CN108226609B - 用于直流-直流变换器的电流检测电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于直流‑直流变换器的电流检测电路，包括电流采样电路、第一电流放大器、第二电流放大器和电流输出电路；电流采样电路用于对开关管进行电流采样以得到采样电流并根据采样电流产生第一采样电压和第二采样电压；电流输出电路包括驱动电流输入端、回路电压输入端和检测电流输出端；第一电流放大器的第一电压输入端、第二电流放大器的第二电压输入端、回路电压输入端与第二电压输出端电连接；第一电流放大器的第二电压输入端、第二电流放大器的第一电压输入端与第一电压输出端电连接；第一电流放大器的放大电流输出端和第二电流放大器的放大电流输出端共同驱动驱动电流输入端；电流输出电路用于输出检测电流至检测电流输出端。

Description

用于直流-直流变换器的电流检测电路

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种用于直流-直流变换器的电流检测电路。

背景技术

DC-DC Converter(直流-直流变换器)，利用电感与电容的储能特性，周期性的把输入电源能量传输到输出，通过比较小的开关损耗和导通损耗以维持高效率。参见图1，为一种常见的DC-DC Converter，其基本架构中包括振荡器010，误差放大器011，核心控制逻辑012，斜坡补偿产生电路013，电流取样电路014，脉宽调制比较器015A，电流限制电路015B，短路电流保护电路015C，电感器016，负载电阻017A，反馈电阻017B和017C，开关管018A，肖特基二级管018B，负载电容器019以及其它控制电路。其使用分压电阻017B及017C作为反馈部件，通过设置不同的反馈系数和误差放大器011维持不同输出电压，通过电流取样电路014，斜坡补偿产生电路013和脉宽调制比较器015A检测输出电流来达到控制电流的目的。

在DC-DC Converter中，电流采样检测的性能好坏影响系统电流控制精度以及效率。除此之外，用户对于最大电流和短路电流的限制导致如果电流采样检测响应不够快，可能造成系统紊乱。目前已有的电流检测方法分为两大类，一类是使用电阻器采样电流，其缺点是采样信号容易受到干扰，当负载电流过大时采样精度易出现大幅偏差，尤其短路保护时容易超出本来设计的短路保护电流导致系统异常；另一类是使用高速运放采样电流，缺点是设计复杂，功耗开销大。另外，在带大负载电流DC-DC Converter的软启动过程中，此时电压环不起作用，电流环占主导作用。如图1所示，当时钟CLK的上升沿来临时，为适应大占空比的情况，斜坡补偿产生电路013产生的斜坡电流I_ramp通常会如图1中所示有一个类似RC(电阻电容)放电的情形，这样在图1的I_S端口电压就会有一个相应的陡降，此时可能同时超出最大限制电流I_LIMIT和短路保护电流I_SC，这样就会误触发短路保护。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中用于直流-直流变换器的电流检测电路使用电阻器采样电流时采样信号容易受到干扰，当负载电流过大时采样精度易出现大幅偏差，尤其短路保护时容易超出本来设计的短路保护电流导致系统异常；使用高速运放采样电流时设计复杂，功耗开销大的缺陷，提供一种新型的适用于大电流的快速响应的用于直流-直流变换器的电流检测电路。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

本发明提供一种用于直流-直流变换器的电流检测电路，所述直流-直流变换器包括一开关管，其特点在于，所述电流检测电路包括电流采样电路、第一电流放大器、第二电流放大器和电流输出电路；

所述电流采样电路包括第一采样输入端、第二采样输入端、第一电压输出端和第二电压输出端；

所述第一采样输入端用于与所述开关管的栅极电连接，所述第二采样输入端用于与所述开关管的源级电连接；

所述电流采样电路用于对所述开关管进行电流采样以得到采样电流，并根据所述采样电流产生第一采样电压和第二采样电压，所述第一电压输出端用于输出所述第一采样电压，所述第二电压输出端用于输出所述第二采样电压；

