CN108161774B - 研磨垫及其的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及研磨垫及其的制作方法，更详细地，涉及当进行研磨工序时，无需使用浆料和/或无需调节工序的研磨垫及其他制作方法。本发明具有如下效果，通过本发明制作的研磨垫用水性聚氨酯涂敷自调节成型体，由此可控制溶出速度，当进行被研磨体的研磨工序时，不使用额外的浆料，不需要进行额外的调节工序，因此没有装置的空闲时间，从而可提高研磨工序的生产性。并且，本发明具有如下效果，通过本发明制作的研磨垫包括研磨辅料，从而提高研磨性能。

Description

研磨垫及其的制作方法
技术领域
本发明涉及研磨垫及其制作方法，更详细地，涉及当进行研磨工序时，无需使用浆料(slurry)和/或无需调节(conditioning)工序的研磨垫及其他制作方法。
背景技术
在制作由在电、电子、半导体及显示器、光学领域中作为基础材料广泛使用的钠钙玻璃(Sodalime glass)、硼硅玻璃(Borosilicate glass)、铝硅酸盐玻璃(Aluminosilicate glass)、石英(Quartz)等材料形成的平板光学玻璃基板、蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、氧化锆(Zirconia)晶元基板的过程中，包括磨(Grinding)、研磨(Lapping)、抛光(Polishing)及整理(Finishing)等的研磨工序为核心工序中的一种。
研磨工序调节被研磨体的基板的厚度，或者基板表面的表面粗糙度(SurfaceRoughness)。
磨为主要在短时间内降低被研磨体的厚度并实施总体平坦化的步骤，将被研磨体的厚度研磨至数厘米至数百微米的范围。在此工序中，与调节被研磨体的表面粗糙度相比，总体平坦化更为重要。
研磨一般在磨削工序之后实施，将被研磨体的厚度调节在数十微米至数百微米的范围，再现出数百纳米的平均表面粗糙度(Ra，Average Surface Roughness)。在研磨工序中，以能够在由金属板(Metal plate)或金属树脂(Metal-resin)负荷材料构成的板上装载被研磨体(Substrate)的方式构成载体(Carrier)，按规定速度供给作为额外浆料的研磨材料来实施。此时，可适当变换根据被研磨体的密度、硬度等的物性使用的浆料的种类、粒径和浓度。
抛光主要在研磨之后实施，在数微米至数百纳米范围内，调节被研磨体的厚度并再现平均表面粗糙度。在抛光工序中，在具有气孔的聚氨酯材料的研磨垫上装载被研磨体，使用具有数十纳米至数微米范围的粒径的浆料来实施。
与被研磨体的厚度调节的目的相比，整理将表面的粗糙度调节至小于数纳米的超精密水平来进行收尾。在整理工序中，根据需要的目的，使用数纳米至数十纳米范围的浆料。
即，在磨、研磨、抛光、整理等多个研磨工序中呈现的共同点如下，当研磨被研磨体时，为了有效帮助研磨，通过供给浆料来实施工序。
浆料为主要在研磨工序中使用的材料，不溶性的固体微粒(研磨材料)为具有以胶体(Colloid)状态化学或物理分散的流动性的固体和液体的混合物，在上述浆料中的金刚石、矾土(Alumina)、二氧化硅(Silica)、氧化铈(Ceria)等的研磨材料与被研磨体在板或者研磨垫的界面(Interface)自由移动并在被研磨体的表面通过摩擦、研磨功能有效实现研磨。
其中，在研磨工序前准备浆料，在研磨工序之后废弃浆料方面需要消耗时间和人力，大部分的浆料对工作人员有害，在研磨工序中，浆料费用所占据的比例约为极高的30％至40％。并且，大部分的浆料制备技术偏向于国外，从而，需要使用收益产品的部分也增加工序成本。
另一方面，在使用研磨垫来实施被研磨体的研磨的情况下，研磨垫的表面会被上光(Glazing)，浆料粒子填满研磨垫的气孔，由此研磨速度会降低，研磨均匀度也会降低。为了防止上述现象，在研磨工序中，需要用研磨垫调节器(Pad conditioner)周期性调节研磨垫表面的调节(Conditioning)工序。通常，研磨垫调节器通过在呈圆形或环形的由耐蚀性金属形成的调节器基板附着如金刚石或立方氮化硼(Cubic boron nitride，以下，称之为“cBN”)的硬质粒子而成。上述硬质粒子与浆料相接触来调节研磨垫的表面，由此，研磨版表面被调节，从而维持恒定的研磨条件。调节器的硬质粒子的角锋利，因此，潜藏裂纹和晶体缺陷。并且，随着调节的进行，结晶粒子的锋利角被磨损或者掉落瓦砾，且上述瓦砾在研磨垫的上部移动并镶嵌在研磨垫，由此减少板调节效率，随之降低研磨速度。并且，在实施研磨垫的调节的期间，无法利用研磨工序，基于装置的闲置时间增加的生产性降低，基于结晶粒子的瓦砾的缺陷镶嵌在研磨垫内，当之后进行研磨工序时，可引发刮痕。
对此，韩国公开专利第2003-0063944号中提出了如下发明，使与晶元的表面相接触来执行研磨的研磨垫倾斜，由此，向研磨垫喷射的浆料因离心力和斜面有效地向晶元的表面供给，使得用于研磨晶元表面的浆料消耗量最小化。
