CN108251821A - 一种应用于pecvd成膜的基座 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种应用于PECVD成膜的基座，用于对一衬底进行沉积成膜，基座包括基座本体、设置于基座本体下方用于支撑基座本体的底座，以及一动力单元，基座本体上沿其延伸方向依次间隔开设有至少三个开孔，每个开孔内均安装有一支撑单元，至少三个支撑单元用于共同支撑衬底；至少三个支撑单元均与动力单元连接，动力单元用于驱动每个支撑单元相对于基座本体升降。本发明提供了一种应用于PECVD成膜的基座，通过设置至少三个支撑单元对衬底进行支撑，除了两端的两个支撑单元支撑衬底的两端外，还有一个支撑单元位于衬底的中部下方进行辅助的支撑，有效避免了现有技术中只有两个goft tee分别支撑衬底两端，由于衬底中间下垂量较大可能产生的破片现象的发生。

Description

一种应用于PECVD成膜的基座
技术领域
本发明属于显示技术领域，涉及一种应用于PECVD成膜的基座。
背景技术
AMOLED等类型的面板生产一般会涉及到等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)，在AMOLED面板的PECVD成膜工艺中，PECVD机台的下游PC在进片时，一般通过机械手臂将玻璃衬底glass放置在机台基座(susceptor)的底座goft tee上，现有技术中，一般是两个goft tee分别支撑玻璃衬底glass的两端，这会导致glass的中间下垂量很大，如果glass表面有缺陷，这时很容易导致破片，而破片之后再复机需要96h，严重影响了产能。
此外，由于goft tee自身不带加热功能，glass在成膜过程中，goft tee和susceptor之间会有温差，该温差可能会导致成膜过程中产品产生Mural现象，严重影响了产品良率。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种应用于PECVD成膜的基座，解决现有技术中只有两个goft tee分别支撑衬底两端，由于衬底中间下垂量较大可能产生的破片现象的发生。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种应用于PECVD成膜的基座，用于对一衬底进行沉积成膜，所述基座包括基座本体、设置于所述基座本体下方用于支撑所述基座本体的底座，以及一动力单元，所述基座本体上沿其延伸方向依次间隔开设有至少三个开孔，每个所述开孔内均安装有一支撑单元，至少三个所述支撑单元用于共同支撑所述衬底；所述至少三个支撑单元均与所述动力单元连接，所述动力单元用于驱动每个所述支撑单元相对于所述基座本体升降。
进一步的，所述动力单元用于驱动每个所述支撑单元上升至高位或下降至低位，当所述至少三个支撑单元下降至所述低位时，每个所述支撑单元的上表面与所述基座本体的上表面平齐。
进一步的，所述开孔为台阶状的盲孔，包括上部、中部和下部，其中，所述台阶状盲孔的中部的孔径尺寸大于上部的孔径尺寸和下部的孔径尺寸；所述支撑单元包括支撑件、限位件、弹性元件以及连接绳，所述支撑件和所述台阶状盲孔的上部沿平行于所述基座本体上表面的方向的截面的形状相同；所述限位件设置于所述台阶状盲孔的中部内并与所述支撑件的下部连接，所述限位件沿所述基座本体上表面延伸方向的尺寸大于所述台阶状盲孔的上部和下部沿所述基座本体上表面延伸方向的尺寸；所述弹性元件的两端分别与所述限位件和所述台阶状盲孔的下部的端面抵触；所述连接绳的一端与所述限位件连接，另一端与所述动力单元连接。
进一步的，所述基座本体具有沿其延伸方向开设的第一内腔，所述底座具有沿其延伸方向开设并与所述第一内腔连通的第二内腔，所述第一内腔分别与每个所述台阶状盲孔的下部连通，所述连接绳的另一端穿过所述第一内腔和所述第二内腔与位于所述底座外的所述动力单元连接。