所述第一电流放大器和所述第二电流放大器分别包括第一电压输入端、第二电压输入端和放大电流输出端；

所述电流输出电路包括驱动电流输入端、回路电压输入端和检测电流输出端；

所述第一电流放大器的第一电压输入端、所述第二电流放大器的第二电压输入端、所述回路电压输入端与所述第二电压输出端电连接；所述第一电流放大器的第二电压输入端、所述第二电流放大器的第一电压输入端与所述第一电压输出端电连接；

所述第一电流放大器的放大电流输出端和所述第二电流放大器的放大电流输出端共同驱动所述驱动电流输入端；

所述电流输出电路用于输出一检测电流，所述检测电流输出至所述检测电流输出端，所述检测电流与所述采样电流成比例关系。

较佳地，所述电流检测电路还包括第一电流镜，所述第一电流放大器的放大电流输出端与所述第一电流镜的输入端电连接，所述第二电流放大器的放大电流输出端、所述第一电流镜的输出端与所述驱动电流输入端电连接。

较佳地，所述电流检测电路还包括电流偏置电路；

所述第一电流放大器和所述第二电流放大器分别还包括偏置输入端；

所述电流偏置电路包括第一偏置输出端和第二偏置输出端；所述电流偏置电路用于产生偏置电流并输出至所述第一偏置输出端和所述第二偏置输出端；所述第一电流放大器的偏置输入端与所述第一偏置输出端电连接，所述第二电流放大器与所述第二偏置输出端电连接。

较佳地，

所述第一电流放大器还包括第一PMOS(P型金属-氧化物-半导体)管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，所述第一PMOS管的源级与所述第一电流放大器的第一电压输入端电连接，所述第二PMOS管的源级与所述第一电流放大器的第二电压输入端电连接；

所述第一PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极及所述第三PMOS管的源级电连接；

所述第三PMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极与所述第一电流放大器的偏置输入端电连接；

所述第二PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源级电连接；

所述第四PMOS管的漏极与所述第一电流放大器的放大电流输出端电连接；

所述第二电流放大器包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，所述第五PMOS管的源级与所述第二电流放大器的第一电压输入端电连接，所述第六PMOS管的源级与所述第二电流放大器的第二电压输入端电连接；

所述第五PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的栅极、所述第六PMOS管的栅极及所述第七PMOS管的源级电连接；

所述第七PMOS管的漏极、所述第七PMOS管的栅极、所述第八PMOS管的栅极与所述第二电流放大器的偏置输入端电连接；

所述第六PMOS管的漏极与所述第八PMOS管的源级电连接；

所述第八PMOS管的漏极与所述第二电流放大器的放大电流输出端电连接；

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第五PMOS管及所述第六PMOS管为低压PMOS管，所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第七PMOS管及所述第八PMOS管为高压PMOS管。

较佳地，所述电流采样电路还包括采样NMOS(N型金属-氧化物-半导体)管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述采样NMOS管为高压NMOS管；

所述采样NMOS管的栅极与所述第一采样输入端电连接，所述采样NMOS管的源级与所述第二采样输入端电连接，所述采样NMOS管的漏极与所述第一电阻的一端、所述第二电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述第一电压输出端电连接，所述第三电阻的一端、所述第一电阻的另一端接至输入电源，所述第三电阻的另一端与所述第二电压输出端电连接。

较佳地，所述第一电流镜包括第一三极管和第二三极管；所述第一三极管的集电极与所述第一电流镜的输入端电连接，所述第二三极管的集电极与所述第一电流镜的输出端电连接，所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极电连接，所述第一三极管的发射极及所述第二三极管的发射级接地，所述第一三极管的基极还与所述第一三极管的集电极电连接。

较佳地，所述电流输出电路还包括第四NMOS管和第三三极管，所述第四NMOS管为高压NMOS管；

所述第四NMOS管的漏极与所述回路电压输入端电连接，所述第四NMOS管的栅极接入VDD(器件工作电压)，所述第三三极管的集电极与所述第四NMOS管的源级电连接，所述第三三极管的基极与所述驱动电流输入端电连接，所述第三三极管的发射极与所述检测电流输出端电连接。