并且，韩国公开专利第2002-0033203号中提出了如下发明，向具有与研磨垫的材料的溶解度参数具有大约小于20％差异的溶解度参数的化学溶剂露出，由此，对研磨垫进行表面调节处理，由此使用于研磨面的表面调节所需要的时间最小化。
但是，韩国公开专利第2003-0063944号中公开的技术依然需要使用浆料，韩国公开专利第2002-0033203所公开的技术依然需要进行调节步骤。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：韩国公开专利第2003-0063944号(申请日期：2002年1月24日)
专利文献2：韩国公开专利第2002-0033203号(申请日期：2002年3月26日)
发明内容
本发明为了解决上述问题而提出，本发明的目的在于，提供在精研、抛光、整理等的工序中，具有不需要浆料并无需额外的调节工序的自调节功能的研磨垫及其的制作方法。
根据本发明适当的实施形态，本发明的特征在于，研磨垫包括：基材层；以及研磨体层，包括第一研磨体和第二研磨体，上述第一研磨体包括第一微粒研磨材料及研磨辅料，上述第二研磨体包括第二微粒研磨材料及高分子粘结剂，并涂敷有水性聚氨酯，若通过水溶液至少使第二研磨体的一部分被溶解，则从上述第二研磨体释放上述第二微粒研磨材料，执行研磨垫的调节。
并且，本发明的特征在于，上述研磨辅料为硅石粉，相对于100重量份的第一微粒研磨材料，包含10重量份至100重量份的上述研磨辅料。
并且，本发明的特征在于，上述第一微粒研磨材料包含碳化硼(B4C)、金刚石及立方氮化硼(cBN)中的至少一种。
并且，本发明的特征在于，上述第二微粒研磨材料包含氧化铝(Al2O3)、胶体二氧化硅(Coloidal silica)、熔融石英(fused silica)、碳化硅(SiC)、氧化锆、氧化铈(CeO2)、氧化铁(Fe2O3)及氧化铬(Cr2O3)中的至少一种。
并且，本发明的特征在于，上述高分子粘结剂包含淀粉(Starch)、聚乙烯醇(PVA)、聚环氧乙烷(PEO)、聚乙二醇、聚丙烯酸(PAA)、聚丙烯酰胺(PAM)及糊精(Dextrin)中的至少一种。
并且，本发明的特征在于，相对于100重量份的上述第二微粒研磨材料，包含0.1重量份至20重量份的上述水性聚氨酯。
并且，本发明的特征在于，在上述研磨体层上还形成缓冲层，上述缓冲层包括热硬化树脂或感光性树脂中的至少一种，上述热硬化树脂包括丙烯酸酯树脂、环氧树脂、聚酯树脂、酚醛树脂、尿素树脂及三聚氰胺树脂中的一种。
并且，根据本发明的另一适当实施形态，本发明的特征在于，研磨垫的制作方法包括：混合第一微粒研磨材料和高分子粘结剂来制备研磨浆料的步骤：通过对混合上述研磨浆料和研磨辅料而成的研磨成型体进行烧结来准备第一研磨体的步骤；混合第二微粒研磨材料和高分子粘结剂来制作自调节成型体的步骤；对上述自调节成型体涂敷水性聚氨酯来准备第二研磨体的步骤；混合上述第一研磨体和上述第二研磨体来制作研磨体层的步骤；以及在上述研磨体层上涂敷基材层的步骤。
并且，本发明的特征在于，在上述烧结步骤中，在400℃至800℃的温度下对研磨成型体进行加热。
并且，本发明的特征在于，在85℃至100℃的温度下，向自调节成型体涂敷1次以上的上述水性聚氨酯。
并且，本发明的特征在于，相对于100重量份的上述第一微粒研磨材料，包含1重量份至20重量份的上述高分子粘结剂，相对于100重量份的上述第一微粒研磨材料，包含10重量份至100重量份的上述研磨辅料。
并且，本发明的特征在于，相对于100重量份的上述第二微粒研磨材料，包含0.1重量份至20重量份的上述水性聚氨酯。
并且，本发明的特征在于，本发明还包括在上述研磨体层上涂敷上述缓冲层的步骤。
本发明具有如下效果，通过本发明制作的研磨垫用水性聚氨酯涂敷自调节成型体，由此可控制溶出速度，当进行被研磨体的研磨工序时，不使用额外的浆料，不需要进行额外的调节工序，因此没有装置的空闲时间，从而可提高研磨工序的生产性。
并且，本发明具有如下效果，通过本发明制作的研磨垫包括研磨辅料，从而提高研磨性能。
附图说明
图1示出本发明的研磨垫的一实施例。
图2为图1的研磨垫的制作工序图。
图3为本发明另一实施例的研磨垫的制作工序图。
图4为测定通过改变研磨辅料的含量来制作的第一研磨体的表明形状的扫描电子显微镜照片。
图5为示出包括根据本发明制作的第一研磨体的研磨垫的研磨性能的图表。
图6为示出向根据本发明制作的研磨垫投入浆料来测定的研磨性能的图表。
图7为测定当通过包括背面层来制作的研磨垫进行研磨时的光学玻璃基板表面形状的激光显微照片。
附图标记的说明
1：研磨垫
10：基材层
20：研磨体层
20a、20b、20c：研磨突起
21：第一研磨体
21a：第一微粒研磨材料
21b：研磨辅料
23：第二研磨体
23a：第二微粒研磨材料
23b：高分子粘结剂
23c：水性聚氨酯
27：高分子树脂
30：缓冲层
40：第一减压粘结层
