CN108178121A - 触诊探头及其制造方法 - Google Patents

触诊探头及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108178121A
CN108178121A CN201810125334.XA CN201810125334A CN108178121A CN 108178121 A CN108178121 A CN 108178121A CN 201810125334 A CN201810125334 A CN 201810125334A CN 108178121 A CN108178121 A CN 108178121A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mems sensor
probe
adhesive tape
palaption
top electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810125334.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN108178121B (zh
Inventor
宋军华
王洪超
何常德
王晓琴
陈金
胡志杰
薄云峰
薛黄琦
何静
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Xiantong Kangqiao Medicine Science & Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Xiantong Kangqiao Medicine Science & Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Xiantong Kangqiao Medicine Science & Technology Co Ltd filed Critical Beijing Xiantong Kangqiao Medicine Science & Technology Co Ltd
Priority to CN201810125334.XA priority Critical patent/CN108178121B/zh
Publication of CN108178121A publication Critical patent/CN108178121A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108178121B publication Critical patent/CN108178121B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/43Detecting, measuring or recording for evaluating the reproductive systems
    • A61B5/4306Detecting, measuring or recording for evaluating the reproductive systems for evaluating the female reproductive systems, e.g. gynaecological evaluations
    • A61B5/4312Breast evaluation or disorder diagnosis
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261Processes for packaging MEMS devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00269Bonding of solid lids or wafers to the substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/05Arrays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Reproductive Health (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Gynecology & Obstetrics (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

本发明提供一种触诊探头及其制造方法,所述触诊探头所述触诊探头包括探头基座,以及位于所述探头基座上的MEMS传感器阵列,其中:所述MEMS传感器阵列中的各个MEMS传感器在行和列的方向均对齐排布,每行所述MEMS传感器共用一个下电极;所述探头基座包括被衬,所述被衬的表面设置有数量与所述MEMS传感器阵列行数相同的胶条槽;每行所述MEMS传感器通过设置在所述胶条槽内的第一导电胶条与所述被衬粘接。采用本发明提供的触诊探头及其制造方法,可以不使用线路板,减少触诊探头上的传感器与探头基座的连接线,使触诊探头具有结构紧凑、便于生产、封装结构稳定可靠性好等优点。

Description

触诊探头及其制造方法
技术领域
本发明涉及医疗器械技术领域,具体地涉及一种触诊探头及其制造方法。
背景技术
MEMS传感器可以用于乳腺触诊融合超声检查,将MEMS传感器与探头基座之间的连接封装会直接影响到触诊探头的制作难度、封装的可靠性、抗干扰性能以及信噪比等方面。
例如,在将MEMS传感器封装在印刷电路板上时,可以采用自由形状的点胶方式,这种方式是直接将液态的树脂滴到印刷电路板上MEMS传感器和金线的位置,在点胶的过程中树脂自由流动,这样会因为自身重力以及表面张力形成水滴状的包封,但是该封装方法不能很好地控制包封的形状;如果采用预先围坝的点胶方式,这种方式首先用高粘度树脂在封装区域的外围形成坝,凝固后,在坝围成的区域中用低浓度树脂点胶,由此可以控制包封的形状,但是该方法的成本较高,产率也相对较低。
此外,MEMS传感器与探头基座热膨胀系数不一样将会导致MEME传感器变形、脱落或损坏。当硅基MEMS传感器线阵被直接焊接在印刷电路板上时,因为二者的热膨胀系数差别很大,在柔性线路板变形引起的热应力作用下,硅基MEMS传感器线阵可能会变形、脱落或损坏。
该封装方法步骤繁琐,需要柔性线路板等中间件,因而引线间连接次数多,进而增加产品不稳定的风险。另外,引线的存在使得传感器之间不能实现小间距连接,较多的平行引线还容易产生杂散电容,使得信号采集的效果受到影响。
