RU2011152005A - Датчик давления - Google Patents
Датчик давления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011152005A RU2011152005A RU2011152005/28A RU2011152005A RU2011152005A RU 2011152005 A RU2011152005 A RU 2011152005A RU 2011152005/28 A RU2011152005/28 A RU 2011152005/28A RU 2011152005 A RU2011152005 A RU 2011152005A RU 2011152005 A RU2011152005 A RU 2011152005A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- housing
- sensor
- circuit
- crystal
- tracks
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0069—Electrical connection means from the sensor to its support
- G01L19/0076—Electrical connection means from the sensor to its support using buried connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
1. Датчик давления, имеющий корпус (2, 20; 2'; 2") датчика с диафрагмой (20; 20'), причем корпус (2, 20; 2'; 2") датчика и мембрана (20; 20'), по меньшей мере, частично выполнены из электроизоляционного материала, в частности керамического материала, и задают полость (3; 3'), диафрагма (20; 20'), по меньшей мере, частично обращена к упомянутой полости (3; 3') и имеет на себе, по меньшей мере, часть регистрирующего элемента (21, 22), сконфигурированного для регистрации изгибания или деформации диафрагмы (20; 20'), при этом корпус (2, 20; 2'; 2") датчика поддерживает компоновку (6) схемы, находящуюся в связи с помощью сигналов с регистрирующим элементом (21, 22) и содержащую множество компонентов (7, 10, 15) схемы, среди которых интегральная схема (15), причем компоновка (6) схемы запланирована для обработки сигнала, произведенного регистрирующим элементом (21, 22), датчик давления отличается тем, что:- упомянутая интегральная схема состоит из кристалла, выполненного из полупроводникового материала (15);- компоновка (6) схемы включает в себя рисунок электрической схемы, содержащий множество дорожек, выполненных из электропроводящего материала (9), непосредственно нанесенного на первую поверхность корпуса (2, 20; 2'; 2") датчика, который выполнен из электроизоляционного материала, причем упомянутые дорожки (9) сформированы так, что область упомянутой первой поверхности непосредственно открыта для механического присоединения, в частности для клеевого присоединения, или смоляного присоединения, упомянутого кристалла (15);- кристалл (15) непосредственно присоединяется к упомянутой первой поверхности в упомянутой области, то есть в зоне, не занятой упомянутыми дорожками (9);- упомянутый �
Claims (15)
1. Датчик давления, имеющий корпус (2, 20; 2'; 2") датчика с диафрагмой (20; 20'), причем корпус (2, 20; 2'; 2") датчика и мембрана (20; 20'), по меньшей мере, частично выполнены из электроизоляционного материала, в частности керамического материала, и задают полость (3; 3'), диафрагма (20; 20'), по меньшей мере, частично обращена к упомянутой полости (3; 3') и имеет на себе, по меньшей мере, часть регистрирующего элемента (21, 22), сконфигурированного для регистрации изгибания или деформации диафрагмы (20; 20'), при этом корпус (2, 20; 2'; 2") датчика поддерживает компоновку (6) схемы, находящуюся в связи с помощью сигналов с регистрирующим элементом (21, 22) и содержащую множество компонентов (7, 10, 15) схемы, среди которых интегральная схема (15), причем компоновка (6) схемы запланирована для обработки сигнала, произведенного регистрирующим элементом (21, 22), датчик давления отличается тем, что:
- упомянутая интегральная схема состоит из кристалла, выполненного из полупроводникового материала (15);
- компоновка (6) схемы включает в себя рисунок электрической схемы, содержащий множество дорожек, выполненных из электропроводящего материала (9), непосредственно нанесенного на первую поверхность корпуса (2, 20; 2'; 2") датчика, который выполнен из электроизоляционного материала, причем упомянутые дорожки (9) сформированы так, что область упомянутой первой поверхности непосредственно открыта для механического присоединения, в частности для клеевого присоединения, или смоляного присоединения, упомянутого кристалла (15);
- кристалл (15) непосредственно присоединяется к упомянутой первой поверхности в упомянутой области, то есть в зоне, не занятой упомянутыми дорожками (9);
- упомянутый кристалл (15) соединяется с соответственными упомянутыми дорожками (9) посредством проводного соединения, то есть посредством тонких гибких соединительных проводов (16), выполненных из электропроводящего материала.