50：第二减压粘结层
具体实施方式
以下，对本发明进行说明。之前，在本说明书及发明要求保护范围中所使用的术语或单词并不能通过预先的含义限定解释，立足于发明人员为了通过最优的方法说明自己的发明而可以适当定义术语的概念的原则，通过符合于本发明的技术思想的含义和概念解释。因此，在本说明书中记载的实施例中的结构仅使本发明的最为优选的一实施例，而并非代表本发明的所有技术思想，因此，在本申请中，存在可以替代上述实施例的多种等同技术方案和变形例。
以下，参照附图，详细说明本发明。
图1示出本发明的研磨垫的一实施例。图1的研磨垫1包括基材层10及研磨体层20。
本发明的研磨垫1可用于钠钙玻璃(Sodalime glass)、硼硅玻璃(Borosilicateglass)、铝硅酸盐玻璃(Aluminosilicate glass)、石英(Quartz)等材料形成的平板光学玻璃基板、蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、氧化锆(Zirconia)晶元基板的过程中，包括磨(Grinding)、研磨(Lapping)、抛光(Polishing)及整理(Finishing)等的研磨工序。上述研磨工序调节被研磨体的基板的厚度，或者调节基板表面的粗糙度(Surface Roughness)。
并且，本发明的研磨垫1呈环形状，上述研磨体层20由按规定间隔隔开而成的多个研磨突起20a、20b、20c形成，这些研磨突起20a、20b、20c的配置形态未被特殊限制，优选地，以上述环的中心为基准呈同心圆桩或放射状。其中，可解决如下问题，因研磨突起20a、20b、20c的同心圆状或放射状配置，在以往的平行配置中发生的内径、外径、外围边缘中，研磨突起20a、20b、20c被破碎的现象和破碎的研磨突起20a、20b、20c块引起不稳定的粘结力，且在研磨工序中，从研磨垫掉落并在被研磨体和研磨垫之间进行移动，且被研磨体会发生大的划痕，在严重的情况下，会弄坏被研磨体。
上述基材层10起到基材(backing)的作用，上述基材层10可包含选自聚合物膜、准备的(primed)的聚合物膜、多孔性及非多孔性聚合物泡沫、纤维强化的热可塑性基材、熔纺(meltspun)或熔喷(meltblown)无纺布及这些的组合中的一种。其中，上述聚合物膜可由包含聚乙烯(PE)及聚丙烯(PP)的聚烯烃、包含聚对苯二甲酸(PET)的聚酯纤维、包含尼龙-6及尼龙6,6的聚酰胺及聚碳酸酯中的至少一种以上的材料形成，但并不局限于此，通常，可包括能够用作研磨垫的基材层的一种材料，且呈板或膜形态。
上述研磨体层20包括第一研磨体21和第二研磨体23，若上述研磨体层20的至少一部分溶解在水溶液，则上述第二微粒研磨材料23a从上述第二研磨体23释放并执行研磨垫的调节。
上述第一研磨体21在研磨工序中用于对被研磨体进行研磨，上述第一研磨体21包括第一微粒研磨材料21a及研磨辅料21b。
其中，上述第一微粒研磨材料21a只要具有研磨性能即可使用，优选地，上述第一微粒研磨材料21a可包括碳化硼(B4C)、金刚石基立方氮化硼(cBN)中的至少一种。在上述金刚石的情况下，等级(grade)未受特殊限制，但是，以平均粒径为基准，可以使用平均粒径为1μm至30μm，优选地，1μm至20μm，更加优选地，1μm至10μm的金刚石。优选地，在第一微粒研磨材料21a的情况下，选择与被研磨体或第二微粒研磨材料23a的硬度相同或具有其以上硬度的材料。
并且，上述研磨辅料21b只要具有研磨性能即可使用，优选地，上述研磨辅料21b可包含硅石粉。其中，优选地，相对于100重量份的第一微粒研磨材料，上述研磨辅料21b包含10重量份至100重量份。在上述研磨辅料的含量包含小于或大于记载的含量的情况下，研磨性能会降低。
并且，上述第一研磨体21可以具有规定大小，上述第一研磨体的大小为30μm至300μm，优选地，30μm至100μm，更加优选地，30μm至50μm。其中，在上述第一研磨体21的大小小于30μm的情况下，当对被研磨体进行研磨时，研磨速度会降低，并增加制作成本，在包括大小为300μm以上的第一研磨体21时，在被研磨体的表面发生很多划痕，由此发生表面粗糙度变大的问题。
上述第二研磨体23用于执行研磨垫1的调节功能，上述第二研磨体23包括用水性聚氨酯23c进行涂敷的第二微粒研磨材料23a及高分子粘结剂23b。若上述高分子粘结剂23b及上述水性聚氨酯23c中的至少一部分溶解在水溶液，则上述第二微粒研磨材料23a从上述第二研磨体23释放并可执行研磨垫的调节。
本发明的研磨垫1通过湿法进行研磨工序，若上述第二微粒研磨材料23a的至少一部分溶解在水，则会释放上述第二微粒研磨材料，以此释放的第二微粒研磨材料23a不仅可执行以往使用的研磨工序中的浆料作用，而且可调节上述研磨体层20的表面或形成于上述研磨体层20的气孔或夹在上述多个研磨突起20a、20b、20c之间的不纯物粒子。由此，根据本发明，不需要额外的浆料，从而可节约用于浆料使用的费用，且可自调节，在没有追加的调节工序的情况下，从而可排除装置的闲置时间，由此可提高研磨工序的生产性。