进一步的，每个所述支撑单元还包括一用于对所述支撑件的上表面进行加热的加热装置。
进一步的，所述加热装置包括加热件和加热控制线，所述加热件设置于所述支撑件内部，所述加热控制线一端与所述加热件连接，另一端穿过所述第一内腔和所述第二内腔与一控制中心连接，所述控制中心用于控制所述加热件的工作状态。
进一步的，所述加热装置还包括用于测量所述支撑件的上表面温度的温度传感器和超温传感器，所述温度传感器和所述超温传感器均与所述控制中心通讯连接。
进一步的，所述温度传感器通过一温度线与所述控制中心通讯连接，所述超温传感器通过一超温线与所述控制中心通讯连接，所述温度线和所述超温线的一端分别与所述温度传感器和所述超温传感器连接，另一端均穿过所述第一内腔和所述第二内腔与所述控制中心连接。
进一步的，所述基座本体上沿其延伸方向依次间隔开设有第一开孔、第二开孔和第三开孔，所述第一开孔、所述第二开孔和所述第三开孔内分别安装有对应的第一支撑单元、第二支撑单元和第三支撑单元，所述第一支撑单元和所述第三支撑单元分别用于支撑所述衬底的两端；所述动力单元包括第一动力装置和第二动力装置，所述第一动力装置用于同步驱动所述第一支撑单元和所述第三支撑单元的升降，所述第二动力装置用于驱动所述第二支撑单元的升降。
进一步的，所述动力单元用于驱动每个所述支撑单元上升至高位或下降至低位；当所述至少三个支撑单元下降至所述低位时，每个所述支撑单元的上表面与所述基座本体的上表面平齐；当所述至少三个支撑单元上升至所述高位时，所述第一支撑单元和所述第三支撑单元的上表面距离所述基座本体上表面的距离均为h1，所述第二支撑单元的上表面距离所述基座本体上表面的距离位h2，0＜h1-h2≤5mm。
与现有技术相比，本发明提供了一种应用于PECVD成膜的基座，通过设置至少三个支撑单元对衬底进行支撑，除了两端的两个支撑单元支撑衬底的两端外，还有一个支撑单元位于衬底的中部下方进行辅助的支撑，有效避免了现有技术中只有两个goft tee分别支撑衬底两端，由于衬底中间下垂量较大可能产生的破片现象的发生。
并且，本发明在每个支撑单元内还设置了加热装置，使支撑单元的上表面与基座本体的上表面的温度一直，防止因为表面温度不一致带来的沉积成膜中产品出现的Mural现象，提高了产品良率。
附图说明
图1是本发明一实施例提供的一种应用于PECVD成膜的基座的结构示意图；
图2是本发明一实施例提供的一种应用于PECVD成膜的基座的支撑单元处于高位时的结构示意图；
图3是本发明一实施例提供的一种应用于PECVD成膜的基座的支撑单元处于低位时的结构示意图；
图4是本发明一实施例提供的采用应用于PECVD的基座对衬底进行沉积成膜的方法的流程示意图。
其中，1-基座本体；2-底座；3-动力单元；4-控制中心；1a-第一开孔；1b-第二开孔；1c第三开孔；10-第一支撑单元；20-第二支撑单元；30-第三支撑单元；11-支撑件；12-限位件；13-弹性元件；14-连接绳；15-加热控制线；16-温度线；17-超温线；18-导轨；19-滑块；31-第一动力装置；32-第二动力装置。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种应用于PECVD成膜的基座作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。
