使用金属薄板上穿孔而形成金属薄板片(23)，此时的金属薄板片(23)是在铜、锡、锌、铝、不锈钢系列的金属材料制成的薄板上使用穿孔、激光、蚀刻法中的任何一种方法形成大小为0.001mm～3.0mm的孔隙的片材。
对于所述融合片形成步骤s32，在所述临时成型石墨片(10)叠置于以所述金属薄板片(23)提供的多孔金属片(20)的一表面的状态下进行加压，从而使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，而且被加压成型为具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，同时成型为具有0.001mm～0.05mm的孔隙大小。也就是说，对所述金属薄板片(23)即多孔金属片(20)及其一面上叠置的临时成型石墨片(10)利用加压装置以30MPa～300MPa的压力实施1次～20次加压，最终加压成型为厚度为0.01mm～50mm的融合片。
所述散热膜层形成步骤s42是在所述多孔金属片(20)的另一面即未粘附临时成型石墨片(10)的相反面叠置形成散热膜层的工艺。这种散热膜层(30)在叠置于所述多孔金属片(20)的另一面的状态下通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层使用一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而粘附到相反侧的所述石墨片成为一体产生结合力的有机/无机系列树脂或者铝或铝合金制成的薄板。
实施例4：请参见图11，本发明实施例4的电子设备超强散热用融合片的制造方法大致包括临时成型石墨片准备步骤s13和、金属薄板片(23)制成的多孔金属片成型步骤s23、融合片形成步骤s33、散热薄层形成步骤s43。
对于所述临时成型石墨片准备步骤s13，准备将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中混合有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物制成的石墨基底，将其成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片材形状。此时，临时成型方法采用公知的各种方法也无妨，因此省略其详细说明。
对于所述多孔金属片成型步骤s23，使用网体或网形状网状片材(24)，所述网状片材(24)是将截面为圆形的金属材料制成的纵线(24a)和横线(24b)以彼此交错的方式编织而成，所述纵线(24a)和横线(24b)之间形成孔隙。
对于所述融合片形成步骤s33，在所述临时成型石墨片(10)叠置于以所述网状片材(24)予以提供的多孔金属片(20)的一表面的状态下进行加压，从而使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，而且被加压成型为具有1.6g/cm3～6.0g/cm3的密度，同时成型为具有0.001mm～0.05mm的孔隙大小。也就是说，对所述网状片材(24)即多孔金属片(20)及其一面上叠置的临时成型石墨片(10)利用加压装置以30MPa～300MPa的压力实施1次～20次加压，最终加压成型为厚度为0.01mm～50mm的融合片。
所述散热膜层形成步骤s42是在所述多孔金属片(20)的另一面即未粘附临时成型石墨片(10)的相反面叠置形成散热膜层的工艺。这种散热膜层(30)在叠置于所述多孔金属片(20)的另一面的状态下通过加压或涂覆或浸渗粘附形成为一体，所述散热膜层使用一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而粘附到相反侧的所述石墨片成为一体产生结合力的有机/无机系列树脂或者铝或铝合金制成的薄板。
如上所述使用通过各种制造工艺制成的多孔金属片(20)的电子设备超强散热用融合片的制造方法，其制造工艺简单，从而通过大批量生产可实现低成本生产，特别是在临时成型石墨片(10)的结晶结构不完整的状态下与多孔金属片(20)一起被加压而形成融合片的过程中，组成所述临时成型石墨片(10)的石墨结晶会浸渗到多孔金属片(20)的孔隙(20a)而保持牢固的结合力，因此可以解决由于使用具有粘合成分的树脂或粘接剂材料而产生的散热干扰现象导致散热特性降低的弊端，可以保障优秀的散热性能。
特别是，形成在与所述临时成型石墨片(10)相反的多孔金属片(20)的另一面上的散热膜层(30)，其成分也会通过孔隙(20a)浸渗到所述临时成型石墨片(10)侧，从而物理上牢固地形成为一体，因此可提高弹性和耐久性，结果可以实现大面积片材的批量生产。
以上参照附图说明了本发明的实施例，但本发明所属领域的普通技术人员可以理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下能够通过其他具体实施方式来实施。因此，以上描述的实施例是示例性而非限制性的。

Claims (17)

1.一种电磁波吸波及屏蔽用融合片，其特征在于，包括：
临时成型石墨片，所述临时成型石墨片是将包含石墨成分的石墨基底成型为片状并使其具有0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度而形成为结晶结构不完整的状态；以及
多孔金属片，所述多孔金属片包括由上下面连接的微小孔洞或缝隙组成的大小为0.01mm～0.5mm的多个孔隙，所述多孔金属片的一面上叠置所述临时成型石墨片并加压成型为具有2.0g/cm3～6.0g/cm3的密度，由此所述临时成型石墨片的结晶粒子的一部分浸渗到所述多个孔隙而物理上相互粘附结合。