上述第二微粒研磨材料23a只要具有研磨性能即可使用，优选地，上述第二微粒研磨材料23a可包含氧化铝(Al2O3)、胶体二氧化硅(Coloidal silica)、熔融石英(fusedsilica)、碳化硅(SiC)、氧化锆、氧化铈(CeO2)、氧化铁(Fe2O3)及氧化铬(Cr2O3)中的至少一种。优选地，在第二微粒研磨材料23a的情况下，选择与第一微粒研磨材料21a的硬度相同或小于其硬度的材料。
并且，上述高分子粘结剂23b只要至少一部分能够溶解在水溶液即可使用，优选地，可包含淀粉(Starch)、聚乙烯醇(PVA)、聚环氧乙烷(PEO),聚乙二醇(PEG)、聚丙烯酸(PAA)、聚丙烯酰胺(PAM)及糊精(Dextrin)中的至少一种，最为优选地，可包含聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)及糊精(Dextrin)中的至少一种。上述高分子粘结剂的优选使用例为重量平均分子量为10000至100000的聚乙烯醇(PVA)、重量平均分子量为500至5000的聚乙二醇(PEG)及重量平均分子量为1000至10000的糊精中的至少一种。
并且，优选地，相对于100重量份的第二微粒研磨材料，上述高分子粘结剂23b包含1至20重量份。其中，在使用小于记载含量的情况下，自调节效果并不充分，因此，当进行作业时效果会降低，在使用记载含量以上的情况下，第二微粒研磨材料的溶出速度变慢，研磨效率会降低，且作业性存在问题。
并且，优选地，上述水性聚氨酯23c使用在上述第二微粒研磨材料23a和上述高分子粘结剂23b的混合物的表面涂敷的涂敷液。相对于100重量份的上述第二微粒研磨材料，上述水性聚氨酯23c可包含0.1至10重量份，更加优选地，可包含0.1至10重量份，最为优选地，可包含0.5至5重量份。其中，在使用记载含量以上的上述水性聚氨酯的情况下，第二微粒研磨材料很难溶出，自调节效果降低，因此需要进行追加的调节作业，在使用记载含量以下的上述水性聚氨酯的情况下，第二微粒研磨材料的溶出速度增加，因此，研磨突起20a、20b、20c快速磨损，且耐久性也会降低，从而存在寿命缩减的问题。
并且，优选地，上述第二研磨体23的大小为10μm至80μm，更加优选地，20μm至50μm。其中，在上述第二研磨体23的大小为10μm以下的情况下，自调节效果很难适当发挥，在大小为80μm以上的情况下，在研磨突起20a、20b、20c内形成很多气孔，由此，当进行研磨时，被研磨体的表面并不均匀，研磨突起20a、20b、20c快速磨损，且耐久性会降低，从而可发生寿命缩减的问题。
本发明还可包括位于上述研磨体层20上，用于执行上述研磨体层20的平坦化和缓冲作用的缓冲层30。
优选地，上述缓冲层30的厚度为30μm至300μm，更加优选地，50μm至100μm。在上述缓冲层30的厚度小于上述记载的厚度的情况下，上述缓冲层30被面的表面平坦化工序的操作变得艰难，因弹性变小，而受到被研磨体的残余物的强力压力，从而导致在被研磨体表面产生大的划痕的问题。并且，在上述缓冲层30的厚度为上述记载的厚度以上的情况下，上述缓冲层30背面的表面平坦化工序时间增加，生产效率会降低，且弹性变高，由此降低被研磨体和研磨体层20之间的摩擦力，从而导致研磨率的降低。
并且，优选地，上述缓冲层30可使用包含丙烯酸酯树脂、环氧树脂、聚酯树脂、酚醛树脂、尿素树脂及三聚氰胺树脂中的一个的热硬化树脂或感光性树脂中的至少一种，最为优选地，可使用丙烯酸酯树脂。上述丙烯酸酯树脂可包含1,6-己二醇二丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇三(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇六(甲基)丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯中的至少一种以上。优选例，上述缓冲层30由1,6-己二醇二丙烯酸酯和丙烯酸异冰片酯的混合体形成。上述丙烯酸酯树脂可使用重量平均分子量为2000至13000的，在使用大于上述丙烯酸酯树脂的重量平均分子量的数值的情况下，弹性和拉伸力会增加，从而导致研磨率的降低。
本发明的上述研磨体层20还可包含气孔形成剂、pH调节剂、络合剂、蚀刻剂、氧化剂等的添加剂和防腐剂、杀菌剂等。
上述气孔形成剂可包含碳酸氢钾、碳酸氢钠、碳酸氢铵、碳酸钙、氢氧化钠、氯化钙和氯化钠中的至少一种。并且，气孔形成剂的比重处于1g/cm3至3g/cm3范围，且大小处于5μm至50μm。
如表1所示，与以往作为气孔形成剂使用的玻璃泡沫或膨胀单元等相比，本发明的气孔形成剂使用比重相对较大的材料，由此，为了形成研磨体层20，当进行混合时，容易调节基于添加量的粘度，并可均匀分布，也可自由调节气孔大小。
