CN101399272A - 薄膜晶体管阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板，包括分别位于绝缘层的上层和下层，且互相垂直交叉的数个数据线与栅线，在所述数据线和所述栅线交叉部的一侧设有一数据补助线，所述数据补助线两端与所述交叉部两边的数据线连接。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板，通过在所述数据线和所述栅线交叉部的一侧设置数据补助线，将出现不良现象的数据线与该数据补助线连接，切割处于交叉部的数据线，并进行修复，解决了栅线与数据线交叉部发生的短路或数据线断线等各种不良问题，提高了产品质量。

Description

薄膜晶体管阵列基板
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板，尤其涉及一种具有数据补助线的薄膜晶体管阵列基板，属于电子设备制造领域。
背景技术
现有的薄膜晶体管阵列基板上设有数个互相垂直交叉的数据线和栅线，其中栅线位于绝缘层的下层，数据线位于绝缘层的上层，由于在阵列基板生产工艺过程中产生的一些异物会导致栅线和数据线之间短路，栅线和数据线周边部位较容易产生的数十万伏静电也会导致栅线和数据线之间的短路，且栅线和数据线交叉部会产生段差导致数据线断线，所以栅线和数据线交叉部比其他部位更为脆弱，很容易产生各种不良现象，这些现象导致产品质量下降而不能销售。在生产过程中，若要提高优秀率，进而提高市场竞争力，就需要改善这些不良现象。
如图1和图2所示，为现有的薄膜晶体管阵列基板的设计方案，预先在阵列基板11四周设计补偿线12，当与栅线14交叉的数据线13出现断线情况时，将数据线13与补偿线12连接，使得信号能正常的传输到面板上。
上述现有的薄膜晶体管阵列基板的设计方案，当若干不良现象发生在一条数据线上时，不能通过上述方法进行修复；设计在阵列基板11周边的补偿线12数量有限，若出现不良现象的数据线13超过一定数量，则补偿线12不能满足所有出现不良现象的数据线与其连接的需求，进而不能进行修复。
发明内容
本发明的发明目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，解决栅线与数据线交叉部发生的短路或数据线断线等各种不良问题，提高产品质量。
本发明通过一些实施例提供了如下的技术方案，包括分别位于绝缘层的上层和下层，且互相垂直交叉的多个数据线与栅线，在所述数据线和所述栅线交叉部的一侧设有一数据补助线，所述数据补助线两端与所述交叉部两边的数据线连接。
本发明通过一些实施例提供的薄膜晶体管阵列基板，通过在所述数据线和所述栅线交叉部的一侧设置数据补助线，将出现不良现象的数据线与该数据补助线连接，切割处于交叉部的数据线，并进行修复，解决了栅线与数据线交叉部发生的短路或数据线断线等各种不良问题，提高了产品质量。
附图说明
图1为现有薄膜晶体管阵列基板的示意图；
图2为现有薄膜晶体管阵列基板的数据线连接数据补助线的示意图；
图3为本发明薄膜晶体管阵列基板的实施例一的示意图；
图4为本发明薄膜晶体管阵列基板的实施例二的示意图；
图5为本发明薄膜晶体管阵列基板的实施例三的示意图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
实施例一：
如图3所示，为本发明薄膜晶体管阵列基板的实施例一的示意图。本实施例包括：栅线21、数据线22、数据补助线24及像素电极(图中未示出)，其中栅线21位于绝缘层的下层，数据线22位于绝缘层的上层，数据补助线24设置在数据线22和栅线21交叉部的一侧，数据补助线24的材料与像素电极相同，并且与像素电极形成在同层上。
本实施例中，在像素电极和数据线22之间具有钝化层，在阵列基板的生产过程中形成该钝化层时，在该钝化层上留设第一过孔25和第二过孔26，这2个过孔分别位于数据线22和栅线21交叉部的两边；在钝化层之上形成像素电极时，在数据线22与栅线21交叉部的一侧设置数据补助线24，数据补助线24的两端分别通过贯穿钝化层的第一过孔25和第二过孔26与数据线22连接。
本实施例中，在数据线22和栅线21的交叉部出现数据线22断线或短路现象23时，因为数据补助线24与数据线22连接，所以在栅线21和数据线22之间发生数据线22断线情况时可以使用数据补助线24正常输入信号，或者发生数据线22短路情况23时，切断栅线21和数据线22交叉部的数据线22，也可以使用数据补助线24正常输入信号，提高了产品质量。
