RU2011152005A - Датчик давления - Google Patents

Датчик давления Download PDF

Info

Publication number
RU2011152005A
RU2011152005A RU2011152005/28A RU2011152005A RU2011152005A RU 2011152005 A RU2011152005 A RU 2011152005A RU 2011152005/28 A RU2011152005/28 A RU 2011152005/28A RU 2011152005 A RU2011152005 A RU 2011152005A RU 2011152005 A RU2011152005 A RU 2011152005A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
housing
sensor
circuit
crystal
tracks
Prior art date
Application number
RU2011152005/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2521869C2 (ru
Inventor
Лука САЛЬМАСО
Original Assignee
Металлюкс Са
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Металлюкс Са filed Critical Металлюкс Са
Publication of RU2011152005A publication Critical patent/RU2011152005A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2521869C2 publication Critical patent/RU2521869C2/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061Electrical connection means
    • G01L19/0069Electrical connection means from the sensor to its support
    • G01L19/0076Electrical connection means from the sensor to its support using buried connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

1. Датчик давления, имеющий корпус (2, 20; 2'; 2") датчика с диафрагмой (20; 20'), причем корпус (2, 20; 2'; 2") датчика и мембрана (20; 20'), по меньшей мере, частично выполнены из электроизоляционного материала, в частности керамического материала, и задают полость (3; 3'), диафрагма (20; 20'), по меньшей мере, частично обращена к упомянутой полости (3; 3') и имеет на себе, по меньшей мере, часть регистрирующего элемента (21, 22), сконфигурированного для регистрации изгибания или деформации диафрагмы (20; 20'), при этом корпус (2, 20; 2'; 2") датчика поддерживает компоновку (6) схемы, находящуюся в связи с помощью сигналов с регистрирующим элементом (21, 22) и содержащую множество компонентов (7, 10, 15) схемы, среди которых интегральная схема (15), причем компоновка (6) схемы запланирована для обработки сигнала, произведенного регистрирующим элементом (21, 22), датчик давления отличается тем, что:- упомянутая интегральная схема состоит из кристалла, выполненного из полупроводникового материала (15);- компоновка (6) схемы включает в себя рисунок электрической схемы, содержащий множество дорожек, выполненных из электропроводящего материала (9), непосредственно нанесенного на первую поверхность корпуса (2, 20; 2'; 2") датчика, который выполнен из электроизоляционного материала, причем упомянутые дорожки (9) сформированы так, что область упомянутой первой поверхности непосредственно открыта для механического присоединения, в частности для клеевого присоединения, или смоляного присоединения, упомянутого кристалла (15);- кристалл (15) непосредственно присоединяется к упомянутой первой поверхности в упомянутой области, то есть в зоне, не занятой упомянутыми дорожками (9);- упомянутый �

Claims (15)