2.根据权利要求1所述的电磁波吸波及屏蔽用融合片，其特征在于：
所述石墨片是将石墨或石墨粉末压制成型，或者由石墨中使用有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上石墨组合物或石墨中混入有机系列、无机系列、陶瓷系列中的任何一种或一种以上散热树脂而成的混合物中的任何一种混合物成型。
3.根据权利要求1所述的电磁波吸波及屏蔽用融合片，其特征在于：
所述多孔金属片使用将粒度大小为1μm～200μm的铜、锡、锌、铝、或不锈钢系列金属粉末在比熔融温度低10～30％的温度下加热烧结后加压而成的烧结片。
4.根据权利要求1所述的电磁波吸波及屏蔽用融合片，其特征在于：
所述多孔金属片是将用高温下气化或液化的树脂成型的成型模电铸浸渍后通电进行金属电镀而形成电镀层，再对形成有该电镀层的成型模进行加热去除树脂的金属电铸片。
5.根据权利要求1所述的电磁波吸波及屏蔽用融合片，其特征在于：
所述多孔金属片是在铜、锡、锌、铝、或不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、或蚀刻法形成孔隙的片材，所述孔隙包括：曲面部，所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；以及斜面部，所述斜面部从曲面部向内侧直径逐渐减小。
6.根据权利要求1所述的电磁波吸波及屏蔽用融合片，其特征在于：
所述多孔金属片是将截面为圆形的金属材料制成的纵线和横线彼此交错编织而成的网状片材。
7.根据权利要求1所述的电磁波吸波及屏蔽用融合片，其特征在于：
所述多孔金属片进一步具有由金属及有机/无机系列树脂制成的散热膜层，所述散热膜层通过加压或涂覆或浸渗一体地粘附形成在未粘附所述石墨片的另一面上，所述散热膜层的一部分通过形成在多孔金属片表面上的孔隙浸渗到相反侧的所述石墨片侧而结合，所述散热膜层是在所述多孔金属片的表面上叠置将PVC、PC、氨基甲酸乙酯、硅酮、ABS、UV中任何一种或一种以上的绝缘树脂组合物涂覆而形成的绝缘体或者将具有粘合成分的树脂涂覆而成的粘接体或者将双面胶带粘附而成的粘合体或者将铝或铝合金制成的薄板粘附而成的金属薄板中的任何一种或一种以上而形成。
8.一种电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度结晶结构处于不完整状态的片状；
多孔金属片成型步骤，将作为熔融温度为300℃～1800℃的铜系列、锡系列、锌系列、铝系列、或不锈钢系列金属粉末粒度大小为1μm～200μm的金属粉末在比熔融温度低10～30％的温度环境条件下加热10分钟～300分钟，以成型为具有0.05mm～3.0mm的孔隙的多孔烧结体即多孔金属片；
融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为2.0g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.01mm～0.5mm。
9.一种电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；
临时成型多孔金属片成型步骤，在用高温下气化或液化的树脂成型的板状成型模外表面上涂覆通电液体以形成通电层，然后电铸浸渍并通电进行金属电镀以形成电镀层，之后加热所述成型模以去除树脂；
多孔金属片成型步骤，对所述临时成型多孔金属片进行1次～10次加压，以使厚度变成0.01mm～50mm；
融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为2.0g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.01mm～0.5mm。
10.一种电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；
多孔金属片成型步骤，所述多孔金属片是在铜、锡、锌、铝、或不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、或蚀刻法形成孔隙的片材，所述孔隙包括：曲面部，所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；以及斜面部，所述斜面部从曲面部向孔内侧直径逐渐减小；
融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为2.0g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.01mm～0.5mm。
11.一种电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度为0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；
多孔金属片成型步骤，所述多孔金属片是将截面为圆形的金属材料制成的纵线和横线彼此交错编织而成且所述纵线和横线之间形成孔隙的网状；
融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为2.0g/cm3～6.0g/cm3的密度，孔隙大小为0.01mm～0.5mm。