较佳地，所述电流偏置电路还包括偏置电流源、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第三NMOS管均为低压NMOS管；

所述偏置电流源的一端接入VDD，所述偏置电流源的另一端、所述第一NMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极及所述第三NMOS管的栅极电连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第一偏置输出端电连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第二偏置输出端电连接，所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极及所述第三NMOS管的源极接地。

本发明的积极进步效果在于：本发明提供的用于直流-直流变换器的电流检测电路使用两组适用于高压的交叉耦合的电流放大器即第一电流放大器和第二电流放大器实现了高速且高精度的电流检测，解决了直流-直流变换器负载电流过大时采样精度易出现大幅偏差，尤其短路保护时容易超出本来设计的短路保护电流导致系统异常的问题；提供了一种新型的适用于大电流的快速响应电流采样检测方案。

附图说明

图1为一种常见的DC-DC Converter电路图。

图2为本发明一较佳实施例的用于直流-直流变换器的电流检测电路的电路图。

具体实施方式

下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

如图2所示，本实施例提供了一种用于直流-直流变换器的电流检测电路，所述直流-直流变换器包括一开关管HS_SWITCH，所述电流检测电路包括电流采样电路1、第一电流放大器2、第二电流放大器3、电流输出电路4、第一电流镜5和电流偏置电路6。

所述电流采样电路1包括第一采样输入端、第二采样输入端、第一电压输出端、第二电压输出端、采样NMOS管MN_SAMPLE、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，所述采样NMOS管MN_SAMPLE为高压NMOS管；所述采样NMOS管MN_SAMPLE的栅极与所述第一采样输入端电连接，所述采样NMOS管MN_SAMPLE的源级与所述第二采样输入端电连接，所述采样NMOS管MN_SAMPLE的漏极与所述第一电阻R1的一端及所述第二电阻R2的一端电连接，所述第二电阻R2的另一端与所述第一电压输出端电连接，所述第三电阻R3的一端、所述第一电阻R1的另一端接至输入电源VIN，所述第三电阻R3的另一端与所述第二电压输出端电连接。

所述第一采样输入端用于与所述开关管HS_SWITCH的栅极电连接，所述开关管HS_SWITCH的栅极接入如图1中所示的DC-DC Convert中核心控制逻辑输出的V_DRIVE，所述第二采样输入端用于与所述开关管HS_SWITCH的源级电连接，所述开关管HS_SWITCH的源级接入如图1中所示的DC-DC Convert中的电压SW。

所述电流采样电路用于对所述开关管HS_SWITCH的开关电流I_SWITCH进行电流采样以得到采样电流I_SAMPLE，并根据所述采样电流I_SAMPLE产生第一采样电压和第二采样电压，所述第一电压输出端用于输出所述第一采样电压，所述第二电压输出端用于输出所述第二采样电压。

所述第一电流放大器2和所述第二电流放大器3分别包括第一电压输入端、第二电压输入端、偏置输入端和放大电流输出端。

所述第一电流放大器2还包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4，所述第一PMOS管MP1的源级与所述第一电流放大器2的第一电压输入端电连接，所述第二PMOS管MP2的源级与所述第一电流放大器2的第二电压输入端电连接；所述第一PMOS管MP1的漏极、所述第一PMOS管MP1的栅极、所述第二PMOS管MP2的栅极及所述第三PMOS管MP3的源级电连接；所述第三PMOS管MP3的漏极、所述第三PMOS管MP3的栅极、所述第四PMOS管MP4的栅极与所述第一电流放大器2的偏置输入端电连接；所述第二PMOS管MP2的漏极与所述第四PMOS管MP4的源级电连接；所述第四PMOS管MP4的漏极与所述第一电流放大器2的放大电流输出端电连接。