2. Датчик по п.1, в котором провода представляют собой гибкие микропровода (16), имеющие толщину или диаметр, составляющий между около 5 мкм и 100 мкм, в частности от около 25 мкм и до около 35 мкм, и предпочтительно сформированные из материала или сплава, содержащего материал или основанного на материале, выбранном из: золота, платины, кремния, палладия, бериллия, серебра, алюминия и меди.
3. Датчик по п.1 или 2, дополнительно содержащий средство (18) регистрации температуры, в частности, соединенное с, или содержащееся в пределах, или интегрированное в упомянутый элемент или кристалл, выполненный из полупроводникового материала (15).
4. Датчик по п.1 или 2, в котором упомянутый элемент или кристалл, выполненный из полупроводникового материала (15), и соответствующие упомянутые провода (16), а также, по меньшей мере, часть области соединения упомянутых проводов (16) с соответственными упомянутыми дорожками (9) покрыта массой защитного изоляционного материала (17), такого как смола, в частности эпоксидная смола.
5. Датчик по п.1, в котором упомянутые дорожки (9) покрыты защитным слоем (11), в частности полимерным материалом, причем защитный слой (11) локально открыт, то есть имеет окна, по меньшей мере, в зонах соединения, по меньшей мере, некоторых из упомянутых компонентов (7) схемы, к соответственным упомянутым проводящим дорожкам (9), причем защитный слой (11) дополнительно имеет локальное отверстие или окно (11a), в упомянутой посадочной области.
6. Датчик по п.1, в котором, по меньшей мере, на одной поверхности или стороне упомянутого элемента или кристалла из полупроводникового материала (15) предоставляются контакты (15a), состоящие из тонких пленок, выполненных из электропроводящего материала, для присоединения упомянутых проводов (16).
7. Датчик по п.1, в котором упомянутые компоненты (7-10, 15) схемы содержат один или более резисторов (10), предпочтительно сформированных из резистивного материала, непосредственно нанесенного на упомянутую первую поверхность.
8. Датчик по пп.5 и 7, в котором упомянутые резисторы (10), по меньшей мере, частично покрыты упомянутым защитным слоем (11).
9. Датчик по п.1, в котором корпус (2, 20; 2', 20) датчика содержит первую часть (2; 2') корпуса, которая поддерживает упомянутую компоновку (6) схемы, и вторую часть (20) корпуса, задающую упомянутую диафрагму, причем первая и вторая части (2, 20; 2', 20) корпуса взаимно скреплены или соединены, в частности, посредством клейкого материала, и в котором:
- первая часть (2, 2') корпуса задает глухую полость (3), которая выходит на первую поверхность первой части (2, 2') корпуса;
- компоновка (6) схемы находится на второй поверхности первой части (2, 2') корпуса, которая является противоположной упомянутой первой поверхности; и
- вторая часть (20) корпуса прикреплена или соединена клеем с упомянутой первой поверхностью, чтобы сформировать нижнюю поверхность упомянутой полости (3).
10. Датчик по п.9, в котором в первой части (2; 2') корпуса предоставляются сквозные отверстия (5), проходящие между упомянутой первой и второй поверхностью, и в котором
- по меньшей мере, одна внутренняя поверхность упомянутых сквозных отверстий (5) покрыта слоем, выполненным из электропроводящего материала для соединения упомянутого регистрирующего элемента (22, 21) с упомянутой компоновкой (6) схемы, и/или
- упомянутые сквозные отверстия (15), по меньшей мере, частично заполнены электропроводящим материалом, таким как проводящая паста, или клей, в частности, для соединения упомянутых сквозных отверстий с электрическими компонентами или элементами (21, 22), имеющимися на диафрагме (20).
11. Датчик по п.9, в котором первая часть (2) корпуса имеет сквозное отверстие (4), проходящее от нижней поверхности упомянутой полости (3) и упомянутой второй поверхности, и в котором:
- если датчик (1) давления представляет собой датчик относительного давления, то упомянутое сквозное отверстие (4) открыто на соответствующем конце, который выходит на упомянутую вторую поверхность; и
- если датчик (1) давления представляет собой датчик абсолютного давления, то упомянутое сквозное отверстие (4) закрыто на соответствующем конце, который выходит на упомянутую вторую поверхность.