1. Датчик давления, имеющий корпус (2, 20; 2'; 2") датчика с диафрагмой (20; 20'), причем корпус (2, 20; 2'; 2") датчика и мембрана (20; 20'), по меньшей мере, частично выполнены из электроизоляционного материала, в частности керамического материала, и задают полость (3; 3'), диафрагма (20; 20'), по меньшей мере, частично обращена к упомянутой полости (3; 3') и имеет на себе, по меньшей мере, часть регистрирующего элемента (21, 22), сконфигурированного для регистрации изгибания или деформации диафрагмы (20; 20'), при этом корпус (2, 20; 2'; 2") датчика поддерживает компоновку (6) схемы, находящуюся в связи с помощью сигналов с регистрирующим элементом (21, 22) и содержащую множество компонентов (7, 10, 15) схемы, среди которых интегральная схема (15), причем компоновка (6) схемы запланирована для обработки сигнала, произведенного регистрирующим элементом (21, 22), датчик давления отличается тем, что:
- упомянутая интегральная схема состоит из кристалла, выполненного из полупроводникового материала (15);
- компоновка (6) схемы включает в себя рисунок электрической схемы, содержащий множество дорожек, выполненных из электропроводящего материала (9), непосредственно нанесенного на первую поверхность корпуса (2, 20; 2'; 2") датчика, который выполнен из электроизоляционного материала, причем упомянутые дорожки (9) сформированы так, что область упомянутой первой поверхности непосредственно открыта для механического присоединения, в частности для клеевого присоединения, или смоляного присоединения, упомянутого кристалла (15);
- кристалл (15) непосредственно присоединяется к упомянутой первой поверхности в упомянутой области, то есть в зоне, не занятой упомянутыми дорожками (9);
- упомянутый кристалл (15) соединяется с соответственными упомянутыми дорожками (9) посредством проводного соединения, то есть посредством тонких гибких соединительных проводов (16), выполненных из электропроводящего материала.
2. Датчик по п.1, в котором провода представляют собой гибкие микропровода (16), имеющие толщину или диаметр, составляющий между около 5 мкм и 100 мкм, в частности от около 25 мкм и до около 35 мкм, и предпочтительно сформированные из материала или сплава, содержащего материал или основанного на материале, выбранном из: золота, платины, кремния, палладия, бериллия, серебра, алюминия и меди.
3. Датчик по п.1 или 2, дополнительно содержащий средство (18) регистрации температуры, в частности, соединенное с, или содержащееся в пределах, или интегрированное в упомянутый элемент или кристалл, выполненный из полупроводникового материала (15).
4. Датчик по п.1 или 2, в котором упомянутый элемент или кристалл, выполненный из полупроводникового материала (15), и соответствующие упомянутые провода (16), а также, по меньшей мере, часть области соединения упомянутых проводов (16) с соответственными упомянутыми дорожками (9) покрыта массой защитного изоляционного материала (17), такого как смола, в частности эпоксидная смола.
5. Датчик по п.1, в котором упомянутые дорожки (9) покрыты защитным слоем (11), в частности полимерным материалом, причем защитный слой (11) локально открыт, то есть имеет окна, по меньшей мере, в зонах соединения, по меньшей мере, некоторых из упомянутых компонентов (7) схемы, к соответственным упомянутым проводящим дорожкам (9), причем защитный слой (11) дополнительно имеет локальное отверстие или окно (11a), в упомянутой посадочной области.
6. Датчик по п.1, в котором, по меньшей мере, на одной поверхности или стороне упомянутого элемента или кристалла из полупроводникового материала (15) предоставляются контакты (15a), состоящие из тонких пленок, выполненных из электропроводящего материала, для присоединения упомянутых проводов (16).
7. Датчик по п.1, в котором упомянутые компоненты (7-10, 15) схемы содержат один или более резисторов (10), предпочтительно сформированных из резистивного материала, непосредственно нанесенного на упомянутую первую поверхность.
8. Датчик по пп.5 и 7, в котором упомянутые резисторы (10), по меньшей мере, частично покрыты упомянутым защитным слоем (11).
9. Датчик по п.1, в котором корпус (2, 20; 2', 20) датчика содержит первую часть (2; 2') корпуса, которая поддерживает упомянутую компоновку (6) схемы, и вторую часть (20) корпуса, задающую упомянутую диафрагму, причем первая и вторая части (2, 20; 2', 20) корпуса взаимно скреплены или соединены, в частности, посредством клейкого материала, и в котором:
- первая часть (2, 2') корпуса задает глухую полость (3), которая выходит на первую поверхность первой части (2, 2') корпуса;
- компоновка (6) схемы находится на второй поверхности первой части (2, 2') корпуса, которая является противоположной упомянутой первой поверхности; и
- вторая часть (20) корпуса прикреплена или соединена клеем с упомянутой первой поверхностью, чтобы сформировать нижнюю поверхность упомянутой полости (3).
10. Датчик по п.9, в котором в первой части (2; 2') корпуса предоставляются сквозные отверстия (5), проходящие между упомянутой первой и второй поверхностью, и в котором
- по меньшей мере, одна внутренняя поверхность упомянутых сквозных отверстий (5) покрыта слоем, выполненным из электропроводящего материала для соединения упомянутого регистрирующего элемента (22, 21) с упомянутой компоновкой (6) схемы, и/или
- упомянутые сквозные отверстия (15), по меньшей мере, частично заполнены электропроводящим материалом, таким как проводящая паста, или клей, в частности, для соединения упомянутых сквозных отверстий с электрическими компонентами или элементами (21, 22), имеющимися на диафрагме (20).
11. Датчик по п.9, в котором первая часть (2) корпуса имеет сквозное отверстие (4), проходящее от нижней поверхности упомянутой полости (3) и упомянутой второй поверхности, и в котором:
- если датчик (1) давления представляет собой датчик относительного давления, то упомянутое сквозное отверстие (4) открыто на соответствующем конце, который выходит на упомянутую вторую поверхность; и
- если датчик (1) давления представляет собой датчик абсолютного давления, то упомянутое сквозное отверстие (4) закрыто на соответствующем конце, который выходит на упомянутую вторую поверхность.
12. Датчик по п.1, в котором компоновка (6) схемы запланирована для выполнения одной или более функций, выбранных из: ESD защиты, защиты от повышения напряжения, защиты от перемены полярности, регистрации старения, автоматической калибровки, цифровой калибровки, программирования данных или параметров,
где, в частности, компоновка (6) схемы и/или упомянутая интегральная схема, или кристалл (15) сконфигурированы для программирования или калибровки после соответствующей сборки на корпусе (2) датчика, предпочтительно посредством тех же самых клемм (8), которые затем используются как выходы для измерительных сигналов, произведенных датчиком (1).
13. Датчик по п.1, в котором компоновка (6) схемы сконфигурирована так, чтобы иметь выходной логометрический сигнал, то есть сигнал с выходным напряжением, зависящим от напряжения питания, предпочтительно изменяющийся между 0,5 и 4,5 В.
14. Процесс изготовления датчика давления по одному или более пп.1-13, содержащий этапы:
- получения упомянутых дорожек (9) на упомянутой первой поверхности (9) так, чтобы оставить упомянутую посадочную область корпуса (2, 20; 2') датчика непосредственно открытой;
- нанесения, по меньшей мере, на крайние зоны упомянутых дорожек (9), которые соединяются с упомянутым кристаллом (15), слоя того же самого материала, из которого состоят упомянутые провода (16), или материала, совместимого с материалом, из которого выполнены упомянутые провода;
- прикрепления упомянутого кристалла (15) в упомянутой посадочной области упомянутой первой поверхности, в частности, посредством клеевого соединения;
- присоединение посредством провода упомянутого кристалла (15) к соответственным упомянутым дорожкам (9);
- покрытие упомянутого кристалла (15) и соответствующих упомянутых проводов (16), а также области соединения упомянутых проводов (16) с соответственными упомянутыми дорожками (9), упомянутой массой (17), выполненной из защитного изолирующего материала.
15. Устройство регистрации давления, содержащее датчик давления в соответствии с одним или более пп.1-13.
RU2011152005/28A 2009-05-20 2010-05-20 Датчик давления RU2521869C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITTO2009A000384A IT1394791B1 (it) 2009-05-20 2009-05-20 Sensore di pressione
ITTO2009A000384 2009-05-20
PCT/IB2010/052247 WO2010134043A1 (en) 2009-05-20 2010-05-20 Pressure sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011152005A true RU2011152005A (ru) 2013-06-27
RU2521869C2 RU2521869C2 (ru) 2014-07-10