图1是本发明一实施例提供的一种应用于PECVD成膜的基座的示意图。请参考图1，本申请的一种应用于PECVD成膜的基座，用于对一衬底进行沉积成膜，所述基座包括基座本体1、以及设置于所述基座本体1下方用于支撑所述基座本体1的底座2，以及一动力单元3，所述基座本体10上沿其延伸方向依次间隔开设有至少三个开孔1a、1b和1c，每个所述开孔内均安装有一支撑单元，至少三个所述支撑单元10、20、30用于共同支撑所述衬底；所述至少三个支撑单元均与所述动力单元3连接，所述动力单元3用于驱动每个所述支撑单元相对于所述基座本体1升降。在本实施例中，通过设置至少三个支撑单元10、20、30来支撑衬底glass，这样，除了两端的两个支撑单元支撑衬底glass的两端外，还有一个支撑单元位于glass的中部下方进行辅助的支撑，有效避免了现有技术中只有两个goft tee分别支撑glass两端，由于glass中间下垂量较大可能产生的破片现象的发生。而且，本申请中，当基座进片时，可以通过支撑单元上升，来支撑衬底glass，当条件允许沉积成膜时，支撑单元下降，可以让衬底glass直接搁置在基座本体1的上表面进行沉积成膜。
作为本实施例的一种优选方案，所述动力单元3用于驱动每个所述支撑单元上升至高位或下降至低位，当所述至少三个支撑单元下降至所述低位时，每个所述支撑单元的上表面与所述基座本体1的上表面平齐，使得整个基座本体1的上表面十分平整，衬底放置在其上进行沉积成膜时效果更好。
作为本申请的一种实现方式，所述开孔1a、1b或1c均为台阶状的盲孔，包括上部、中部和下部，其中，所述台阶状盲孔的中部的孔径尺寸大于上部的孔径尺寸和下部的孔径尺寸；在本申请中，每个所述支撑单元10、20、30的组成部件均相同，不同之处仅在于个别部件的尺寸存在些许差别，该尺寸差别在后续会进行额外的说明。在本实施例中，以一个支撑单元10为例，对其组成结构进行描述，其他两个支撑单元20和30的结构的组成部件与此相同。其中，所述支撑单元10包括支撑件11、限位件12、弹性元件13以及连接绳14，所述支撑件11和所述台阶状盲孔的上部沿平行于所述基座本体10上表面的方向的截面的形状相同，即支撑件11刚好卡合在所述台阶状盲孔的上部中，并能在所述台阶状盲孔的上部中升降，这样设计的好处是，使所述支撑件11与所述基座本体1的上表面之间几乎不存在间隙，这样可以防止后续成膜时出现在连接处受热不均的现象；并且，所述限位件12设置于所述台阶状盲孔的中部内并与所述支撑件11的下部连接，当然，所述限位件12也可以是与所述支撑件11一体成型，本申请对于两者之间的连接方式并不做额外的限定，只要两者之间能够同步升降即可；所述限位件12沿所述基座本体1上表面延伸方向的尺寸大于所述台阶状盲孔的上部和下部沿所述基座本体1上表面延伸方向的尺寸，即，所述限位件12只能在所述台阶状盲孔的中部升降，这样就可以起到一个限位作用，防止支撑单元10升降时上升得过高或下降得过低，使其上升至所述高位时即停止上升，下降至所述低位时即停止下降。所述弹性元件13的两端则分别与所述限位件12和所述台阶状盲孔的下部的端面抵触，所述连接绳14的一端与所述限位件12连接，另一端与所述动力单元3连接。这样，当所述支撑单元10受所述动力单元3的作用力下降时，会使所述弹性元件13压缩形变，而当所述动力单元3作用于所述支撑单元10的作用力消失时，所述弹性元件13则恢复形变，所述限位件12受力上升，使所述支撑单元10上升至高位。其中，所述弹性元件13可以是弹簧，也可以是其他具有弹性的元件，本申请对此不作限定。
进一步的，作为本申请的一种实现方式，所述基座本体1具有沿其延伸方向开设的第一内腔，所述底座2具有沿其延伸方向开设并与所述第一内腔连通的第二内腔，所述第一内腔分别与每个所述台阶状盲孔的下部连通，所述连接绳14的另一端穿过所述第一内腔和所述第二内腔与位于所述底座外的所述动力单元3连接，通过所述动力单元3带动所述连接绳14运动，改变其长度，使所述连接绳14受力将所述限位件12向下拉，或使所述连接绳14不受力，让所述弹性元件13带动所述限位件12上升。