如何提供进行简单可靠的MEMS传感器与探头基座之间的连接封装是目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种触诊探头及其制造方法,以使触诊探头具有结构紧凑、便于生产、封装结构稳定可靠性好等优点。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种触诊探头,所述触诊探头包括探头基座,以及位于所述探头基座上的MEMS传感器阵列,其中:所述MEMS传感器阵列中的各个MEMS传感器在行和列的方向均对齐排布,每行所述MEMS传感器共用一个下电极;所述探头基座包括被衬,所述被衬的表面设置有数量与所述MEMS传感器阵列行数相同的胶条槽;每行所述MEMS传感器通过设置在所述胶条槽内的第一导电胶条与所述被衬粘接。
上述方案中,所述MEMS传感器的上电极上方覆盖有PDMS,所述PDMS上与MEMS传感器上电极对应的位置处设置有通孔;所述PDMS的上方沉积有导电材料,每列所述MEMS传感器的上电极通过沉积的导电材料电连接。
上述方案中,每列所述MEMS传感器的上电极通过第二导电胶条电连接。
上述方案中,所述导电材料或所述第二导电胶条的上方覆盖有绝缘体层。
上述方案中,所述被衬上设置有线缆接头,每行所述MEMS传感器的下电极和/或每列所述MEMS传感器的上电极与分别与对应的线缆接头电连接。
一种触诊探头的制造方法,所述触诊探头包括探头基座,以及位于所述探头基座上的MEMS传感器阵列,所述探头基座包括被衬,所述MEMS传感器阵列的各个传感器在行和列的方向均对齐排布;所述方法包括:在所述被衬的表面形成数量与所述MEMS传感器阵列行数相同的胶条槽;将每行所述MEMS传感器通过设置在所述胶条槽内的第一导电胶条粘接到所述被衬上。
上述方案中,所述将每行所述MEMS传感器通过设置在所述胶条槽内的第一导电胶条粘接到所述被衬上之后,所述方法还包括:将设置有通孔的PDMS薄膜贴敷于所述MEMS传感器的上电极上方,所述通孔与所述上电极的位置相对应;在所述PDMS的上方沉积导电材料,使每列所述MEMS传感器的上电极通过沉积的导电材料电连接。
上述方案中,将每列所述MEMS传感器的上电极使用第二导电胶条电连接。
上述方案中,所述在所述PDMS的上方沉积导电材料之后,所述方法还包括:在所述导电材料上方形成绝缘体层。
上述方案中,所述被衬上设置有线缆接头,所述方法还包括:将每行所述MEMS传感器的下电极和/或每列所述MEMS传感器的上电极与对应的线缆接头电连接。
本发明提供的触诊探头及其制造方法,通过在探头基座的被衬上设置胶条槽连接MEMS传感器阵列,不使用电路板,减少了减少触诊探头上的传感器与探头基座的连接线,使触诊探头具有结构紧凑、便于生产、封装结构稳定可靠性好等优点。
附图说明
图1是本发明实施例中的被衬的结构示意图;
图2是本发明实施例中的传感器阵列布设在被衬上的结构示意图;
图3是本发明实施例中的聚合物沉积在探头基座的结构示意图;
图4是本发明实施例中的导体沉积在探头基座的结构示意图;
图5是本发明实施例中的触诊探头的制造方法的方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供的触诊探头包括探头基座,以及位于探头基座上的MEMS传感器阵列,其中,如图1所示,探头基座包括被衬60,被衬60表面上设置有数量与MEMS传感器阵列行数相同的胶条槽61;如图2所示,MEMS传感器阵列30中的各个MEMS传感器在行和列的方向均对齐排布,每行MEMS传感器共用一个下电极;每行MEMS传感器通过设置在胶条槽61内的第一导电胶条与被衬60粘接。
被衬上设置的与MEMS传感器阵列相适应的涂胶槽,可以保证点胶涂胶工作更加精确。通过在探头基座的被衬上设置胶条槽连接MEMS传感器阵列,可以不使用电路板,减少了减少触诊探头上的传感器与探头基座的连接线,
如图3所示,MEMS传感器的上电极上方覆盖有聚二甲基硅氧烷70(polydimethylsiloxane,简称PDMS),PDMS上与MEMS传感器上电极对应的位置处设置有通孔71。带有通孔71的PDMS起到绝缘的作用,并且便于沉积导电材料,建立条状导电材料与每列上电极的连接关系。
如图4所示,PDMS的上方沉积有导电材料80,每列MEMS传感器的上电极通过沉积的导电材料80电连接。这样,通过条状的导电材料,就可以将每列MEMS传感器的上电极连接在一起。
导电材料80的上方覆盖有绝缘体层。绝缘体层可以避免上电极与外界直接接触。
此外,被衬60上设置有线缆接头(图中未示出),每行MEMS传感器的下电极和每列MEMS传感器的上电极与对应的线缆接头电连接。其中,每个下电极线缆接口与一个胶条槽对应设置,每个上电极线缆接口与一个条状的导电材料相对应。
在本发明实施例中,MEMS传感器上方覆盖的带有通孔的PDMS和导电材料可以采用导电胶体代替,即每列MEMS传感器的上电极可以通过第二导电胶条电连接。
本发明实施例提供的触诊探头,通过在探头基座的被衬上设置胶条槽连接MEMS传感器阵列,不使用电路板,减少了减少触诊探头上的传感器与探头基座的连接线,使触诊探头具有结构紧凑、便于生产、封装结构稳定可靠性好等优点。
在本发明实施例中,触诊探头包括探头基座,以及位于探头基座上的MEMS传感器阵列,探头基座包括被衬,MEMS传感器阵列的各个传感器在行和列的方向均对齐排布。如图5所示,本发明实施例提供的触诊探头的制造方法包括:
步骤510,在被衬的表面形成数量与MEMS传感器阵列行数相同的胶条槽。
步骤520,将每行MEMS传感器通过设置在胶条槽内的第一导电胶条粘接到被衬上。
被衬上设置的与MEMS传感器阵列相适应的涂胶槽,可以保证点胶涂胶工作更加精确。通过在探头基座的被衬上设置胶条槽连接MEMS传感器阵列,可以不使用电路板,减少了减少触诊探头上的传感器与探头基座的连接线,
将每行MEMS传感器通过设置在胶条槽内的第一导电胶条粘接到被衬上之后,还需要将设置有通孔71的PDMS薄膜贴敷于MEMS传感器的上电极上方,通孔与上电极的位置相对应。带有通孔71的PDMS起到绝缘的作用,并且便于沉积导电材料,建立条状导电材料与每列上电极的连接关系。
之后,在PDMS的上方沉积导电材料,使每列MEMS传感器的上电极通过沉积的导电材料电连接。这样,通过条状的导电材料,就可以将每列MEMS传感器的上电极连接在一起。
在PDMS的上方沉积导电材料之后,还需要在导电材料上方形成绝缘体层,以避免MEMS传感器的上电极与外界直接接触。
在本发明实施例中,被衬上设置有线缆接头,在导电材料上方形成绝缘体层之后,再将每行MEMS传感器的下电极和每列MEMS传感器的上电极与对应的线缆接头电连接。
在本发明实施例中,也可以不采用在MEMS传感器上方形成带有通孔的PDMS,再沉积导电材料的方式,而是将每列MEMS传感器的上电极使用第二导电胶条电连接。
