CN108220918A - 改良型等离子强化原子层沉积方法 - Google Patents

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Abstract

根据一例子，一种改良型等离子强化原子层沉积方法包括于基材上进行沉积制程的多个第一沉积循环，以及在进行多个第一沉积循环后，进行等离子强化层沉积循环。等离子强化层沉积循环包含等离子处理制程。多个第一层沉积循环的进行不包含等离子处理制程。

Description

改良型等离子强化原子层沉积方法
技术领域
本揭露是有关于一种等离子强化原子层沉积的进行方法，且特别是有关于一种通过选择性地在制程中进行等离子处理制程，改善晶圆上有电荷累积的问题的改良型等离子强化原子层沉积的进行方法。
背景技术
在半导体集成电路(Integrated Circuit；IC)工业中，集成电路材料以及设计的科技进步造就了集成电路的各个世代，其中每个世代都比前一个世代更小且更复杂。在集成电路演进的过程中，功能性密度(也就是每一晶片区的内连装置的数量)持续增加，而几何尺寸(也就是可使用制程制造的最小元件(或线))减少。如此的尺寸缩小制程通常提供增加生产效率以及降低相关成本的优点。但尺寸缩小也增加集成电路制程和制造的复杂度。
半导体装置制造包括许多不同制程。其中一个制程为原子层沉积制程(AtomicLayer Deposition Process；ALD)。原子层沉积制程涉及在沉积腔室中，依序且交错地施予不同材料，以在基材上形成薄膜。特别是，原子层沉积制程涉及数个循环。每个循环包括沉积制程和净化(Purge)制程。一系列循环中的沉积制程是交错替换不同种要沉积的材料。例如，为形成氮化硅层，循环的沉积制程可交替沉积硅和氮。每一个循环的净化制程是用以在下个循环进行前，从沉积腔室中移除材料。
原子层沉积的其中一个种类为等离子强化原子层沉积制程(Plasma-EnhancedAtomic Layer Deposition Process；PEALD)，每一个循环包括等离子处理制程，并随后进行后等离子净化制程。等离子处理制程提供许多优点以改善原子层沉积的品质。然而，等离子处理制程可增加晶圆中的电荷。晶圆上过多的电荷可能会对后续制程操作产生负面影响。
发明内容
本揭露的一态样在于提供一种方法，包括于基材上进行沉积制程的多个第一沉积循环，以及在进行多个第一沉积循环后，进行等离子强化层沉积循环。等离子强化层沉积循环包含等离子处理制程。多个第一层沉积循环的进行不包含等离子处理制程。
附图说明
通过以下详细说明并配合附图阅读，可更容易理解本揭露。在此强调的是，按照产业界的标准做法，各种特征并未按比例绘制，仅为说明之用。事实上，为了清楚的讨论，各种特征的尺寸可任意放大或缩小。
图1A至图1D为根据本揭露所述的原则的一个例子所绘示的层沉积循环中的各种操作的示意图；
图2A是根据本揭露所述的原则的一个例子所绘示的改变所使用的等离子处理制程的层沉积循环的流程图；
图2B是根据本揭露所述的原则的一个例子所绘示的改变所使用的等离子处理制程的层沉积循环的多个系列的示意图；
图3是根据本揭露所述的原则的一个例子所绘示的改变所使用的等离子处理制程时间的层沉积循环的流程图；
图4是根据本揭露所述的原则的一个例子所绘示的改变所使用的等离子处理制程时间的层沉积循环的多个系列的示意图；
图5是根据本揭露所述的原则的一个例子所绘示的改变所使用的等离子处理制程和等离子处理制程时间的层沉积循环的示意图；以及
图6是根据本揭露所述的原则的一个例子所绘示的进行等离子强化原子层沉积制程的循环变化的系统的示意图。
具体实施方式
下面的揭露提供了许多不同的实施例或例示，用于实现本揭露的不同特征。部件和安排的具体实例描述如下，以简化本揭露的揭露。当然，这些是仅仅是例示并且不意在进行限制。例如，在接着的说明中叙述在第二特征上方或上形成第一特征可以包括在第一和第二特征形成直接接触的实施例，并且还可以包括一附加特征可以形成第一特征的形成第一和第二特征之间的实施例，从而使得第一和第二特征可以不直接接触。此外，本公开可以在各种例示重复元件符号和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，并不在本身决定所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。
此外，空间相对术语，如“之下”、“下方”、“低于”、“上方”、“高于”等，在本文中可以用于简单说明如图中所示元件或特征对另一元件(多个)或特征(多个特征)的关系。除了在附图中描述的位向，空间相对术语意欲包含元件使用或步骤时的不同位向。元件可以其他方式定位(旋转90度或者在其它方位)，并且本文中所使用的相对的空间描述，同样可以相应地进行解释。
如前所述，等离子强化原子层沉积制程可能造成晶圆上有过多的电荷。过多的电荷可能为后续制程操作带来负面影响。为处理上述问题，本揭露是提供等离子强化原子层沉积方法，其减少残留在晶圆上的电荷。在一例子中，取代以往在每个循环中都进行等离子处理制程，等离子处理制程不在每个制程中进行。例如，等离子处理制程可仅于800个循环中的50个循环进行。额外地或选择性地，在一些例子中，可在一些循环中进一步进行后等离子处理净化操作。
图1A至图1D为层沉积循环中的各个操作的示意图。等离子强化原子层沉积制程的每个循环形成单一的单层104于基材102上。单层104可例如为于基材上使用二种材料的一者所形成的薄膜。例如：在预定形成氮化硅膜的例子中，单层可为氮。
图1A绘示沉积单一的单层104于基材102上的沉积制程108。基材102可例如为硅基材。在一些例子中，基材可包括集成电路的其他元件。例如：薄膜沉积可沉积于如源极/漏极区或栅极元件的晶体管元件上。所述薄膜可做为许多目的来使用，如微影制程中的硬式罩幕。
对每个沉积制程而言，基材102是暴露于先驱气体中。所述气体包括预定被沉积的材料。例如：若预定沉积氮在基材102的表面上，则先驱气体包含氮。沉积制程是持续至基材上的所有反应位点被消耗为止。因此，仅形成单一的单层。每个接续的循环是使用两种不同先驱气体，来交错替换二种预定被沉积的不同材料。因此，二种不同先驱气体不同时处于同一腔室中。每一个单层104可具有约的厚度106。沉积制程108可施予达少于1秒的一段时间。在一例子中，沉积制程108可施予约0.3秒。
图1B绘示后沉积净化制程110。后沉积净化制程是从腔室中移除多余的(Extraneous)先驱气体。因为每个层沉积循环交错替换不同的沉积材料，故在进行接续循环前，先移除每个循环的沉积制程108的先驱气体。在一些例子中，后沉积净化制程110可施予约1秒。
图1C为等离子处理制程112的示意图。等离子处理制程112涉及施加磁场以引导基材表面上的带电离子。等离子处理制程112可帮助致密化所沉积的单层104，以及增加沉积制程的品质。等离子处理制程112可施予约3至4秒的时间。在一例子中，等离子处理制程是施予约3.3秒。
图1D为后处理净化制程114的示意图。后处理净化制程是在下个层沉积循环进行前，从腔室中移除离子化气体。后处理净化制程有时可施予约0.3秒。在一些案例中，后处理净化制程可施予约2至5秒的持续时间。
以下将详细说明一些层沉积循环可包含等离子处理制程112以及后处理净化制程114。然而，一些层沉积循环可不包括上述的制程。此外，不同的层沉积循环可施予具有延长持续时间的后处理净化制程。
图2A为绘示等离子强化原子层沉积制程的循环变化的流程图200。在目前的例子中有二个不同种类的循环。第一个种类的循环可视为层沉积循环202。第二个种类的循环可视为等离子强化层沉积循环208。
层沉积循环202包括沉积制程204以及后沉积净化制程206。如上所述，在沉积制程204进行的期间，通入先驱气体至进行等离子强化原子层沉积制程的机台的腔室中。先驱气体包括在沉积制程中用以形成薄膜的至少两种不同材料的其中之一。例如：若预定形成氮化硅膜，先驱气体将包含氮或硅，但不同时包含上述二者。接续循环将交错替换不同种先驱气体。在后沉积净化制程206的过程中，前述沉积制程所提供的先驱气体是从腔室中被净化。