在衬底glass沉积成膜的过程中，每个所述支撑单元均处于低位，使其上表面与所述基座本体1的上表面平齐，为了克服支撑单元与基座本体1上表面的温度不一致带来的Mural现象，在本申请中，每个所述支撑单元10、20和30均还包括一用于对所述支撑件的上表面进行加热的加热装置(图中未标出)。
以其中一个支撑单元10为例，其包括所述加热装置，所述加热装置包括加热件(图中未标出)和加热控制线15，所述加热件设置于所述支撑件11内部，所述加热控制线15一端与所述加热件连接，另一端穿过所述第一内腔和所述第二内腔与一控制中心4连接，所述控制中心4用于控制所述加热件的工作状态。
其中，为了保持支撑单元10上表面的温度始终与基座本体1上表面温度一直，所述加热装置还包括用于测量所述支撑件11的上表面温度的温度传感器和超温传感器，所述温度传感器和所述超温传感器均与所述控制中心4通讯连接。所述温度传感器用来实时监测成膜过程中所述支撑件11上表面的温度，当发现所述支撑件11上表面的温度与基座本体1的上表面的温度存在差异时，可以及时传递反馈给所述控制中心4，所述控制中心4再通过加热控制线15控制加热件的工作状态，使其增大或减小功率。此外，为了防止支撑单元10以及加热件因加热温度过高导致损坏，本申请还设置了超温传感器，防止出现支撑件11的上表面的温度过高的情况发生。
作为本申请的一种实现方式，所述温度传感器通过一温度线16与所述控制中心4通讯连接，所述超温传感器通过一超温线17与所述控制中心4通讯连接，所述温度线16和所述超温线17的一端分别与所述温度传感器和所述超温传感器连接，另一端均穿过所述第一内腔和所述第二内腔与所述控制中心4连接。
在本申请中，所述基座本体1上沿其延伸方向依次间隔开设有第一开孔1a、第二开孔1b和第三开孔1c，所述第一开孔1a、所述第二开孔1b和所述第三开孔1c内分别安装有对应的第一支撑单元10、第二支撑单元20和第三支撑单元30，所述第一支撑单元10和所述第三支撑单元30分别用于支撑所述衬底的两端；所述动力单元3包括第一动力装置31和第二动力装置32，动力装置可以是伺服电机，即所述动力单元3包括两台伺服电机，分别作为第一动力装置31和第二动力装置32，所述第一动力装置31用于同步驱动所述第一支撑单元10和所述第三支撑单元30的升降，所述第二动力装置32用于驱动所述第二支撑单元20的升降，例如，所述第一支撑单元10和所述第三支撑单元30的连接绳的另一端均与所述第一动力装置31相连，而所述第二支撑单元20的连接绳的另一端则与所述第二动力装置32相连。即，本申请中，第一支撑单元10和第三支撑单元30的升降始终同步，而所述第二支撑单元20的升降则单独控制，可以与第一支撑单元10和第三支撑单元30不同步。这样做的优势在于，防止所述第二支撑单元20先于所述第一支撑单元10和所述第三支撑单元30接触到衬底glass，由于所述第二支撑单元20直接设置在衬底glass中部的下方，当所述第二支撑单元20先于所述第一支撑单元10和所述第三支撑单元30接触到衬底glass时，此时，衬底glass的两端若没有支撑，所述第二支撑单元20可能会划伤衬底glass的中部，导致整块衬底glass报废。
作为本申请的一种优选方案，所述动力单元3用于驱动每个所述支撑单元上升至高位或下降至低位；当所述至少三个支撑单元10、20、30下降至所述低位时，每个所述支撑单元10、20、30的上表面与所述基座本体1的上表面平齐；当所述至少三个支撑单元10、20、30上升至所述高位时，所述第一支撑单元10和所述第三支撑单元30的上表面距离所述基座本体1上表面的距离均为h1，所述第二支撑单元20的上表面距离所述基座本体1上表面的距离位h2，0＜h1-h2≤5mm，这样可以进一步避免第二支撑单元20的上表面直接接触到衬底，而只是起到辅助支撑的作用，防止由于衬底galss表面的缺陷，当衬底glass的中间下垂量过大没有支撑出现破片现象。