本发明提供的触诊探头的制造方法,通过在探头基座的被衬上设置胶条槽连接MEMS传感器阵列,不使用电路板,减少了减少触诊探头上的传感器与探头基座的连接线,使触诊探头具有结构紧凑、便于生产、封装结构稳定可靠性好等优点。
以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种触诊探头,其特征在于,所述触诊探头包括探头基座,以及位于所述探头基座上的MEMS传感器阵列,其中:
所述MEMS传感器阵列中的各个MEMS传感器在行和列的方向均对齐排布,每行所述MEMS传感器共用一个下电极;
所述探头基座包括被衬,所述被衬的表面设置有数量与所述MEMS传感器阵列行数相同的胶条槽;
每行所述MEMS传感器通过设置在所述胶条槽内的第一导电胶条与所述被衬粘接。
2.根据权利要求1所述的触诊探头,其特征在于,所述MEMS传感器的上电极上方覆盖有PDMS,所述PDMS上与MEMS传感器上电极对应的位置处设置有通孔;
所述PDMS的上方沉积有导电材料,每列所述MEMS传感器的上电极通过沉积的导电材料电连接。
3.根据权利要求1所述的触诊探头,其特征在于,每列所述MEMS传感器的上电极通过第二导电胶条电连接。
4.根据权利要求2或3所述的触诊探头,其特征在于,所述导电材料或所述第二导电胶条的上方覆盖有绝缘体层。
5.根据权利要求4所述的触诊探头,其特征在于,所述被衬上设置有线缆接头,每行所述MEMS传感器的下电极和/或每列所述MEMS传感器的上电极与分别与对应的线缆接头电连接。
6.一种触诊探头的制造方法,其特征在于,所述触诊探头包括探头基座,以及位于所述探头基座上的MEMS传感器阵列,所述探头基座包括被衬,所述MEMS传感器阵列的各个传感器在行和列的方向均对齐排布;所述方法包括:
在所述被衬的表面形成数量与所述MEMS传感器阵列行数相同的胶条槽;
将每行所述MEMS传感器通过设置在所述胶条槽内的第一导电胶条粘接到所述被衬上。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述将每行所述MEMS传感器通过设置在所述胶条槽内的第一导电胶条粘接到所述被衬上之后,所述方法还包括:
将设置有通孔的PDMS薄膜贴敷于所述MEMS传感器的上电极上方,所述通孔与所述上电极的位置相对应;
在所述PDMS的上方沉积导电材料,使每列所述MEMS传感器的上电极通过沉积的导电材料电连接。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,将每列所述MEMS传感器的上电极使用第二导电胶条电连接。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述PDMS的上方沉积导电材料之后,所述方法还包括:
在所述导电材料上方形成绝缘体层。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述被衬上设置有线缆接头,所述方法还包括:
将每行所述MEMS传感器的下电极和/或每列所述MEMS传感器的上电极与对应的线缆接头电连接。
CN201810125334.XA 2018-02-07 2018-02-07 触诊探头及其制造方法 Active CN108178121B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810125334.XA CN108178121B (zh) 2018-02-07 2018-02-07 触诊探头及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810125334.XA CN108178121B (zh) 2018-02-07 2018-02-07 触诊探头及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108178121A true CN108178121A (zh) 2018-06-19
CN108178121B CN108178121B (zh) 2024-05-03

Family

ID=62552388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810125334.XA Active CN108178121B (zh) 2018-02-07 2018-02-07 触诊探头及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108178121B (zh)

Citations (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4747192A (en) * 1983-12-28 1988-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing an ultrasonic transducer
US5713356A (en) * 1996-10-04 1998-02-03 Optosonics, Inc. Photoacoustic breast scanner
US6308389B1 (en) * 1998-12-09 2001-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultrasonic transducer and manufacturing method therefor
JP2001309493A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Toshiba Corp 2次元アレイ超音波プローブ及びその製造方法
US6346735B1 (en) * 1999-09-30 2002-02-12 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor sensor structure and method of manufacturing the same
US20020073781A1 (en) * 2000-03-31 2002-06-20 Shinichi Hashimoto Ultrasonic probe, method of manufacturing the same and ultrasonic diagnosis apparatus
US20030015646A1 (en) * 2001-07-23 2003-01-23 Deconde Keith T. Apparatus for fingerprint image capture and method of making same