所述第二电流放大器3包括第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7和第八PMOS管MP8，所述第五PMOS管MP5的源级与所述第二电流放大器3的第一电压输入端电连接，所述第六PMOS管MP6的源级与所述第二电流放大器3的第二电压输入端电连接；所述第五PMOS管MP5的漏极、所述第五PMOS管MP5的栅极、所述第六PMOS管MP6的栅极及所述第七PMOS管MP7的源级电连接；所述第七PMOS管MP7的漏极、所述第七PMOS管MP7的栅极、所述第八PMOS管MP8的栅极与所述第二电流放大器3的偏置输入端电连接；所述第六PMOS管MP6的漏极与所述第八PMOS管MP8的源级电连接；所述第八PMOS管MP8的漏极与所述第二电流放大器3的放大电流输出端电连接。

所述第一PMOS管MP1、所述第二PMOS管MP2、所述第五PMOS管MP5及所述第六PMOS管MP6为低压PMOS管，所述第三PMOS管MP3、所述第四PMOS管MP4、所述第七PMOS管MP7及所述第八PMOS管MP8为高压PMOS管。

所述电流输出电路4包括驱动电流输入端、回路电压输入端、检测电流输出端I_S、第四NMOS管MN4和第三三极管NPN3，所述第四NMOS管MN4为高压NMOS管；所述第四NMOS管MN4的漏极与所述回路电压输入端电连接，所述第四NMOS管MN4的栅极接入VDD，所述第三三极管NPN3的集电极与所述第四NMOS管MN4的源级电连接，所述第三三极管NPN3的基极与所述驱动电流输入端电连接，所述第三三极管NPN3的发射极与所述检测电流输出端I_S电连接。

所述第一电流镜5包括第一三极管NPN1和第二三极管NPN2；所述第一三极管NPN1的集电极与所述第一电流镜5的输入端电连接，所述第二三极管NPN2的集电极与所述第一电流镜5的输出端电连接，所述第一三极管NPN1的基极与所述第二三极管NPN2的基极电连接，所述第一三极管NPN1的发射极及所述第二三极管NPN2的发射级接地AGND，所述第一三极管NPN1的基极还与所述第一三极管NPN1的集电极电连接。所述第一电流放大器2的放大电流输出端与所述第一电流镜5的输入端电连接，所述第二电流放大器3的放大电流输出端、所述第一电流镜5的输出端与所述驱动电流输入端电连接。

所述第一电流放大器2的第一电压输入端、所述第二电流放大器3的第二电压输入端、所述回路电压输入端与所述第二电压输出端电连接；所述第一电流放大器2的第二电压输入端、所述第二电流放大器3的第一电压输入端与所述第一电压输出端电连接。

所述电流偏置电路6包括第一偏置输出端、第二偏置输出端、偏置电流源I_B、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3，所述第一NMOS管MN1、所述第二NMOS管MN2和所述第三NMOS管MN3均为低压NMOS管；所述电流偏置电路6用于产生偏置电流并输出至所述第一偏置输出端和所述第二偏置输出端；所述第一电流放大器2的偏置输入端与所述第一偏置输出端电连接，所述第二电流放大器3与所述第二偏置输出端电连接。所述偏置电流源I_B的一端接入VDD，所述偏置电流源I_B的另一端、所述第一NMOS管MN1的漏极、所述第一NMOS管MN1的栅极、所述第二NMOS管MN2的栅极及所述第三NMOS管MN3的栅极电连接，所述第二NMOS管MN2的漏极与所述第一偏置输出端电连接，所述第三NMOS管MN3的漏极与所述第二偏置输出端电连接，所述第一NMOS管MN1的源极、所述第二NMOS管MN2的源极及所述第三NMOS管MN3的源极接地。

本实施例中，高压PMOS管和高压NMOS管的工作电压在10V(伏特)以上，低压PMOS管和低压NMOS管的工作电压在5V以下。

本实施例提供的电流检测电路相对于传统的电流检测方法来说，创新点在于通过使用两组适用于高压的交叉耦合的电流放大器即第一电流放大器2和第二电流放大器3实现了高速且高精度的电流检测。