12. Датчик по п.1, в котором компоновка (6) схемы запланирована для выполнения одной или более функций, выбранных из: ESD защиты, защиты от повышения напряжения, защиты от перемены полярности, регистрации старения, автоматической калибровки, цифровой калибровки, программирования данных или параметров,
где, в частности, компоновка (6) схемы и/или упомянутая интегральная схема, или кристалл (15) сконфигурированы для программирования или калибровки после соответствующей сборки на корпусе (2) датчика, предпочтительно посредством тех же самых клемм (8), которые затем используются как выходы для измерительных сигналов, произведенных датчиком (1).
13. Датчик по п.1, в котором компоновка (6) схемы сконфигурирована так, чтобы иметь выходной логометрический сигнал, то есть сигнал с выходным напряжением, зависящим от напряжения питания, предпочтительно изменяющийся между 0,5 и 4,5 В.
14. Процесс изготовления датчика давления по одному или более пп.1-13, содержащий этапы:
- получения упомянутых дорожек (9) на упомянутой первой поверхности (9) так, чтобы оставить упомянутую посадочную область корпуса (2, 20; 2') датчика непосредственно открытой;
- нанесения, по меньшей мере, на крайние зоны упомянутых дорожек (9), которые соединяются с упомянутым кристаллом (15), слоя того же самого материала, из которого состоят упомянутые провода (16), или материала, совместимого с материалом, из которого выполнены упомянутые провода;
- прикрепления упомянутого кристалла (15) в упомянутой посадочной области упомянутой первой поверхности, в частности, посредством клеевого соединения;
- присоединение посредством провода упомянутого кристалла (15) к соответственным упомянутым дорожкам (9);
- покрытие упомянутого кристалла (15) и соответствующих упомянутых проводов (16), а также области соединения упомянутых проводов (16) с соответственными упомянутыми дорожками (9), упомянутой массой (17), выполненной из защитного изолирующего материала.
15. Устройство регистрации давления, содержащее датчик давления в соответствии с одним или более пп.1-13.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ITTO2009A000384A IT1394791B1 (it) | 2009-05-20 | 2009-05-20 | Sensore di pressione |
ITTO2009A000384 | 2009-05-20 | ||
PCT/IB2010/052247 WO2010134043A1 (en) | 2009-05-20 | 2010-05-20 | Pressure sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011152005A true RU2011152005A (ru) | 2013-06-27 |
RU2521869C2 RU2521869C2 (ru) | 2014-07-10 |
Family
ID=41506455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011152005/28A RU2521869C2 (ru) | 2009-05-20 | 2010-05-20 | Датчик давления |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8878313B2 (ru) |
EP (1) | EP2433107B1 (ru) |
CN (1) | CN102460101B (ru) |
BR (1) | BRPI1011105B1 (ru) |
IT (1) | IT1394791B1 (ru) |
RU (1) | RU2521869C2 (ru) |
WO (1) | WO2010134043A1 (ru) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011005274B4 (de) * | 2011-03-09 | 2020-09-10 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Keramische Druckmesszelle |
ITTO20120293A1 (it) * | 2012-04-03 | 2013-10-04 | Metallux Sa | Procedimento per tarare un elemento di calibrazione, e relativo dispositivo |
ITTO20121130A1 (it) * | 2012-12-21 | 2014-06-22 | Metallux Sa | Sensore di pressione |
DE102013101315A1 (de) * | 2013-02-11 | 2014-08-14 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Verfahren zur Verlötung eines Anschlusselement |