US20030025168A1 (en) * 2001-08-03 2003-02-06 Hartwell Peter G. Systems with high density packing of micromachines
US20040027034A1 (en) * 2002-08-07 2004-02-12 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric actuator array and manufacturing method
JP2004130408A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Univ Waseda マイクロアセンブリー装置
US20040190377A1 (en) * 2003-03-06 2004-09-30 Lewandowski Robert Stephen Method and means for isolating elements of a sensor array
JP2005210245A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Toshiba Corp 超音波プローブ
CN1650794A (zh) * 2004-02-06 2005-08-10 株式会社东芝 非探入式受检体信息成象方法和装置
US20050176166A1 (en) * 2004-02-11 2005-08-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Wafer packaging and singulation method
US20060152795A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Miradia Inc. Electrical contact method and structure for deflection devices formed in an array configuration
CN1980492A (zh) * 2005-12-07 2007-06-13 青岛歌尔电子有限公司 硅传声器封装
CN101103927A (zh) * 2006-07-12 2008-01-16 株式会社东芝 两维阵列型超声波探头
JP2008028462A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Aloka Co Ltd 超音波探触子及びその製造方法
US20080071164A1 (en) * 2006-07-31 2008-03-20 The Trustees Of Dartmouth College Devices And Methods For Combined Optical And Magnetic Resonance Imaging
JP2008079034A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Aloka Co Ltd 超音波探触子及びその製造方法
JP2008302044A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Panasonic Corp 超音波探触子とこれを用いた超音波診断装置および超音波探傷装置
JP2009038675A (ja) * 2007-08-02 2009-02-19 Toshiba Corp 超音波トランスデューサおよび超音波トランスデューサを備えた超音波プローブ
US20090303400A1 (en) * 2008-06-10 2009-12-10 Industrial Technology Research Institute Functional device array with self-aligned electrode structures and fabrication methods thereof
US20100123667A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Jong Ho Kim Touch input device, portable device using the same and method of controlling the same
US20110027941A1 (en) * 2009-07-02 2011-02-03 Advanced Microfab, LLC Method of forming monolithic cmos-mems hybrid integrated, packaged structures
CN102589759A (zh) * 2012-02-20 2012-07-18 浙江大学 基于压阻式和电容式组合的仿生柔性触觉传感阵列
US20130144542A1 (en) * 2010-06-07 2013-06-06 California Institute Of Technology Analysis device including a mems and/or nems network
CN103181785A (zh) * 2012-01-02 2013-07-03 三星麦迪森株式会社 超声波探头及其制造方法
JP2013131661A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Fuji Electric Co Ltd 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法
US20130200786A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 Infineon Technologes Ag Plasma Cell and Method of Manufacturing a Plasma Cell
CN103309095A (zh) * 2013-05-30 2013-09-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103536314A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 三星电子株式会社 换能器模块、超声探头和生产弯曲表面框架的方法