Family

ID=41506455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011152005/28A RU2521869C2 (ru) 2009-05-20 2010-05-20 Датчик давления

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8878313B2 (ru)
EP (1) EP2433107B1 (ru)
CN (1) CN102460101B (ru)
BR (1) BRPI1011105B1 (ru)
IT (1) IT1394791B1 (ru)
RU (1) RU2521869C2 (ru)
WO (1) WO2010134043A1 (ru)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011005274B4 (de) * 2011-03-09 2020-09-10 Endress+Hauser SE+Co. KG Keramische Druckmesszelle
ITTO20120293A1 (it) * 2012-04-03 2013-10-04 Metallux Sa Procedimento per tarare un elemento di calibrazione, e relativo dispositivo
ITTO20121130A1 (it) * 2012-12-21 2014-06-22 Metallux Sa Sensore di pressione
DE102013101315A1 (de) * 2013-02-11 2014-08-14 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zur Verlötung eines Anschlusselement
AT515070B1 (de) * 2013-10-30 2020-01-15 Melecs Ews Gmbh & Co Kg Verfahren zur Kontaktierung und Befestigung von keramischen Drucksensoren auf einer Leiterplatte
CN113029432B (zh) 2014-12-23 2023-02-28 埃尔特克有限公司 传感器装置,具体是压力传感器
DE102015104410B4 (de) * 2015-03-24 2018-09-13 Tdk-Micronas Gmbh Drucksensor
ITUB20150460A1 (it) 2015-04-16 2016-10-16 Metallux Sa Sensore per la rilevazione di una o piu' grandezze di un fluido, particolarmente un sensore di pressione
EP3311118B1 (en) * 2015-06-19 2022-06-01 Merit Medical Systems, Inc. Pressure ports and related methods
ITUA20163990A1 (it) 2016-05-31 2017-12-01 St Microelectronics Srl Dispositivo sensore di carico miniaturizzato con ridotta sensibilita' a stress termo-meccanico di incapsulamento, in particolare sensore di forza e di pressione
EP3903675A1 (en) * 2016-08-31 2021-11-03 Nipro Corporation Pressure measurement device
US9878904B1 (en) 2016-10-25 2018-01-30 Rosemount Aerospace Inc. MEMS sensor with electronics integration
US10466125B2 (en) * 2016-11-11 2019-11-05 Measurement Specialties Inc. Pressure sensor sub assembly and fabrication
US10481025B2 (en) 2017-01-26 2019-11-19 Rosemount Aerospace Inc. Piezoresistive sensor with spring flexures for stress isolation
EP3355032B1 (de) * 2017-01-30 2019-03-27 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Sensor zur positionsmessung
DE102017219986A1 (de) * 2017-11-09 2019-05-09 Robert Bosch Gmbh Drucksensormodul und Drucksensorvorrichtung mit einem Drucksensormodul
DE102018221984A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Sensoranforderung zur Bestimmung mindestens eines Drucks eines fluiden Mediums
EP3671159B1 (de) * 2018-12-21 2022-12-21 Exentis Knowledge GmbH Körper hergestellt durch additives herstellungsverfahren und verfahren zur herstellung des körpers
EP3671160A1 (de) 2018-12-21 2020-06-24 Exentis Knowledge GmbH Formkörper sowie verfahren zur herstellung eines formkörpers
CN209326840U (zh) 2018-12-27 2019-08-30 热敏碟公司 压力传感器及压力变送器
CN109799026B (zh) * 2019-03-19 2021-12-17 中国电子科技集团公司第十三研究所 Mems压力传感器及制备方法
CN110672943B (zh) * 2019-09-26 2022-11-08 宁波大学 基于电压比较器的老化检测传感器
EP3971547B1 (en) * 2020-09-21 2024-03-27 Brimind S.r.l. Electronic pressure sensor with improved sealing system
CN113155348B (zh) * 2021-02-26 2023-09-12 西安微电子技术研究所 一种压阻式压力传感器信号处理模块及其集成方法
JP2024006068A (ja) * 2022-06-30 2024-01-17 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5207103A (en) * 1987-06-01 1993-05-04 Wise Kensall D Ultraminiature single-crystal sensor with movable member
US4815472A (en) * 1987-06-01 1989-03-28 The Regents Of The University Of Michigan Multipoint pressure-sensing catheter system
RU2034247C1 (ru) * 1991-02-20 1995-04-30 Государственный университет "Львивська политехника" Датчик температуры
US5285690A (en) * 1992-01-24 1994-02-15 The Foxboro Company Pressure sensor having a laminated substrate
US5571970A (en) * 1993-03-30 1996-11-05 Honda Motor Co., Ltd. Pressure sensor
US5561247A (en) * 1993-03-30 1996-10-01 Honda Motor Co., Ltd. Pressure sensor
US5457878A (en) * 1993-10-12 1995-10-17 Lsi Logic Corporation Method for mounting integrated circuit chips on a mini-board
US5629486A (en) * 1996-01-25 1997-05-13 Delco Electronics Corporation Pressure sensor apparatus with integrated circuit mounted thereon
DE19614458C2 (de) * 1996-04-12 1998-10-29 Grundfos As Druck- oder Differenzdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung
US6550337B1 (en) * 2000-01-19 2003-04-22 Measurement Specialties, Inc. Isolation technique for pressure sensing structure
JP4803917B2 (ja) * 2001-07-30 2011-10-26 京セラ株式会社 圧力検出装置用パッケージ
DE10140617A1 (de) * 2001-08-18 2003-03-06 Bosch Gmbh Robert Messsystem mit ratiometrischem Frequenzausgang
CN100443873C (zh) * 2004-09-28 2008-12-17 Vega格里沙贝两合公司 用于固定在容器上的传感器,特别是压力传感器
US7373843B2 (en) * 2005-06-02 2008-05-20 Fidelica Microsystems Flexible imaging pressure sensor
US7713771B2 (en) * 2006-09-01 2010-05-11 Grundfos A/S Pressure sensor
ITTO20080485A1 (it) * 2008-06-19 2009-12-20 Eltek Spa Dispositivo sensore di pressione