作为本申请的一种优选方案，为了控制所述支撑单元10、20和30升降过程中的准确性，在每个所述台阶状盲孔的中部内还设置了导轨和滑块来辅助所述支撑单元10、20和30进行升降。以支撑单元10为例，在其对应的所述台阶状盲孔的中部设置了导轨18和滑块19，导轨18的数量为两个，分别设置在所述台阶状盲孔的中部沿所述基座本体延伸方向的两端，所述滑块19与所述导轨18相匹配，数量也设置为两个，两个所述滑块19分别连接在所述限位件12沿所述基座本体延伸方向的两端，两个所述滑块19与所述导轨18接触，并且，所述滑块19能够在对应的所述导轨18上升降滑动。
采用本实施例的应用于PECVD的基座对衬底进行沉积成膜的方法，包括如下几个步骤：
S1：至少三个支撑单元上升至高位；
S2：机械手臂抓取衬底放置在所述至少三个支撑单元上；
S3：所述动力单元控制所述至少三个支撑单元下降至低位，使每个所述支撑单元的上表面与所述基座本体的上表面平齐；
S4：PECVD对所述衬底进行沉积成膜；
S5：所述至少三个支撑单元上升至高位，成膜后的衬底被抓取离开基座。
其中，所述沉积成膜方法还包括步骤S0：控制中心控制位于每个所述支撑单元内部的加热装置对支撑件的上表面进行加热，使所述支撑件的上表面的温度与所述基座本体上表面的温度相同。其中，所述S0只需在所述S4之前执行即可，可以在所述S1之前，也可以在所述S3之后所述S4之前执行。
具体来说，所述S1具体包括：初始状态下，每个所述支撑单元均处于高位位置，此时，每个支撑单元对应的弹性元件应当处于无形变状态或压缩状态，第一支撑单元10和第三支撑单元30的支撑件的上表面平齐，第二支撑单元20的支撑件的上表面比前两者要稍低，差值可以在(0，5mm]的范围内。
执行S2后，衬底的两端分别被所述第一支撑单元10和所述第三支撑单元30支撑，而第二支撑单元20位于衬底的中部下方，当衬底由于缺陷，出现中间下垂量过大时，可以进行辅助支撑，防止出现破片现象。
在S3中，所述动力单元控制所述至少三个支撑单元下降至低位时，首先是第一动力装置31工作，例如伺服电机正转，使连接绳长度变短，通过所述第一支撑单元10和所述支撑单元30对应的连接绳拉动对应的限位件向下移动，使所述第一支撑单元10和所述支撑单元30下降；然后第二动力装置32才开始工作，通过所述第二支撑单元20对应的连接绳拉动对应的限位件向下移动，使所述第二支撑单元20下降。
相应的，在所述S5中，所述至少三个支撑单元上升至高位时，先是第一动力装置31工作，例如伺服电机反转，使连接绳长度变长，连接绳的拉力消失，第一支撑单元10和第三支撑单元30对应的弹性元件恢复形变，使所述第一支撑单元10和所述第三支撑单元30上升；然后，第二动力装置32再工作，使第二支撑单元20对应的连接绳当度变长，连接绳的拉力消失，第二支撑单元20对应的弹性元件恢复形变，使所述第二支撑单元20上升。
综上所述，本发明提供了一种应用于PECVD成膜的基座，通过设置至少三个支撑单元对衬底进行支撑，除了两端的两个支撑单元支撑衬底的两端外，还有一个支撑单元位于衬底的中部下方进行辅助的支撑，有效避免了现有技术中只有两个goft tee分别支撑衬底两端，由于衬底中间下垂量较大可能产生的破片现象的发生。
并且，本发明在每个支撑单元内还设置了加热装置，使支撑单元的上表面与基座本体的上表面的温度一直，防止因为表面温度不一致带来的沉积成膜中产品出现的Mural现象，提高了产品良率。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种应用于PECVD成膜的基座，用于对一衬底进行沉积成膜，所述基座包括基座本体、以及设置于所述基座本体下方用于支撑所述基座本体的底座，其特征在于，还包括一动力单元，所述基座本体上沿其延伸方向依次间隔开设有至少三个开孔，每个所述开孔内均安装有一支撑单元，至少三个所述支撑单元用于共同支撑所述衬底；
