CN108254988B - 断线修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种断线修复方法。所述断线修复方法包括如下步骤：提供一阵列基板，所述阵列基板上具有断裂的导线，所述导线上覆盖有第一绝缘层；在所述导线的断裂处的两端的第一绝缘层上分别开设第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和第二过孔均暴露出其下方的导线的侧缘；形成修复线，所述修复线的一端通过所述第一过孔与所述导线的断裂处的一端相连，所述修复线的另一端通过所述第二过孔与所述导线的断裂处的另一端相连。通过将第一过孔和第二过孔形成于断裂的导线的侧缘，能够使得修复线在爬坡时无需再爬过第一绝缘层，进而减少修复线的爬坡高度，降低断线修复难度，提升断线修复的成功率。

Description

断线修复方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种断线修复方法。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT，ThinFilm Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。。
其中，在阵列制程过程中经常会出现断线缺陷，为解决上述问题，现有技术会进行断线修补，以减少制程不良。如图1和图2所示，现有的断线修补方法为：在所述断裂处2’的两端的绝缘层3’上分别开设两过孔4’，所述两过孔4’分别暴露所述断裂处2’的两端的断线1’，接着形成修复线5’，所述修复线5’通过两过孔4’连接断裂处2’两端的断线1’，使得断线1’被修复，其中，现有技术通常将所述过孔4’形成于所述断线1’的中央，在形成修复线5’时，所述修复线5’需要爬过断线1’的边缘，爬坡高度过高，导致修复线5’在断线1’的边缘容易断裂，产生修复不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种断线修复方法，能够减少修复线的爬坡高度，降低断线修复难度，提升断线修复的成功率。
为实现上述目的，本发明提供了一种断线修复方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一阵列基板，所述阵列基板上具有断裂的导线，所述导线上覆盖有第一绝缘层；
步骤S2、在所述导线的断裂处的两端的第一绝缘层上分别开设第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和第二过孔均暴露出其下方的导线的侧缘；
步骤S3、形成修复线，所述修复线的一端通过所述第一过孔与所述导线的断裂处的一端相连，所述修复线的另一端通过所述第二过孔与所述导线的断裂处的另一端相连。
利用激光打孔形成所述第一过孔和第二过孔。
所述步骤S3中，所述修复线的材料为钨或钼。
所述步骤S1中，所述第一绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅中的一种或二者的组合。
所述步骤S3中，通过该激光长线形成所述修复线。
所述步骤S3中重复至少两次激光长线以形成所述修复线。
所述导线的材料为钼和铝中的一种或二者的组合。
所述导线为所述阵列基板中的扫描线或数据线。
所述阵列基板上还设有第二绝缘层，所述导线形成于所述第二绝缘层上。
所述步骤S3中重复两次激光长线以形成所述修复线，其中第一次激光长线为从第一过孔扫向第二过孔，第二次激光长线为从第二过孔扫回第一过孔。
本发明的有益效果：本发明提供一种断线修复方法，包括如下步骤：提供一阵列基板，所述阵列基板上具有断裂的导线，所述导线上覆盖有第一绝缘层；
在所述导线的断裂处的两端的第一绝缘层上分别开设第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和第二过孔均暴露出其下方的导线的侧缘；形成修复线，所述修复线的一端通过所述第一过孔与所述导线的断裂处的一端相连，所述修复线的另一端通过所述第二过孔与所述导线的断裂处的另一端相连。通过将第一过孔和第二过孔形成于断裂的导线的侧缘，能够使得修复线在爬坡时无需再爬过第一绝缘层，进而减少修复线的爬坡高度，降低断线修复难度，提升断线修复的成功率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的断线修复方法的俯视图；
图2为图1中A-A处的剖视图；
图3为本发明的断线修复方法的俯视图；
图4为图3中B-B处的剖视图；
图5为本发明的断线修复方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图5，本发明提供一种断线修复方法，包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图3及图4，提供一阵列基板1，所述阵列基板1上具有断裂的导线2，所述导线2上覆盖有第一绝缘层3。
具体地，所述阵列基板1上还设有第二绝缘层5，所述导线2形成于所述第二绝缘层5上。
具体地，常见的阵列基板1的结构包括：衬底基板、在所述衬底基板上的衬底绝缘层、设于所述衬底绝缘层上的TFT层、覆盖所述TFT层的钝化层及设于所述钝化层上的像素电极，其中TFT层包括：第一金属层、第二金属层及位于所述第一金属层和第二金属层之间的栅极绝缘层，其中第一金属层中设有栅极及与所述栅极电性连接的扫描线，第二金属层设有源极、漏极及与所述源极电性连接的数据线，当然完整的TFT层还会包括半导体层，该半导体层的位置根据TFT结构的不同可以位于所述栅极的上方或位于所述栅极的下方。