表1
Figure GDA0003059758330000101
上述pH调节剂用于调节当进行研磨工序时所使用的溶液的pH，可使用酸、碱基或这些的盐。pH调节剂的添加量并未特殊限制，只要使研磨材料达到所需要的pH即可。
并且，例如，上述氧化剂可包含过氧化氢、过硫酸盐(例如，铵或钾过硫酸盐及硫酸盐)、高碘酸盐、碘酸盐及高碘酸中的至少一种。
并且，例如，上述防腐剂及杀菌剂可以为2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮或5-氯-2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮等的异噻唑啉类防腐剂、对羟基苯甲酸酯和苯氧基乙醇等。这些防腐剂及杀菌剂可单独或混合2种以上使用。
图2为图1的研磨垫1的制作工序图。
图1的研磨垫1的制作方法包括：混合第一微粒研磨材料和高分子粘结剂来制备研磨浆料的步骤；通过对混合上述研磨浆料和研磨辅料而成的研磨成型体进行烧结来准备第一研磨体的步骤；混合第二微粒研磨材料和高分子粘结剂来制作自调节成型体的步骤；对上述自调节成型体涂敷水性聚氨酯来准备第二研磨体的步骤；混合上述第一研磨体和上述第二研磨体来制作研磨体层的步骤；以及在上述研磨体层上涂敷基材层的步骤。
以下，更加详细说明本发明的图1的研磨垫1的制作方法。其中，上述研磨垫1的制作方法所记载的组合物的成分、含量、厚度、效果等的特征均包括以上提及的所有内容。
首选，准备第一研磨体21。
上述第一研磨体21混合第一微粒研磨材料21a和高分子粘结剂来制备研磨浆料，通过烧结步骤制作混合上述研磨浆料和研磨辅料21b的研磨成型体。通过上述烧结步骤去除研磨成型体的高分子粘结剂，从而制作第一微粒研磨材料21a和研磨辅料21b相接的第一研磨体21。其中，上述烧结步骤将研磨成型体加热至400℃至800℃的温度。
之后，准备第二研磨体23。
上述第二研磨体23通过混合第二微粒研磨材料23a和高分子粘结剂23b来制作自调节成型体，并用水性聚氨酯23c涂敷上述自调节成形体来制备。用水性聚氨酯23c涂敷上述自调节成型体的表面，由此可控制溶出速度。并且，优选地，在85℃至100℃的温度下，在自调节成型体涂敷1次以上上述水性聚氨酯。上述涂敷可通过棒涂(bar coating)、喷墨印刷(inkjet printing)、凹版印刷(Gravure printing)、胶版印刷(offset printing)、喷雾(Spray)或旋涂(spin coating)进行。
混合之前准备的上述第一研磨体21和上述第二研磨体23来制作研磨体层20。
其中，混合上述第一研磨体21和上述第二研磨体23，为了上述成分的粘结，向上述混合物追加混合高分子树脂27之后注入到成型模具3并进行硬化来制作(参照图2的A)。
例如，上述成型模具3为阴刻模具，在上述阴刻模具涂敷上述研磨体层20的必要结构成分的混合物并进行硬化来制作上述研磨体层20。
上述阴刻模具在制作具有规定形状的大小的图案的压花模具之后，在上述压花模具加压具有弹性的柔性材质的部件，由此，可制作与上述制作的压花模具的规定形状及大小图案相对应的阴刻模具。因此，根据上述固定形状及大小图案确定本发明的多个研磨突起20a、20b、20c的形状及大小，并具有多角柱子、末端被切割的多角、圆柱、末端被切割的圆锥等的多宗形状，上述多个研磨突起20a、20b、20c的排列可排列成同心圆状或放射状。
在制作研磨体层20之后，在上述研磨体层20涂敷缓冲层30(参照图3的B)。
在上述研磨体层20涂敷基材层10(参照图2的B)。涂敷上述基材层10之后进行硬化，并去除上述成型模具3(参照图2的C)，由此可制作图1的研磨垫1。
在本发明中，上述成型模具3的去除可在涂敷基材层10之后去除，或者可在涂敷基材层10之前去除成型模具3。
通过图3，以本发明一实施例呈现出研磨垫的制作方法。其中，图3的步骤A与图2的步骤A相同，因此，其中将省略相同或类似的说明。
图3的步骤B为研磨体层20的平坦化步骤，在成型模具3中，在涂敷及硬化而成的研磨体层20上涂敷缓冲层30之后进行硬化并使研磨提成平坦化。上述缓冲层30的成分已在上述图1的参照说明部分中说明，因此，在此省略相同说明。
在上述成型模具3中涂敷及硬化而成的研磨体层20的情况下，研磨表面为被注入到阴刻模具内并成型的部分，上述研磨表面需要平坦，由此才能够在进行被研磨体的研磨工序时达成研磨均匀度。缓冲层30以光敏树脂形成于上述研磨体层20上的情况下，可进行薄的涂敷，因此需要追加包括平坦化步骤，但是，在缓冲层30并非由光敏树脂形成的情况下，优选地，需要追加包括平坦化步骤。其中，在包括使研磨体层20平坦化的步骤的情况下，向下按压上述研磨体层20，使得研磨体层20与上述平坦的表面相对应。通过利用上述缓冲层30的研磨表面的平坦化效果，可制作具有即使大面积也具有高平坦度的研磨表面的研磨垫1。具有高平坦度的研磨垫具有热如下效果，可大幅度缩减当使用研磨工序时，为了最初研磨体层20的研磨表面的皮肤层(skin layer)去除及平坦度确保而实施的破入过程(break-in process)的时间，由此提高研磨工序生产效率。并且，上述缓冲层30具有弹力，当研磨被研磨体时，可具有防止表面划痕的效果。