12.根据权利要求8至10中任何一项所述的电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：
接着所述多孔金属片成型步骤进行在500℃～600℃下加热10分钟～40分钟使所述多孔金属片非晶化的非晶态金属片成型步骤，并在所述非晶态金属片上粘附临时成型石墨片后压制成型。
13.根据权利要求8至10中任何一项所述的电磁波吸波及屏蔽用融合片的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：
有机/无机系列树脂制成的散热膜层形成步骤，所述散热膜层通过加压或涂覆或浸渗一体地粘附形成在一面上粘附有所述临时成型石墨片的多孔金属片的另一面上，所述散热膜层的一部分通过形成于多孔金属片表面的孔隙浸渗到相反侧的所述石墨片侧成为一体产生结合力；或者
由铝或铝合金制成的薄板组成的散热膜层形成步骤，所述散热膜层通过加压或涂覆或浸渗一体地粘附形成在一面上粘附有所述临时成型石墨片的多孔金属片的另一面上，所述散热膜层的一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而产生结合力。
14.一种电子设备超强散热用融合片，其特征在于，包括：
临时成型石墨片，所述临时成型石墨片是将包含石墨成分的石墨基底成型为片状并使其具有0.1g/cm3～1.5g/cm3的密度而形成为结晶结构不完整的状态；以及
多孔金属片，所述多孔金属片包括由上下面连接的微小孔洞或缝隙组成的大小为0.001mm～0.05mm的多个孔隙，所述多孔金属片的一面上叠置所述临时成型石墨片并加压成型为具有2.0g/cm3～6.0g/cm3的密度，由此所述临时成型石墨片的结晶粒子的一部分浸渗到所述多个孔隙而物理上相互粘附结合，其特征在于：
所述多孔金属片是在铜、锡、锌、铝、或不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、或蚀刻法形成孔隙的片材，所述孔隙包括：曲面部，所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；以及斜面部，所述斜面部从曲面部向内侧直径逐渐减小。
15.一种电子设备超强散热用融合片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
临时成型石墨片准备步骤，将石墨基底成型为密度0.1g/cm3～1.5g/cm3的结晶结构处于不完整状态的片状；
多孔金属片成型步骤，所述多孔金属片是在铜、锡、锌、铝、或不锈钢系列的金属材料制成的薄板上通过穿孔、激光、或蚀刻法形成孔隙的片材，所述孔隙包括：曲面部，所述曲面部以所述临时成型石墨片被粘附的一侧表面为准与该表面形成曲面，以在所述临时成型石墨片通过加压成型被粘附的状态下使其结晶结构不致破坏；以及斜面部，所述斜面部从曲面部向孔内侧直径逐渐减小；融合片形成步骤，将所述临时成型石墨片叠置在所述多孔金属片的一表面后，通过加压成型使组成所述石墨片的石墨结晶浸渗到所述多孔金属片的表面孔隙而粘附结合为一体，并加压成型为密度为2.0g/cm3～6.0g/cm3，孔隙大小为0.001mm～0.05mm。
16.根据权利要求15所述的电子设备超强散热用融合片的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：
接着所述多孔金属片成型步骤进行在500℃～600℃下加热10分钟～40分钟使所述多孔金属片非晶化的非晶态金属片成型步骤，并在所述非晶态金属片上粘附临时成型石墨片后压制成型。
17.根据权利要求15所述的电子设备超强散热用融合片的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：
有机/无机系列树脂制成的散热膜层形成步骤，所述散热膜层通过加压或涂覆或浸渗一体地粘附形成在一面上粘附有所述临时成型石墨片的多孔金属片的另一面上，所述散热膜层的一部分通过形成于多孔金属片表面的孔隙浸渗到相反侧的所述石墨片侧成为一体产生结合力；或者
由铝或铝合金制成的薄板组成的散热膜层形成步骤，所述散热膜层通过加压或涂覆或浸渗一体地粘附形成在一面上粘附有所述临时成型石墨片的多孔金属片的另一面上，所述散热膜层的一部分浸渗到形成于多孔金属片表面的孔隙而产生结合力。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6775597B2 (ja) * 2016-11-11 2020-10-28 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに無線通信機器
US10820455B2 (en) * 2016-11-22 2020-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US10793959B2 (en) 2017-06-19 2020-10-06 Kyung Mo Yang Method for production of metal article of manufacture and uses thereof
KR101848075B1 (ko) * 2017-08-17 2018-04-11 (주)셀리턴 유효파장 출력 촉진을 위한 led 모듈
KR102191614B1 (ko) * 2017-09-15 2020-12-15 주식회사 엘지화학 복합재