具体地，所述步骤S1中所述断裂的导线2可以为扫描线也可以为数据线，其中当所述断裂的导线2为扫描线时，所述第一绝缘层3为钝化层及栅极绝缘层的层叠，所述第二绝缘层5为衬底绝缘层，当所述断裂的导线2为数据线时，所述第一绝缘层3包括钝化层，所述第二绝缘层5为栅极绝缘层和衬底绝缘层的层叠。
优选地，所述第一绝缘层3的材料为氧化硅或氮化硅中的一种或二者的组合，所述导线2的材料为铝和钼中的一种或二者的组合，更优选地，所述导线2为两层钼夹一层铝的结构。
步骤S2、在所述导线2的断裂处的两端的第一绝缘层3上分别开设第一过孔21和第二过孔22，所述第一过孔21和第二过孔22均暴露出其下方的导线2的侧缘。
具体地，如图4所示并参阅图3，在所述步骤S2中，利用激光打孔形成所述第一过孔21和第二过孔22，其中，通过形成第一过孔21和第二过孔22去除了所述导线2侧缘的第一绝缘层3。
步骤S3、形成修复线4，所述修复线4的一端通过所述第一过孔21与所述导线2的断裂处的一端相连，所述修复线4的另一端通过所述第二过孔22与所述导线2的断裂处的另一端相连。
具体地，所述步骤S3中通过激光长线的方法形成所述修复线4，优选地所述修复线4的材料为钨或钼。
需要说明的是，如图4所示，由于第一过孔21和第二过孔22位于所述导线2的侧缘，去除了导线2侧缘位置的第一绝缘层3，从而所述修复线4在形成时无需再爬过所述第一绝缘层3，爬坡高度大大减少，在爬坡处断裂的机率也大大减小，能够有效提升修复线4的制作成功率。
进一步地，本发明通过重复至少两次激光长线以形成所述修复线4，以提升修复线4和导线2的接触面积，增强长线的导通，优选地，所述步骤S3中重复两次激光长线以形成所述修复线4，其中第一次激光长线为从第一过孔21扫向第二过孔22，第二次激光长线为从第二过孔22扫回第一过孔21，以形成所述修复线4。
综上所述，本发明提供一种断线修复方法，包括如下步骤：提供一阵列基板，所述阵列基板上具有断裂的导线，所述导线上覆盖有第一绝缘层；在所述导线的断裂处的两端的第一绝缘层上分别开设第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和第二过孔均暴露出其下方的导线的侧缘；形成修复线，所述修复线的一端通过所述第一过孔与所述导线的断裂处的一端相连，所述修复线的另一端通过所述第二过孔与所述导线的断裂处的另一端相连。通过将第一过孔和第二过孔形成于断裂的导线的侧缘，能够使得修复线在爬坡时无需再爬过第一绝缘层，进而减少修复线的爬坡高度，降低断线修复难度，提升断线修复的成功率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种断线修复方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一阵列基板(1)，所述阵列基板(1)上具有断裂的导线(2)，所述导线(2)上覆盖有第一绝缘层(3)；
步骤S2、在所述导线(2)的断裂处的两端的第一绝缘层(3)上分别开设第一过孔(21)和第二过孔(22)，所述第一过孔(21)和第二过孔(22)均暴露出其下方的导线(2)的侧缘；
步骤S3、形成修复线(4)，所述修复线(4)的一端通过所述第一过孔(21)与所述导线(2)的断裂处的一端相连，所述修复线(4)的另一端通过所述第二过孔(22)与所述导线(2)的断裂处的另一端相连；
所述步骤S3中由于第一过孔(21)和第二过孔(22)位于所述导线(2)的侧缘，去除了导线(2)侧缘位置的第一绝缘层(3)，从而所述修复线(4)在形成时无需再爬过所述第一绝缘层(3)。
2.如权利要求1所述的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S2中，利用激光打孔形成所述第一过孔(21)和第二过孔(22)。
3.如权利要求1所述的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述修复线(4)的材料为钨或钼。
4.如权利要求1所述的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述第一绝缘层(3)的材料为氧化硅或氮化硅中的一种或二者的组合。
5.如权利要求1所述的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S3中，通过激光长线形成所述修复线(4)。
6.如权利要求5所述的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S3中重复至少两次激光长线以形成所述修复线(4)。
7.如权利要求1所述的断线修复方法，其特征在于，所述导线(2)的材料为钼和铝中的一种或二者的组合。
8.如权利要求1所述的断线修复方法，其特征在于，所述导线(2)为所述阵列基板中的扫描线或数据线。
9.如权利要求1所述的断线修复方法，其特征在于，所述阵列基板(1) 上还设有第二绝缘层(5)，所述导线(2)形成于所述第二绝缘层(5)上。
10.如权利要求6所述的断线修复方法，其特征在于，所述步骤S3中重复两次激光长线以形成所述修复线(4)，其中第一次激光长线为从第一过孔(21)扫向第二过孔(22)，第二次激光长线为从第二过孔(22)扫回第一过孔(21)。
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