图3的步骤C为去除上述成型模具3的步骤。在去除上述成型模具3之后，在上述缓冲层30硬化之后，不与研磨体层20相接触的背面通过研磨时缓冲层30的表面平坦化。本实施例中，在执行缓冲层30硬化之后去除成型模具3，但是，在图3的步骤D之后或步骤E之后或步骤F之后执行。
图3的步骤D为第一减压粘结层40的形成步骤。
在上述缓冲层30的背面形成第一减压粘结层40。上述第一减压粘结层40可使用一般使用的压敏胶带。
图3的步骤E为形成基材层10，上述缓冲层30和上述基材层10通过上述第一减压粘结层40粘结的步骤。
基材层10位于上述第一减压粘结层40上，在上述基材层10和上述第一减压粘结层40之间不发生气泡，以能够均匀地粘结的方式可利用层压装置进行粘结。
图3的步骤F为第二减压粘结层50的形成步骤。
在未形成上述第一减压粘结层40的基材层10的背面形成第二减压粘结层50。第二减压粘结层50可以使用与上述第一减压粘结层40相同的压敏胶带。上述第二减压粘结层50用于与研磨装置附着，根据本发明制作的研磨垫1即使因基材层10而被大面积制作也不会简单弯曲，当进行研磨工序时，可以简单与研磨装置的板附着。
以上的说明仅是说明本发明的技术思想的例示性说明，本发明所属技术领域的普通技术人员在不超出本发明的本质特征的范围内可进行多种修改及变形。因此，本发明所公开的实施例并非用于限定本发明的技术思想，而是用于说明本发明，本发明的技术思想范围并不局限于上述实施例。本发明的发明要求保护范围需要通过以下的发明要求保护范围来解释，在与其等同的范围内的所有技术思想均术语本发明的发明要求保护范围内。
以下，通过实施例，更加详细说明本发明。这些实施例仅用于更加具体说明本发明，对本发明所属技术领域的普通技术人员来说，根据本发明的主旨，本发明的范围并不局限于这些实施例是显而易见的。
实施例1.第一研磨体制作
利用球磨机混合作为金刚石的第一微粒研磨材料和水溶性溶剂，由此以没有絮凝现象的方式进行分散。烘干完成分散的第一微粒研磨材料来使溶剂蒸发，从而获得第一微粒研磨材料粉末。
而且，混合重量平均分子量为40000的聚乙烯醇(PVA)和重量平均分子量为2000的聚乙二醇(PEG)及重量平均分子量为2000的糊精(Dextrin)和水溶性溶剂来制作高分子粘结剂。其中，相对于100重量份的上述第一微粒研磨材料，上述聚乙烯醇(PVA)包含4重量份，聚乙二醇包含3重量份，糊精包含3重量份来制作高分子粘结剂。
混合之前获得的第一微粒研磨材料粉末和高分子粘结剂，混合80重量份的硅石粉并投入到粉末烘干机。而且，向上述粉末烘干机分别投入2phr的陶瓷分散剂(Ceraperse5468cf)、消泡剂(Defoamer 551)、金属脱模剂(Lu6318)、表面活性剂(Triton-X)来实施分类工序。而且，以500℃的温度下烧结最终分类的第一研磨体粉末来制作第一研磨体。
实施例2.第一研磨体制作
除相对于第一微粒研磨材料，混合100重量份的硅石粉之外，通过与实施例1相同的方法制作第一研磨体。
实施例3.第一研磨体制作
除相对于第一微粒研磨材料，混合200重量份的硅石粉之外，通过与实施例1相同的方法制作第一研磨体。
实验例1.第一研磨体表面形状测定
用扫描电子显微镜测定通过实施例1至实施例3制作的第一研磨体的表面形状来呈现在图4。
其中，通过实施例1制作的第一研磨体的表面为a，通过实施例2制作的第一研磨体的表面为b，通过实施例3制作的第一研磨体的表面为c。
参照图4，与c的第一研磨体相比，a的第一研磨体更加均匀分布，从而预测研磨效率高。
实施例4.第二研磨体制作
利用水溶性球磨机混合以相同重量构成的氧化铝(Al2O3)、碳酸钙及钙硅石和第二微粒研磨材料，由此以没有絮凝现象的方式进行分散。烘干完成分散的第二微粒研磨材料并使溶剂蒸发，由此获得第二微粒研磨材料。
而且，混合重量平均分子量为40000的聚乙烯醇(PVA)和重量平均分子量为2000的聚乙二醇(PEG)及重量平均分子量为2000的糊精(Dextrin)和水溶性溶剂来制作10重量百分比的高分子粘结剂。其中，相对于100重量份的上述第一微粒研磨材料，上述聚乙烯醇(PVA)包含4重量份，聚乙二醇包含3重量份，糊精包含3重量份来制作高分子粘结剂。
混合之前获得的第二微粒研磨材料粉末和高分子粘结剂，混合80重量份的硅石粉并投入到粉末烘干机。而且，向上述粉末烘干机分别投入2phr的陶瓷分散剂(Ceraperse5468cf)、消泡剂(Defoamer 551)、金属脱模剂(Lu6318)、表面活性剂(Triton-X)来实施分类工序。相对于100重量份的第二微粒研磨材料，在分类的第二研磨体粉末的表面涂敷5重量份的水性聚氨酯溶液(包含10重量百分比的聚氨酯固体)来最终制作第二研磨体。