所述至少三个支撑单元均与所述动力单元连接，所述动力单元用于驱动每个所述支撑单元相对于所述基座本体升降。
2.根据权利要求1所述的一种应用于PECVD成膜的基座，其特征在于，所述动力单元用于驱动每个所述支撑单元上升至高位或下降至低位，
当所述至少三个支撑单元下降至所述低位时，每个所述支撑单元的上表面与所述基座本体的上表面平齐。
3.根据权利要求2所述的一种应用于PECVD成膜的基座，其特征在于，所述开孔为台阶状的盲孔，包括上部、中部和下部，其中，所述台阶状盲孔的中部的孔径尺寸大于上部的孔径尺寸和下部的孔径尺寸；
所述支撑单元包括支撑件、限位件、弹性元件以及连接绳，
所述支撑件和所述台阶状盲孔的上部沿平行于所述基座本体上表面的方向的截面的形状相同；
所述限位件设置于所述台阶状盲孔的中部内并与所述支撑件的下部连接，所述限位件沿所述基座本体上表面延伸方向的尺寸大于所述台阶状盲孔的上部和下部沿所述基座本体上表面延伸方向的尺寸；
所述弹性元件的两端分别与所述限位件和所述台阶状盲孔的下部的端面抵触；
所述连接绳的一端与所述限位件连接，另一端与所述动力单元连接。
4.根据权利要求3所述的一种应用于PECVD成膜的基座，其特征在于，所述基座本体具有沿其延伸方向开设的第一内腔，所述底座具有沿其延伸方向开设并与所述第一内腔连通的第二内腔，所述第一内腔分别与每个所述台阶状盲孔的下部连通，所述连接绳的另一端穿过所述第一内腔和所述第二内腔与位于所述底座外的所述动力单元连接。
5.根据权利要求4所述的一种应用于PECVD成膜的基座，其特征在于，每个所述支撑单元还包括一用于对所述支撑件的上表面进行加热的加热装置。
6.根据权利要求5所述的一种应用于PECVD成膜的基座，其特征在于，所述加热装置包括加热件和加热控制线，所述加热件设置于所述支撑件内部，所述加热控制线一端与所述加热件连接，另一端穿过所述第一内腔和所述第二内腔与一控制中心连接，所述控制中心用于控制所述加热件的工作状态。
7.根据权利要求6所述的一种应用于PECVD成膜的基座，其特征在于，所述加热装置还包括用于测量所述支撑件的上表面温度的温度传感器和超温传感器，所述温度传感器和所述超温传感器均与所述控制中心通讯连接。
8.根据权利要求7所述的一种应用于PECVD成膜的基座，其特征在于，所述温度传感器通过一温度线与所述控制中心通讯连接，所述超温传感器通过一超温线与所述控制中心通讯连接，所述温度线和所述超温线的一端分别与所述温度传感器和所述超温传感器连接，另一端均穿过所述第一内腔和所述第二内腔与所述控制中心连接。
9.根据权利要求2-8任一项所述的一种应用于PECVD成膜的基座，其特征在于，所述基座本体上沿其延伸方向依次间隔开设有第一开孔、第二开孔和第三开孔，所述第一开孔、所述第二开孔和所述第三开孔内分别安装有对应的第一支撑单元、第二支撑单元和第三支撑单元，所述第一支撑单元和所述第三支撑单元分别用于支撑所述衬底的两端；
所述动力单元包括第一动力装置和第二动力装置，所述第一动力装置用于同步驱动所述第一支撑单元和所述第三支撑单元的升降，所述第二动力装置用于驱动所述第二支撑单元的升降。
10.根据权利要求9所述的一种应用于PECVD成膜的基座，其特征在于，所述动力单元用于驱动每个所述支撑单元上升至高位或下降至低位；
当所述至少三个支撑单元下降至所述低位时，每个所述支撑单元的上表面与所述基座本体的上表面平齐；
当所述至少三个支撑单元上升至所述高位时，所述第一支撑单元和所述第三支撑单元的上表面距离所述基座本体上表面的距离均为h1，所述第二支撑单元的上表面距离所述基座本体上表面的距离位h2，0＜h1-h2≤5mm。
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