本实施例中偏置电流源I_B通过由第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3组成的电流镜分别为两组电流放大器提供偏置。第一电流放大器2由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4组成，第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4主要用于承受高压保护。第二电流放大器3由第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7及第八PMOS管MP8组成，同样第七PMOS管MP7和第八PMOS管MP8主要用于承受高压保护。第一电流放大器2产生的电流I1经由第一三极管NPN1和第二三极管NPN2组成的第一电流镜5产生电流I2，I2再与第二电流放大器3产生的电流I3相加减产生电流I4用于驱动第三三级管NPN3，第三三级管NPN3的集电极的电流即为最终的输出感应电流I_SENSE，最终的输出感应电流I_SENSE同时流经第四NMOS管MN4及第三电阻R3构成环路，第四NMOS管MN4主要用于承受高压保护。采样NMOS管MN_SAMPLE用于采样流经开关管HS_SWITCH的开关电流I_SWITCH，采样电流I_SAMPLE经第一电阻R1进入环路。忽略相对采样电流I_SAMPLE较小的偏置电流的影响，可以得出最终的输出感应电流I_SENSE约为开关电流I_SWITCH的1/(M*K)，其中R1：R2：R3为1：M：M，开关管HS_SWITCH和采样NMOS管MN_SAMPLE的长宽比的比值为K：1，第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的长宽比的比值为1：1，第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的长宽比的比值为1：1，第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6的长宽比的比值为1：1，第七PMOS管MP7和第八PMOS管MP8的长宽比的比值为1：1，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3的长宽比的比值为1：N：N。

在带大负载电流的DC-DC Convert的软启动过程中，此时电压环不起作用，电流环占主导作用。如图1所示，当时钟CLK上升沿来临时，为适应大占空比的情况，斜坡补偿产生电路013产生的斜坡电流I_ramp通常会如图1中所示有一个类似RC放电的情形，这样图2中的I_S端口电压就会有一个相应的陡降，第三三极管NPN3的基极-发射极电压也会相应的增加，导致输出感应电流I_SENSE相应的跳高并比实际的感应电流大。此时跳高的输出感应电流可能同时超出最大限制电流I_LIMIT和短路保护电流I_SC，这样就触发短路保护。本发明通过使用如前所述的两组交叉耦合的电流放大器，当输出感应电流I_SENSE相应的跳高同时，第一电流放大器2使得电流I1和电流I2相应的增大，而第二电流放大器3使得电流I3相应的减小，如此一来第三三极管NPN3的基极-发射极电压也能相应的减小，导致输出感应电流I_SENSE能够迅速回归实际的感应电流值，从而不会误触发带大负载电流DC-DC Convert的软启动过程中的短路保护。该机制同样可以解决当负载电流过大时采样精度易出现大幅偏差，尤其短路保护时容易超出本来设计的短路保护电流导致系统异常的问题。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种用于直流-直流变换器的电流检测电路，所述直流-直流变换器包括一开关管，其特征在于，所述电流检测电路包括电流采样电路、第一电流放大器、第二电流放大器和电流输出电路；

所述电流采样电路包括第一采样输入端、第二采样输入端、第一电压输出端和第二电压输出端；

所述第一采样输入端用于与所述开关管的栅极电连接，所述第二采样输入端用于与所述开关管的源级电连接；

所述电流采样电路用于对所述开关管进行电流采样以得到采样电流，并根据所述采样电流产生第一采样电压和第二采样电压，所述第一电压输出端用于输出所述第一采样电压，所述第二电压输出端用于输出所述第二采样电压；

所述第一电流放大器和所述第二电流放大器分别包括第一电压输入端、第二电压输入端和放大电流输出端；

所述电流输出电路包括驱动电流输入端、回路电压输入端和检测电流输出端；

所述第一电流放大器的第一电压输入端、所述第二电流放大器的第二电压输入端、所述回路电压输入端与所述第二电压输出端电连接；所述第一电流放大器的第二电压输入端、所述第二电流放大器的第一电压输入端与所述第一电压输出端电连接；

所述第一电流放大器的放大电流输出端和所述第二电流放大器的放大电流输出端共同驱动所述驱动电流输入端；

所述电流输出电路用于输出一检测电流，所述检测电流输出至所述检测电流输出端，所述检测电流与所述采样电流成比例关系。

2.如权利要求1所述的用于直流-直流变换器的电流检测电路，其特征在于，所述电流检测电路还包括第一电流镜，所述第一电流放大器的放大电流输出端与所述第一电流镜的输入端电连接，所述第二电流放大器的放大电流输出端、所述第一电流镜的输出端与所述驱动电流输入端电连接。

3.如权利要求2所述的用于直流-直流变换器的电流检测电路，其特征在于，所述电流检测电路还包括电流偏置电路；

所述第一电流放大器和所述第二电流放大器分别还包括偏置输入端；

所述电流偏置电路包括第一偏置输出端和第二偏置输出端；所述电流偏置电路用于产生偏置电流并输出至所述第一偏置输出端和所述第二偏置输出端；所述第一电流放大器的偏置输入端与所述第一偏置输出端电连接，所述第二电流放大器与所述第二偏置输出端电连接。

4.如权利要求3所述的用于直流-直流变换器的电流检测电路，其特征在于，

所述第一电流放大器还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，所述第一PMOS管的源级与所述第一电流放大器的第一电压输入端电连接，所述第二PMOS管的源级与所述第一电流放大器的第二电压输入端电连接；

所述第一PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极及所述第三PMOS管的源级电连接；

所述第三PMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极与所述第一电流放大器的偏置输入端电连接；

所述第二PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源级电连接；

所述第四PMOS管的漏极与所述第一电流放大器的放大电流输出端电连接；

所述第二电流放大器包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，所述第五PMOS管的源级与所述第二电流放大器的第一电压输入端电连接，所述第六PMOS管的源级与所述第二电流放大器的第二电压输入端电连接；

所述第五PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的栅极、所述第六PMOS管的栅极及所述第七PMOS管的源级电连接；

所述第七PMOS管的漏极、所述第七PMOS管的栅极、所述第八PMOS管的栅极与所述第二电流放大器的偏置输入端电连接；

所述第六PMOS管的漏极与所述第八PMOS管的源级电连接；

所述第八PMOS管的漏极与所述第二电流放大器的放大电流输出端电连接；

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第五PMOS管及所述第六PMOS管为低压PMOS管，所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第七PMOS管及所述第八PMOS管为高压PMOS管。

5.如权利要求2所述的用于直流-直流变换器的电流检测电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括采样NMOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述采样NMOS管为高压NMOS管；

所述采样NMOS管的栅极与所述第一采样输入端电连接，所述采样NMOS管的源级与所述第二采样输入端电连接，所述采样NMOS管的漏极与所述第一电阻的一端、所述第二电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述第一电压输出端电连接，所述第三电阻的一端、所述第一电阻的另一端接至输入电源，所述第三电阻的另一端与所述第二电压输出端电连接。

6.如权利要求2所述的用于直流-直流变换器的电流检测电路，其特征在于，所述第一电流镜包括第一三极管和第二三极管；所述第一三极管的集电极与所述第一电流镜的输入端电连接，所述第二三极管的集电极与所述第一电流镜的输出端电连接，所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极电连接，所述第一三极管的发射极及所述第二三极管的发射级接地，所述第一三极管的基极还与所述第一三极管的集电极电连接。

7.如权利要求5所述的用于直流-直流变换器的电流检测电路，其特征在于，所述电流输出电路还包括第四NMOS管和第三三极管，所述第四NMOS管为高压NMOS管；

所述第四NMOS管的漏极与所述回路电压输入端电连接，所述第四NMOS管的栅极接入VDD，所述第三三极管的集电极与所述第四NMOS管的源级电连接，所述第三三极管的基极与所述驱动电流输入端电连接，所述第三三极管的发射极与所述检测电流输出端电连接。

8.如权利要求3所述的用于直流-直流变换器的电流检测电路，其特征在于，所述电流偏置电路还包括偏置电流源、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第三NMOS管均为低压NMOS管；

所述偏置电流源的一端接入VDD，所述偏置电流源的另一端、所述第一NMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极及所述第三NMOS管的栅极电连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第一偏置输出端电连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第二偏置输出端电连接，所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极及所述第三NMOS管的源极接地。

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