实施例5.研磨垫制作
与高分子树脂一同将在实施例1中制作的第一研磨体和在实施例4中制作的第二研磨体注入到阴刻模具并进行硬化来制作研磨体层。之后，去除阴刻模具并粘结通过粘结带制作的研磨体层和基材来制作研磨垫。
比较例1.研磨垫制作
除硅石粉之外，通过与实施例1相同的方法制作第一研磨体。向阴刻模具注入制作的第一研磨体和高分子树脂并进行硬化来制作研磨体层。
而且，通过粘结用粘结带制作的研磨体层和基材来制作研磨垫。
实验例2.研磨去除率测定
通过在实施例5及比较例1中制作的研磨垫对光学玻璃基板进行研磨来测定研磨去除率，其结构呈现在图5。
而且，研磨过程中投入水溶液来测定研磨去除率，并将其结果呈现在图6。
其中，研磨去除率利用BP310P(SARTORIUS社，GERMANY)来计算。
参照图5，相对于比较例1的研磨垫，实施例5的研磨垫呈现出约为高出1.5倍的研磨去除率，可知具有相对于比较例1的研磨垫更优秀的研磨性能。
参照图6，在投入水溶液浆料的过程中，呈现出研磨性能呈现出与以往相同水平。
实施例6.包括缓冲层的研磨垫制作
通过搅拌机搅拌180g的Aliphatic类的urethane diacrylate。在搅拌之前，放入被设定为40℃的烤箱并降低粘度，使得混合变得简单。之后，混合5g的1,6-己二醇二丙烯酸酯，添加15g的丙烯酸异冰片酯来连续搅拌。搅拌后，混合0.5phr的BYK9150溶液、1.5phr的光引发剂(Irgacure 819)来制作缓冲层的混合物。
而且，在实施例5的研磨垫制作工序中，通过相同方法制作研磨体层，在研磨体层上涂敷之前制作的缓冲层混合物。之后，去除阴刻模具并粘结用粘结带制作的缓冲层和基材来制作研磨垫。
实施例3
在实施例6及比较例1中准备的研磨垫来对光学玻璃基板进行研磨，激光显微镜测定光学玻璃基板的表面，其结构呈现在图7。
图7的(a)为通过实施例6制作的研磨垫进行研磨的光学玻璃基板的表面照片，图7的(b)为通过比较例1制作的研磨垫进行研磨的光学玻璃基板的表面照片。
参照图7，通过实施例6制作的研磨垫进行研磨的光学玻璃基板的表面的仅一部分发生划痕，通过比较例1制作的研磨垫进行研磨的光学玻璃基板的整个表面发生划痕。因此，包括缓冲层的研磨垫因研磨过程中的缓冲作用而在几乎不发生划痕的情况下对被研磨体进行研磨。

Claims (12)

1.一种研磨垫，其特征在于，
包括：
基材层；以及
研磨体层，包括第一研磨体和第二研磨体，
上述第一研磨体包括第一微粒研磨材料及研磨辅料，所述第一微粒研磨材料包含碳化硼、金刚石及立方氮化硼中的至少一种，
上述第二研磨体包括第二微粒研磨材料及高分子粘结剂，并涂敷有水性聚氨酯，所述第二微粒研磨材料包含氧化铝、胶体二氧化硅、熔融石英、碳化硅、氧化锆、氧化铈、氧化铁及氧化铬中的至少一种，
若通过水溶液至少使第二研磨体的一部分被溶解，则从上述第二研磨体释放上述第二微粒研磨材料，执行研磨垫的调节，
相对于100重量份的上述第二微粒研磨材料，包含0.1重量份至20重量份的上述水性聚氨酯。
2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，上述研磨辅料为硅石粉。
3.根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于，相对于100重量份的第一微粒研磨材料，包含10重量份至100重量份的上述研磨辅料。
4.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，上述高分子粘结剂包含淀粉、聚乙烯醇、聚环氧乙烷、聚乙二醇、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺及糊精中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，在上述研磨体层上还形成缓冲层。
6.根据权利要求5所述的研磨垫，其特征在于，上述缓冲层包括热硬化树脂或感光性树脂中的至少一种，上述热硬化树脂包括丙烯酸酯树脂、环氧树脂、聚酯树脂、酚醛树脂、尿素树脂及三聚氰胺树脂中的一种。
7.一种研磨垫的制作方法，其特征在于，包括：
混合第一微粒研磨材料和高分子粘结剂来制备研磨浆料的步骤；
通过对混合上述研磨浆料和研磨辅料而成的研磨成型体进行烧结来准备第一研磨体的步骤；
混合第二微粒研磨材料和高分子粘结剂来制作自调节成型体的步骤；
对上述自调节成型体涂敷水性聚氨酯来准备第二研磨体的步骤；
混合上述第一研磨体和上述第二研磨体来制作研磨体层的步骤；以及
在上述研磨体层上涂敷基材层的步骤。
8.根据权利要求7所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，在上述烧结步骤中，在400℃至800℃的温度下对研磨成型体进行加热。