KR101912542B1 (ko) * 2017-10-25 2019-01-14 (주)크린앤사이언스 타공 금속 박판을 이용한 전자파 차폐재 및 그 제조방법
CN108109975A (zh) * 2018-01-03 2018-06-01 梧州三和新材料科技有限公司 一种三维泡沫金属骨架的高导热散热片及其制备方法
WO2019135533A1 (ko) 2018-01-05 2019-07-11 한국과학기술연구원 전자파 차폐 필름의 제조 방법
CN108323143B (zh) * 2018-03-14 2020-05-05 广州方邦电子股份有限公司 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
EP3817534A4 (en) * 2018-06-29 2021-08-18 Lg Chem, Ltd. PROTECTIVE FILM AGAINST ELECTROMAGNETIC WAVES
WO2020032535A1 (ko) * 2018-08-06 2020-02-13 주식회사 엘지화학 비대칭 복합재
EP3629686A1 (de) 2018-09-26 2020-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zum anpressen von bauelementen
EP3859761A4 (en) 2018-09-28 2021-11-24 LG Chem, Ltd. WIRELESS CHARGING DEVICE
JP7214298B2 (ja) * 2018-09-28 2023-01-30 エルジー・ケム・リミテッド 複合材
US20210289676A1 (en) * 2018-09-28 2021-09-16 Lg Chem, Ltd. Composite material
US20200368804A1 (en) * 2019-05-24 2020-11-26 Trusval Technology Co., Ltd. Manufacturing process for heat sink composite having heat dissipation function and manufacturing method for its finished product
CN112492834A (zh) * 2019-09-12 2021-03-12 河南烯力新材料科技有限公司 耐弯折的散热结构及其制造方法、和电子装置
JP7137713B2 (ja) * 2019-09-12 2022-09-14 株式会社カネカ 表層多孔質グラファイトシート
WO2022114236A1 (ja) * 2020-11-30 2022-06-02 日本ゼオン株式会社 炭素膜
TWI833063B (zh) * 2021-01-27 2024-02-21 大陸商河南烯力新材料科技有限公司 導熱結構與電子裝置
CN114050420A (zh) * 2021-11-29 2022-02-15 南京航空航天大学 一种散热-吸波一体的无源频率选择表面吸波器
US20230180435A1 (en) * 2021-12-08 2023-06-08 Amulaire Thermal Technology, Inc. Immersion-type porous heat dissipation structure
JP7282929B1 (ja) * 2022-01-07 2023-05-29 レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド 放熱構造の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200529394A (en) * 2004-01-13 2005-09-01 Japan Matex Kabushiki Kaisha A heat spreader and a heat sink
CN103666306A (zh) * 2012-09-13 2014-03-26 Dic株式会社 粘合片、电磁波屏蔽片和电子设备
CN103857266A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 伊利诺斯工具制品有限公司 混合片材及其生产方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3819749A1 (de) * 1988-06-10 1989-12-14 Verband Der Sachversicherer Ev Thermische ausloesevorrichtung fuer sprinkler fuer ortsfeste feuerloeschanlagen
DE3828348A1 (de) * 1988-08-20 1990-02-22 Schwaebische Huettenwerke Gmbh Vorrichtung zur waermeuebertragung
DE4309700C2 (de) * 1993-03-25 1995-02-23 Sigri Great Lakes Carbon Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtstoffes aus Metall und Graphit