CN103787262A (zh) * 2012-10-26 2014-05-14 德州仪器公司 Tsv-mems组合
US20140264648A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS Integrated Pressure Sensor Devices and Methods of Forming Same
CN104215363A (zh) * 2014-09-05 2014-12-17 浙江大学 基于压敏导电橡胶的柔性触滑觉复合传感阵列
CN104555887A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 意法半导体股份有限公司 具有对键合进行保护的微机电器件和制造微机电器件的工艺
CN104586430A (zh) * 2015-01-19 2015-05-06 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 超声探头及其制造方法
CN104891418A (zh) * 2015-05-29 2015-09-09 歌尔声学股份有限公司 Mems压力传感器、mems惯性传感器集成结构
US20160041259A1 (en) * 2013-03-14 2016-02-11 University Of Windsor Ultrasonic Sensor Microarray and its Method of Manufacture
CN105411623A (zh) * 2015-12-25 2016-03-23 中国科学院深圳先进技术研究院 一种二维面阵列超声换能器及其制备方法
CN205251521U (zh) * 2015-10-12 2016-05-25 哈尔滨工程大学 一种具有自定位脉搏位置的手环式脉搏信号检测装置
CN105595959A (zh) * 2014-10-16 2016-05-25 王洪超 一种弹性压力传感器矩阵及用于检测组织弹性的探头
CN105708491A (zh) * 2014-12-03 2016-06-29 中国科学院深圳先进技术研究院 用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头及其制备方法
CN106289594A (zh) * 2016-11-02 2017-01-04 吉林大学 可实现三维变形量和三维压力高精度同步测量的传感阵列
CN106264436A (zh) * 2015-05-22 2017-01-04 北京先通康桥医药科技有限公司 一种触诊探头
CN106382997A (zh) * 2016-09-18 2017-02-08 北京科技大学 一种摩擦静电感应式电子皮肤
TW201710174A (zh) * 2015-09-08 2017-03-16 國立臺灣科技大學 微針陣列的製作方法
US20170107099A1 (en) * 2015-10-15 2017-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor sensing structure
US20170209120A1 (en) * 2015-04-30 2017-07-27 Olympus Corporation Ultrasound transducer and ultrasound probe
CN208150963U (zh) * 2018-02-07 2018-11-27 北京先通康桥医药科技有限公司 触诊探头
US20190175095A1 (en) * 2016-08-12 2019-06-13 Micrima Limited A Medical Imaging System and Method

Patent Citations (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4747192A (en) * 1983-12-28 1988-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing an ultrasonic transducer
US5713356A (en) * 1996-10-04 1998-02-03 Optosonics, Inc. Photoacoustic breast scanner
US6308389B1 (en) * 1998-12-09 2001-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultrasonic transducer and manufacturing method therefor
US6346735B1 (en) * 1999-09-30 2002-02-12 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor sensor structure and method of manufacturing the same
US20020073781A1 (en) * 2000-03-31 2002-06-20 Shinichi Hashimoto Ultrasonic probe, method of manufacturing the same and ultrasonic diagnosis apparatus
JP2001309493A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Toshiba Corp 2次元アレイ超音波プローブ及びその製造方法
US20030015646A1 (en) * 2001-07-23 2003-01-23 Deconde Keith T. Apparatus for fingerprint image capture and method of making same
US20030025168A1 (en) * 2001-08-03 2003-02-06 Hartwell Peter G. Systems with high density packing of micromachines
US20040027034A1 (en) * 2002-08-07 2004-02-12 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric actuator array and manufacturing method