AT515070B1 (de) * | 2013-10-30 | 2020-01-15 | Melecs Ews Gmbh & Co Kg | Verfahren zur Kontaktierung und Befestigung von keramischen Drucksensoren auf einer Leiterplatte |
CN113029432B (zh) | 2014-12-23 | 2023-02-28 | 埃尔特克有限公司 | 传感器装置,具体是压力传感器 |
DE102015104410B4 (de) * | 2015-03-24 | 2018-09-13 | Tdk-Micronas Gmbh | Drucksensor |
ITUB20150460A1 (it) | 2015-04-16 | 2016-10-16 | Metallux Sa | Sensore per la rilevazione di una o piu' grandezze di un fluido, particolarmente un sensore di pressione |
EP3311118B1 (en) * | 2015-06-19 | 2022-06-01 | Merit Medical Systems, Inc. | Pressure ports and related methods |
ITUA20163990A1 (it) | 2016-05-31 | 2017-12-01 | St Microelectronics Srl | Dispositivo sensore di carico miniaturizzato con ridotta sensibilita' a stress termo-meccanico di incapsulamento, in particolare sensore di forza e di pressione |
EP3903675A1 (en) * | 2016-08-31 | 2021-11-03 | Nipro Corporation | Pressure measurement device |
US9878904B1 (en) | 2016-10-25 | 2018-01-30 | Rosemount Aerospace Inc. | MEMS sensor with electronics integration |
US10466125B2 (en) * | 2016-11-11 | 2019-11-05 | Measurement Specialties Inc. | Pressure sensor sub assembly and fabrication |
US10481025B2 (en) | 2017-01-26 | 2019-11-19 | Rosemount Aerospace Inc. | Piezoresistive sensor with spring flexures for stress isolation |
EP3355032B1 (de) * | 2017-01-30 | 2019-03-27 | Dr. Johannes Heidenhain GmbH | Sensor zur positionsmessung |
DE102017219986A1 (de) * | 2017-11-09 | 2019-05-09 | Robert Bosch Gmbh | Drucksensormodul und Drucksensorvorrichtung mit einem Drucksensormodul |
DE102018221984A1 (de) * | 2018-12-17 | 2020-06-18 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Sensoranforderung zur Bestimmung mindestens eines Drucks eines fluiden Mediums |
EP3671159B1 (de) * | 2018-12-21 | 2022-12-21 | Exentis Knowledge GmbH | Körper hergestellt durch additives herstellungsverfahren und verfahren zur herstellung des körpers |
EP3671160A1 (de) | 2018-12-21 | 2020-06-24 | Exentis Knowledge GmbH | Formkörper sowie verfahren zur herstellung eines formkörpers |
CN209326840U (zh) | 2018-12-27 | 2019-08-30 | 热敏碟公司 | 压力传感器及压力变送器 |
CN109799026B (zh) * | 2019-03-19 | 2021-12-17 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Mems压力传感器及制备方法 |
CN110672943B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-11-08 | 宁波大学 | 基于电压比较器的老化检测传感器 |
EP3971547B1 (en) * | 2020-09-21 | 2024-03-27 | Brimind S.r.l. | Electronic pressure sensor with improved sealing system |
CN113155348B (zh) * | 2021-02-26 | 2023-09-12 | 西安微电子技术研究所 | 一种压阻式压力传感器信号处理模块及其集成方法 |
JP2024006068A (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-17 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5207103A (en) * | 1987-06-01 | 1993-05-04 | Wise Kensall D | Ultraminiature single-crystal sensor with movable member |
US4815472A (en) * | 1987-06-01 | 1989-03-28 | The Regents Of The University Of Michigan | Multipoint pressure-sensing catheter system |
RU2034247C1 (ru) * | 1991-02-20 | 1995-04-30 | Государственный университет "Львивська политехника" | Датчик температуры |
US5285690A (en) * | 1992-01-24 | 1994-02-15 | The Foxboro Company | Pressure sensor having a laminated substrate |
US5571970A (en) * | 1993-03-30 | 1996-11-05 | Honda Motor Co., Ltd. | Pressure sensor |
US5561247A (en) * | 1993-03-30 | 1996-10-01 | Honda Motor Co., Ltd. | Pressure sensor |
US5457878A (en) * | 1993-10-12 | 1995-10-17 | Lsi Logic Corporation | Method for mounting integrated circuit chips on a mini-board |