等离子强化层沉积循环208包括沉积制程210、后沉积净化制程212、等离子处理制程214，以及后处理净化制程216。等离子强化层沉积循环208的沉积制程210可类似于层沉积循环202的沉积制程204。同样地，等离子加强层沉积循环208之后沉积净化制程212可类似于层沉积循环202的后沉积净化制程206。
如上所述，等离子处理制程214包括通入含有带电离子的气体至腔室中。然后，施加磁场以引导上述离子朝向基材。等离子处理制程可帮助致密化沉积于晶圆上的材料，也可使沉积制程于较低的温度下进行。
在下一次的层沉积循环进行前，后处理净化制程216从腔室中移除离子化气体。后沉积净化制程216有时可施予约0.3秒。在一些案例中，后沉积净化制程216可施予少于1秒的时间。在多个循环中开关磁场可能在晶圆上产生电荷。
图2B是绘示在等离子强化原子层沉积制程220中，各个系列222、226和230的层沉积循环202，以及各个系列224、228和232的等离子强化层沉积循环208。在一些例子中，等离子强化原子层沉积制程220是设计以制造如氮化硅的材料的薄膜，上述薄膜具有30纳米至50纳米的厚度。在一些例子中，每个层沉积循环202沉积具有约的厚度的材料层。因此，在沉积制程220中，循环的总量可为约600个至1000个。
在目前的例子中，进行第一系列222的层沉积循环202。在进行第一系列222的层沉积循环202后，进行第一系列224的等离子加强层沉积循环208。每个系列的等离子加强层沉积循环208可包括一或多个循环。上述制程可重复。具体而言，可进行第二系列226的层沉积循环202，然后可进行第二系列228的等离子强化层沉积循环208。此制程可持续至进行第n系列230的层沉积制程202以及进行第n系列232的等离子强化层沉积循环208为止。
层沉积循环202在特定系列222、226和230中所进行的数量，是根据通过特定系列222、226和230的层沉积循环202所形成的预定义的厚度而决定。例如：第一系列222中的层沉积循环202可足以形成具有1纳米至4纳米的厚度的层。在一些例子中，第一系列222中的层沉积循环202的数量可足以形成具有2纳米至3纳米的厚度的层。其他范围的厚度也是可思及的。
在一些例子中，在特定系列222、226和230中进行的层沉积循环202的数量可根据预定义的循环数量而决定。例如：在一系列中的层沉积循环202可进行20个至80个循环。在一些例子中，在一系列中的层沉积循环202可进行40个至60个循环。其他数量的循环也是可思及的。
在一些例子中，在整体的沉积制程220中，每个系列222、226和230中的层沉积循环202的数量可类似。例如：每个系列的层沉积制程202可包括40个循环。在一些例子中，在整体沉积制程220中，系列222、226以及230的层沉积循环可具有不同数量的循环。例如：第一系列222的层沉积循环202可包括30个循环，以及第二系列226的层沉积循环202可包括45个循环。换言之，等离子强化层沉积循环208可在特定的沉积制程220的整个系列的循环中的任意处进行。
在一些例子中，等离子强化层沉积循环系列224、228和232可仅有单一个等离子强化层沉积循环208。然而，在一些例子中，等离子强化层沉积循环系列224、228和232可包括多个循环。例如：取代在第一系列222和第二系列226之间的单一个等离子强化层沉积循环208，第一系列222和第二系列226之间可有3个等离子强化层沉积循环208。其他数量的等离子强化层沉积循环208也是可思及的。在一些例子中，系列224、228以及232中的等离子强化层沉积循环208可包含不同数量的循环。例如：第一等离子强化层沉积循环系列224可包括2个等离子强化层沉积循环208，以及第二等离子强化层沉积循环系列228可包含4个等离子强化层沉积循环208。在一些例子中，沉积制程的层沉积循环的总量与沉积制程的等离子强化层沉积循环的总量的比为20：1至5：1。
图3是绘示等离子强化原子层沉积制程的各种循环变化的流程图300。根据目前的例子，有第一种层沉积循环302和第二种层沉积循环312。第一种层沉积循环302包括沉积制程304、后沉积净化制程306、等离子处理制程308以及后处理净化制程310。后处理净化制程310是施予第一持续时间。
类似于上述的沉积操作，沉积制程304包括通入先驱气体至进行等离子强化原子层沉积制程的机台的腔室中。先驱气体包括在沉积制程中用以形成薄膜的至少两种不同材料的其中之一。例如：若预定形成氮化硅膜，先驱气体将包含氮或硅，但不同时包含上述二者。接续循环将交错替换不同种先驱气体。在后沉积净化制程306的过程中，前述沉积制程所提供的先驱气体是从腔室中被净化。
类似于前述的净化制程，净化制程306是从腔室中移除多余的先驱气体。因为每个层沉积循环交错替换不同的沉积材料，故在进行接续循环前，先移除每个循环的沉积制程的先驱气体。在一些例子中，后沉积净化制程可施予约1秒。
类似于前述的等离子处理制程，等离子处理制程308通入含有带电离子的气体至腔室中。然后，施加磁场以引导上述离子朝向基材。等离子处理制程可帮助致密化沉积于晶圆上的材料，也可使沉积制程于较低的温度下进行。
类似于前述的后处理净化制程，在下一次的层沉积循环进行前，后处理净化制程310从腔室中移除离子化气体。后处理净化制程310可施予第一持续时间。在一例子中，上述第一持续时间可为少于1秒。在一些例子中，上述第一持续时间可为少于0.5秒。在一些例子中，上述第一持续时间可为约0.3秒。
第二种层沉积循环312包括沉积制程314、后沉积净化制程316、等离子处理制程318以及后处理净化制程320。后处理净化制程320是进行第二持续时间。上述第二持续时间长于前述的第一持续时间。在一实施例中，第二种层沉积循环312可视为电荷释放层沉积循环(Charge Relief Layer Deposition Cycle)。
类似于上述的沉积操作，沉积制程314包括通入先驱气体至进行等离子强化原子层沉积制程的机台的腔室中。先驱气体包括在沉积制程中用以形成薄膜的至少两种不同材料的其中之一。例如：若预定形成氮化硅膜，先驱气体将包含氮或硅，但不同时包含上述二者。接续循环将交错替换不同种先驱气体。在后沉积净化制程的过程中，前述沉积制程所提供的先驱气体是从腔室中被净化。
类似于前述的净化制程，净化制程316是从腔室中移除多余的先驱气体。因为每个层沉积循环交错替换不同的沉积材料，故在进行接续循环前，先移除每个循环的沉积制程的先驱气体。在一些例子中，后沉积净化制程可施予约1秒。
类似于前述的等离子处理制程，等离子处理制程318通入含有带电离子的气体至腔室中。然后，施加磁场以引导上述离子朝向基材。等离子处理制程可帮助致密化沉积于晶圆上的材料，也可使沉积制程于较低的温度下进行。
类似于前述的后处理净化制程，在下一次的层沉积循环进行前，后处理净化制程320从腔室中移除离子化气体。后处理净化制程320可施予第二持续时间，且第二持续时间长于上述第一持续时间。在一例子中，上述第二持续时间可为大于1秒。在一些例子中，上述第二持续时间可为大于2秒。在一些例子中，上述第二持续时间可为约2秒至5秒。通过偶尔延长后处理净化制程的时间，经整体沉积制程后的晶圆上的电荷可被减少。因此可达到更高的元件品质和较佳的产能。
图4是绘示等离子强化原子层沉积制程400的多种循环变化的示意图。在一些例子中，等离子强化原子层沉积制程400是被设计以制造如氮化硅的材料的薄膜。上述薄膜具有30纳米至50纳米的厚度。在一些例子中，每个层沉积循环302沉积具有约的厚度的材料层。因此，在沉积制程400中，循环的总量可为约600个至1000个。
在目前的例子中，进行第一系列402的第一种层沉积循环302。在进行第一系列402的第一种层沉积循环302后，进行第一系列404的第二种层沉积循环312。上述制程可重复。具体而言，可进行第二系列406的第一种层沉积循环302，然后可进行第二系列408的第二种层沉积循环312。此制程可持续至进行第n系列410的第一种层沉积循环302以及进行第n系列412的第二种层沉积循环312为止。
第一种层沉积循环302在特定系列402、406和410所进行的数量，是根据通过特定系列402、406和410的第一种层沉积循环302所形成的预定义的厚度而决定。例如：第一系列402中的第一种层沉积循环302可足以形成具有1纳米至4纳米的厚度的层。在一些例子中，第一系列402中的第一种层沉积循环302的数量可足以形成具有2纳米至3纳米的厚度的层。其他范围的厚度也是可思及的。
在一些例子中，在特定系列402、406和410中进行的第一种层沉积循环302的数量可根据预定义的循环数量而决定。例如：在系列402、406和410中的第一种层沉积循环302可进行20个至80个循环。在一些例子中，在系列402、406和410中的第一种层沉积循环302可进行40个至60个循环。在一些例子中，系列402、406和410可具有更小数量的循环，如4个、10个或16个循环。其他数量的循环也是可思及的。
在一些例子中，在整体的沉积制程400中，每个系列402、406和410中的第一种层沉积循环302的数量可类似。例如：每个系列的第一种层沉积循环302可包括40个循环。在一些例子中，在整体沉积制程400中，系列402、406和410的第一种层沉积循环302可具有不同数量的循环。例如：第一系列402的第一种层沉积循环302可包括30个循环，以及第二系列406的第一种层沉积循环302可包括45个循环。换言之，系列404、408和412的第二种层沉积循环312可在特定的沉积制程400的整个系列的循环中的任意处进行。在一些例子中，特定沉积制程的第二种层沉积循环312的数量可为50个、100个或200个中的一者。
在一些例子中，系列404、408和412可仅有单一个第二种层沉积循环312。然而，在一些例子中，系列404、408和412的第二种层沉积循环312可包括多个循环。例如：取代在第一系列404中的单一个第二种层沉积循环312，第二系列408可有3个第二种层沉积循环312。其他数量的第二种层沉积循环312也是可思及的。在一些例子中，系列404、408和412中的第二种层沉积循环312可包含不同数量的循环。例如：第一系列404的第二种层沉积循环312可包括2个第二种层沉积循环312，以及第二系列408可包含1个第二种层沉积循环312。
图5是绘示使用不同等离子处理及等离子处理时间的层沉积制程的示意图。在此例子中，特定的沉积制程500有三种不同种类的层沉积循环。具体而言，第一种502层沉积循环包括沉积制程以及后沉积净化制程。因此，第一种502层沉积循环不包含等离子处理制程。
第二种504层沉积循环包括沉积制程、后沉积净化制程、等离子处理制程以及后等离子净化制程(或称后处理净化制程)。第二种504层沉积循环的后等离子净化制程是施予第一持续时间。第一持续时间可为约0.3秒。在一些例子中，第一持续时间可为0.1秒至1秒。
第三种506层沉积循环包括沉积制程、后沉积净化制程、等离子处理制程以及后等离子净化制程(或称后处理净化制程)。第三种506层沉积循环的后等离子净化制程是施予第二持续时间。第二持续时间长于第一持续时间。在一些例子中，第二持续时间可为大于1秒。在一些例子中，第二持续时间可为大于2秒。在一些例子中，第二持续时间可为2秒至5秒。
在一些例子中，沉积制程的进行是交错替换一系列的第二种504和第三种506层沉积循环的系列，且第一种502层沉积循环的系列是位于每个第二种504和第三种506循环的系列之间，如图所示。然而，其他顺序也是可思及的。
图6是绘示进行具有多个循环变化的等离子加强原子层沉积制程的系统600的示意图。根据目前的例子，系统600包括等离子强化原子层沉积制造机台601以及控制系统612。等离子强化原子层沉积制造机台601包括沉积腔室610、晶圆载台604以及等离子机台608。
沉积腔室610是设计为装设有晶圆载台604和等离子机台608的一空间。沉积腔室610可与气体来源流体连通，以提供上述的沉积制程的各种先驱气体至腔室610中。沉积腔室610也可与负压或真空流体连通，以如上述的净化制程所述，从腔室中净化气体。
晶圆载台604是设计以于制造过程中，承载并稳固晶圆606。在进行沉积制程前，晶圆606可机器人式地置于晶圆载台604上，并在沉积制程后，将晶圆606机器人式地卸除。等离子处理机台608可被用以提供电场，以引导晶圆606上的离子化气体中的离子。
控制系统612控制并引导制造机台开始和停止包含在等离子强化原子层沉积制程中的各种制程。控制系统612包括处理器614和记忆体616。记忆体616包括机器可读指令，当处理器614执行上述机器可读指令时，控制系统612传送指令信号至制造机台601。指令信号可指示制造机台进行上述各种沉积制程和循环。
根据一例子，制程包括于基材上进行沉积制程的多个第一沉积循环，以及在进行多个第一沉积循环后，进行等离子强化层沉积循环。等离子强化层沉积循环包含等离子处理制程。多个第一层沉积循环的进行不包含等离子处理制程。
依据上述的例子，上述方法还包含在进行等离子加强层沉积循环后，进行多个第二层沉积循环，其中第二层沉积循环不包含等离子处理制程。
依据上述的例子，上述多个第一层沉积循环包含20个至80个的循环。
依据上述的例子，上述多个第一层沉积循环形成具有1纳米至4纳米的厚度的膜。
依据上述的例子，所述沉积制程的多个第一层沉积循环的总量与沉积制程的等离子加强沉积循环的总量的比为20：1至5：1。
依据上述的例子，上述多个第一层沉积循环的一者包含沉积材料于基材上，以及进行腔室净化(Purge)制程。
依据上述的例子，于特定数量的循环后，进行具有延长净化制程时间的层沉积循环。
依据上述的例子，所述延长净化制程时间实质为2秒至5秒，且未延长时间为少于1秒。
依据上述的例子，前述的特定数量为2个、5个以及10个的其中一者。
依据上述的例子，前述等离子强化层沉积循环包含沉积材料于基材上、进行第一腔室净化制程、进行等离子处理制程，以及进行第二腔室净化制程。
根据一例子，沉积制程包括于基材上进行多个第一等离子强化原子层沉积循环。多个第一等离子强化原子层沉积循环包括进行净化制程达第一持续时间，以及在进行多个第一等离子强化原子层沉积制程后，进行电荷释放层沉积循环以及进行后等离子处理净化制程达第二持续时间，其中第二持续时间长于第一持续时间。
依据上述的例子，所述第一持续时间实质为0.3秒，且所述第二持续时间实质为2秒至5秒。
依据上述的例子，前述沉积制程中的电荷释放层沉积循环的总量为50个、100个以及200个中的一者。
依据上述的例子，所述多个第一等离子强化原子层沉积循环的每一者还包含沉积材料于基材上，以及于沉积材料后，进行所述净化制程。
依据上述的例子，所述电荷释放层沉积循环还包含于进行等离子处理制程前，沉积材料于基材上，以及进行后沉积净化制程。
依据上述的例子，多个第一等离子强化原子层沉积循环包含20个至80个的循环。
依据上述的例子，多个第一等离子强化原子层沉积循环形成具有1纳米至4纳米的厚度的薄膜。
系统包括等离子强化原子层沉积制造机台，以及与制造机台连通的控制系统。控制系统包括处理器和记忆体，记忆体具有机器可读指令，当处理器执行上述机器可读指令时，使等离子强化原子层沉积制造机台于基材上进行多个第一等离子强化原子层沉积循环，并于第一等离子强化原子层沉积循环后，进行包含等离子处理制程的等离子强化层沉积循环。进行多个第一等离子强化原子层沉积循环不包括等离子处理制程。
依据上述的例子，针对多个第一等离子强化原子层沉积循环的每一者，控制系统是进一步促使等离子强化原子层沉积制造机台进行下述操作：沉积材料于基材上，以及进行净化制程。
依据上述的例子，于特定量的多个层沉积循环后，所述等离子强化原子层沉积制造机台是进一步进行具有延长净化制程时间的循环。
前述内容概述多个实施例的特征，以使于本技术领域具有通常知识者可进一步了解本揭露的态样。本技术领域具通常知识者应可轻易利用本揭露作为基础，设计或润饰其他制程及结构，藉以执行此处所描述的实施例的相同的目的及/或达到相同的优点。本技术领域具有通常知识者亦应可了解，上述相等的结构并未脱离本揭露的精神和范围，且在不脱离本揭露的精神及范围下，其可经润饰、取代或替换。

Claims (1)

1.一种改良型等离子强化原子层沉积方法，其特征在于，包含：
于一基材上进行一沉积制程的多个第一层沉积循环；以及
于进行所述多个第一层沉积循环后，进行一等离子加强层沉积循环，其中该等离子加强式层沉积循环包含一等离子处理制程，
其中进行所述多个第一层沉积循环是不包含一等离子处理制程。
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