JP2004130408A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Univ Waseda マイクロアセンブリー装置
US20040190377A1 (en) * 2003-03-06 2004-09-30 Lewandowski Robert Stephen Method and means for isolating elements of a sensor array
JP2005210245A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Toshiba Corp 超音波プローブ
CN1650794A (zh) * 2004-02-06 2005-08-10 株式会社东芝 非探入式受检体信息成象方法和装置
US20050187471A1 (en) * 2004-02-06 2005-08-25 Shoichi Kanayama Non-invasive subject-information imaging method and apparatus
US20050176166A1 (en) * 2004-02-11 2005-08-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Wafer packaging and singulation method
US20060152795A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Miradia Inc. Electrical contact method and structure for deflection devices formed in an array configuration
CN1980492A (zh) * 2005-12-07 2007-06-13 青岛歌尔电子有限公司 硅传声器封装
CN101103927A (zh) * 2006-07-12 2008-01-16 株式会社东芝 两维阵列型超声波探头
JP2008028462A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Aloka Co Ltd 超音波探触子及びその製造方法
US20080071164A1 (en) * 2006-07-31 2008-03-20 The Trustees Of Dartmouth College Devices And Methods For Combined Optical And Magnetic Resonance Imaging
JP2008079034A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Aloka Co Ltd 超音波探触子及びその製造方法
JP2008302044A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Panasonic Corp 超音波探触子とこれを用いた超音波診断装置および超音波探傷装置
JP2009038675A (ja) * 2007-08-02 2009-02-19 Toshiba Corp 超音波トランスデューサおよび超音波トランスデューサを備えた超音波プローブ
US20090303400A1 (en) * 2008-06-10 2009-12-10 Industrial Technology Research Institute Functional device array with self-aligned electrode structures and fabrication methods thereof
US20100123667A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Jong Ho Kim Touch input device, portable device using the same and method of controlling the same
US20110027941A1 (en) * 2009-07-02 2011-02-03 Advanced Microfab, LLC Method of forming monolithic cmos-mems hybrid integrated, packaged structures
US20130144542A1 (en) * 2010-06-07 2013-06-06 California Institute Of Technology Analysis device including a mems and/or nems network
JP2013131661A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Fuji Electric Co Ltd 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法
CN103181785A (zh) * 2012-01-02 2013-07-03 三星麦迪森株式会社 超声波探头及其制造方法
US20130169112A1 (en) * 2012-01-02 2013-07-04 Samsung Medison Co., Ltd. Ultrasound probe and manufacturing method thereof
US20130200786A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 Infineon Technologes Ag Plasma Cell and Method of Manufacturing a Plasma Cell
CN102589759A (zh) * 2012-02-20 2012-07-18 浙江大学 基于压阻式和电容式组合的仿生柔性触觉传感阵列
CN103536314A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 三星电子株式会社 换能器模块、超声探头和生产弯曲表面框架的方法
CN103787262A (zh) * 2012-10-26 2014-05-14 德州仪器公司 Tsv-mems组合
US20140264648A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS Integrated Pressure Sensor Devices and Methods of Forming Same