US5629486A (en) * | 1996-01-25 | 1997-05-13 | Delco Electronics Corporation | Pressure sensor apparatus with integrated circuit mounted thereon |
DE19614458C2 (de) * | 1996-04-12 | 1998-10-29 | Grundfos As | Druck- oder Differenzdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6550337B1 (en) * | 2000-01-19 | 2003-04-22 | Measurement Specialties, Inc. | Isolation technique for pressure sensing structure |
JP4803917B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2011-10-26 | 京セラ株式会社 | 圧力検出装置用パッケージ |
DE10140617A1 (de) * | 2001-08-18 | 2003-03-06 | Bosch Gmbh Robert | Messsystem mit ratiometrischem Frequenzausgang |
CN100443873C (zh) * | 2004-09-28 | 2008-12-17 | Vega格里沙贝两合公司 | 用于固定在容器上的传感器,特别是压力传感器 |
US7373843B2 (en) * | 2005-06-02 | 2008-05-20 | Fidelica Microsystems | Flexible imaging pressure sensor |
US7713771B2 (en) * | 2006-09-01 | 2010-05-11 | Grundfos A/S | Pressure sensor |
ITTO20080485A1 (it) * | 2008-06-19 | 2009-12-20 | Eltek Spa | Dispositivo sensore di pressione |
-
2009
- 2009-05-20 IT ITTO2009A000384A patent/IT1394791B1/it active
-
2010
- 2010-05-20 WO PCT/IB2010/052247 patent/WO2010134043A1/en active Application Filing
- 2010-05-20 BR BRPI1011105-0A patent/BRPI1011105B1/pt active IP Right Grant
- 2010-05-20 RU RU2011152005/28A patent/RU2521869C2/ru active
- 2010-05-20 CN CN201080022596.5A patent/CN102460101B/zh active Active
- 2010-05-20 US US13/321,373 patent/US8878313B2/en active Active
- 2010-05-20 EP EP10728294.9A patent/EP2433107B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2433107A1 (en) | 2012-03-28 |
WO2010134043A1 (en) | 2010-11-25 |
BRPI1011105A2 (pt) | 2016-03-15 |
IT1394791B1 (it) | 2012-07-13 |
CN102460101A (zh) | 2012-05-16 |
CN102460101B (zh) | 2014-11-26 |
US8878313B2 (en) | 2014-11-04 |
RU2521869C2 (ru) | 2014-07-10 |
ITTO20090384A1 (it) | 2010-11-21 |
US20120104518A1 (en) | 2012-05-03 |
BRPI1011105B1 (pt) | 2019-10-15 |
EP2433107B1 (en) | 2024-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2011152005A (ru) | Датчик давления | |
US6356068B1 (en) | Current monitor system and a method for manufacturing it | |
JP4548066B2 (ja) | 圧力センサ | |
US7690262B2 (en) | Pressure sensor device including temperature sensor contained in common housing | |
JP4281630B2 (ja) | センサ装置の製造方法 | |
CN107525620B (zh) | 用于恶劣媒介应用的半导体传感器组装件 | |
KR20170101794A (ko) | 혹독한 매체 적용에 대한 반도체 압력 센서 | |
US8264074B2 (en) | Device for use as dual-sided sensor package | |
EP2230507A1 (en) | Humidity or gas sensor | |
JP2006084232A (ja) | 容量式湿度センサ | |
KR20100031775A (ko) | 전자 부품 | |
JP4968371B2 (ja) | センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス | |
US20070263367A1 (en) | Electronic subassembly, electronic assembly, and method for producing an electronic assembly | |
CN107490337B (zh) | 应变检测器及其制造方法 | |
KR100652571B1 (ko) | 가스센서용 초소형 패키지 | |
JP2010145341A (ja) | 圧力センサモジュール | |
CN115417370A (zh) | 一种压力传感器芯片的封装结构及其封装方法 | |
JP2006010547A (ja) | 湿度センサモジュールおよび湿度センサの実装構造 | |
JP4356867B2 (ja) | 温度センサ | |
US11011439B2 (en) | Pre-molded substrate, method of manufacturing pre-molded substrate, and hollow type semiconductor device | |
US11175162B2 (en) | Integrated circuit sensor package and method of manufacturing the same | |
JP4288848B2 (ja) | 液晶内蔵光学センサの製造方法 | |
JP4111157B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP2019184470A (ja) | 圧力センサ | |
JPS61128575A (ja) | 圧力電気変換器の構造 |