JPH0797602A (ja) * 1993-09-29 1995-04-11 Tomoegawa Paper Co Ltd 異種金属被覆多孔性金属繊維焼結シートおよびその製造方法
US5672405A (en) * 1996-02-26 1997-09-30 Plank, Jr.; J. Lee Metal-reinforced molded-plastic composite structures
US6096111A (en) * 1998-05-19 2000-08-01 Frank J. Polese Exothermically sintered homogeneous composite and fabrication method
US7223312B2 (en) * 2000-09-21 2007-05-29 Integument Technologies, Inc. Methods and materials for reducing damage from environmental electromagnetic effects
CN1488381A (zh) * 2003-05-30 2004-04-14 云南省红河热带农业科学研究所 朝鲜蓟叶膏提取技术
US6982874B2 (en) 2003-11-25 2006-01-03 Advanced Energy Technology Inc. Thermal solution for electronic devices
JP2005228100A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Toshiba Tec Corp 商品販売データ処理装置、商品販売データ処理システム及びプログラム
US20060225874A1 (en) * 2005-04-11 2006-10-12 Shives Gary D Sandwiched thermal article
JP4450765B2 (ja) 2005-04-19 2010-04-14 日本碍子株式会社 ヒートシンク材及びその製造方法
KR20070079891A (ko) 2006-02-03 2007-08-08 김경일 방열시트
KR101449075B1 (ko) 2006-11-01 2014-10-08 히타치가세이가부시끼가이샤 열전도 시트, 그 제조방법 및 열전도 시트를 이용한 방열장치
WO2009131913A2 (en) * 2008-04-21 2009-10-29 Honeywell International Inc. Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
US8480783B2 (en) 2009-07-22 2013-07-09 Hitachi, Ltd. Sintered porous metal body and a method of manufacturing the same
KR101181573B1 (ko) 2010-12-27 2012-09-10 율촌화학 주식회사 방열 시트
JP2012251210A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 金属多孔体及びそれを用いた電極材料、電池
US9929287B2 (en) * 2012-06-01 2018-03-27 National University Of Singapore Synthesis of three-dimensional graphene foam: use as supercapacitors
KR101280681B1 (ko) * 2012-09-05 2013-07-01 주학식 이종재질의 고 기능성 박막소재 및 그 제조방법
CN102917574B (zh) * 2012-10-24 2015-05-27 华为技术有限公司 导热垫、制造导热垫的方法、散热装置和电子设备
CN103963365B (zh) 2013-01-31 2017-03-01 莱尔德技术股份有限公司 导电多孔材料组件及其制造方法
KR102205030B1 (ko) * 2013-12-17 2021-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN104883381B (zh) 2014-05-27 2018-09-04 陈杰 分布式存储的数据存取方法及系统
GB201413701D0 (en) * 2014-08-01 2014-09-17 Isis Innovation Process

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200529394A (en) * 2004-01-13 2005-09-01 Japan Matex Kabushiki Kaisha A heat spreader and a heat sink
CN103666306A (zh) * 2012-09-13 2014-03-26 Dic株式会社 粘合片、电磁波屏蔽片和电子设备
CN103857266A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 伊利诺斯工具制品有限公司 混合片材及其生产方法

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