实施例二：
如图4所示，为本发明薄膜晶体管阵列基板的实施例二的示意图。本实施例包括：栅线31、数据线32、数据补助线34及像素电极(图中未示出)，其中栅线31位于绝缘层的下层，数据线32位于绝缘层的上层，数据补助线34设置在数据线32和栅线31交叉部的一侧，其中数据补助线34由依次连接的第一连接线341、第二连接线342以及第三连接线343组成；其中第一连接线341和第三连接线343的材料与像素电极相同，并且与像素电极形成在同层上，第二连接线342的材料与数据线32相同，并且与数据线32形成在同层上。
本实施例中，在阵列基板的生产过程中形成数据线时，在数据线32与栅线31交叉部位的一侧设置第二连接线342；在形成像素电极和数据线32之间的钝化层时，在钝化层上留设第一过孔35和第二过孔36，这2个过孔分别位于数据线32和栅线31交叉部的两边，在钝化层上还留设第三过孔37和第四过孔38，这2个过孔分别位于第二连接线342的两端；在钝化层之上形成像素电极时，设置第一连接线341和第三连接线343，均与数据线32垂直；第二连接线342为岛形结构，与数据线32平行，且与其他数据线没有连接关系。第一连接线341和第三连接线343的一端分别通过贯穿钝化层的第三过孔37和第四过孔38与第二连接线342连接，第一连接线341和第三连接线343的另一端分别通过贯穿钝化层的第一过孔35和第二过孔36与数据线32连接。
本实施例中，在数据线32和栅线31的交叉部出现数据线32断线或短路现象33时，因为数据补助线34与数据线32连接，所以在栅线31和数据线32之间发生数据线32断线情况时可以使用数据补助线34正常输入信号，或者发生数据线32短路情况33时，切断栅线31和数据线32交叉部的数据线32，也可以使用数据补助线34正常输入信号，提高了产品质量。
实施例三：
如图5所示，为本发明薄膜晶体管阵列基板的实施例三的示意图。本实施例包括：栅线41、数据线42以及数据补助线44，其中栅线41位于绝缘层的下层，数据线42位于绝缘层的上层，数据补助线44设置在数据线42和栅线41交叉部的一侧，数据补助线44的两端与数据线42连接，其材料与数据线42相同，并且与数据线42形成在同层上。
在阵列基板的生产过程中形成数据线42时，在数据线42与栅线41交叉部的一侧设置数据补助线44，在数据线42和栅线41的交叉部出现数据线42断线或短路现象43时，因为数据补助线44与数据线42连接，所以在栅线41和数据线42之间发生数据线42断线情况时可以使用数据补助线44正常输入信号，或者发生数据线42短路情况43时，切断栅线41和数据线42交叉部的数据线42，也可以使用数据补助线44正常输入信号，提高了产品质量。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1、一种薄膜晶体管阵列基板，包括分别位于绝缘层的上层和下层，且互相垂直交叉的数个数据线与栅线，其特征在于，在所述数据线和所述栅线交叉部的一侧设有一数据补助线，所述数据补助线两端与所述交叉部两边的数据线连接。
2、根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据补助线的材料与数据线相同，并且与数据线形成在同层上。
3、根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括像素电极，所述数据补助线的材料与所述像素电极相同，并且与所述像素电极形成在同层上。
4、根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括像素电极，所述数据补助线由依次连接的第一连接线、第二连接线和第三连接线组成，所述第二连接线的材料与所述数据线相同，并且与所述数据线形成在同层上；所述第一连接线和第三连接线的材料与所述像素电极相同，并且与所述像素电极形成在同层上。
5、根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在所述像素电极和所述数据线之间有钝化层，所述第一连接线和第三连接线通过贯穿所述钝化层的第一过孔与所述第二连接线连接。
6、根据权利要求3-5任一所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在所述像素电极和所述数据线之间有钝化层，所述数据补助线通过贯穿所述钝化层的第二过孔与数据线连接。
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