9.根据权利要求7所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，在85℃至100℃的温度下，向自调节成型体涂敷1次以上的上述水性聚氨酯。
10.根据权利要求7所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，
相对于100重量份的上述第一微粒研磨材料，包含1重量份至20重量份的上述高分子粘结剂，
相对于100重量份的上述第一微粒研磨材料，包含10重量份至100重量份的上述研磨辅料。
11.根据权利要求7所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，相对于100重量份的上述第二微粒研磨材料，包含0.1重量份至20重量份的上述水性聚氨酯。
12.根据权利要求7所述的研磨垫的制作方法，其特征在于，还包括在上述研磨体层上涂敷缓冲层的步骤。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109571288A (zh) * 2018-12-20 2019-04-05 山东华锐超硬工具有限公司 一种超硬磨料工具及其制备方法
JP3224896U (ja) * 2019-11-13 2020-01-30 バンドー化学株式会社 研磨パッド
KR102142573B1 (ko) * 2019-12-06 2020-08-07 에스다이아몬드공업 주식회사 실리콘 웨이퍼 드라이 폴리싱용 패드의 지립 제조방법
CN112720285B (zh) * 2020-12-24 2022-05-17 深圳市宏通新材料有限公司 金刚石磨具的制作方法
CN113579993B (zh) * 2021-07-30 2023-02-24 河南科技学院 一种化学机械抛光垫及其制备方法和应用
CN115716985B (zh) * 2022-11-24 2023-07-14 上海皆利新材料科技有限公司 一种无卤阻燃聚氨酯弹性体及其制备方法
CN115890507A (zh) * 2022-12-30 2023-04-04 河北思瑞恩新材料科技有限公司 一款适合高转速低压力打磨的研磨耗材的制备方法
CN117655937B (zh) * 2024-02-02 2024-04-26 四川江天科技有限公司 一种用于水晶玻璃抛光的稀土抛光盘及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6069080A (en) * 1992-08-19 2000-05-30 Rodel Holdings, Inc. Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like
WO1999008837A1 (en) * 1997-08-15 1999-02-25 Struers A/S An abrasive means and a grinding process
JP4190219B2 (ja) * 2002-06-27 2008-12-03 泰弘 谷 化学的機械的研磨パッド及びその製造方法
US20050176251A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Duong Chau H. Polishing pad with releasable slick particles
TWI352734B (en) * 2005-01-28 2011-11-21 Saint Gobain Abrasives Inc Abrasive articles and methods for making same
JP5371661B2 (ja) * 2009-09-28 2013-12-18 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
WO2012138705A2 (en) * 2011-04-05 2012-10-11 Universal Photonics, Inc. A self-conditioning polishing pad and a method of making the same
CN104302446B (zh) * 2012-03-20 2017-10-31 Jh罗得股份有限公司 自调理抛光垫及其制备方法
CN103862365B (zh) * 2014-01-21 2016-05-04 湖北鼎龙化学股份有限公司 聚氨酯材料抛光垫及其制备方法
CN105983900B (zh) * 2015-02-15 2019-02-22 三芳化学工业股份有限公司 抛光垫及其制造方法
CN110682203B (zh) * 2018-07-05 2021-02-12 东莞市中微纳米科技有限公司 一种金刚石复合材料及其制备方法和应用

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