Also Published As

Publication number Publication date
EP2433107A1 (en) 2012-03-28
WO2010134043A1 (en) 2010-11-25
BRPI1011105A2 (pt) 2016-03-15
IT1394791B1 (it) 2012-07-13
CN102460101A (zh) 2012-05-16
CN102460101B (zh) 2014-11-26
US8878313B2 (en) 2014-11-04
RU2521869C2 (ru) 2014-07-10
ITTO20090384A1 (it) 2010-11-21
US20120104518A1 (en) 2012-05-03
BRPI1011105B1 (pt) 2019-10-15
EP2433107B1 (en) 2024-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011152005A (ru) Датчик давления
US6356068B1 (en) Current monitor system and a method for manufacturing it
JP4548066B2 (ja) 圧力センサ
US7690262B2 (en) Pressure sensor device including temperature sensor contained in common housing
JP4281630B2 (ja) センサ装置の製造方法
CN107525620B (zh) 用于恶劣媒介应用的半导体传感器组装件
KR20170101794A (ko) 혹독한 매체 적용에 대한 반도체 압력 센서
US8264074B2 (en) Device for use as dual-sided sensor package
EP2230507A1 (en) Humidity or gas sensor
JP2006084232A (ja) 容量式湿度センサ
KR20100031775A (ko) 전자 부품
JP4968371B2 (ja) センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス
US20070263367A1 (en) Electronic subassembly, electronic assembly, and method for producing an electronic assembly
CN107490337B (zh) 应变检测器及其制造方法
KR100652571B1 (ko) 가스센서용 초소형 패키지
JP2010145341A (ja) 圧力センサモジュール
CN115417370A (zh) 一种压力传感器芯片的封装结构及其封装方法
JP2006010547A (ja) 湿度センサモジュールおよび湿度センサの実装構造
JP4356867B2 (ja) 温度センサ
US11011439B2 (en) Pre-molded substrate, method of manufacturing pre-molded substrate, and hollow type semiconductor device
US11175162B2 (en) Integrated circuit sensor package and method of manufacturing the same
JP4288848B2 (ja) 液晶内蔵光学センサの製造方法
JP4111157B2 (ja) 圧力センサ
JP2019184470A (ja) 圧力センサ
JPS61128575A (ja) 圧力電気変換器の構造