US20160041259A1 (en) * 2013-03-14 2016-02-11 University Of Windsor Ultrasonic Sensor Microarray and its Method of Manufacture
CN103309095A (zh) * 2013-05-30 2013-09-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104555887A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 意法半导体股份有限公司 具有对键合进行保护的微机电器件和制造微机电器件的工艺
CN104215363A (zh) * 2014-09-05 2014-12-17 浙江大学 基于压敏导电橡胶的柔性触滑觉复合传感阵列
CN105595959A (zh) * 2014-10-16 2016-05-25 王洪超 一种弹性压力传感器矩阵及用于检测组织弹性的探头
CN105708491A (zh) * 2014-12-03 2016-06-29 中国科学院深圳先进技术研究院 用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头及其制备方法
CN104586430A (zh) * 2015-01-19 2015-05-06 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 超声探头及其制造方法
US20170209120A1 (en) * 2015-04-30 2017-07-27 Olympus Corporation Ultrasound transducer and ultrasound probe
CN106264436A (zh) * 2015-05-22 2017-01-04 北京先通康桥医药科技有限公司 一种触诊探头
CN104891418A (zh) * 2015-05-29 2015-09-09 歌尔声学股份有限公司 Mems压力传感器、mems惯性传感器集成结构
TW201710174A (zh) * 2015-09-08 2017-03-16 國立臺灣科技大學 微針陣列的製作方法
CN205251521U (zh) * 2015-10-12 2016-05-25 哈尔滨工程大学 一种具有自定位脉搏位置的手环式脉搏信号检测装置
US20170107099A1 (en) * 2015-10-15 2017-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor sensing structure
CN105411623A (zh) * 2015-12-25 2016-03-23 中国科学院深圳先进技术研究院 一种二维面阵列超声换能器及其制备方法
US20190175095A1 (en) * 2016-08-12 2019-06-13 Micrima Limited A Medical Imaging System and Method
CN106382997A (zh) * 2016-09-18 2017-02-08 北京科技大学 一种摩擦静电感应式电子皮肤
CN106289594A (zh) * 2016-11-02 2017-01-04 吉林大学 可实现三维变形量和三维压力高精度同步测量的传感阵列
CN208150963U (zh) * 2018-02-07 2018-11-27 北京先通康桥医药科技有限公司 触诊探头

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
庄庆德: "微电子技术中的材料兼容", 微电子学, no. 04, 25 August 1991 (1991-08-25) *
蒋丽丽;陈国彬;张广泉;: "基于微电机系统的多参数传感器与检测系统设计", 科学技术与工程, no. 06 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN108178121B (zh) 2024-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107742630B (zh) 影像感测器封装结构
JP4036863B2 (ja) 液晶ディスプレイパネルに接合した電子装置の接触抵抗を測る方法および、この測定方法用の液晶ディスプレイ
CN205843877U (zh) 介质隔离式压力传感器
US9488677B2 (en) Probe card having a wiring substrate
CN102257614B (zh) 包括安装在封装基板的相对侧的感测和处理管芯的集成传感器
RU2011152005A (ru) Датчик давления
CN115605984A (zh) 一种应变感应膜的制备方法、应变感应膜以及压力传感器
CN105452880A (zh) 电流传感器
WO2016037302A1 (zh) 一种压力传感器及其制造方法
CN204461670U (zh) 一种压力传感器封装结构
CN108027290A (zh) 力学量测定装置
CN208150963U (zh) 触诊探头
US9299280B2 (en) Substrate of electronic device, electronic device including the same, and measuring method of resistance at connection portion
US10144636B2 (en) Method of manufacturing a sensor
CN103021985B (zh) 待测传感器芯片的电学引出结构及其应用
CN102738088A (zh) 覆晶装置
CN104465590A (zh) 半导体装置及带有插入器的引线框
CN112225169A (zh) 一种压力模块及其制作方法
CN108178121A (zh) 触诊探头及其制造方法
CN105004468A (zh) 压力传感器
CN109786265B (zh) 一种封装器件、制备方法及信号测量的方法
CN101414592B (zh) 影像感测器封装结构
CN109686749A (zh) 图像传感器芯片封装结构以及其制备方法
TWI708415B (zh) 封蓋結構和包含封蓋結構的半導體裝置封裝
CN220772985U (zh) 一种场效应晶体管生物传感器封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant